JPS5893333A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5893333A JPS5893333A JP56192531A JP19253181A JPS5893333A JP S5893333 A JPS5893333 A JP S5893333A JP 56192531 A JP56192531 A JP 56192531A JP 19253181 A JP19253181 A JP 19253181A JP S5893333 A JPS5893333 A JP S5893333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- semiconductor device
- periphery
- mesa
- electrophoresis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の、バッジページ嘗／膜の形成法
に係９、特にガラスによりて保護された半導体装置の製
造方法に関するものである。
に係９、特にガラスによりて保護された半導体装置の製
造方法に関するものである。
半導体装置の表面安定化の九めに、従来よ〉種々の方法
がとられ、二酸化シリコン（Ｓｔσ０゜酸化アルイエり
ム（人Ｊｌα０．ゴム、ガラス等が使われ製品の要求水
準、ガ見ば耐圧、ａ格によ〉、それぞれの方法が採用さ
れている。その中で、中、高耐圧の、ダイオード、サイ
リスタ、トライアック等の表面安定化には、バッジベー
ジｌン膜としての安定性のみならず熱膨張係数の関係か
ら、厚くコーテングで龜、又出来ｆＩ−素子の価格を安
くできる面から、ガラスによるパッジベージ冒ンは、優
れた方法と考えられ、近年特にガラスによるバッジベー
ン１フ品が多く市場に出て過ている。バクシベーシｌ／
に使用されるガラスとして社、酸化鉛（ＰｂＯ）ｔ−主
成分とした鉛系ガラスと、酸化亜鉛（ＺｎＯ）ｔ−主成
分とした亜鉛系のガラスが主として使われている。
がとられ、二酸化シリコン（Ｓｔσ０゜酸化アルイエり
ム（人Ｊｌα０．ゴム、ガラス等が使われ製品の要求水
準、ガ見ば耐圧、ａ格によ〉、それぞれの方法が採用さ
れている。その中で、中、高耐圧の、ダイオード、サイ
リスタ、トライアック等の表面安定化には、バッジベー
ジｌン膜としての安定性のみならず熱膨張係数の関係か
ら、厚くコーテングで龜、又出来ｆＩ−素子の価格を安
くできる面から、ガラスによるパッジベージ冒ンは、優
れた方法と考えられ、近年特にガラスによるバッジベー
ン１フ品が多く市場に出て過ている。バクシベーシｌ／
に使用されるガラスとして社、酸化鉛（ＰｂＯ）ｔ−主
成分とした鉛系ガラスと、酸化亜鉛（ＺｎＯ）ｔ−主成
分とした亜鉛系のガラスが主として使われている。
本発明は、ＰｂＯ又・は、ｚｎＯｔ−主成分としたバッ
シベーシーノガラスを電気泳動法で付層させ横面を保護
する工程の製造方法を提供するものである。
シベーシーノガラスを電気泳動法で付層させ横面を保護
する工程の製造方法を提供するものである。
本発明の特徴は、メサ聾及びプレーナー型の半導体装置
に、酸化鉛系及び酸化亜鉛系を主成分とするパッジベー
ジ１ツガラスを電気泳動法で付着せしめｔのち、焼成し
、ガラス保護膜を形成する半導体装置の製造方法に於い
て、メサ溝部の８ｉ０１膜をフォトエツチング法によ〕
エツチングする際、ウェハー周辺部の厚みの部分は、８
１０．膜ｔ１のこし、電気泳動床の電極が、触れる部分
のみシリコンを露出させ、ガラス粉末がウェハー周辺に
まで付層することを防止させ九牛導体装置の製造方法に
ある。
に、酸化鉛系及び酸化亜鉛系を主成分とするパッジベー
ジ１ツガラスを電気泳動法で付着せしめｔのち、焼成し
、ガラス保護膜を形成する半導体装置の製造方法に於い
て、メサ溝部の８ｉ０１膜をフォトエツチング法によ〕
エツチングする際、ウェハー周辺部の厚みの部分は、８
１０．膜ｔ１のこし、電気泳動床の電極が、触れる部分
のみシリコンを露出させ、ガラス粉末がウェハー周辺に
まで付層することを防止させ九牛導体装置の製造方法に
ある。
以下、本発明の一実施例について、図ｍｔ用いて説明す
る。第１図は、メサ型半導体装置の一例としてガラス保
護膜を有する半導体装置の断面図でｉる。第１図のよう
な、メサ型半導体装置は、次のようにして製造される。
る。第１図は、メサ型半導体装置の一例としてガラス保
護膜を有する半導体装置の断面図でｉる。第１図のよう
な、メサ型半導体装置は、次のようにして製造される。
半導体装置は、一般に半導体基板に多数の牛導体素子會
形成後に、絶縁膜、例えば８１０．膜１．をマスクにし
てＰＨ９盆を越える深さのメサ溝を選択的に化学エツチ
ング法により形成し、次いでメサ溝部２に第２図の様な
方法により、電気泳動法でガラス粉末ｔ−′４ｉＲＮせ
しめ、その後は、石英ボートに半導体基板をならべ加熱
溶融してガラス保護膜を形成する。しかしながら従来の
ような作業方法の場合、第１図４゜イの部分にもガラス
が付層してしまい第３図の加熱溶融の際、石英ボートと
の接触部７．τ等が石英に付いて半導体基板が破損し製
造歩留９が著しく低ｆしてい次。本発明実施列は、上記
のような欠点を排除できるもので、フォトフシスト＠を
用い、メチ溝の８ｉ０．膜を除去する際、従来は、第１
図４．４′の部分の８４０．膜も同時にエツチングされ
ていた九め、基板周辺まで、ガラスが付層してい九ので
メサ溝のｓｉｏ、エツチング前に半導体基板の周辺の！
２図５．ダの電極となる部分を除いた他の周辺場所を１
１：たとえば筆等を用いフオトレジスト液で保護しＳｉ
ｎ、膜ｔのこすようにする。
形成後に、絶縁膜、例えば８１０．膜１．をマスクにし
てＰＨ９盆を越える深さのメサ溝を選択的に化学エツチ
ング法により形成し、次いでメサ溝部２に第２図の様な
方法により、電気泳動法でガラス粉末ｔ−′４ｉＲＮせ
しめ、その後は、石英ボートに半導体基板をならべ加熱
溶融してガラス保護膜を形成する。しかしながら従来の
ような作業方法の場合、第１図４゜イの部分にもガラス
が付層してしまい第３図の加熱溶融の際、石英ボートと
の接触部７．τ等が石英に付いて半導体基板が破損し製
造歩留９が著しく低ｆしてい次。本発明実施列は、上記
のような欠点を排除できるもので、フォトフシスト＠を
用い、メチ溝の８ｉ０．膜を除去する際、従来は、第１
図４．４′の部分の８４０．膜も同時にエツチングされ
ていた九め、基板周辺まで、ガラスが付層してい九ので
メサ溝のｓｉｏ、エツチング前に半導体基板の周辺の！
２図５．ダの電極となる部分を除いた他の周辺場所を１
１：たとえば筆等を用いフオトレジスト液で保護しＳｉ
ｎ、膜ｔのこすようにする。
体に、ガラスが付層することは無くなりｓＬ九がってカ
ロ熱溶融のときも石英ボートとのくつつきは、なく製造
上及び、信頼性上に渡って非常に安定し友嬌歩留の半導
体装置が得られることは明白であろう。
ロ熱溶融のときも石英ボートとのくつつきは、なく製造
上及び、信頼性上に渡って非常に安定し友嬌歩留の半導
体装置が得られることは明白であろう。
第１図は、メサ型半導体装置を示す断面図、第２図、第
３図は電気泳動法を説明するための図、第４図は本発明
実施列によ〕製造された半導体装置の断面図である。 なお図において、１・・・・、二８ｉ０．膜、２・・・
・・・メサ溝、３・・・・・・ガラス保護膜、４．４’
・・・・・・半導体周辺部に付層しｔガラス、５．５’
・・・・・・電気泳動法の際電極となる部分、ａ・・・
・・・電気泳動装置、７．７’・・・・・・石英ボート
との接触部、８Ｊ８’・・・・・・８１０．膜、である
。 竿４−回
３図は電気泳動法を説明するための図、第４図は本発明
実施列によ〕製造された半導体装置の断面図である。 なお図において、１・・・・、二８ｉ０．膜、２・・・
・・・メサ溝、３・・・・・・ガラス保護膜、４．４’
・・・・・・半導体周辺部に付層しｔガラス、５．５’
・・・・・・電気泳動法の際電極となる部分、ａ・・・
・・・電気泳動装置、７．７’・・・・・・石英ボート
との接触部、８Ｊ８’・・・・・・８１０．膜、である
。 竿４−回
Claims (1)
- メサ型及びプレーナー臘の半導体装置に、酸化鉛系及び
酸化亜鉛系を主成分とするバッジベージ望ンガラスを電
気泳動法で付層せしめたのち、焼成し、ガラス保饅膜會
形成する半導体装置の製造方法に於いて、メサ溝部の酸
化膜を７オトエツチ／グ法によシエッチングする際にウ
エノ為−周辺部の厚みの部分は、咳酸化膜：、を、のこ
゛しゆ電気泳動法の電極が、触れる部分のみシリコンを
露出させ、ガラス粉末が該ウェハー周辺にまで付着する
ことを防止させ７を仁とｔＩｆＩ＃黴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192531A JPS5893333A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192531A JPS5893333A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893333A true JPS5893333A (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=16292825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192531A Pending JPS5893333A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02184032A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-18 | Toshiba Components Co Ltd | ガラス膜の形成方法 |
| JPH0423451A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192531A patent/JPS5893333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02184032A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-18 | Toshiba Components Co Ltd | ガラス膜の形成方法 |
| JPH0423451A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3493820A (en) | Airgap isolated semiconductor device | |
| EP0229426B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a metallization with a thick connection electrode is provided on a semiconductor body | |
| US3255005A (en) | Masking process for semiconductor elements | |
| US3412456A (en) | Production method of semiconductor devices | |
| JPS5893333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4067100A (en) | Method of making a semiconductor device | |
| JPS5932895B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5445570A (en) | Manufacture for semiconductor element | |
| JPS5821336A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US4676864A (en) | Bonding method of semiconductor device | |
| IE33405B1 (en) | Semiconductor wafers sub-dividable into pellets and methods of fabricating same | |
| JPS63202034A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2533088B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPS5984431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0123940B2 (ja) | ||
| JP2519139B2 (ja) | Ｓｉ単結晶薄膜の厚さを均一化する方法 | |
| JPS595631A (ja) | メサ型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6025255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6066821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0117246B2 (ja) | ||
| JPH05206099A (ja) | シリコンウェハのエッチング方法 | |
| JPS58145136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6314481A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPS5897834A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS603129A (ja) | 半導体装置の製造方法 |