JPH01243430A - モリブデンシリサイドのエッチング方法 - Google Patents
モリブデンシリサイドのエッチング方法Info
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- JPH01243430A JPH01243430A JP6932488A JP6932488A JPH01243430A JP H01243430 A JPH01243430 A JP H01243430A JP 6932488 A JP6932488 A JP 6932488A JP 6932488 A JP6932488 A JP 6932488A JP H01243430 A JPH01243430 A JP H01243430A
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電子デバイスの製造などに用いられるモリブデ
ンシリサイドのエツチング方法に関する。
ンシリサイドのエツチング方法に関する。
［従来の技術］
従来、シリコンＭＯＳトランジスタのゲート電極材料と
しては、ポリシリコンが最も一般的に使われていたが、
デバイスパターンの微細化に伴い、ゲート電極材料の抵
抗を小さくする必要性が生じており、近年は低抵抗電極
材料としてモリブデンシリサイドが使われつつある。モ
リブデンシリサイドの異方性エツチングは、ノボラック
樹脂とジアゾナフトキノンからなる有機フォトレジスト
をエツチングマスクとして平行平板内部電極型ＲＦ放電
の反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）装置を用イテ行ｔ
）ｔＬ、ＣＦ３Ｃｌ！、ＣＦ２ Ｃｊ！２ 、ＣＦＣＪ
！ａ ＋Ｑ２など、Ｃ，Ｆを含むガスにＣを除去するた
めのＵがざらに含まれるようなガスを使用して、有機フ
オトレジストとＣ，Ｆを含むガスによる側壁保護効果に
より、異方性エツチングが達成されている。
しては、ポリシリコンが最も一般的に使われていたが、
デバイスパターンの微細化に伴い、ゲート電極材料の抵
抗を小さくする必要性が生じており、近年は低抵抗電極
材料としてモリブデンシリサイドが使われつつある。モ
リブデンシリサイドの異方性エツチングは、ノボラック
樹脂とジアゾナフトキノンからなる有機フォトレジスト
をエツチングマスクとして平行平板内部電極型ＲＦ放電
の反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）装置を用イテ行ｔ
）ｔＬ、ＣＦ３Ｃｌ！、ＣＦ２ Ｃｊ！２ 、ＣＦＣＪ
！ａ ＋Ｑ２など、Ｃ，Ｆを含むガスにＣを除去するた
めのＵがざらに含まれるようなガスを使用して、有機フ
オトレジストとＣ，Ｆを含むガスによる側壁保護効果に
より、異方性エツチングが達成されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、Ｃ，Ｆを含むようなハロゲン化炭素をエ
ツチングガスとして用いる場合にはモリブデンシリサイ
ドと５ｉ０２とのエツチング速度の選択比を大きくする
ことが難しい。５ｉ０２との選択比を大きくするために
はＣ，Ｆを含まない、例えばα２を単独で用いることが
考えられるが、ＣＪｌｚ単独では、モリブデンシリサイ
ドと有機フォトレジストのエツチング速度の選択比を大
きくすることができなくなり、微細パターンにおいては
パターン寸法の変動が生じる。
ツチングガスとして用いる場合にはモリブデンシリサイ
ドと５ｉ０２とのエツチング速度の選択比を大きくする
ことが難しい。５ｉ０２との選択比を大きくするために
はＣ，Ｆを含まない、例えばα２を単独で用いることが
考えられるが、ＣＪｌｚ単独では、モリブデンシリサイ
ドと有機フォトレジストのエツチング速度の選択比を大
きくすることができなくなり、微細パターンにおいては
パターン寸法の変動が生じる。
従って従来の方法では、モリブデンシリサイドと５ｉ０
２および有機フォトレジストとのエツチング速度の選択
比をいずれも大きくとることはできず、このためゲート
電極あるいはこれに限らずモリブデンシリサイドの微細
なパターンの形成が困難であった。
２および有機フォトレジストとのエツチング速度の選択
比をいずれも大きくとることはできず、このためゲート
電極あるいはこれに限らずモリブデンシリサイドの微細
なパターンの形成が困難であった。
本発明は以上述べたような従来の問題点を改善し、モリ
ブデンシリサイドの微細パターンの形成に適するエツチ
ング方法を提供することにある。
ブデンシリサイドの微細パターンの形成に適するエツチ
ング方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、モリブデンシリサイドを反応性エツチングま
たは電子サイクロトロン共鳴プラズマエツチングにより
エツチングしてなるモリブデンシリサイドのエツチング
方法において、モリブデンシリサイドのエツチング時の
マスクとしてＳｉ含有レジストを用い、モリブデンシリ
サイドのエツチングガスとしてＣｌ２ガス、あるいはＣ
１２ガスと０２ガスとの混合ガスを用いることを特徴と
するモリブデンシリサイドのエツチング方法である。
たは電子サイクロトロン共鳴プラズマエツチングにより
エツチングしてなるモリブデンシリサイドのエツチング
方法において、モリブデンシリサイドのエツチング時の
マスクとしてＳｉ含有レジストを用い、モリブデンシリ
サイドのエツチングガスとしてＣｌ２ガス、あるいはＣ
１２ガスと０２ガスとの混合ガスを用いることを特徴と
するモリブデンシリサイドのエツチング方法である。
［作用］
Ｓｉ含有レジストは０２ＲＩＥに対する耐性が大きいが
、Ｓｉ含有率が高く、特に高分子の骨格構造の組成が５
ｉ０２に近いものは塩素系のガスを用いたＲＩＨに対し
ても耐性を持つ。したがって有機フォトレジストの代り
にＳｉ含有レジストをエツチングマスクとして用い、Ｃ
ｌ２のような塩素系のガスをモリブデンシリサイドのエ
ツチングガスに用いることにより、モリブデンシリサイ
ドと５ｉ０２のエツチング速度の選択比を大きくするこ
とができるとともに、モリブデンシリサイドとエツチン
グマスクとの選択比も同時に大きくすることができ、モ
リブデンシリサイドの微細パターン形成が従来法に比べ
容易に実現できる。また、α２に０２を添加することに
より、Ｓ１含有レジスト中の炭素、水素等は、０２と反
応し、レジスト中から除去されるため、Ｓｉ含有レジス
トあるいは５ｉ０２とモリブデンシリサイドとのエツチ
ング速度比をさらに大きくとることができる。
、Ｓｉ含有率が高く、特に高分子の骨格構造の組成が５
ｉ０２に近いものは塩素系のガスを用いたＲＩＨに対し
ても耐性を持つ。したがって有機フォトレジストの代り
にＳｉ含有レジストをエツチングマスクとして用い、Ｃ
ｌ２のような塩素系のガスをモリブデンシリサイドのエ
ツチングガスに用いることにより、モリブデンシリサイ
ドと５ｉ０２のエツチング速度の選択比を大きくするこ
とができるとともに、モリブデンシリサイドとエツチン
グマスクとの選択比も同時に大きくすることができ、モ
リブデンシリサイドの微細パターン形成が従来法に比べ
容易に実現できる。また、α２に０２を添加することに
より、Ｓ１含有レジスト中の炭素、水素等は、０２と反
応し、レジスト中から除去されるため、Ｓｉ含有レジス
トあるいは５ｉ０２とモリブデンシリサイドとのエツチ
ング速度比をさらに大きくとることができる。
［実施例］
次に本発明の実施例について詳細に説明する。
本実施例ではＳｉ含有レジストとして次の構造式で示さ
れる分子量的７０００．式中のｍおよびｎが１５〜２０
のものを用いた。このＳｉ含有レジスト中のＳｉ含有量
は約２８重量パーセントであり、高分子骨格はシルセス
キオキサンであって５ｉ０２組成に近い。
れる分子量的７０００．式中のｍおよびｎが１５〜２０
のものを用いた。このＳｉ含有レジスト中のＳｉ含有量
は約２８重量パーセントであり、高分子骨格はシルセス
キオキサンであって５ｉ０２組成に近い。
まずＳｉ基板上に熱酸化により約１００人の５ｉ０２を
形成した後、スパッタ法により、５０００人のモリブデ
ンシリサイドを堆積させた。このようにして作成したモ
リブデンシリサイド基板上に前記Ｓｔ含有高分子の２０
％酢酸イソアミル溶液を４００Ｏｒｐｍでスピン塗布し
た後、８０℃、１０分間のベークを行った。このときの
レジスト膜厚は４５００人であった。
形成した後、スパッタ法により、５０００人のモリブデ
ンシリサイドを堆積させた。このようにして作成したモ
リブデンシリサイド基板上に前記Ｓｔ含有高分子の２０
％酢酸イソアミル溶液を４００Ｏｒｐｍでスピン塗布し
た後、８０℃、１０分間のベークを行った。このときの
レジスト膜厚は４５００人であった。
可変矩形電子ビーム露光機により電子ビーム露光を行っ
た後、酢酸イソプロピルで現像した。このときの露光量
は７０μＣ／Ｃｍ２ 、現像時間は１分間である。
た後、酢酸イソプロピルで現像した。このときの露光量
は７０μＣ／Ｃｍ２ 、現像時間は１分間である。
以上の工程によりパターン形成されたＳｉ含有レジスト
をエツチングマスクとして、次に平行平板内部電極型Ｒ
Ｆ放電の反応性イオンエツチング装置でモリブデンシリ
サイドの異方性エツチングを行った。このときのエツチ
ング条件は、ガス流量Ｃ１２３０ｓｅｃｍ、ガス圧力１
０Ｐａ、電力密度０．２Ｗ／ｃｍ２であった。また、こ
の条件でエツチングした時のエツチング速度はモリブデ
ンシリサイドに対して１１００人／ｍｉｎ、 Ｓｉ含有
レジストに対して９０人／ｍｉｎ。
をエツチングマスクとして、次に平行平板内部電極型Ｒ
Ｆ放電の反応性イオンエツチング装置でモリブデンシリ
サイドの異方性エツチングを行った。このときのエツチ
ング条件は、ガス流量Ｃ１２３０ｓｅｃｍ、ガス圧力１
０Ｐａ、電力密度０．２Ｗ／ｃｍ２であった。また、こ
の条件でエツチングした時のエツチング速度はモリブデ
ンシリサイドに対して１１００人／ｍｉｎ、 Ｓｉ含有
レジストに対して９０人／ｍｉｎ。
５ｉ０２に対して７０人／ｍｉｎ程度であった。モリブ
デンシリサイド５０００人に対し、４分３０秒のエツチ
ングで下地５ｉ０２が現れ、その後３０秒のオーバーエ
ツチングにより、モリブデンシリサイドの異方形状が得
られた。
デンシリサイド５０００人に対し、４分３０秒のエツチ
ングで下地５ｉ０２が現れ、その後３０秒のオーバーエ
ツチングにより、モリブデンシリサイドの異方形状が得
られた。
次に、前記電子ビーム露光工程によりパターン形成した
Ｓｉ含有レジストを電子サイクロトロン共鳴マイクロ波
プラズマエツチングに適用した例について述べる。エツ
チングガスは（ｊ！２２０３ＣＣｍであり、このときの
ガス圧力は５ ｘ １０’Ｐａ、マイクロ波入力は８０
０Ｗとし、基板ステージ側にはバイアスＲＦパワー２０
−を印加した。エツチング速度はモリブデンシリサイド
に対して２８００人／ｍｉｎ、 ｓ＋含有レジストに対
して１１０人／ｍｉｎ、 ５ｉｏ２に対して９０人／
ｍｉｎ程度であった。電子サイクロトロン共鳴プラズマ
エツチングは本来加工精度がよく、低ダメージ、低汚染
のエツチング法であり、本実施例の方法により、モリブ
デンシリサイド５０００人に対し、２分のエツチングで
下地５ｉ０２が現れ、その後、１５秒間のオーバーエツ
チングによりモリブデンシリサイドの異方形状が得られ
た。
Ｓｉ含有レジストを電子サイクロトロン共鳴マイクロ波
プラズマエツチングに適用した例について述べる。エツ
チングガスは（ｊ！２２０３ＣＣｍであり、このときの
ガス圧力は５ ｘ １０’Ｐａ、マイクロ波入力は８０
０Ｗとし、基板ステージ側にはバイアスＲＦパワー２０
−を印加した。エツチング速度はモリブデンシリサイド
に対して２８００人／ｍｉｎ、 ｓ＋含有レジストに対
して１１０人／ｍｉｎ、 ５ｉｏ２に対して９０人／
ｍｉｎ程度であった。電子サイクロトロン共鳴プラズマ
エツチングは本来加工精度がよく、低ダメージ、低汚染
のエツチング法であり、本実施例の方法により、モリブ
デンシリサイド５０００人に対し、２分のエツチングで
下地５ｉ０２が現れ、その後、１５秒間のオーバーエツ
チングによりモリブデンシリサイドの異方形状が得られ
た。
次に反応性イオンエツチングのエツチングガスとしてα
２＋０２の混合ガスを用いた場合の実施例について説明
する。ガス流量としてＣｊ！２２５ＳＣＣｍ１０２５ｓ
ｅｃｍとし、ガス圧力を１０Ｐａ、電力密度を０、２Ｗ
／ｃｍ２としたときのエツチング速度は、モリブデンシ
リサイドに対して１０２０人１０１ｉｎ、 Ｓｉ含有レ
ジストに対して７５人／ｍｉｎ、 ５ｉｏ２に対して
６０人／ｍｉｎであり、０２を添加することにより、選
択比を大きくすることができた。
２＋０２の混合ガスを用いた場合の実施例について説明
する。ガス流量としてＣｊ！２２５ＳＣＣｍ１０２５ｓ
ｅｃｍとし、ガス圧力を１０Ｐａ、電力密度を０、２Ｗ
／ｃｍ２としたときのエツチング速度は、モリブデンシ
リサイドに対して１０２０人１０１ｉｎ、 Ｓｉ含有レ
ジストに対して７５人／ｍｉｎ、 ５ｉｏ２に対して
６０人／ｍｉｎであり、０２を添加することにより、選
択比を大きくすることができた。
以上の方法により、パターン幅０．３５μｓのモリブデ
ンシリクイドゲート電極を形成することができた。
ンシリクイドゲート電極を形成することができた。
また、Ｃｌ２ガスはポリシリコンのエツチングガスとし
ても用いることができるため、ポリシリコンとモリブデ
ンシリサイドの２層からなるポリサイドの工）チングも
５ｉ０２との選択比を大きく取った状態で同時に行うこ
とができた。
ても用いることができるため、ポリシリコンとモリブデ
ンシリサイドの２層からなるポリサイドの工）チングも
５ｉ０２との選択比を大きく取った状態で同時に行うこ
とができた。
［発明の効果］
以上のように、本発明によればモリブデンシリサイドと
５ｉ０２およびエツチングマスクとのエツチング速度の
選択比を大きく取ることができるため、ゲート電極等の
モリブデンシリサイドの微細パターンを容易に形成する
ことができると共に、エツチングガスとしてＣ１２ガス
と０２ガスとの混合ガスを用いることにより、上記選択
比をざらに高めることが可能である。
５ｉ０２およびエツチングマスクとのエツチング速度の
選択比を大きく取ることができるため、ゲート電極等の
モリブデンシリサイドの微細パターンを容易に形成する
ことができると共に、エツチングガスとしてＣ１２ガス
と０２ガスとの混合ガスを用いることにより、上記選択
比をざらに高めることが可能である。
また、ポリシリコンとモリブデンシリサイドの２Ｍから
なるポリサイドのエツチングをＳ！０２との選択比を大
きく取った状態で同時に行うことができ、ゲート電極形
成プロセスが簡略化されるという効果も有する。
なるポリサイドのエツチングをＳ！０２との選択比を大
きく取った状態で同時に行うことができ、ゲート電極形
成プロセスが簡略化されるという効果も有する。
Claims (2)
- （１）モリブデンシリサイドを反応性エッチングまたは
電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチングによりエッ
チングしてなるモリブデンシリサイドのエッチング方法
において、モリブデンシリサイドのエッチング時のマス
クとしてＳｉ含有レジストを用い、モリブデンシリサイ
ドのエッチングガスとしてＣｌ＿２ガスを用いることを
特徴とするモリブデンシリサイドのエッチング方法。 - （２）モリブデンシリサイドを反応性エッチングまたは
電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチングによりエッ
チングしてなるモリブデンシリサイドのエッチング方法
において、モリブデンシリサイドのエッチング時のマス
クとしてＳｉ含有レジストを用い、モリブデンシリサイ
ドのエッチングガスとしてＣｌ＿２ガスとＯ＿２ガスと
の混合ガスを用いることを特徴とするモリブデンシリサ
イドのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6932488A JPH01243430A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6932488A JPH01243430A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243430A true JPH01243430A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13399258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6932488A Pending JPH01243430A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414822A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Nec Corp | マイクロ波プラズマエッチング方法 |
| JP2012018344A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ドライエッチング方法 |
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| JPS59162276A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPS61179538A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Toshiba Corp | プラズマエツチング方法 |
| JPS61214524A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPS61284924A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-15 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング抵抗性被膜の形成方法 |
| JPS6270838A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 電子線レジスト |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP6932488A patent/JPH01243430A/ja active Pending
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| JPH0414822A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Nec Corp | マイクロ波プラズマエッチング方法 |
| JP2012018344A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ドライエッチング方法 |
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