JPH0123857B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0123857B2 JPH0123857B2 JP55134861A JP13486180A JPH0123857B2 JP H0123857 B2 JPH0123857 B2 JP H0123857B2 JP 55134861 A JP55134861 A JP 55134861A JP 13486180 A JP13486180 A JP 13486180A JP H0123857 B2 JPH0123857 B2 JP H0123857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- film
- magnetic
- base material
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はCo−Cr合金よりなるターゲツトの厚
みを４ｍ／ｍ以下としてプレーナーマグネトロン
スパツタ方式で被膜形成を行なう磁気記録媒体の
製造方法に関する。
みを４ｍ／ｍ以下としてプレーナーマグネトロン
スパツタ方式で被膜形成を行なう磁気記録媒体の
製造方法に関する。
情報を記録する方法として磁気記録方式は、オ
ーデイオ、ビデオをはじめとして情報処理や制御
システムに欠かせぬものとなつている。磁気記録
方式は電気信号に変換された情報を電気磁気変換
装置である磁気ヘツドによつて磁気の変化に変え
てデイスクやテープ上の磁性層に記録し、全く逆
の行程により再生されるものである。音声信号や
可視情報等のアナログ記録やコンピユーター等の
データー信号のデジタル記録等の広い分野に磁気
記録方式が利用されている。通常の磁気記録方式
はリング形のヘツドを用いた第１図に示す様な構
成となつている。
ーデイオ、ビデオをはじめとして情報処理や制御
システムに欠かせぬものとなつている。磁気記録
方式は電気信号に変換された情報を電気磁気変換
装置である磁気ヘツドによつて磁気の変化に変え
てデイスクやテープ上の磁性層に記録し、全く逆
の行程により再生されるものである。音声信号や
可視情報等のアナログ記録やコンピユーター等の
データー信号のデジタル記録等の広い分野に磁気
記録方式が利用されている。通常の磁気記録方式
はリング形のヘツドを用いた第１図に示す様な構
成となつている。
プラスチツクフイルム等のベースフイルム１の
上に酸化鉄や酸化クロム等の磁性体を塗布した記
録媒体層２が形成されている。その上部にはリン
グ状のフエライトヘツド３が近接して配置され、
ヘツドには電気信号を磁気信号に変換する為のコ
イル４が巻かれている。コイル４に電流を流すこ
とによりヘツド３の先端部に磁界が生じ、この磁
界により記録媒体層２に面に平行に磁化層が生じ
て記録がなされる。この方式は過去40年間にわた
り記録方式の主流となつてきた。しかし今日記録
媒体の高密度化が要望されるようになりこの方式
の限界が認識されるようになつてきた。即ち記録
媒体層の磁性体が永久磁石となつて記録される際
記録密度が大きくなり個々の永久磁気が小さくな
ると減磁作用により残留磁化が弱くなり再生出力
が弱くなると共に信号の位相的なずれも大きくし
てしまう。これを改善する目的で考案されたのが
垂直磁化方式である。垂直磁化方式の構成を第２
図に記す。ベースフイルム５の上にパーマロイ薄
膜等の水平磁化膜６と垂直磁化膜７がスパツタ等
により形成されている。垂直磁化膜７の上方に主
磁極８と下方に補助磁極９が配置されている。
上に酸化鉄や酸化クロム等の磁性体を塗布した記
録媒体層２が形成されている。その上部にはリン
グ状のフエライトヘツド３が近接して配置され、
ヘツドには電気信号を磁気信号に変換する為のコ
イル４が巻かれている。コイル４に電流を流すこ
とによりヘツド３の先端部に磁界が生じ、この磁
界により記録媒体層２に面に平行に磁化層が生じ
て記録がなされる。この方式は過去40年間にわた
り記録方式の主流となつてきた。しかし今日記録
媒体の高密度化が要望されるようになりこの方式
の限界が認識されるようになつてきた。即ち記録
媒体層の磁性体が永久磁石となつて記録される際
記録密度が大きくなり個々の永久磁気が小さくな
ると減磁作用により残留磁化が弱くなり再生出力
が弱くなると共に信号の位相的なずれも大きくし
てしまう。これを改善する目的で考案されたのが
垂直磁化方式である。垂直磁化方式の構成を第２
図に記す。ベースフイルム５の上にパーマロイ薄
膜等の水平磁化膜６と垂直磁化膜７がスパツタ等
により形成されている。垂直磁化膜７の上方に主
磁極８と下方に補助磁極９が配置されている。
補助磁極９には信号発生用のコイル１０が巻か
れている。垂直磁化膜７はコバルト−クロム等の
被膜で形成されその結晶粒はＣ軸方向がベースフ
イルムに対し垂直方向に配向されている。コイル
１０に電流を流すと補助磁極９よりの磁界は水平
磁化膜６により主磁極８に集中させられる。従つ
て主磁極８の直下の垂直磁化膜７にはフイルム面
に垂直方向の磁化が生じる。これにより記録密度
は飛躍的に上昇した。記録の再生はコイルに発生
する電気信号によりなされる。
れている。垂直磁化膜７はコバルト−クロム等の
被膜で形成されその結晶粒はＣ軸方向がベースフ
イルムに対し垂直方向に配向されている。コイル
１０に電流を流すと補助磁極９よりの磁界は水平
磁化膜６により主磁極８に集中させられる。従つ
て主磁極８の直下の垂直磁化膜７にはフイルム面
に垂直方向の磁化が生じる。これにより記録密度
は飛躍的に上昇した。記録の再生はコイルに発生
する電気信号によりなされる。
垂直磁化記録方式では記録媒体の結晶軸の配向
性の良否が記録特性に大きく影響する。例えばコ
バルト主体の被膜が形成された媒体ではＣ軸配向
性が良くなければならない。このＣ軸配向性の良
否を左右するのは言うまでもなく製造条件であ
る。通常垂直磁化膜はRfスパツタリング法によ
り形成されている。Ｃ軸配向性能を支配するのは
スパツタ時の電力、アルゴン分圧等であるが特に
大きく影響するのは被膜形成スピードと被膜温度
即ち基材、例えば基板温度である。被膜形成スピ
ードは１分間に60オングストローム以下でないと
良好な被膜は形成できないとされている。記録媒
体として垂直磁化膜は１ミクロンの厚みが必要と
言われる。これを達成するには少なくとも３時間
を要することになる。即ち生産性が非常によくな
い。これによりスピードを上げると通常のRfス
パツタ法では基板温度が上昇してしまい逆にＣ軸
配向特性を悪化してしまう結果となつた。これは
結晶転移温度が200℃付近にあるためと思われる。
又ベースとなる基材、例えばフイルムの特性を考
慮すると温度を上げることは好ましくない。
性の良否が記録特性に大きく影響する。例えばコ
バルト主体の被膜が形成された媒体ではＣ軸配向
性が良くなければならない。このＣ軸配向性の良
否を左右するのは言うまでもなく製造条件であ
る。通常垂直磁化膜はRfスパツタリング法によ
り形成されている。Ｃ軸配向性能を支配するのは
スパツタ時の電力、アルゴン分圧等であるが特に
大きく影響するのは被膜形成スピードと被膜温度
即ち基材、例えば基板温度である。被膜形成スピ
ードは１分間に60オングストローム以下でないと
良好な被膜は形成できないとされている。記録媒
体として垂直磁化膜は１ミクロンの厚みが必要と
言われる。これを達成するには少なくとも３時間
を要することになる。即ち生産性が非常によくな
い。これによりスピードを上げると通常のRfス
パツタ法では基板温度が上昇してしまい逆にＣ軸
配向特性を悪化してしまう結果となつた。これは
結晶転移温度が200℃付近にあるためと思われる。
又ベースとなる基材、例えばフイルムの特性を考
慮すると温度を上げることは好ましくない。
このような問題を解決するために、プレーナー
マグネトロンスパツタ方式が提案されている。こ
のプレーナーマグネトロンスパツタ方式は従来の
スパツタ方式と比較してみると、ターゲツト背部
にマグネツトを配置することにより、その背部の
マグネツトからの磁界により、発生した不活性ガ
スのプラズマがターゲツト付近に閉じこめられた
形となつて集中し、そのプラズマによつてターゲ
ツトへの衝突確率が高くなり、スパツタ効率が上
がり、成膜スピードが大きくなり、また被膜がス
パツタ形成される基材のスパツタでは、プラズマ
によつて加熱されて基材の温度が100℃以上に上
がるのに、プレーナーマグネトロンスパツタ方式
では、比較的基材の温度が高くならないとされて
いる。
マグネトロンスパツタ方式が提案されている。こ
のプレーナーマグネトロンスパツタ方式は従来の
スパツタ方式と比較してみると、ターゲツト背部
にマグネツトを配置することにより、その背部の
マグネツトからの磁界により、発生した不活性ガ
スのプラズマがターゲツト付近に閉じこめられた
形となつて集中し、そのプラズマによつてターゲ
ツトへの衝突確率が高くなり、スパツタ効率が上
がり、成膜スピードが大きくなり、また被膜がス
パツタ形成される基材のスパツタでは、プラズマ
によつて加熱されて基材の温度が100℃以上に上
がるのに、プレーナーマグネトロンスパツタ方式
では、比較的基材の温度が高くならないとされて
いる。
しかしながら、ターゲツトに強磁性体を用いた
場合は、ターゲツト背部からの磁界が、強磁性体
であるターゲツトによりシールドされてしまいプ
ラズマを閉じこめることができず、マグネトロン
効果が低下してしまうものである。
場合は、ターゲツト背部からの磁界が、強磁性体
であるターゲツトによりシールドされてしまいプ
ラズマを閉じこめることができず、マグネトロン
効果が低下してしまうものである。
また、無理してスパツタをさせると、基材温度
も上昇してしまうものであり、したがつて磁気記
録媒体の被膜形成に用いると、例えば強磁性材の
Co−Cr合金の場合、半値幅も5゜以上となるなど
の欠点を有する。
も上昇してしまうものであり、したがつて磁気記
録媒体の被膜形成に用いると、例えば強磁性材の
Co−Cr合金の場合、半値幅も5゜以上となるなど
の欠点を有する。
本発明はこのような問題点を解決して低温でス
ピードを速くし、しかもＣ軸配向性の良好なる垂
直磁化膜形成に成功したものである。
ピードを速くし、しかもＣ軸配向性の良好なる垂
直磁化膜形成に成功したものである。
すなわち、高速度で被膜形成を行なうととも
に、磁気特性のよい被膜が形成された磁気記録媒
体を得ることにあり、しかも低電力で被膜形成を
行なうことにある。
に、磁気特性のよい被膜が形成された磁気記録媒
体を得ることにあり、しかも低電力で被膜形成を
行なうことにある。
第３図に本発明方法について説明する。減圧さ
れた容器すなわち真空容器１１中にターゲツト１
２と基板１３が対向して配置されている。真空度
は当初10-7トール以下にまで下げられる。ターゲ
ツト１２の下部即ち裏面には永久磁石１４が配置
され、ターゲツトと基板との間に電圧が印加され
る。これは通常のプレーナーマグネトロン方式で
ある。しかし、単純にこのプレーナーマグネトロ
ン方式では良好な磁性体被膜を形成させるのが困
難であるのは前述の通りである。
れた容器すなわち真空容器１１中にターゲツト１
２と基板１３が対向して配置されている。真空度
は当初10-7トール以下にまで下げられる。ターゲ
ツト１２の下部即ち裏面には永久磁石１４が配置
され、ターゲツトと基板との間に電圧が印加され
る。これは通常のプレーナーマグネトロン方式で
ある。しかし、単純にこのプレーナーマグネトロ
ン方式では良好な磁性体被膜を形成させるのが困
難であるのは前述の通りである。
そこで、本発明はターゲツト厚みを４ｍ／ｍ以
下にコントロールすることにより磁気特性のよい
垂直磁化膜が高速度で得られることを見出したも
のである。第４図は垂直磁化膜の配向性の評価方
法を示す。Ｃ軸配向性はＸ線回折法を用いて垂直
配向軸のロツキングカーブにより評価を行なう。
下にコントロールすることにより磁気特性のよい
垂直磁化膜が高速度で得られることを見出したも
のである。第４図は垂直磁化膜の配向性の評価方
法を示す。Ｃ軸配向性はＸ線回折法を用いて垂直
配向軸のロツキングカーブにより評価を行なう。
第４図にはそのロツキングカーブを例示してあ
る。横軸は角度で縦軸はＸ線回折強度である。ピ
ーク値の半分の位置の角度の幅、即ち半値幅で配
向性の評価を行なう。通常垂直磁化膜としては半
値幅は5゜以下とされている。5゜以下小さい程良
い。第５図ではターゲツト厚みの半値幅に対する
影響をグラフ化してある。
る。横軸は角度で縦軸はＸ線回折強度である。ピ
ーク値の半分の位置の角度の幅、即ち半値幅で配
向性の評価を行なう。通常垂直磁化膜としては半
値幅は5゜以下とされている。5゜以下小さい程良
い。第５図ではターゲツト厚みの半値幅に対する
影響をグラフ化してある。
このグラフは、プレーナーマグネトロンスパツ
タ装置を用いて18％Cr添加のCoで調べた。ター
ゲツト厚みが４ｍ／ｍ以下で良好な特性を示して
いることが分る。５ｍ／ｍ以上となると基板即ち
ベースフイルムの温度が200℃以上となつた。次
に第６図にターゲツト厚みと膜形成速度の関係を
示す。ここでも４ｍ／ｍ付近で急激な立ち上りが
みられる。即ちターゲツト厚みを４ｍ／ｍ以下と
することにより磁気特性のよい垂直磁化膜を高速
で生産性良く得るこができることがわかる。
タ装置を用いて18％Cr添加のCoで調べた。ター
ゲツト厚みが４ｍ／ｍ以下で良好な特性を示して
いることが分る。５ｍ／ｍ以上となると基板即ち
ベースフイルムの温度が200℃以上となつた。次
に第６図にターゲツト厚みと膜形成速度の関係を
示す。ここでも４ｍ／ｍ付近で急激な立ち上りが
みられる。即ちターゲツト厚みを４ｍ／ｍ以下と
することにより磁気特性のよい垂直磁化膜を高速
で生産性良く得るこができることがわかる。
以上の通り、本発明によればプレーナーマグネ
トロンスパツタ方式で強磁性体、例えばCo−Cr
合金のようなターゲツトを用い、その厚みを４
ｍ／ｍ以下とすることにより、Co−Cr合金のよ
うな強磁性体ターゲツトによつて必然的に発生し
てくる磁界のシールド効果を減少させることがで
き、したがつてプラズマの閉じ込めが効果的に行
なわれることとなり、又、基材の温度を必要以上
に上げることがなく、ほぼ室温近くで、半値幅が
5°以下の被膜が100Å／nim以上のスピードで形
成されるすぐれた効果を有する。
トロンスパツタ方式で強磁性体、例えばCo−Cr
合金のようなターゲツトを用い、その厚みを４
ｍ／ｍ以下とすることにより、Co−Cr合金のよ
うな強磁性体ターゲツトによつて必然的に発生し
てくる磁界のシールド効果を減少させることがで
き、したがつてプラズマの閉じ込めが効果的に行
なわれることとなり、又、基材の温度を必要以上
に上げることがなく、ほぼ室温近くで、半値幅が
5°以下の被膜が100Å／nim以上のスピードで形
成されるすぐれた効果を有する。
本発明により高密度記録方式である垂直磁化記
録方式の商品としての価値が一挙に増し、普及へ
の手がかりが得られた。
録方式の商品としての価値が一挙に増し、普及へ
の手がかりが得られた。
第１図は従来の磁気記録方式を説明する図であ
る。第２図は垂直磁化記録方式を説明する図であ
る。第３図はロツキングカーブを説明する図であ
る。第４図、第５図、第６図は本発明の効果を説
明する図である。 １……ベースフイルム、２……記録媒体層、３
……ヘツド、４……コイル、５……ベースフイル
ム、６……水平磁化膜、７……垂直磁化膜、８…
…主磁極、９……補助磁極、１０……コイル、１
１……真空容器、１２……ターゲツト、１３……
基板、１４……永久磁石。
る。第２図は垂直磁化記録方式を説明する図であ
る。第３図はロツキングカーブを説明する図であ
る。第４図、第５図、第６図は本発明の効果を説
明する図である。 １……ベースフイルム、２……記録媒体層、３
……ヘツド、４……コイル、５……ベースフイル
ム、６……水平磁化膜、７……垂直磁化膜、８…
…主磁極、９……補助磁極、１０……コイル、１
１……真空容器、１２……ターゲツト、１３……
基板、１４……永久磁石。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 不活性ガスが導入された減圧容器中に、ター
ゲツトと基材とを対向配置させ、前記ターゲツト
の前記基材と対向する面の裏面にマグネツトを配
置し、前記ターゲツトと基材との間に電圧を印加
し、前記不活性ガスを励起させて、前記基材上に
前記ターゲツト物の被膜を形成させるプレーナー
マグネトロンスパツタ方式による磁気記録媒体製
造方法において、 前記磁気記録媒体製造方法に用いるターゲツト
が、Co−Cr合金からなり、且つ前記ターゲツト
の厚みが４ｍ／ｍ以下であること を特徴とする磁気記録媒体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13486180A JPS5760538A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Manufacture for magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13486180A JPS5760538A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Manufacture for magnetic recording medium |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10480690A Division JPH02289923A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 磁気記録媒体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5760538A JPS5760538A (en) | 1982-04-12 |
| JPH0123857B2 true JPH0123857B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=15138180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13486180A Granted JPS5760538A (en) | 1980-09-26 | 1980-09-26 | Manufacture for magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5760538A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217531A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813622B2 (ja) * | 1979-05-04 | 1983-03-15 | 株式会社東芝 | マグネトロン型スパッタ装置 |
| JPS5625967A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-12 | Anelva Corp | Sputtering electrode of sputtering apparatus |
| JPS56127771A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-06 | Fujitsu Ltd | Magnetron sputtering electrode |
-
1980
- 1980-09-26 JP JP13486180A patent/JPS5760538A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5760538A (en) | 1982-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5891B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US5366607A (en) | Sputtering target and assembly | |
| JPH0640361B2 (ja) | 垂直磁気記録再生方法 | |
| EP0105705B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| JP2698814B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| US4609593A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS6364816B2 (ja) | ||
| US5718812A (en) | Magnetic head manufacturing method using sputtering apparatus | |
| JPH0252845B2 (ja) | ||
| JPH0268716A (ja) | 磁気ディスク媒体の製造方法 | |
| JP2004046928A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6153769B2 (ja) | ||
| JP2521532B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、該媒体の製造法並びに記録再生方法 | |
| JPH02289923A (ja) | 磁気記録媒体製造方法 | |
| JPH0315245B2 (ja) | ||
| JP2508639B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS58171717A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH056254B2 (ja) | ||
| JPH0483313A (ja) | 軟磁性薄膜並びに磁気ヘッド | |
| JPH0570205B2 (ja) | ||
| JPH01269211A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6177128A (ja) | 磁気記録材料 | |
| JPS63119017A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH056256B2 (ja) | ||
| JPS58130439A (ja) | 磁気記録媒体 |