JPH0123940B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0123940B2 JPH0123940B2 JP59164085A JP16408584A JPH0123940B2 JP H0123940 B2 JPH0123940 B2 JP H0123940B2 JP 59164085 A JP59164085 A JP 59164085A JP 16408584 A JP16408584 A JP 16408584A JP H0123940 B2 JPH0123940 B2 JP H0123940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main surface
- nitride film
- connection hole
- mesa groove
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特
に露出したPN接合部分を被覆する製造方法に関
する。
に露出したPN接合部分を被覆する製造方法に関
する。
従来、半導体装置、例えばトランジスタの製造
方法には第２図ａ乃至ｇに示すようなものがあつ
た。すなわち、同図ａに示すように、コレクタと
なるＰ型層２と、ベースとなるＮ型層４とからな
るPN接合基体６を製造し、Ｎ型層４の主表面８
の各所定位置にそれぞれエミツタとなるＰ型層１
０を形成する。そして、主表面８の全域を酸化膜
１２によつて被覆する。次に同図ｂに示すよう
に、Ｐ型層１０の上方等の酸化膜１２の所定位置
の部分を除去して接続孔（コンタクトホール）１
４を形成する。なお、接続孔１４は層４，１０と
電極（図示せず）とを接続するためのものであ
る。そして、同図ｃに示すように、主表面８側か
ら基体６の内部側に向うメサ溝１６を形成する。
なお、メサ溝１６は、基体６上の各トランジスタ
を１個づつ独立させるためのものである。そし
て、同図ｄに示すように、メサ溝１６を被覆する
ように金属酸化物を主成分にするガラスペースト
１８を塗布する。このとき、接続孔１４にもガラ
スペースト１８が塗布される。そして、同図ｅに
示すようにガラスペースト１８を焼成する。１９
が焼成したガラスである。次に、同図ｆに示すよ
うに接続孔１４を除いて、酸化膜１２及び焼成し
たガラス１９をフオトレジスト２０により被覆す
る。最後に同図ｇに示すようにフツ酸と塩酸とを
混合したエツチング液によつて接続孔１４上の焼
成したガラス１９を除去する。
方法には第２図ａ乃至ｇに示すようなものがあつ
た。すなわち、同図ａに示すように、コレクタと
なるＰ型層２と、ベースとなるＮ型層４とからな
るPN接合基体６を製造し、Ｎ型層４の主表面８
の各所定位置にそれぞれエミツタとなるＰ型層１
０を形成する。そして、主表面８の全域を酸化膜
１２によつて被覆する。次に同図ｂに示すよう
に、Ｐ型層１０の上方等の酸化膜１２の所定位置
の部分を除去して接続孔（コンタクトホール）１
４を形成する。なお、接続孔１４は層４，１０と
電極（図示せず）とを接続するためのものであ
る。そして、同図ｃに示すように、主表面８側か
ら基体６の内部側に向うメサ溝１６を形成する。
なお、メサ溝１６は、基体６上の各トランジスタ
を１個づつ独立させるためのものである。そし
て、同図ｄに示すように、メサ溝１６を被覆する
ように金属酸化物を主成分にするガラスペースト
１８を塗布する。このとき、接続孔１４にもガラ
スペースト１８が塗布される。そして、同図ｅに
示すようにガラスペースト１８を焼成する。１９
が焼成したガラスである。次に、同図ｆに示すよ
うに接続孔１４を除いて、酸化膜１２及び焼成し
たガラス１９をフオトレジスト２０により被覆す
る。最後に同図ｇに示すようにフツ酸と塩酸とを
混合したエツチング液によつて接続孔１４上の焼
成したガラス１９を除去する。
しかしながら、上記の方法では、接続孔１４上
の焼成したガラス１９を除去するため、不要部分
をフオトレジスト２０で被覆したうえでエツチン
グをしなければならない。従つて、フオトレジス
トのパターニングを正確にしなければならなかつ
た。しかもエツチング液はフツ酸と塩酸とを混合
したものであるので、フオトレジスト２０も腐食
され、予定よりも多くの部所が除去されることが
あつた。従つて、小さな接続孔、例えば30μm以
下の大きさの接続孔１４を形成することが困難で
あるという問題点があつた。
の焼成したガラス１９を除去するため、不要部分
をフオトレジスト２０で被覆したうえでエツチン
グをしなければならない。従つて、フオトレジス
トのパターニングを正確にしなければならなかつ
た。しかもエツチング液はフツ酸と塩酸とを混合
したものであるので、フオトレジスト２０も腐食
され、予定よりも多くの部所が除去されることが
あつた。従つて、小さな接続孔、例えば30μm以
下の大きさの接続孔１４を形成することが困難で
あるという問題点があつた。
上記の問題点を解決するための手段は、PN接
合基体の一方の主表面上に形成した酸化膜の一部
を除去して接続孔を形成する段階と、上記酸化膜
及び接続孔上に窒化膜を形成する段階と、上記主
表面側から上記基体内部側に向うメサ溝を形成す
る段階と、上記窒化膜及びメサ溝上にガラス状物
質を塗布する段階と、上記ガラス状物質を焼成す
る段階と、上記窒化膜及びその上のガラス状物質
を除去する段階とを備えるものである。
合基体の一方の主表面上に形成した酸化膜の一部
を除去して接続孔を形成する段階と、上記酸化膜
及び接続孔上に窒化膜を形成する段階と、上記主
表面側から上記基体内部側に向うメサ溝を形成す
る段階と、上記窒化膜及びメサ溝上にガラス状物
質を塗布する段階と、上記ガラス状物質を焼成す
る段階と、上記窒化膜及びその上のガラス状物質
を除去する段階とを備えるものである。
この実施例は、まず第１図ａに示すように従来
のものと同様に、Ｐ型層２２とＮ型層２４とから
なるPN接合基体２６を形成し、そのＮ型層２４
の主表面２８側の各所定位置にそれぞれＰ型層２
９を形成し、主表面２８を酸化膜３０によつて被
覆する。そして、予め定めた位置の酸化膜３０を
それぞれ除去して接続孔３２を形成する。
のものと同様に、Ｐ型層２２とＮ型層２４とから
なるPN接合基体２６を形成し、そのＮ型層２４
の主表面２８側の各所定位置にそれぞれＰ型層２
９を形成し、主表面２８を酸化膜３０によつて被
覆する。そして、予め定めた位置の酸化膜３０を
それぞれ除去して接続孔３２を形成する。
次に同図ｂに示すように、酸化膜３０及び接続
孔３２上をそれぞれ窒化膜３４によつて被覆す
る。
孔３２上をそれぞれ窒化膜３４によつて被覆す
る。
そして同図ｃに示すように、主表面２８から基
体２６の内側に向かうメサ溝３６を形成し、各ト
ランジスタをそれぞれ独立させる。
体２６の内側に向かうメサ溝３６を形成し、各ト
ランジスタをそれぞれ独立させる。
そして、同図ｄに示すようにメサ溝３６にガラ
スペースト３８を塗布する。この塗布は、例えば
ガラスペースト３８を主表面２８側にたらし、こ
れをナイフブレードなどで掃くことによつてメサ
溝３６内にガラスペースト３８を埋め、余分なガ
ラスペースト３８をふきとる方法や、電気泳動法
によつてなされる。このとき、窒化膜３４上にガ
ラスペースト３８が残留することは避けられな
い。
スペースト３８を塗布する。この塗布は、例えば
ガラスペースト３８を主表面２８側にたらし、こ
れをナイフブレードなどで掃くことによつてメサ
溝３６内にガラスペースト３８を埋め、余分なガ
ラスペースト３８をふきとる方法や、電気泳動法
によつてなされる。このとき、窒化膜３４上にガ
ラスペースト３８が残留することは避けられな
い。
次に、同図ｅに示すようにガラスペースト３８
を焼成する。４０が焼成したガラスを示す。
を焼成する。４０が焼成したガラスを示す。
最後に、同図ｆに示すようにプラズマエツチン
グ等により、窒化膜３４と共にその上の焼成した
ガラス４０を除去する。
グ等により、窒化膜３４と共にその上の焼成した
ガラス４０を除去する。
上記の実施例では、この発明をトランジスタの
製造方法に実施したが、他にサイリスタやダイオ
ードの製造方法にも実施できる。また、メサ溝３
６は主表面２８の片側だけに設けたが、主表面２
８とこれと反対側の主表面との双方からメサ溝を
設けてもよい。
製造方法に実施したが、他にサイリスタやダイオ
ードの製造方法にも実施できる。また、メサ溝３
６は主表面２８の片側だけに設けたが、主表面２
８とこれと反対側の主表面との双方からメサ溝を
設けてもよい。
以上述べたように、この発明による半導体装置
の製造方法によれば、窒化膜を形成した後に、ガ
ラスペーストを塗布、焼成し、その後に不要部分
の窒化膜及びその上のガラスを除去している。従
つてフオトレジストやエツチング液が不要であ
り、小型で正確な接続孔を形成できる。
の製造方法によれば、窒化膜を形成した後に、ガ
ラスペーストを塗布、焼成し、その後に不要部分
の窒化膜及びその上のガラスを除去している。従
つてフオトレジストやエツチング液が不要であ
り、小型で正確な接続孔を形成できる。
第１図ａ乃至ｆはこの発明による半導体装置の
製造方法の１実施例の各段階を示す図、第２図ａ
乃至ｇは従来の半導体装置の製造方法の各段階を
示す図である。 ２６……PN接合基体、２８……主表面、３０
……酸化膜、３２……接続孔、３４……窒化膜、
３６……メサ溝、３８……ガラス状物質、４０…
…焼成したガラス。
製造方法の１実施例の各段階を示す図、第２図ａ
乃至ｇは従来の半導体装置の製造方法の各段階を
示す図である。 ２６……PN接合基体、２８……主表面、３０
……酸化膜、３２……接続孔、３４……窒化膜、
３６……メサ溝、３８……ガラス状物質、４０…
…焼成したガラス。
Claims (1)
- １ PN接合基体の一方の主表面上に形成した酸
化膜の一部を除去して接続孔を形成する段階と、
上記酸化膜及び接続孔上に窒化膜を形成する段階
と、上記主表面側から上記基体内部側に向うメサ
溝を形成する段階と、上記窒化膜及びメサ溝上に
ガラス状物質を塗布する段階と、上記ガラス状物
質を焼成する段階と、上記窒化膜及びその上のガ
ラス状物質を除去する段階とを備える半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164085A JPS6142144A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59164085A JPS6142144A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142144A JPS6142144A (ja) | 1986-02-28 |
| JPH0123940B2 true JPH0123940B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=15786491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59164085A Granted JPS6142144A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142144A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3007734B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2000-02-07 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US5882986A (en) * | 1998-03-30 | 1999-03-16 | General Semiconductor, Inc. | Semiconductor chips having a mesa structure provided by sawing |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP59164085A patent/JPS6142144A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6142144A (ja) | 1986-02-28 |
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