JPH02289923A - 磁気記録媒体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はターゲットの厚みを４ｍｍ以下にしてプレーナ
ーマグネトロンスパッタ方式で形成を行なうｍ気記録媒
体の製造方法に関する。

清報を紀録する方式として磁気記録方式は、才ディオ、
ビデオをはじめとして情報処理や制御システムに欠かせ
ぬものとなっている。磁気記録７３式は電気信号に変換
された情報を電気磁気変換装置である磁気ヘッドによっ
て６ｎ気の変化に変えてディスクやテープ上の磁性層に
記録し、全く逆の行程により再生されるものである。音
声信号や可視情報等のアナログ記録やコンピューター等
のデーター信号のデジタル記録等の広い分野に磁気記録
方式が利用されている，通常の磁気記録方式はリング形
のヘッドを用いた第１図に示す様な構成となっている。

プラスチックフィルム等のベースフイルム１の−トに酸
化鉄や酸化クロム等の磁性体を塗布した記録媒体層２が
形成されている。その上部にはリング状のフエライトヘ
ッド３が近接して配置され、ヘッドには電気信号をｍ気
信号に変換する為のコイル４が巻かれている。コイル４
に電流を流すことによりヘッド３の先端部に磁界が生じ
、この磁界により記録媒体層２に面ば平行に磁化層が生
じて記録がなされる。この方式は過去４０年間にわたり
記録方式の主流となってきた。しかし今日記録の高密度
化が要望されるようになりこの方式の限界が認識される
ようになってきた。即ち記録媒体層のｎ′ｉ性体が永久
ｍ石となって記録される際記録密度が大きくなり個々の
永久磁気が小さくなると１１７１作用により残留磁化が
弱くなり再生出力が弱くなると共に信号の位相的なずれ
も大きくしてしまう。これを改善する目的で考案された
のが垂直６ｎ化方式である。垂直磁化方式の構成を第２
図に記す。ベースフィルム５の上にパーマロイ薄膜等の
水平磁化膜６と垂直磁化膜７がスパッタ等により形成さ
れている。垂直磁化膜７の上方に主磁極８と下方に補助
磁極９が配置されている。補助６ｎ極９には信号発生用
のコイル１０が巻かれている。垂直磁化膜７はコバルト
ークロム等の膜で形成されその結晶粒はＣ軸方向がベー
スフィルムに対し垂直方向に配向されている。コイル１
０に電流を流すと補助磁極９よりの磁界は水平磁化膜６
により主磁極８に集中させられる。従って主磁極８の直
下の垂直磁化膜７にはフィルム面に垂直方向の磁化が生
じる。これにより記録密度は飛躍的に上昇した。記録の
再生はコイルに発生する電気信号によりなされる。

垂直６Ｒ化記録方式では記録媒体の結晶軸の配向性の良
否が記録特性に大きく影響する。例えばコバルト主体の
媒体ではＣ軸配向性が良くなければならない。このＣ軸
配向性の良否を左右するのは言うまでもなく製造条件に
ある。通常垂直磁化膜はＲｆスパッタリング法により形
成されている。

Ｃ軸配向性能を支配するのはスパッタ等の電力、アルゴ
ン分圧等であるが特に大きく影響するのは膜形成スピー
ドと膜温度即ち基板温度である。膜形成スピードは１分
間に６０オングストローム以下でないと良好な膜は形成
できないとされている。記録媒体として垂直磁化膜は１
ミクロンの厚みが必要と言われている。これを達成する
には少なくとも３時間を要することになる。即ち生産性
が非常によくない。これよりスピードを上げると通常の
Ｒｆスバッタ法では基板温度が上昇してしまい逆にＣ軸
配向特性を悪化してしまう結果となった。これは結晶転
移温度が２００℃付近にあるためと思われる。又ベース
となるフィルムの特性を考慮すると温度を上げることは
好ましくない。

本発明はこの矛盾点を解決して低温でスピードを速くし
、しかもＣ軸配向性の良好なる垂直磁化膜形成に成功し
たものである。

本発明の目的は高速度で膜形成を行なうことにある。本
発明の他の目的は良品質の磁気記録媒体を得ることにあ
る。本発明の更に他の目的は低電力で膜形成を行なうこ
とにある。

第３図に本発明方法について説明する。真空容器ｌｌ中
にターゲットｌ２と基板ｌ３が配置されている。真空度
は当初１０−’トール以下にまで下げられる。ターゲッ
ト１２の下部即ち裏面には永久磁石ｌ４が配置されてい
る。通常のブレーナーマグネトロン方式である。しかし
従来のブレーナーマグネトロン方式では６ｎ性体は成膜
が困難であるとされてきた。本発明はターゲット厚みを
コントロールすることにより高品質の垂直磁化膜が高速
度で得られることを見出したものである。第４図は垂直
磁化膜の配向性の評価方法を示す。Ｃ軸配向性はＸ線回
折法を用いて垂直配向性のロッキングカープにより評価
を行なう。第４図はそのロッキングカープの例である。

横軸は角度で縦軸はＸ線回折強度である。ピーク値の半
分の位置の角度の幅、即ち半値幅で配同性の評価を行な
う。通常垂直磁化膜としては半値幅は５゜以下とされて
いる。５゜以下小さい程良い。第５図は本発明により見
出したターゲット厚みの半値幅に対する影響を調べたも
のである。マグネトロンスパック装置を用いて１８％Ｃ
ｒ添加のＣＯで調べた。ターゲット厚みが４ｍｍ以下で
良好な特性を示していることが分る。５ｍｍ以上になる
と基板即ちベスフィルムの温度が２００℃以上となった
。第６図にターゲット厚みと膜形成速度の関係を示す。

ここでも４ｍｍ以下で急激な立ち上りがみられる。即ち
ターゲット厚みを４ｍｍ以下にすることにより高品質の
垂直磁化膜を高速で生産性良く得ることができた。

本発明により高密度記録方式である垂直磁化記録方式の
商品としての価値が一挙に増し、普及への手がかりが得
られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気記録方式を説明する図である。第２
図は垂直＆ｆｉ化記録方式を説明ずる図である。第３図
はロッキングカーブな説明する図である。第４図、第５
図、第６図は本発明の効果を説明する図である。 ベースフィルム 記録媒体層 ヘッド コイル ベースフィルム 水平６！多化膜 垂直５１支化膜 主磁極 補助ｌｉＲ極 コイル 真空容器 ターゲット 基板 永久ｍ石 第４図 ？ ｍｍ 第５図 ■ ｒｎｍ 第６図 手続補正書 （自発） 平成　２年 発明の名称 磁気記録媒体製造方法 補正する者 事件との関係　　出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）セイコーエプソン株式会社 代表取締役　　中　村　恒　也 ５月１８日 手続補正書 １．特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 ２，明細書第１頁第９行目 ［本発明はターゲッ１・・・・・マグ不１・ロンスバッ
夕方式」とあるを 「本発明はマグ不トロンスバッタ方式」と補正する。 ３，第５頁第２行目及び第５行目 「本発明の目的は高速で・・・を行うことにある。」と
あるを １本発明の目的は良品質の磁気記録媒体を得ることにあ
る。」と補正する。 ４．第６頁第８行目から１４行目 ［基板即ち・・・得ることができた。コとあるを ［基板の温度が２００゜Ｃ以上となった。第６図にター
ゲソトｙＬノと膜形成速度の関係を示す。基板温度を２
００゜Ｃ未満にすることによって高品質の垂直磁化膜を
得ることができた。］と補正する。 特許請求の範囲 マグ不トロンスパッタ方式で強磁性合金ターゲソトを用
いて垂直磁化膜を基板上に形成する磁気記録媒体製造方
法において、前記基板の温度が２００゜Ｃを越えない温
度範囲で前記垂直磁化膜を形成することを特徴とする磁
気記憶媒体製造方法。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 厚みが４ｍｍより小なるターゲットを用いてブレーナー
   マグネトロンスパッタ方式により形成することを特徴と
   する磁気記録媒体製造方法。