JPH01239945A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

Info

Publication number
JPH01239945A
JPH01239945A JP63068804A JP6880488A JPH01239945A JP H01239945 A JPH01239945 A JP H01239945A JP 63068804 A JP63068804 A JP 63068804A JP 6880488 A JP6880488 A JP 6880488A JP H01239945 A JPH01239945 A JP H01239945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
pad
plated
integrated circuit
hybrid integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63068804A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Yamauchi
山内　眞英
Tetsuo Mori
哲郎 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63068804A priority Critical patent/JPH01239945A/ja
Publication of JPH01239945A publication Critical patent/JPH01239945A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in printed circuit boards [PCB], e.g. insert-mounted components [IMC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば通信機器関連に使用される超高周波
用の混成集積回路装置の構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の混成集積回路装置を示すｌ！ｒ面斜視図
であり、図において、１はアルミナ等からなる誘電体基
板、２は上記誘電体基板ｌ土に形成された回路パターン
、３は上記誘電体基板ｌ上に妥着された半導体素子、４
は上記半導体素子３上に形成されたポンディングパッド
、５は上記ポンディングパッド４と上記回路パターン２
とを電気的に接続する金属細線、６は上記誘電体基板１
と上記半導体素子３とを接合Ｔる接着剤である０次に動
作について説明Ｔる。外部から送られてくる高周波信号
は、誘？ｉＥ体基板１に形成された一万の回路パターン
２より、金属細線５及びポンディングパッド４を経由し
て半導体素子３に印加される。ここで半導体素子３には
外部より直流電力が印加されており（図示せず）、入力
された高周波信号が増幅される。
この増幅された高周波信号は他方（出力＋１ｉｌｌ　）
のポンディングパッド４、金属細線５及び回路パターン
２を経由して出力信号として取り出される。
（発明が解決しようとする課題〕 従来の混成集積回路装置は以上のように宥或ぎれている
ので、高周波信号は長くがっ寸法のバラツキの大きい忙
４細線５及びワイヤボンドするにめ面積が大に形成きれ
たポンディングパッド４ご経由しなければならす、人力
のインダクタンスか大さくなったり、ポンディングパッ
ドによる寄生６討の増大等が生じて、高周波特性か低Ｆ
Ｔる問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消丁６ためなされた
もので、入力インダクタンスの軽減、寄生容量の軽減ご
可能に下る高周波用の混成集積回路装置を得ることを目
的とする〇 〔課題を解決下６ｚめの手段〕 この発明に係る混成集積回路装置は、穴部を収けた基板
を有し１口の穴部に半導体素子を挿入し、かつ上記基板
面に形成された回路パターンと上記半導体素子面に形成
されたパッド部とがほぼ同一平面上に位置するように固
着Ｔるとともに、上ｇ己回路パターンと上記パッド部と
をメッキ細線により電気的に接緬したものである。
〔作用〕 この発明に３ける混成集積回路装置は、基板面に形成さ
れた回路パターンと半導体素子面Ｇこ形成されたパッド
部とがはは１司−面上となり、メッキ細線により導通妥
耽し二ので、細線のバラツキが少なく入力のインダクタ
ンスを低減できる。またパッドの白檀を極端に減少する
ことができ寄生容量な低減できる。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例による混１５！２＋集槓回
路装置Ｐ示す断面斜視図であって、ｌはアルミナ等から
なる誘電体基板、２は土泥誘電体基板１上に形成された
回路パターン、３は上記誘電体基板１に設けられた穴部
７に接着剤８により固定された半導体素子、９は上記千
導雀素子３土に設けられたメッキパッド、１０　ＧＺメ
ッキで形成され７こメッキ細線であり、このメッキ細線
１０は上記回路パターンｚと上記メッキパッド９とを電
気的に導通させるものである。
また誘電体基板ｌ上に形成されている回路パターン２と
、半導体素子３上に形成されているメッキパッド９とが
、はぼ同一面上に位置するように溝成されている。
なお上記メッキ細線１０は、細線形成用のレジスト層を
形成した後、メッキ法によりメッキ細線を形成し、レジ
スｌ−Ｊ＃を除去する方法で作成下る。
次に動作について説、明Ｔ＾０外部力）ら送られてくる
高周波信号は誘電体基板ｌに形成された一万の（ロ）路
パターン２からメッキ細線ｌＯ及びメッキパッド９を経
由して半導体素子３に印加される。半導体素子３には外
部よつ直流電力か印Ｕ［ｌされており（図示せず）、入
力さねに高周波信号が増幅される。
この増ｌＩ４された高周波信号は、他方（出力側）のメ
ッキバッド９、メッキａ線］０及び（ロ）路パターン２
を経由して出力信号として取り出される。ここで従来の
長くかつ寸法のバラツキの大きい金拠細線から敬μ幅の
メッキ細線ｌＯに改良したためインダクタンスの低減が
図れ、バラツキも少なくて＠る。またメッキバッド９は
従来のポンディングパッド４に比べその面積を小さくす
ることかでき寄生容量の低減が５ＪＮごとなる。このた
め超高周波（８０ＧＨｚ〜）において良好な特性が得ら
れろ。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、半導体素子上に形成さ
れたパッド部と基板上に形成された（口）路パターンと
をほぼ同一面上に位置するようにして、メッキ細線によ
りパッド部と（ロ）路パターンを妥続したので、インダ
クタンスの低減及びバラツキの低減が達成できるととも
に、パッド部の面積が極端に小さくでき、寄生容量の軽
減が可能となる。
このため特に超高周波（’：３０ＧＨｚ　−）での良好
な特性をもつ混成集積回路装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による混成集積回路装置を
示す断面斜視図、第２図は従来の混成集積回路装置を示
す断面斜視図である。 図中、１は誘電体基板、２は回路パターン、３は°半導
体素子、７は穴部、８は接着材、９はパッド部、１０は
メッキ細線である。 尚、図中同一符号は同一またに相当部分ご示す。 代理人　　　大　　岩　　増　　雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　穴部が設けられた基板と、上記穴部に挿入される半導
    体素子を有し、上記基板上に形成された回路パターンと
    上記半導体素子上に形成されたパッド部とがほぼ同一面
    上に位置するように上記半導体素子を上記基板の穴部に
    固着するとともに、上記回路パターンと上記パッド部と
    をメッキ細線により電気的に接続したことを特徴とする
    混成集積回路装置。
JP63068804A 1988-03-22 1988-03-22 混成集積回路装置 Pending JPH01239945A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63068804A JPH01239945A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 混成集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63068804A JPH01239945A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 混成集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01239945A true JPH01239945A (ja) 1989-09-25

Family

ID=13384271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63068804A Pending JPH01239945A (ja) 1988-03-22 1988-03-22 混成集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01239945A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT14667U1 (de) * 2014-03-26 2016-03-15 Tridonic Gmbh & Co Kg Leiterplatte mit Spuleneinheit und ein Montageverfahren dafür

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT14667U1 (de) * 2014-03-26 2016-03-15 Tridonic Gmbh & Co Kg Leiterplatte mit Spuleneinheit und ein Montageverfahren dafür

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3683241A (en) Radio frequency transistor package
JPH0321089B2 (ja)
US5225709A (en) Package having a structure for stabilizing and/or impedance-matching a semiconductor IC device accommodated therein
US7067743B2 (en) Transmission line and device including the same
JPH01239945A (ja) 混成集積回路装置
JPS6271301A (ja) マイクロ波集積回路装置
JP2758321B2 (ja) 回路基板
JPH01125959A (ja) 高周波用パッケージ
JPS62269349A (ja) 半導体装置
JPH01143502A (ja) マイクロ波集積回路
JPH05211279A (ja) 混成集積回路
JP3889210B2 (ja) バトラーマトリクス
JPH0741161Y2 (ja) 混成集積回路
JPS6035247Y2 (ja) 半導体装置
JPH01212456A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPH0432252A (ja) 電子部品搭載用基板
JP2533277Y2 (ja) チップキャパシタの接地構造
JP2791301B2 (ja) マイクロ波集積回路及びマイクロ波回路装置
JP2971624B2 (ja) 半導体集積回路装置およびこれを用いた半導体装置
JPH0243761A (ja) マイクロ波モノリシツク集積回路装置
JPS62108577A (ja) 混成集積回路
JP2830816B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04162751A (ja) 高周波半導体装置
JPH05218102A (ja) 内部整合回路を有する電界効果トランジスタ
JPS624332A (ja) 半導体集積回路装置