JPS62108577A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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JPS62108577A
JPS62108577A JP60249456A JP24945685A JPS62108577A JP S62108577 A JPS62108577 A JP S62108577A JP 60249456 A JP60249456 A JP 60249456A JP 24945685 A JP24945685 A JP 24945685A JP S62108577 A JPS62108577 A JP S62108577A
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JP
Japan
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high frequency
fet
frequency
grounding
capacitor
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JP60249456A
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Kenji Watanabe
謙二 渡辺
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NEC Corp
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NEC Corp
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高周波用ＦＥＴの高周波接地および自己バイ
アス方法に関し、特に混成集積回路基板上での接地方法
に関し、更に詳しくは、回路基板にあけられたスルーホ
ール上に固着されたコンデンサと、高周波用ＦＥＴの接
地電極を接続することにより高周波用ＦＥＴを高周波接
地し、更に、自己バイアスする方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、高周波用ＦＥＴ　（例えばＧａＡｓＦＥＴなど）
を含む混成集積回路において、高周波用ＦＥＴを接地す
る場合は、第２図（ａ）の平面図、および第２図（ｂ）
の断面図に示すように接地導体１上に分割され固着され
た導体膜回路２を有する絶縁基板３の間に高周波用ＦＥ
Ｔ４と両側にコンデンサ５が接地導体１に固着されてお
り、このコンデンサ５の上面電極６と高周波用ＦＥＴ４
の接地電極７をワイヤー（金、アルミニウム線など）８
で接続することにより高周波接地を行い、更に分割され
た絶縁基板３上の導体膜回路２とコンデンサ６を使用し
て自己バイアス回路を形成し、高周波用ＦＥＴにバイア
スを印加していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の接地方法では、高周波用ＦＥＴを自己バ
イアスで使用する場合基板を分割して使用しているため
、部品点数が増加し、組立歩留の低下及び、高価格とな
る欠点がある。
本発明の目的は、絶縁基板を分割することなく高周波用
ＦＥＴの高周波接地および自己バイアスが可能となり、
その結果部品材料の低減、組立歩留りの向上、および低
廉化の達成できる混成集積回路、特に高周波用ＦＥＴの
高周波接地および自己バイアス方法を提供することにあ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の高周波用ＦＥＴの高周波接地および自己バイア
ス方法は、表面に導体膜回路が形成され、かつスルーホ
ールのあけられた回路基板を接地導体上に固着し、前記
回路基板上に接地電極を有する高周波用ＦＥＴを固着す
ると共に前記回路基板にあけられたスルーホール上にコ
ンデンサを固着し、該コンデンサの上部電極と前記高周
波用ＦＥＴの接地電極とを接続することにより高周波接
地を行い、更に自己バイアスできるように構成されてい
る。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図（ａ＞、（ｂ）は、本発明の一実施例を説明する
ための平面図およびｘ−ｘ’線の断面図である。第１図
（ａ＞、（ｂ＞において接地導体１の上に導体膜回路２
を有する絶縁基板３が固着されており同基板内にあけら
れたスルーホール９の内面には、導体膜１０が形成され
ており、接地導体１と、回路基板の上面とを接続してい
る。更に、このスルーホール９上にコンデンサ５が固着
されており、このコンデンサ５の上面電極６と同一絶縁
基板３上に固着された高周波用ＦＥＴ４の接地電極７を
ワイヤー８で接続することにより、接地導体１との間で
高周波接地をとり、更に、このコンデンサ５を通して自
己バイアス回路を形成し高周波用ＦＥＴ４にバイアスを
行っている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、スルーホール上にコン
デンサを固着して使用することにより、絶縁基板を分割
して使用する必要がなく、高周波用ＦＥＴの高周波接地
および自己バイアスが可能となり、その結果部品材料の
低減、組立歩留の向上、および低廉化を達成することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施例を説明する
ための平面図およびｘ−ｘ’線断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）は従来の混成集積回路の一例の場合を説明するた
めの平面図およびＹ−Ｙ”線断面図である。 １・・・接地導体、２・・・導体膜回路、３・・・絶縁
基板、４・・・高周波用ＦＥＴ、５・・・コンデンサ、
６・・・コンデンサ上面電極、７・・・接地電極、８・
・・ワイヤ、９・・・スルーホール、１０・・・導体膜
。 第１　図 （（２）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　（ｂ）第　２　圀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表面に導体膜回路が形成され、かつスルーホールのあけ
    られた回路基板を接地導体上に固着し、前記回路基板上
    に接地電極を有する高周波用ＦＥＴを固着すると共に前
    記回路基板にあけられたスルーホール上にコンデンサを
    固着し、該コンデンサの上部電極と前記高周波用ＦＥＴ
    の接地電極とを接続することを特徴とする高周波用ＦＥ
    Ｔの高周波接地および自己バイアス方法。
JP60249456A 1985-11-06 1985-11-06 混成集積回路 Expired - Lifetime JPH0799753B2 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
JPH0799753B2 (ja) 1995-10-25

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