JPH056256B2 - - Google Patents
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- JPH056256B2 JPH056256B2 JP58123902A JP12390283A JPH056256B2 JP H056256 B2 JPH056256 B2 JP H056256B2 JP 58123902 A JP58123902 A JP 58123902A JP 12390283 A JP12390283 A JP 12390283A JP H056256 B2 JPH056256 B2 JP H056256B2
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- Japan
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- tape
- shaped base
- film
- axis
- alloy
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はビデオテープレコーダ（VTR）等に
利用される磁気記録媒体に関する。
利用される磁気記録媒体に関する。
(ロ) 従来技術
テレビジヨン信号のような高周波信号を高密度
記録するためテープ状基台に金属膜を真空蒸着
法、イオンプレーテイング法、スパツタリング法
等で付設することが研究されている。
記録するためテープ状基台に金属膜を真空蒸着
法、イオンプレーテイング法、スパツタリング法
等で付設することが研究されている。
スパツタリング法を用いて上記基台の表面上に
例えばコバルト膜を面内磁化を呈するように付設
した場合、膜の付着力が強い、表面平滑性に優れ
る等の長所を有する反面、磁気的に面内等方的で
あるため斜め蒸着法（蒸着物質を基台面に対して
斜めから付設するもの）による膜に比べて保磁力
Hcが小さい、角形比Ｓ，S*が悪い等の欠点があ
るとされている。
例えばコバルト膜を面内磁化を呈するように付設
した場合、膜の付着力が強い、表面平滑性に優れ
る等の長所を有する反面、磁気的に面内等方的で
あるため斜め蒸着法（蒸着物質を基台面に対して
斜めから付設するもの）による膜に比べて保磁力
Hcが小さい、角形比Ｓ，S*が悪い等の欠点があ
るとされている。
そこでコバルト含有合金（例えばCo−Ni，Co
−Cr等）を膜材として用いかつ膜面内に磁化容
易軸を形成するため、基台に対して組成蒸気を斜
めから入射して付設することも考えられている。
しかし、この方法による面内の異方性はコバルト
の結晶異方性に因るものが支配的で、その為膜の
異方性定数Kuはコバルトの結晶異方性定数と同
じ傾向の温度依存性を持つことになる。第１図の
特性Ｐで示す如く、100℃付近におけるKuは液体
窒素温度におけるもののおよそ半分になつてしま
い、実用上問題がある。
−Cr等）を膜材として用いかつ膜面内に磁化容
易軸を形成するため、基台に対して組成蒸気を斜
めから入射して付設することも考えられている。
しかし、この方法による面内の異方性はコバルト
の結晶異方性に因るものが支配的で、その為膜の
異方性定数Kuはコバルトの結晶異方性定数と同
じ傾向の温度依存性を持つことになる。第１図の
特性Ｐで示す如く、100℃付近におけるKuは液体
窒素温度におけるもののおよそ半分になつてしま
い、実用上問題がある。
尚、スパツタリング法を用いて作製したCo−
Pt合金膜は耐蝕性に優れ高密度記録が可能であ
る、と報告されている（「高密度記録用耐蝕性Co
−Pt合金磁性薄膜」日本応用磁気学会誌Vo17.No.
2.P87（1983））。しかし、これはPtの添加量が
20at.％と多いものを示しており、結晶構造が不
安定であるという欠点がある。また、従来より永
久磁石、光磁気記録材料として研究されている組
成はPtの添加量が50at.％のもので、熱処理を行
なわなければ高い保磁力が得られず、かつ高価に
なる欠点もある。
Pt合金膜は耐蝕性に優れ高密度記録が可能であ
る、と報告されている（「高密度記録用耐蝕性Co
−Pt合金磁性薄膜」日本応用磁気学会誌Vo17.No.
2.P87（1983））。しかし、これはPtの添加量が
20at.％と多いものを示しており、結晶構造が不
安定であるという欠点がある。また、従来より永
久磁石、光磁気記録材料として研究されている組
成はPtの添加量が50at.％のもので、熱処理を行
なわなければ高い保磁力が得られず、かつ高価に
なる欠点もある。
(ハ) 発明の目的
本発明は以上の諸点に鑑みなされたもので、高
密度記録に適する高保磁力、高角形比を呈する磁
気記録媒体を提供しようとするものである。
密度記録に適する高保磁力、高角形比を呈する磁
気記録媒体を提供しようとするものである。
(ニ) 発明の構成
本発明はテープ状基台の表面にCo−Pt系合金
の金属膜を付設してなるもので、該基台の面内に
おける付設合金の磁化容易軸が該基台の長手方向
に実質的に一致するように配向されていることを
特徴とするものである。ここで、「実質的に」と
は、磁化容易軸が例えばヘリカルスキヤンVTR
のビデオトラツクの延在方向に一致するように配
向されている場合（これは上記長手方向に対して
約５〜6゜傾斜している）をも含む意味がある。
の金属膜を付設してなるもので、該基台の面内に
おける付設合金の磁化容易軸が該基台の長手方向
に実質的に一致するように配向されていることを
特徴とするものである。ここで、「実質的に」と
は、磁化容易軸が例えばヘリカルスキヤンVTR
のビデオトラツクの延在方向に一致するように配
向されている場合（これは上記長手方向に対して
約５〜6゜傾斜している）をも含む意味がある。
又、上記合金は上記配向方向に付与されたプラ
ズマ収束磁界の環境下で組成金属を混合してなる
ものであることを特徴とするものである。
ズマ収束磁界の環境下で組成金属を混合してなる
ものであることを特徴とするものである。
(ホ) 実施例
先ず本発明に係る磁気記録媒体を製造する装置
の概要を第２図の構成略図を参考にして説明す
る。図において、１は真空槽、２，２は対向する
１組のターゲツト、３はテープ状基台装置であ
る。真空槽１はアルゴンガス等（ガス圧は例えば
0.2〜20ミリトール）を導入する給気孔１１と、
所定の真空度（例例えば４×10-7トール以下）を
得るための排気孔１２とを備え、さらに図示省略
したがテープ状基台の表面温度を適温（例えば70
℃）に制御する温度制御系を備えている。また、
この真空槽１はその中に、上記両ターゲツト２，
２及びテープ状基台装置３の一部を絶縁物４を介
して内挿しており、該真空槽自身は接地されてい
る。
の概要を第２図の構成略図を参考にして説明す
る。図において、１は真空槽、２，２は対向する
１組のターゲツト、３はテープ状基台装置であ
る。真空槽１はアルゴンガス等（ガス圧は例えば
0.2〜20ミリトール）を導入する給気孔１１と、
所定の真空度（例例えば４×10-7トール以下）を
得るための排気孔１２とを備え、さらに図示省略
したがテープ状基台の表面温度を適温（例えば70
℃）に制御する温度制御系を備えている。また、
この真空槽１はその中に、上記両ターゲツト２，
２及びテープ状基台装置３の一部を絶縁物４を介
して内挿しており、該真空槽自身は接地されてい
る。
１組のターゲツト２，２はコバルトと白金を所
定の比率（例えばCo17Pt2、すなわちPtが10.5at.
％）で混合してなる合金プレート或いはこの合金
の主成分たるコバルト基板の上に所定量のPtペ
レツトを配備したものであり、実験室規模で、直
径が100mm、対向間隔が150mmとしている。
定の比率（例えばCo17Pt2、すなわちPtが10.5at.
％）で混合してなる合金プレート或いはこの合金
の主成分たるコバルト基板の上に所定量のPtペ
レツトを配備したものであり、実験室規模で、直
径が100mm、対向間隔が150mmとしている。
各ターゲツト２，２は両ターゲツト間に直流磁
界５を生ずるように、図示方向に着磁された永久
磁石２１を裏当てしている。また、シールドカバ
ー２２を配備して放電がターゲツト間のみで起こ
るように制限している。さらに、各ターゲツト
２，２に負の電圧（例えば500〜900V）を付与す
べく電源６が付設されている。この電源はRF電
源であつても構わない。この時は、２枚のターゲ
ツトに同位相、同電圧のRF電圧が印加される。
テープ状基台装置３は、回転軸がターゲツト主面
と平行なキヤンロール３１と、該キヤンロールの
外周に案内され乍ら供給リール３２から巻取リー
ル３３に向けて移送されるテープ状基台３４とを
備えており、この移送中、テープ状基台３４はそ
の長手方向が直流磁界５の向きと一致するように
配備されている。しかし、この直流磁界の向き
を、ヘリカルスキヤンVTRにおいてビデオトラ
ツクが磁気テープの長手方向に対して採る角度
（例えばβ方式の約5゜）だけ該長手方向に傾け、
ビデオトラツクに一致させるようにしても良い。
これは、ターゲツト２，２とキヤンロール３１の
相対位置関係を制御することによつて容易に可能
である。尚、実験室では、このテープ状基台装置
３に代えて、支柱７１によつて支持された矩形状
の基板７２を、両ターゲツト２，２の中心線から
75mmの位置に垂直に配備している。第３図はこの
基板７２の正面図を示し、方向Ｘ、Ｙはそれぞれ
この基板７２の面内方向を示している。そして、
方向Ｘは磁界５の方向に一致しかつ上記長手方向
に一致する。また、方向Ｙはこの方向Ｘに直交す
る方向を示している。
界５を生ずるように、図示方向に着磁された永久
磁石２１を裏当てしている。また、シールドカバ
ー２２を配備して放電がターゲツト間のみで起こ
るように制限している。さらに、各ターゲツト
２，２に負の電圧（例えば500〜900V）を付与す
べく電源６が付設されている。この電源はRF電
源であつても構わない。この時は、２枚のターゲ
ツトに同位相、同電圧のRF電圧が印加される。
テープ状基台装置３は、回転軸がターゲツト主面
と平行なキヤンロール３１と、該キヤンロールの
外周に案内され乍ら供給リール３２から巻取リー
ル３３に向けて移送されるテープ状基台３４とを
備えており、この移送中、テープ状基台３４はそ
の長手方向が直流磁界５の向きと一致するように
配備されている。しかし、この直流磁界の向き
を、ヘリカルスキヤンVTRにおいてビデオトラ
ツクが磁気テープの長手方向に対して採る角度
（例えばβ方式の約5゜）だけ該長手方向に傾け、
ビデオトラツクに一致させるようにしても良い。
これは、ターゲツト２，２とキヤンロール３１の
相対位置関係を制御することによつて容易に可能
である。尚、実験室では、このテープ状基台装置
３に代えて、支柱７１によつて支持された矩形状
の基板７２を、両ターゲツト２，２の中心線から
75mmの位置に垂直に配備している。第３図はこの
基板７２の正面図を示し、方向Ｘ、Ｙはそれぞれ
この基板７２の面内方向を示している。そして、
方向Ｘは磁界５の方向に一致しかつ上記長手方向
に一致する。また、方向Ｙはこの方向Ｘに直交す
る方向を示している。
この製造装置によるスパツタ法は通常のスパツ
タ法（基板をターゲツトに体面させプラズマ中に
配備させる方法）に対し、ターゲツトが対向しか
つ基板がプラズマの外におかれる（プラズマフリ
ーという）構成であるので対向ターゲツト式スパ
ツタ法と呼称できる。そして、この対向ターゲツ
ト式スパツタ法は通常のスパツタ法に比べて次の
様な特徴を有する。すなわち、高エネルギー粒
子の基板衝撃が少なくプラズマフリーの状態で膜
形成ができる為、基板の温度上昇が少なく、耐熱
性の低い基板上にも膜が作成できる。プラズマ
フリーであるため得られる膜の結晶性が良い。
得られる膜の結晶配向性の制御が容易である。
ターゲツトの利用効率が高い。スパツタ法の中
では最も膜の形成速度が速く、生産性が良い。特
に、磁性材料を高速形成できる唯一の方法であ
る。
タ法（基板をターゲツトに体面させプラズマ中に
配備させる方法）に対し、ターゲツトが対向しか
つ基板がプラズマの外におかれる（プラズマフリ
ーという）構成であるので対向ターゲツト式スパ
ツタ法と呼称できる。そして、この対向ターゲツ
ト式スパツタ法は通常のスパツタ法に比べて次の
様な特徴を有する。すなわち、高エネルギー粒
子の基板衝撃が少なくプラズマフリーの状態で膜
形成ができる為、基板の温度上昇が少なく、耐熱
性の低い基板上にも膜が作成できる。プラズマ
フリーであるため得られる膜の結晶性が良い。
得られる膜の結晶配向性の制御が容易である。
ターゲツトの利用効率が高い。スパツタ法の中
では最も膜の形成速度が速く、生産性が良い。特
に、磁性材料を高速形成できる唯一の方法であ
る。
この製造装置によつてスパツタリングを行なう
と、基板７２の表面上にCo−Pt系合金の金属膜
８を１分間当り例えば投入電力500Wのとき600Å
のスピードで堆積することができる。
と、基板７２の表面上にCo−Pt系合金の金属膜
８を１分間当り例えば投入電力500Wのとき600Å
のスピードで堆積することができる。
また、投入電力を上げることにより１分間当り
1μm程度の堆積速度も可能であるとされている。
この堆積中、基板７２のＸ方向に絶えず直流磁界
５が付与されていて、合金の異方性がこのＸ方向
に誘導されている。換言すれば、この合金の磁化
容易軸がこのＸ方向に配向され乍ら堆積されてい
る（一軸異方性をもつている）と言える。
1μm程度の堆積速度も可能であるとされている。
この堆積中、基板７２のＸ方向に絶えず直流磁界
５が付与されていて、合金の異方性がこのＸ方向
に誘導されている。換言すれば、この合金の磁化
容易軸がこのＸ方向に配向され乍ら堆積されてい
る（一軸異方性をもつている）と言える。
第７図ａ、ｂと第８図ａ、ｂはアルゴンガス圧
がそれぞれ５ミリトール（ｍトール）以下、10m
トール以上の条件で形成した膜中の１つの結晶の
結晶配向を示す模式図と基台に付設された膜の模
式図である。図中、斜線を付した面、即ち、第７
図ａでは002面が、又第７図ｂでは101面が膜面に
平行に配向する。即ち、Ｃ軸はａでは膜面に垂
直、ｂではほぼ平行に配向している。但し、ｂで
は面内でランダムな方向に向いている。そして、
いずれの場合も結晶配向性は膜面内では等方的で
ある。しかし、膜はすべてプラズマ収束磁界方向
に磁気的異方性をもつ。この原因としては第９図
に示した様にPt原子（斜線で示す、尚、白丸は
Co原子を模式する）が２原子ずつ対になり磁界
方向に配列することが考えられる。
がそれぞれ５ミリトール（ｍトール）以下、10m
トール以上の条件で形成した膜中の１つの結晶の
結晶配向を示す模式図と基台に付設された膜の模
式図である。図中、斜線を付した面、即ち、第７
図ａでは002面が、又第７図ｂでは101面が膜面に
平行に配向する。即ち、Ｃ軸はａでは膜面に垂
直、ｂではほぼ平行に配向している。但し、ｂで
は面内でランダムな方向に向いている。そして、
いずれの場合も結晶配向性は膜面内では等方的で
ある。しかし、膜はすべてプラズマ収束磁界方向
に磁気的異方性をもつ。この原因としては第９図
に示した様にPt原子（斜線で示す、尚、白丸は
Co原子を模式する）が２原子ずつ対になり磁界
方向に配列することが考えられる。
第４図は、上記基板７２上に堆積した金属膜８
の磁化特性図である。特性ＲはＸ方向に、また特
性ＴはＹ方向にそれぞれ印加磁場を配した場合の
Ｂ−Ｈ曲線である。図より明らかなように、保磁
力Hc及び角形比Ｓ，S*に関して特性Ｒが優れて
いる。すなわち、Ｘ方向に一軸異方性をもつてい
ると認められる。尚、このデータはアルゴン圧
20mトール、白金含有率11at.％、膜圧3000Åで
の金属膜に付いてであり、この金属膜は、磁束密
度12.5Kガウス、保磁力1110エルステツド、角形
比Ｓ＝0.87、S*＝0.98を示し、またトルクメータ
による異方性定数の測定では2.5×106erg／c.c.と
いう大きい値を示した。さらに、温度依存性につ
いては、第１図の特性Ｑで示す如く、流体窒素の
温度（77〓）から400〓まで殆んど変化を認めら
れない。尚、図中の縦軸は流体窒素の異方性定数
で規格化した上記金属膜の異方性定数を示し、横
軸は温度（〓）を示している。
の磁化特性図である。特性ＲはＸ方向に、また特
性ＴはＹ方向にそれぞれ印加磁場を配した場合の
Ｂ−Ｈ曲線である。図より明らかなように、保磁
力Hc及び角形比Ｓ，S*に関して特性Ｒが優れて
いる。すなわち、Ｘ方向に一軸異方性をもつてい
ると認められる。尚、このデータはアルゴン圧
20mトール、白金含有率11at.％、膜圧3000Åで
の金属膜に付いてであり、この金属膜は、磁束密
度12.5Kガウス、保磁力1110エルステツド、角形
比Ｓ＝0.87、S*＝0.98を示し、またトルクメータ
による異方性定数の測定では2.5×106erg／c.c.と
いう大きい値を示した。さらに、温度依存性につ
いては、第１図の特性Ｑで示す如く、流体窒素の
温度（77〓）から400〓まで殆んど変化を認めら
れない。尚、図中の縦軸は流体窒素の異方性定数
で規格化した上記金属膜の異方性定数を示し、横
軸は温度（〓）を示している。
第５図は金属膜８を構成するCo−Pt合金中の
白金含有率を０〜20at.％にわたつて変化させた
場合の、磁束密度（4πMs）、保磁力Hc、角形比
Ｓ，S*を示すものである。但し、アルゴンガス
等のガス圧は20mトールに、また膜厚は3000Åに
それぞれ設定されている。白金の混合比率を制御
することにより保磁力Hcをほぼ直線的に変えら
れる。ここで、白金含有率が3at.％より少ないと
保磁力が小さくなり高密度記録に適さなくなる
し、また20at.％より大きいと結晶構造がhcp
（hexagonal close packed）とfct（face
centered tetragonal）の混相にわたり安定性に
欠ける（hcp単相構造でなくなる）ので適当でな
い。
白金含有率を０〜20at.％にわたつて変化させた
場合の、磁束密度（4πMs）、保磁力Hc、角形比
Ｓ，S*を示すものである。但し、アルゴンガス
等のガス圧は20mトールに、また膜厚は3000Åに
それぞれ設定されている。白金の混合比率を制御
することにより保磁力Hcをほぼ直線的に変えら
れる。ここで、白金含有率が3at.％より少ないと
保磁力が小さくなり高密度記録に適さなくなる
し、また20at.％より大きいと結晶構造がhcp
（hexagonal close packed）とfct（face
centered tetragonal）の混相にわたり安定性に
欠ける（hcp単相構造でなくなる）ので適当でな
い。
第６図は真空槽に導入するガス圧と、テープ上
基台に形成された結晶のＣ軸の配向関係を示すＸ
線回折パターン図で、ａ図はガス圧2mトール、
ｂ図はガス圧20mトールでスパツタした場合を示
している。何れも白金の含有比率は11at.％であ
る。各図とも横軸にBragg角の２倍を示し、縦軸
に回折されたＸ線の強度を示している。ａ図で
は、結晶の002面で強度のピークを持つており、
Ｃ軸が基台表面に対して垂直に形成されているこ
とを示し、ｂ図では結晶の101面でピークを持つ
ており、Ｃ軸が基台表面に対し鋭角を為すように
形成されていることを示している。よつて、ガス
圧を大きくすることによつて、結晶のＣ軸を基台
の面内方向に傾斜させることができ、該面内に磁
化容易軸を配向させることができることがわか
る。これはまた、基台に垂直に磁化容易軸を形成
するにはガス圧を低く（例えば5mトール以下）
設定し、一方面内方向に磁化容易軸を形成するに
はガス圧を高く（例えば10mトール以上）設定し
てスパツタリングを行なえばよいと言える。尚、
白金含有率の範囲は後者に付いては上述の通り３
〜20at.％が適当であるが、前者に付いては６〜
15at.％が必要な保磁力を呈するのに適当である
ことを確認している。
基台に形成された結晶のＣ軸の配向関係を示すＸ
線回折パターン図で、ａ図はガス圧2mトール、
ｂ図はガス圧20mトールでスパツタした場合を示
している。何れも白金の含有比率は11at.％であ
る。各図とも横軸にBragg角の２倍を示し、縦軸
に回折されたＸ線の強度を示している。ａ図で
は、結晶の002面で強度のピークを持つており、
Ｃ軸が基台表面に対して垂直に形成されているこ
とを示し、ｂ図では結晶の101面でピークを持つ
ており、Ｃ軸が基台表面に対し鋭角を為すように
形成されていることを示している。よつて、ガス
圧を大きくすることによつて、結晶のＣ軸を基台
の面内方向に傾斜させることができ、該面内に磁
化容易軸を配向させることができることがわか
る。これはまた、基台に垂直に磁化容易軸を形成
するにはガス圧を低く（例えば5mトール以下）
設定し、一方面内方向に磁化容易軸を形成するに
はガス圧を高く（例えば10mトール以上）設定し
てスパツタリングを行なえばよいと言える。尚、
白金含有率の範囲は後者に付いては上述の通り３
〜20at.％が適当であるが、前者に付いては６〜
15at.％が必要な保磁力を呈するのに適当である
ことを確認している。
(ヘ) 発明の効果
本発明の磁気記録媒体はCo−Pt合金よりなる
金属膜（磁性体膜）が基台の面内における該合金
の磁化容易軸を、基台の長手方向（或いはこれに
対して一定の角度（例えば５〜6゜程度）傾斜する
方向）に沿つて配向するように構成されているの
で残留磁束をそれ程低下させることなく、高保磁
力及び高角形比を呈する。又、この金属膜の磁化
容易軸は前記配向方向に付与されたプラズマ収束
磁界によつて誘導されていて磁気異方性の温度依
存性を極めて小さくできる。さらに、合金中の白
金含有率を３〜20at.％の範囲で選択することに
よりそれに応じた保磁力を持つものを容易に製造
できる。
金属膜（磁性体膜）が基台の面内における該合金
の磁化容易軸を、基台の長手方向（或いはこれに
対して一定の角度（例えば５〜6゜程度）傾斜する
方向）に沿つて配向するように構成されているの
で残留磁束をそれ程低下させることなく、高保磁
力及び高角形比を呈する。又、この金属膜の磁化
容易軸は前記配向方向に付与されたプラズマ収束
磁界によつて誘導されていて磁気異方性の温度依
存性を極めて小さくできる。さらに、合金中の白
金含有率を３〜20at.％の範囲で選択することに
よりそれに応じた保磁力を持つものを容易に製造
できる。
第１図は異方性定数の温度依存性を示す特性
図、第２図はスパツタリング装置の概略構成図、
第３図は基板（テープ状基台に相当する）の正面
図、第４図はこの基板上に堆積された合金の磁化
特性曲線図、第５図は各種磁気特性の白金含有率
に対する依存性を示す特性図、第６図ａ、ｂはＸ
線回折パターン図、第７図ａ、ｂはガス圧がそれ
ぞれ5mトール以下、10mトール以上の条件で形
成した膜中の１つの結晶の結晶配向の模式図、第
８図ａ、ｂは第７図ａ、ｂに対向する膜の模式
図、第９図は第８図ｂの膜内の原子配列の模式図
である。 主な図番の説明、８…金属膜、３４…テープ状
基台。
図、第２図はスパツタリング装置の概略構成図、
第３図は基板（テープ状基台に相当する）の正面
図、第４図はこの基板上に堆積された合金の磁化
特性曲線図、第５図は各種磁気特性の白金含有率
に対する依存性を示す特性図、第６図ａ、ｂはＸ
線回折パターン図、第７図ａ、ｂはガス圧がそれ
ぞれ5mトール以下、10mトール以上の条件で形
成した膜中の１つの結晶の結晶配向の模式図、第
８図ａ、ｂは第７図ａ、ｂに対向する膜の模式
図、第９図は第８図ｂの膜内の原子配列の模式図
である。 主な図番の説明、８…金属膜、３４…テープ状
基台。
Claims (1)
- １ 真空槽内にコバルトと白金よりなる１組のタ
ーゲツトを対向して配置し、前記真空槽内にアル
ゴンガスを導入し、前記１組のターゲツト間に直
流磁界を生ずることによりプラズマを形成し、該
プラズマの外に配置されたテープ状基台表面に
Co−Pt系合金の金属膜をスパツタリングにより
付設してなる磁気記録媒体の製造方法であつて、
前記テープ状基台をその長手方向が上記直流磁界
の向きと一致するように配置し、且つ前記アルゴ
ンガスのガス圧を10mトール以上に設定してスパ
ツタリングを行うことにより、磁化容易軸が膜面
内に存在すると共に前記テープ状基台の長手方向
に実質的に一致し、且つ101面が前記膜面に平行
に配向し、Ｃ軸が前記テープ状基台の表面に対し
て鋭角を為すCo−Pt系合金の金属膜を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123902A JPS6015818A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123902A JPS6015818A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015818A JPS6015818A (ja) | 1985-01-26 |
| JPH056256B2 true JPH056256B2 (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=14872162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123902A Granted JPS6015818A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015818A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670849B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1994-09-07 | 日立金属株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2516064B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1996-07-10 | 日本ビクター株式会社 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3775178A (en) * | 1971-08-26 | 1973-11-27 | Minnesota Mining & Mfg | Dual-layer quadruplex video recording tape |
| US4438066A (en) * | 1981-06-30 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Zero to low magnetostriction, high coercivity, polycrystalline, Co-Pt magnetic recording media |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58123902A patent/JPS6015818A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6015818A (ja) | 1985-01-26 |
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