JPH01239802A - サーミスタ - Google Patents
サーミスタInfo
- Publication number
- JPH01239802A JPH01239802A JP63066601A JP6660188A JPH01239802A JP H01239802 A JPH01239802 A JP H01239802A JP 63066601 A JP63066601 A JP 63066601A JP 6660188 A JP6660188 A JP 6660188A JP H01239802 A JPH01239802 A JP H01239802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contained
- baked
- thermistor
- crystal grains
- cobalt oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高応答性、高精度の温度センサとして利用で
きるところの大きな負の抵抗温度係数を有するサーミス
タに関するものである。
きるところの大きな負の抵抗温度係数を有するサーミス
タに関するものである。
従来の技術
従来、酸化コバルトとリチウムを組み合わせた酸化物半
導体としては、−船釣に酸化物半導体材料の導電機構の
一つとして説明される原子価制量理論ゐ実例で、古(V
arweyらにより取上げられている(Philips
Re5earch Report6173(19
50))。
導体としては、−船釣に酸化物半導体材料の導電機構の
一つとして説明される原子価制量理論ゐ実例で、古(V
arweyらにより取上げられている(Philips
Re5earch Report6173(19
50))。
しかしながら、Verweyらの検討はあくまでも学究
的な段階のもので、リチウムの固溶量も1wt%以下と
、サーミスタとしての用途開発以前のものであった。
的な段階のもので、リチウムの固溶量も1wt%以下と
、サーミスタとしての用途開発以前のものであった。
日本国内においては、二本による報告〔■日立製作所、
中央研究所創立二十周年記念論文集。
中央研究所創立二十周年記念論文集。
p30〜46.昭和37年〕があるが、サーミスタ特性
としては比抵抗およびB定数とも低く、サーミスタとし
て適するものではなく、これに準するものと記載されて
いる。
としては比抵抗およびB定数とも低く、サーミスタとし
て適するものではなく、これに準するものと記載されて
いる。
これに対して、本発明者らが再度検討した結果、酸化コ
バルトとリチウムの組み合わせでもって、かつ特定の結
晶構造とした場合には、比抵抗が小さく、B定数の高い
優れたサーミスタ材料が得られることを見出した。さら
に、これに銅を添加した材料も優れたサーミスタ特性を
有することを見出した。
バルトとリチウムの組み合わせでもって、かつ特定の結
晶構造とした場合には、比抵抗が小さく、B定数の高い
優れたサーミスタ材料が得られることを見出した。さら
に、これに銅を添加した材料も優れたサーミスタ特性を
有することを見出した。
発明が解決しようとする課題
そして、上記サーミスタ材料は、コバルト2よび銅に対
してリチウムを0.5〜2o、o原子%陰有する組成領
域で最も浸れた特性を示した。すなわち、ディスクサー
ミスタとして、150’Cの高温放置においても、従来
のコバルト、マンガン。
してリチウムを0.5〜2o、o原子%陰有する組成領
域で最も浸れた特性を示した。すなわち、ディスクサー
ミスタとして、150’Cの高温放置においても、従来
のコバルト、マンガン。
銅、ニッケルを主成分とする遷移金属酸化物のスピネル
結晶型のサーミスタと比較しても非常に安定な結果が得
られるものであった。しかしながら、直流負荷試験、特
に直中での直流負荷試験では、もう−歩、従来の汎用サ
ーミスタに及ばないという問題を有していた。この欠点
の原因を解析した結果、酸化コバルトに固溶していると
考えられていたリチウムが粒界あるいは結晶の接合部に
偏析し、直流負荷によりリチウムイオ/が移動すること
によることを突き止めた。
結晶型のサーミスタと比較しても非常に安定な結果が得
られるものであった。しかしながら、直流負荷試験、特
に直中での直流負荷試験では、もう−歩、従来の汎用サ
ーミスタに及ばないという問題を有していた。この欠点
の原因を解析した結果、酸化コバルトに固溶していると
考えられていたリチウムが粒界あるいは結晶の接合部に
偏析し、直流負荷によりリチウムイオ/が移動すること
によることを突き止めた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、センサと
して信頼性に優れたサーミスタを提供することを目的と
するものである。
して信頼性に優れたサーミスタを提供することを目的と
するものである。
課題を解決するだめの手段
上記のような問題を解決するために本発明は、種々改善
検討を行った結果、金属酸化物の焼結混合体からなり、
その構成金属元素として、コバルト(Co)、銅(Cu
)およびリチウム(Li)の3種を合計100原子%f
み、かつリチウムの含有量の少なくとも85原子チ以上
がNaCg型酸化コバルトの結晶粒内に固溶しているこ
とを特徴とするものである。
検討を行った結果、金属酸化物の焼結混合体からなり、
その構成金属元素として、コバルト(Co)、銅(Cu
)およびリチウム(Li)の3種を合計100原子%f
み、かつリチウムの含有量の少なくとも85原子チ以上
がNaCg型酸化コバルトの結晶粒内に固溶しているこ
とを特徴とするものである。
作用
このセラミック微細構造を満たすことにより、直流負荷
試験ならびに混生負荷試験においても従来のサーミスタ
以上の優れた安定性を発現することになる。
試験ならびに混生負荷試験においても従来のサーミスタ
以上の優れた安定性を発現することになる。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。
まず、市販の硝酸コバルト、硝酸銅、炭酸リチウムを出
発原料として、Go : Cu : Li=sO:3:
17原子チの比になるように溶解させ、これを蒸発乾固
させた後、600°Cの温度で仮焼し、この仮焼物をボ
ールミルで湿式粉砕した。このスラリーを乾燥後、ポリ
ビニルアルコールをバインダーとして添加混合し、所要
量採って円板状に加圧成形して成形品を多数作り、これ
らを窒素ガスフロー中で、1200〜13oO℃で2時
間焼成した。こうして得られだ円板状焼結体の両面にA
gを主成分とする電甑を設けて試料とした。上記プロセ
スの中で、スラリーの乾燥方法1条件および焼成条件を
変えて数種類の試料を作成し、60℃、90〜95%R
H中、負荷電力0.4W(7)直中負荷(2000時間
)と、150°Cでの高温放置(20o○時間)の試験
を実施した。また、素子の元素分析を素子成分と溶出成
分に分けて原子吸光分光法により行った。その結果を下
記の表にまとめて示す。
発原料として、Go : Cu : Li=sO:3:
17原子チの比になるように溶解させ、これを蒸発乾固
させた後、600°Cの温度で仮焼し、この仮焼物をボ
ールミルで湿式粉砕した。このスラリーを乾燥後、ポリ
ビニルアルコールをバインダーとして添加混合し、所要
量採って円板状に加圧成形して成形品を多数作り、これ
らを窒素ガスフロー中で、1200〜13oO℃で2時
間焼成した。こうして得られだ円板状焼結体の両面にA
gを主成分とする電甑を設けて試料とした。上記プロセ
スの中で、スラリーの乾燥方法1条件および焼成条件を
変えて数種類の試料を作成し、60℃、90〜95%R
H中、負荷電力0.4W(7)直中負荷(2000時間
)と、150°Cでの高温放置(20o○時間)の試験
を実施した。また、素子の元素分析を素子成分と溶出成
分に分けて原子吸光分光法により行った。その結果を下
記の表にまとめて示す。
捷た、これらの試料をX線回折により結晶構造を確認し
た結果、Na1l型の酸化コバル)(Coo)を同定し
た。
た結果、Na1l型の酸化コバル)(Coo)を同定し
た。
(以下余白)
(ネ印は比較例であり、請求範囲外である)この表でリ
チウム含有量の内、粒内の項で示した値は、全体量から
溶出量を減じたもので、粒界他(粒界および接合部)の
項で示した値が溶出成分量である。ここで、サーミスタ
の製品仕様としては、耐湿負荷試験での抵抗値変化率は
15%以内であることから、上表の試料14AおよびB
が満足することになる。すなわち、NaC77型のj峻
「ヒコバルトの結晶粒内にリチウムの含有量の85原子
係以上が固溶してPれば、十分仕様を満足できることと
なる。
チウム含有量の内、粒内の項で示した値は、全体量から
溶出量を減じたもので、粒界他(粒界および接合部)の
項で示した値が溶出成分量である。ここで、サーミスタ
の製品仕様としては、耐湿負荷試験での抵抗値変化率は
15%以内であることから、上表の試料14AおよびB
が満足することになる。すなわち、NaC77型のj峻
「ヒコバルトの結晶粒内にリチウムの含有量の85原子
係以上が固溶してPれば、十分仕様を満足できることと
なる。
なお、これら試料の比抵抗とB定数(26°Cと50°
Cの抵抗値に基つく)は、いずれも970Ω・Cnf引
10%、B定M= 4620(k)±3係であった。
Cの抵抗値に基つく)は、いずれも970Ω・Cnf引
10%、B定M= 4620(k)±3係であった。
ここで、コバルトは73.0〜99.4原子係、銅は0
.1〜7.○原子チ、リチウムは0.5〜20.0原子
係の組成範囲のものが、低比抵抗1高B定数を満足する
上では好ましく、センサとしてi幾器側から要望される
電気特性をより一層満たすことができる。これについて
は、本発明者らが先に特願昭62−132427号にて
明らかにしている通りである。
.1〜7.○原子チ、リチウムは0.5〜20.0原子
係の組成範囲のものが、低比抵抗1高B定数を満足する
上では好ましく、センサとしてi幾器側から要望される
電気特性をより一層満たすことができる。これについて
は、本発明者らが先に特願昭62−132427号にて
明らかにしている通りである。
発明の効果
以上述べたように、本発明は低比抵抗、高B定数を有す
る負の抵抗温度係数を有し、高温放置試験および耐湿負
荷試験においても、信頼性の点で優れたサーミスタを提
供するものであるが、でンサとして温度に対して高精度
化、高応答性化および高信頼性が図れ、さらに新しい用
途が期待できるものである。
る負の抵抗温度係数を有し、高温放置試験および耐湿負
荷試験においても、信頼性の点で優れたサーミスタを提
供するものであるが、でンサとして温度に対して高精度
化、高応答性化および高信頼性が図れ、さらに新しい用
途が期待できるものである。
Claims (1)
- 金属酸化物の焼結混合体からなり、その構成金属元素と
して、コバルト(Co),銅(Cu)およびリチウム(
Li)の3種を合計100原子%含み、かつリチウムの
含有量の少なくとも85原子%以上がNaCl型酸化コ
バルトの結晶粒内に固溶していることを特徴とするサー
ミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6660188A JP2578889B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6660188A JP2578889B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239802A true JPH01239802A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2578889B2 JP2578889B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=13320601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6660188A Expired - Lifetime JP2578889B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578889B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6660188A patent/JP2578889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2578889B2 (ja) | 1997-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0028510B1 (en) | Oxide thermistor compositions and thermistors containing them | |
| JPH01239802A (ja) | サーミスタ | |
| JPH01239803A (ja) | サーミスタ | |
| JP2578891B2 (ja) | サーミスタ | |
| JP2578892B2 (ja) | サーミスタ | |
| JP2578890B2 (ja) | サーミスタ | |
| JP2621314B2 (ja) | サーミスタ | |
| JPH1092609A (ja) | インジウムを含有した酸化物セラミックサーミスタ | |
| JPH01239807A (ja) | サーミスタ | |
| JPH01239804A (ja) | サーミスタ | |
| JPS59903A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPH01239805A (ja) | サーミスタ | |
| JPH0262004A (ja) | サーミスタ | |
| JPH01239808A (ja) | サーミスタ | |
| JP2578805B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JP2583935B2 (ja) | サーミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS5927081B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS63296302A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH0346962B2 (ja) | ||
| JPH03271154A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS59154001A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPS63296304A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH01192102A (ja) | サーミスタ組成物 | |
| JPS6013285B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH01192103A (ja) | サーミスタ組成物 |