JPH0927577A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0927577A
JPH0927577A JP8105725A JP10572596A JPH0927577A JP H0927577 A JPH0927577 A JP H0927577A JP 8105725 A JP8105725 A JP 8105725A JP 10572596 A JP10572596 A JP 10572596A JP H0927577 A JPH0927577 A JP H0927577A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ワイヤ切れの生じにくい信頼性の
高い半導体装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明は、先端にアイランド部を有する
リード端子と、下面が前記アイランド部に接続された半
導体素子と、この半導体素子の上面とアイランド部とを
接続する少なくとも１本以上のワイヤと、半導体素子お
よびワイヤを封止する樹脂封止部と、を有する半導体装
置において、前記アイランド部は、その半導体素子との
接続部分と、そのワイヤとの接続部分との間に、切り欠
き部が形成されていることを特徴とする半導体装置を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、アイランド部上に半導
体素子を搭載した半導体装置に関し、特にアイランド部
の形状に特徴を有する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、例えばフォトダイ
オード素子を含む半導体素子を有する受光装置を例にと
ると次のような構造を有する。すなわち、この受光装置
は、図４に示すように、先端が略矩形状のアイランド部
３１ａを有する共通リード３１と、この共通リード３１
の左右両側に略平行に形成された個別リード３２、３３
と、アイランド部３１ａ上にダイボンディングされた半
導体素子３４と、この半導体素子３４とアイランド部３
１ａ上面および個別リード３２、３３とをワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続させる金等からなる複数のワ
イヤ３５と、半導体素子３４およびワイヤ３５を封止す
る略矩形状のエポキシ樹脂等からなる樹脂封止部３６
（図４においては樹脂封止部３６を透明状に示すが実際
には不透明である）と、からなるものである。上記半導
体素子３４の上面には、アルミニウム等からなる突起状
の複数の電極パッド（図示せず）が形成されている。こ
れら電極パッド上にボンディングされたワイヤ３５のう
ち４本は、それぞれの一端がアイランド部３１ａ上面に
ボンディングされ、２本は、それぞれの一端が個別リー
ド３２、３３にボンディングされている。上記４本のワ
イヤは、アースされるべくアイランド部３１ａと電気的
に接続されており、半導体素子３４を介して個別リード
３２、３３間に流れる電流に対する抵抗値の調整を行う
ためのものである。
【０００３】そして、図示しない樹脂成形金型を用い
て、半導体素子３４およびワイヤ３５を封止するよう
に、図５に示すような樹脂封止部３６を得ている。尚、
樹脂封止部３６は、その半導体素子３４の略直上部に略
半球形状の外部からの光を半導体素子３４へと導く集光
レンズ部を設けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この受
光装置には、次のような問題があった。上記樹脂封止部
３６は、加熱された状態で半導体素子３４およびワイヤ
３５を封止した後に降温するので、この時にその内部へ
収縮する力が作用する。このとき、ワイヤ３５は、樹脂
封止部３６となる樹脂とともにその内部収縮方向に引っ
張られる。一方、ワイヤ３５の一端がステッチボンディ
ングされているアイランド部３１ａは、樹脂との熱膨張
係数の違いとにより、樹脂封止部３６に比して極めて収
縮率が小さい。
【０００５】従って、ワイヤ３５は、その一端がアイラ
ンド部３１ａから引き剥されるように、樹脂とともに収
縮する方向へ力を負荷され、ついには図６に示すような
ワイヤ切れを起こしてしまうのである。また、このよう
なことは、外気の温度変化によっても起きる。本発明
は、以上のような状況下で考え出されたもので、ワイヤ
切れの生じにくい信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、先端にアイランド部を有するリード端子
と、下面が前記アイランド部に接続された半導体素子
と、この半導体素子の上面とアイランド部とを接続する
少なくとも１本以上のワイヤと、半導体素子およびワイ
ヤを封止する樹脂封止部と、を有する半導体装置におい
て、前記アイランド部は、その半導体素子との接続部分
と、そのワイヤとの接続部分との間に、切り欠き部が形
成されていることを特徴とする半導体装置を提供するも
のである。
【０００７】また、本発明は、さらに上記半導体装置に
おいて、切り欠き部は、すべてのワイヤの下方を通過し
て延設されている半導体装置をも提供し得る。
【０００８】
【実施の形態】以下、本発明の一実施例を、半導体装置
としてフォトダイオード素子を含む半導体素子（以下フ
ォトダイオード素子と称する）を有する受光装置を例に
とり、図１及び図２を参照しつつ説明するが、本発明が
これに限定されることはない。図１は、先端が略矩形状
のアイランド部１ａを有する共通リード１（リード端
子）と、この共通リード１の左右両側に略平行に形成さ
れた個別リード２ａ、２ｂと、アイランド部１ａ上にダ
イボンディングされたフォトダイオード素子３と、この
フォトダイオード素子３とアイランド部１ａ上面および
個別リード２ａ、２ｂとをワイヤボンディングにより電
気的に接続させる金等からなる複数のワイヤ４と、フォ
トダイオード素子３およびワイヤ４を封止する略矩形状
のエポキシ樹脂からなる樹脂封止部５（図１においては
これを透明状に示しているが実際には不透明状である）
と、からなるものである。
【０００９】上記アイランド部１ａは、そのフォトダイ
オード素子３との接続部分と、そのワイヤ４との接続部
分との間に、切り欠き部１ｂが形成されている。この切
り欠き部１ｂは、フォトダイオード素子３の一辺（図中
におけるワイヤ４のステッチボンディング側の辺）に沿
って形成されている。この切り欠き部１ｂの長さ寸法Ａ
は、１．９ｍｍ程度であり、これに対してアイランド部
の幅寸法Ｂは、２．３ｍｍ程度である。また、切り欠き
部１ｂの幅寸法Ｃは、０．４ｍｍ程度である。また、上
記フォトダイオード素子３の上面には、アルミニウムか
らなる６つの電極パッド（図示せず）が形成されてお
り、これら電極パッド上にはワイヤ４がそれぞれボール
ボンディングされている。ワイヤ４のうち４本は、それ
ぞれの一端が切り欠き部１ｂを跨ぐように、アイランド
部１ａ上面にステッチボンディングされており、残りの
２本は、それぞれの一端が個別リード２ａ、２ｂにステ
ッチボンディングされている。
【００１０】このような構造を有する受光装置におい
て、樹脂封止部５は、従来からの樹脂成形金型により、
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を用いて、先述したよ
うな図４に示すような形状に成形される。上記樹脂封止
部５は、例えば熱溶融されたエポキシ樹脂をフォトダイ
オード素子３とワイヤ４とを覆うように封止した後に、
これを常温へと降温することにより得られる。
【００１１】しかし、エポキシ樹脂は、その熱硬化の後
に降温するにつれて内部へ収縮する方向に力を負荷され
る。このとき、ワイヤ４は、上記エポキシ樹脂とともに
内部へ収縮する方向へ力を負荷される。一方、アイラン
ド部１ａは、上述したようにそのフォトダイオード素子
３との接続部分と、そのワイヤ４との接続部分との間
に、切り欠き部１ｂが形成されているので、この切り欠
き部１ｂを挟んで互いに接近および離反する方向（図１
中の矢印方向）に変形しやすい形状となっている。この
ため、アイランド部１ａは、その切り欠き部１ｂの周辺
部分において、エポキシ樹脂の内部方向への収縮動とと
もに変形しやすい状態となっている。
【００１２】従って、ワイヤ４は、そのアイランド部１
ａとの接続部分において、上記エポキシ樹脂の収縮方向
へと引っ張られると同時に、アイランド部１ａも同じよ
うに上記収縮方向へと引っ張られるので、アイランド部
１ａとの接続部分におけるワイヤ切れの発生を著しく低
減し得ることになる。本実施例における切り欠き部１ｂ
は、すべてのワイヤ４の下方を通過するように延設して
いるので、上述した切り欠き部１ｂを挟んで互いに接近
および離反する方向により変形しやすい形状となるた
め、切り欠き部１ｂの周辺（ワイヤ４との接続部分を含
む）におけるアイランド部１ａでは、上記エポキシ樹脂
の収縮にともなってその収縮方向へ変形しやすく、ワイ
ヤ切れが発生しにくくなる。
【００１３】また、本実施例において、切り欠き部１ｂ
は、図１に示すように、フォトダイオード素子３の一辺
に沿って形成したが、これに限定するものでなく、図２
（ａ）に示すように、切り欠き部１ｂは、すべてのワイ
ヤの下方を通過して延設されているような形状にしても
よく、また、図２（ｂ）乃至図２（ｅ）等に示すような
形状においても本発明の効果を奏し得、ワイヤ４が切り
欠き部１ｂを跨ぐような位置に形成していれば、その形
状を限定するものでない。また、この切り欠き部１ｂを
跨ぐワイヤ４は、上記実施例において４本としている
が、これに限定するものでなく、少なくとも１本以上あ
ればよい。
【００１４】さらに、本実施例における切り欠き部１ｂ
の寸法は、これを限定するものでなく、また、切り欠き
部１ｂは、複数個あってもよい。また、本実施例の半導
体装置では切り欠き部という片持ち状態の形状であった
が、本発明の半導体装置では、図３に示すような貫通穴
６を形成した、いわゆる両持ち状態の形状の場合でも、
上記のようなエポキシ樹脂の収縮にともなってアイラン
ド部が追従する程度に変形するような大きな貫通穴（貫
通穴の径（長穴の場合は長径）がアイランド部の幅寸法
に近い）６であれば、本発明の効果を奏し得る。もちろ
ん、上記貫通穴６は、複数個設けても良い。
【００１５】加えて、本実施例においては、半導体装置
として受光装置を例にとって説明しているが、これに限
定するものでない。
【００１６】
【発明の作用及び効果】本発明の半導体装置によれば、
アイランド部は、その半導体素子との接続部分と、その
ワイヤとの接続部分との間に、切り欠き部が形成されて
いるので、次のような作用効果を奏する。すなわち、こ
の半導体装置は、例えば、樹脂封止部となる熱硬化性の
樹脂を、加熱した状態で半導体素子およびワイヤを封止
することにより得られるが、上記樹脂は、これが降温す
るにつれて内部へ収縮する方向に力を負荷される。この
とき、ワイヤは、上記樹脂とともに内部へ収縮する方向
へ力を負荷される。一方、アイランド部は、上述したよ
うにその半導体素子との接続部分と、そのワイヤとの接
続部分との間に、切り欠き部が形成されているので、こ
の切り欠き部を挟んで互いに接近または離反する方向に
変形しやすい形状となっている。このため、アイランド
部は、その切り欠き部の周辺部分において、樹脂の内部
方向への収縮動とともに変形しやすい状態となってい
る。
【００１７】従って、ワイヤは、そのアイランド部との
接続部分において、上記樹脂の収縮方向へと引っ張られ
ると同時に、アイランド部も同じように上記収縮方向へ
と引っ張られるので、アイランド部との接続部分におけ
るワイヤ切れの発生を著しく低減し得ることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置としての受光装置を示す一
部切り欠き平面図である。
【図２】本発明の半導体装置の変形例を示す一部切り欠
き平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の変形例を示す一部切り欠
き平面図である。
【図４】従来の半導体装置を示す一部切り欠き平面図で
ある。
【図５】従来の半導体装置を示す要部斜視図である。
【図６】従来の半導体装置においてワイヤ切れをおこし
た状態を説明する説明図である。
【符号の説明】
１ 共通リード ２ 個別リード ３ フォトダイオード素子 ４ ワイヤ ５ 樹脂封止部 ６ 貫通穴 ７ 折り曲げ部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 先端にアイランド部を有するリード端子
    と、下面が前記アイランド部に接続された半導体素子
    と、この半導体素子の上面とアイランド部とを接続する
    少なくとも１本以上のワイヤと、半導体素子およびワイ
    ヤを封止する樹脂封止部と、を有する半導体装置におい
    て、 前記アイランド部は、その半導体素子との接続部分と、
    そのワイヤとの接続部分との間に、切り欠き部が形成さ
    れていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記切り欠き部は、すべての前記ワイヤ
    の下方を通過して延設されていることを特徴とする請求
    項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 先端にアイランド部を有するリード端子
    と、下面が前記アイランド部に接続された半導体素子
    と、この半導体素子の上面とアイランド部とを接続する
    少なくとも１本以上のワイヤと、半導体素子およびワイ
    ヤを封止する樹脂封止部と、を有する半導体装置におい
    て、 前記アイランド部は、その半導体素子との接続部分と、
    そのワイヤとの接続部分との間に、貫通穴が形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
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