JPH01239067A - 窒化アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板の製造方法Info
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- JPH01239067A JPH01239067A JP63064720A JP6472088A JPH01239067A JP H01239067 A JPH01239067 A JP H01239067A JP 63064720 A JP63064720 A JP 63064720A JP 6472088 A JP6472088 A JP 6472088A JP H01239067 A JPH01239067 A JP H01239067A
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
緻密で、透光性が高く、熱伝導率の高い、平坦なＡβＮ
基板の製造方法に関し、 常圧下ではＡＩＮの分解のため基板に反りや割れが発生
し、これを防止するためにＢＮセック−をＡｌＮグリー
ンシート又は積層体を交互に重ねると、ＡＩＮ焼結体表
面にＢＮが拡散したり、基板内の収縮率がばらつくとい
う問題を解決して、平坦でかつ緻密、高透明性、高熱伝
導率の／ＩＮ基板を提供することを目的として、 ＡｌＮグリーンシート又はその積層体を負圧下かつアル
ミニウム蒸気の存在下で焼成する方法、及びさらにＨＩ
Ｐ処理する方法として構成する。
基板の製造方法に関し、 常圧下ではＡＩＮの分解のため基板に反りや割れが発生
し、これを防止するためにＢＮセック−をＡｌＮグリー
ンシート又は積層体を交互に重ねると、ＡＩＮ焼結体表
面にＢＮが拡散したり、基板内の収縮率がばらつくとい
う問題を解決して、平坦でかつ緻密、高透明性、高熱伝
導率の／ＩＮ基板を提供することを目的として、 ＡｌＮグリーンシート又はその積層体を負圧下かつアル
ミニウム蒸気の存在下で焼成する方法、及びさらにＨＩ
Ｐ処理する方法として構成する。
本発明は窒化アルミニウム（Ａｊ２Ｎ）基板の製造方法
に係り、とりわけ緻密、高透明性、高熱伝導率でしかも
平坦な（反りのない）ＡｌＮ基板の製造方法に関する。
に係り、とりわけ緻密、高透明性、高熱伝導率でしかも
平坦な（反りのない）ＡｌＮ基板の製造方法に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕ＡβＮ単
結晶の熱伝導率は、理論値で３２０Ｗ／ｍｋと金属Ａ！
よりも高い。ところが実際に得られる焼結体（多結晶体
）の熱伝導率は理論値の半分程度にとどまっている。こ
れは原料粉末中に含有される不純物、特に酸素不純物や
、Ｓｉ 、 Ｆｅ 。
結晶の熱伝導率は、理論値で３２０Ｗ／ｍｋと金属Ａ！
よりも高い。ところが実際に得られる焼結体（多結晶体
）の熱伝導率は理論値の半分程度にとどまっている。こ
れは原料粉末中に含有される不純物、特に酸素不純物や
、Ｓｉ 、 Ｆｅ 。
Ｃａ等の金属が原因だとされている。これまでに、酸素
不純物を除去する働きを持つＣａＯを始めとするＣａ化
合物やｙ２０３などを焼結助剤として添加したり、Ｈ２
やＣ○といった還元性雰囲気で焼成するなどの工夫がな
されている。しかし、得られる焼結体は不純物のＡβＮ
粒内での固溶や、厚い粒界相が形成されている場合が多
（、このため褐色に着色したり、透光性は低い。したが
って熱伝導率は上記の如く低い値にとどまっている。
不純物を除去する働きを持つＣａＯを始めとするＣａ化
合物やｙ２０３などを焼結助剤として添加したり、Ｈ２
やＣ○といった還元性雰囲気で焼成するなどの工夫がな
されている。しかし、得られる焼結体は不純物のＡβＮ
粒内での固溶や、厚い粒界相が形成されている場合が多
（、このため褐色に着色したり、透光性は低い。したが
って熱伝導率は上記の如く低い値にとどまっている。
ＡＩＮ基板は一般に常圧焼結法で作成されるが、焼成温
度や昇温速度、焼成雰囲気などの工夫の他にグリーンシ
ートあるいはグリーンシート積層体を炉内にどのように
セットするかが重要である。
度や昇温速度、焼成雰囲気などの工夫の他にグリーンシ
ートあるいはグリーンシート積層体を炉内にどのように
セットするかが重要である。
通常はグラファイト製容器内におさめて焼成するが、こ
の場合はグラファイト容器の内側にＡＩＮ粉末をぬるな
どの工夫が提案されている。しかし、ＡｆＮｌ板は、１
８００℃以上の高温で焼成するため、１気圧の窒素中で
はＡＡＮの分解が起こり、反りの発生などの問題が生じ
る。
の場合はグラファイト容器の内側にＡＩＮ粉末をぬるな
どの工夫が提案されている。しかし、ＡｆＮｌ板は、１
８００℃以上の高温で焼成するため、１気圧の窒素中で
はＡＡＮの分解が起こり、反りの発生などの問題が生じ
る。
発明者が知る限りでは、特開昭６２−１００４７９号公
報に開示されている、ＢＮセッターとＡβＮグリーンシ
ートあるいはグリーンシート積層体を交互に積ね、ＢＮ
容器内で焼成する方法が緻密なＡＩＮ焼結体を得る上で
も、またそりやうねりをなくす上でも効果が大きい。し
かし、この場合には、ＡＩＮ焼結体表面にはＢＮの拡散
が見られたり、基板内での収縮率にばらつきが大きいな
どの問題がある。このことはグリーンシートあるいはグ
リーンシート積層体に内部配線や表面配線をを施したり
、あるいはバイヤーホールを形成するなどの複雑な焼結
体は得られない。
報に開示されている、ＢＮセッターとＡβＮグリーンシ
ートあるいはグリーンシート積層体を交互に積ね、ＢＮ
容器内で焼成する方法が緻密なＡＩＮ焼結体を得る上で
も、またそりやうねりをなくす上でも効果が大きい。し
かし、この場合には、ＡＩＮ焼結体表面にはＢＮの拡散
が見られたり、基板内での収縮率にばらつきが大きいな
どの問題がある。このことはグリーンシートあるいはグ
リーンシート積層体に内部配線や表面配線をを施したり
、あるいはバイヤーホールを形成するなどの複雑な焼結
体は得られない。
そこで、本発明は、上記の如き問題点に鑑み、緻密で高
熱伝導度、高透明性であり、かつ反りやうねりのない平
坦なＡ！ｌＮ基板を提供することを目的とする。
熱伝導度、高透明性であり、かつ反りやうねりのない平
坦なＡ！ｌＮ基板を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するために焼成条件および焼
成雰囲気について検討した結果得られたものであり、具
体的には、１気圧以下の負圧下で焼成することを特徴と
し、さらに炉内のＡβ蒸気圧の分圧を高めて焼成するも
のである。このことによってＢＮセッターによる荷重な
しでも反りやうねりが無く、収縮率も基板内で一定とな
り、緻密で透光性の大きい焼結体が得られる。さらに、
このようにして焼成して得られるＡＩＮ基板はＨＩＰ処
理することによって、更に緒特性が向上したＡβＮ基板
を提供する。
成雰囲気について検討した結果得られたものであり、具
体的には、１気圧以下の負圧下で焼成することを特徴と
し、さらに炉内のＡβ蒸気圧の分圧を高めて焼成するも
のである。このことによってＢＮセッターによる荷重な
しでも反りやうねりが無く、収縮率も基板内で一定とな
り、緻密で透光性の大きい焼結体が得られる。さらに、
このようにして焼成して得られるＡＩＮ基板はＨＩＰ処
理することによって、更に緒特性が向上したＡβＮ基板
を提供する。
すなわち、本発明は、窒化アルミニウムのグリーンシー
ト又はその積層体を負圧下かつアルミニウム蒸気の存在
下で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム基板の
製造方法、及び上記方法で得られる焼結体を更に最大圧
力１０気圧以上、温度１６００〜２０００℃でＨＩＰ処
理することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方
法にある。
ト又はその積層体を負圧下かつアルミニウム蒸気の存在
下で焼成することを特徴とする窒化アルミニウム基板の
製造方法、及び上記方法で得られる焼結体を更に最大圧
力１０気圧以上、温度１６００〜２０００℃でＨＩＰ処
理することを特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方
法にある。
ＡＩＮのグリーンシート及びその積層体の製造方法は従
来と同様であることができるが、ＡβＮグリーンシート
に含められる焼結助剤としては比較的液相を形成しやす
く、かつ蒸発もしやすいアルミン酸塩が望ましい。
来と同様であることができるが、ＡβＮグリーンシート
に含められる焼結助剤としては比較的液相を形成しやす
く、かつ蒸発もしやすいアルミン酸塩が望ましい。
焼成は焼成温度で負圧であればよいが、雰囲気ガスとし
ては窒素ガスを用いることが望ましいが、アルゴンなど
の不活性ガスあるいは不活性ガスと窒素ガスとの混合ガ
スでもよい。負圧下で焼成することによって液相なとの
連敗除去がより完全になる。好ましい圧力は、室温で（
すなわち初期圧が） ０．０２〜５００ｍｂａｒ 、よ
り好ましくは０．０２〜２００ｍｂａｒ、さらに好まし
くは０．２〜２００ｍｂａｒの範囲内である。負圧が小
さい（圧力が高い）と液相の揮散が不十分となり、また
負圧が大きすぎる（圧力が小さい）とＡＡＮの分解が抑
えきれなくなるおそれがあるので上記範囲内の圧力が好
ましい。
ては窒素ガスを用いることが望ましいが、アルゴンなど
の不活性ガスあるいは不活性ガスと窒素ガスとの混合ガ
スでもよい。負圧下で焼成することによって液相なとの
連敗除去がより完全になる。好ましい圧力は、室温で（
すなわち初期圧が） ０．０２〜５００ｍｂａｒ 、よ
り好ましくは０．０２〜２００ｍｂａｒ、さらに好まし
くは０．２〜２００ｍｂａｒの範囲内である。負圧が小
さい（圧力が高い）と液相の揮散が不十分となり、また
負圧が大きすぎる（圧力が小さい）とＡＡＮの分解が抑
えきれなくなるおそれがあるので上記範囲内の圧力が好
ましい。
本発明では、上記負圧下での焼成と併せてアルミニウム
蒸気圧の存在を必須とする。アルミニウム蒸気圧の存在
によって、負圧下での焼成でもＡＡＮの分解が抑制され
るので、Ａｊ２Ｎの反りゃうねり、さらには割れが有効
に防止される。アルミニウム蒸気を存在さセるには炉内
にＡＩＮやＡＮなどの粉末を配置するだけでよい。但し
、詰め粉の如く試料（Ａ Ｉ Ｎ基板）にＡＪＮやＡβ
等の粉末を接触させることは、それらの粉末が試料に付
着するなどの不都合があるので不適当である。
蒸気圧の存在を必須とする。アルミニウム蒸気圧の存在
によって、負圧下での焼成でもＡＡＮの分解が抑制され
るので、Ａｊ２Ｎの反りゃうねり、さらには割れが有効
に防止される。アルミニウム蒸気を存在さセるには炉内
にＡＩＮやＡＮなどの粉末を配置するだけでよい。但し
、詰め粉の如く試料（Ａ Ｉ Ｎ基板）にＡＪＮやＡβ
等の粉末を接触させることは、それらの粉末が試料に付
着するなどの不都合があるので不適当である。
ＡｌＮやＡ、ｆｆの量は炉容積５００β当り１００ｇ以
上存在することが望ましい。
上存在することが望ましい。
特に、炉容積５００１当り１００ｇ以上のＡＩＮ粉末を
試料の近くに配置して、初期圧（室温下の圧力）０．２
〜３００ｍｂａｒの窒素圧力下で焼成することが好まし
い。
試料の近くに配置して、初期圧（室温下の圧力）０．２
〜３００ｍｂａｒの窒素圧力下で焼成することが好まし
い。
焼成温度は一般的に１６００〜２２００℃、好ましくは
１８００〜２０００℃の範囲内、保持時間は一般に１〜
２０時間、好ましくは６〜１２時間である。
１８００〜２０００℃の範囲内、保持時間は一般に１〜
２０時間、好ましくは６〜１２時間である。
このようにして得られたＡＩＮ基板は緻密で、透明かつ
熱伝導度も高く、しかも基板の反りやうねりがない。
熱伝導度も高く、しかも基板の反りやうねりがない。
さらに、本発明によれば、このようにして得られたＡβ
Ｎ基板（焼結体）を最高圧力１０気圧以上、好ましくは
１００〜１０００気圧、温度１６００〜２０００℃、好
ましくは１７００〜１９００’ＣＴ：ＨＩ Ｐ処理する
ことによって、ＡｆｆＮ基板の緒特性を向上させること
ができる。本発明の方法で焼成したＡｆＮＪＪ板は負圧
下で焼成されているため液相の揮散が完全であり、その
結果高圧下での処理による焼結が有効に進行する。従っ
て、本発明に従って焼成及びＨＩ Ｐ処理された／ＩＮ
基板の緒特性は従来法で焼成後にＨＩＰ処理したＡβＮ
基板の緒特性より大幅に優れている特徴がある。
Ｎ基板（焼結体）を最高圧力１０気圧以上、好ましくは
１００〜１０００気圧、温度１６００〜２０００℃、好
ましくは１７００〜１９００’ＣＴ：ＨＩ Ｐ処理する
ことによって、ＡｆｆＮ基板の緒特性を向上させること
ができる。本発明の方法で焼成したＡｆＮＪＪ板は負圧
下で焼成されているため液相の揮散が完全であり、その
結果高圧下での処理による焼結が有効に進行する。従っ
て、本発明に従って焼成及びＨＩ Ｐ処理された／ＩＮ
基板の緒特性は従来法で焼成後にＨＩＰ処理したＡβＮ
基板の緒特性より大幅に優れている特徴がある。
ＨＩ Ｐ処理の雰囲気は窒素ガス中が好ましいが、この
ときにも必要に応じてＡＩＮやＡＮの粉末を少量配置し
てＡ６蒸気を存在させるとよい。保持時間は１〜２０時
間、好ましくは４〜１５時間程度である。
ときにも必要に応じてＡＩＮやＡＮの粉末を少量配置し
てＡ６蒸気を存在させるとよい。保持時間は１〜２０時
間、好ましくは４〜１５時間程度である。
本発明によるＡＩＮグリーンシート又はその積層体の焼
成及び／ＩＮ焼結体のＨＩＰ処理の仕方の例を第１図を
参照して説明する。同図の如く、ヒータ１を有する炉内
に、グラファイトるつぼ２中にＡＡＮ粉末３とグラファ
イト粉末４を入れ、これを試料６の近くに配置する。試
料６はグラファイトセフタ−５でセットする。このよう
な炉に窒素を封入し、昇温して負圧下で焼成するか、過
剰圧下でＨＩＰ処理する。
成及び／ＩＮ焼結体のＨＩＰ処理の仕方の例を第１図を
参照して説明する。同図の如く、ヒータ１を有する炉内
に、グラファイトるつぼ２中にＡＡＮ粉末３とグラファ
イト粉末４を入れ、これを試料６の近くに配置する。試
料６はグラファイトセフタ−５でセットする。このよう
な炉に窒素を封入し、昇温して負圧下で焼成するか、過
剰圧下でＨＩＰ処理する。
負圧下で焼成することによって液相の連敗除去が促進さ
れ、ＨＩＰ処理を有効に行なうことを可能にし、またＡ
Ｎ蒸気の存在を併用することによって負圧下でもＡＩＮ
の分解を抑制することができる。
れ、ＨＩＰ処理を有効に行なうことを可能にし、またＡ
Ｎ蒸気の存在を併用することによって負圧下でもＡＩＮ
の分解を抑制することができる。
■よ
市販のＡβＮ粉末（徳山ソータ製）に焼結助剤としてＣ
ａＣＯ３を４ｉｖｔ％添加し、樹脂ボールでミリングを
溶剤にエタノール１８０ｇ、アセトン８０ｇを用いて２
４時間行った。次にこの混合粉末１００重量部に対して
、バインダーとしてポリ塩化ビニル（積木化学製ＢＬ−
１） ６．５重量部、分散剤としてポリエチレングリコ
ール脂肪酸エステルを２重星部加え、さらに２４時間ミ
リングを行った。
ａＣＯ３を４ｉｖｔ％添加し、樹脂ボールでミリングを
溶剤にエタノール１８０ｇ、アセトン８０ｇを用いて２
４時間行った。次にこの混合粉末１００重量部に対して
、バインダーとしてポリ塩化ビニル（積木化学製ＢＬ−
１） ６．５重量部、分散剤としてポリエチレングリコ
ール脂肪酸エステルを２重星部加え、さらに２４時間ミ
リングを行った。
得られたスラリーをドクターブレード法で厚さ２５０−
のグリーンシートとした。グリーンシートはプレス圧６
０ＭＰａで１０枚積層した。この積層体をＮ、中６００
℃、４時間で焼成して有機成分を除去した。
のグリーンシートとした。グリーンシートはプレス圧６
０ＭＰａで１０枚積層した。この積層体をＮ、中６００
℃、４時間で焼成して有機成分を除去した。
次に有効容積５００ ｊ２のグラフィイト発熱体の炉内
に１００ｇＡＩｌＮ粉末を置き、／ＩＮ積層体をＢＮの
セッターにのせ荷重をかけずに焼成した。
に１００ｇＡＩｌＮ粉末を置き、／ＩＮ積層体をＢＮの
セッターにのせ荷重をかけずに焼成した。
焼成は６００’Ｃ／ｈで１８００℃まで昇温し、１８０
０°Ｃを１０時間保持した。炉内には室温で２０ｍｂａ
ｒのＮ２ガスを封入し、１８００℃で約１００ｍｂａｒ
とした。
０°Ｃを１０時間保持した。炉内には室温で２０ｍｂａ
ｒのＮ２ガスを封入し、１８００℃で約１００ｍｂａｒ
とした。
焼成後の基板は反りやうねりがなく、相対密度９９．５
％以上で、透光性も大きかった。基板は熱伝導率２２０
Ｗ／ｍｋ、曲げ強さ３５０ＭＰａであった。
％以上で、透光性も大きかった。基板は熱伝導率２２０
Ｗ／ｍｋ、曲げ強さ３５０ＭＰａであった。
■し＝
例１と同様にグリーンシート積層体を作製し、１８００
℃、１０時間保持の焼成を行った。室温でのガス封入を
０．００２〜２００ｍｂａｒとした。
℃、１０時間保持の焼成を行った。室温でのガス封入を
０．００２〜２００ｍｂａｒとした。
結果を下表に示す。
Ｎ１
１と同様にグリーンシートを作製し、１８００℃。
１０時間の焼成を行った。室温でのガス封入圧を２０ｒ
＠ｂａｒとした。炉内におく Ａ ｆｆ ＮＦＡ末を０
〜５００ ｇとした。結果を下表に示す。
＠ｂａｒとした。炉内におく Ａ ｆｆ ＮＦＡ末を０
〜５００ ｇとした。結果を下表に示す。
貫↓
例２で得た焼結体をＨＩＰ処理した。ＨＩＰ条件は１２
００℃まで真空昇温し、その後１８００℃で２００気圧
となるようにＮ２ガスを封入した。また１８００℃の保
持時間は５時間とした。試料は樹脂を含有したカーボン
をぬり、ＡＩＮ粉末をわずかに容器内に加えた。
００℃まで真空昇温し、その後１８００℃で２００気圧
となるようにＮ２ガスを封入した。また１８００℃の保
持時間は５時間とした。試料は樹脂を含有したカーボン
をぬり、ＡＩＮ粉末をわずかに容器内に加えた。
結果を下図に示す。
劃」−
例１と同様にしてグリーンシート積層体を作製し、脱脂
した。この試料を（１）真空中。
した。この試料を（１）真空中。
（２） １ ｍｂａｒＮｚガスフロー中、（３）１気圧
Ｎ２ガスフロー中、（４０気圧Ｎ２ガス封入下、（５）
１０気圧Ｎ２ガス封入下で、１８００℃、４時間焼成し
た。
Ｎ２ガスフロー中、（４０気圧Ｎ２ガス封入下、（５）
１０気圧Ｎ２ガス封入下で、１８００℃、４時間焼成し
た。
結果を下記表に示す
次に、上記試料（２）〜り５）を焼成後、例４同様にＨ
ＩＰ処理した。但し、ＨＩ Ｐ処理の際、ＡＩ！Ｎ粉末
は使用しなかった。
ＩＰ処理した。但し、ＨＩ Ｐ処理の際、ＡＩ！Ｎ粉末
は使用しなかった。
結果を下表に示す。
本発明の方法によれば、下記の如き効果がある。
（１）荷重をかけずに均一で平坦な基板が得られる。
（２）蒸発成分が効率良く除去されかつＡｆＮの分解を
防げ、緻密で透光性が高く、熱伝導率の高い焼結体が得
られる。
防げ、緻密で透光性が高く、熱伝導率の高い焼結体が得
られる。
（３） ＨＩ Ｐ処理によって特性を大幅に改善される
ことを可能にする。
ことを可能にする。
第１図は本発明による焼成及びＨＩＰ処理の様子を示す
模式図である。 １・・・グラファイトヒータ、 ２・・・グラファイトるつぼ・ ３・・・ＡＩＮ粉末、 ４・・・グラファイト粉末、 ５・・・グラファイトセッター、 ６・・・試料。
模式図である。 １・・・グラファイトヒータ、 ２・・・グラファイトるつぼ・ ３・・・ＡＩＮ粉末、 ４・・・グラファイト粉末、 ５・・・グラファイトセッター、 ６・・・試料。
Claims (2)
- １．窒化アルミニウムのグリーンシート又はその積層体
を負圧下かつアルミニウム蒸気の存在下で焼成すること
を特徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。 - ２．請求項１で得られる焼結体を最大圧力１０気圧以上
、温度１６００〜２０００℃でＨＩＰ処理することを特
徴とする窒化アルミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064720A JP2628599B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63064720A JP2628599B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239067A true JPH01239067A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2628599B2 JP2628599B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13266272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63064720A Expired - Lifetime JP2628599B2 (ja) | 1988-03-19 | 1988-03-19 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628599B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01294578A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JP2007031250A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JP2012036090A (ja) * | 2011-10-26 | 2012-02-23 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| CN121292986A (zh) * | 2025-09-26 | 2026-01-09 | 深圳市鑫荣进绝缘材料有限公司 | 高散热轻量化的氮化铝基板及其制备方法 |
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| JPH01167279A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | 窒化アルミニウムを主成分とする多結晶焼結体とその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-19 JP JP63064720A patent/JP2628599B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPS63277569A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS63277568A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH01167279A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh | 窒化アルミニウムを主成分とする多結晶焼結体とその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01294578A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JP2007031250A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
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| CN121292986A (zh) * | 2025-09-26 | 2026-01-09 | 深圳市鑫荣进绝缘材料有限公司 | 高散热轻量化的氮化铝基板及其制备方法 |
| CN121292986B (zh) * | 2025-09-26 | 2026-06-19 | 深圳市鑫荣进绝缘材料有限公司 | 高散热轻量化的氮化铝基板及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2628599B2 (ja) | 1997-07-09 |
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