JPH01245258A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH01245258A JPH01245258A JP63074985A JP7498588A JPH01245258A JP H01245258 A JPH01245258 A JP H01245258A JP 63074985 A JP63074985 A JP 63074985A JP 7498588 A JP7498588 A JP 7498588A JP H01245258 A JPH01245258 A JP H01245258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding film
- light
- light shielding
- photomask
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程において用いられるフォ
トマスクに関し、特にリードオンリメモリ（以下ＲＯＭ
と略す）装置のＲＯＭ情報を規定する製造工程に用いる
フォトマスクに関する。
トマスクに関し、特にリードオンリメモリ（以下ＲＯＭ
と略す）装置のＲＯＭ情報を規定する製造工程に用いる
フォトマスクに関する。
従来、この種のフォトマスクは、第５図のように透光性
基板１１０表面にＲＯＭ情報を規定するエリア（以下Ｒ
ＯＭコード部と略記する）１６と、それ以外の部分（以
下周辺部と略記する）１７とが同一遮光膜で形成され、
その後、所定の形状にパターニングする工程によって製
作されていた。
基板１１０表面にＲＯＭ情報を規定するエリア（以下Ｒ
ＯＭコード部と略記する）１６と、それ以外の部分（以
下周辺部と略記する）１７とが同一遮光膜で形成され、
その後、所定の形状にパターニングする工程によって製
作されていた。
そのためＲＯＭコード部１６および周辺部１７が透光性
基板１１上に１層の遮光膜を形成した構造となっていた
。
基板１１上に１層の遮光膜を形成した構造となっていた
。
上述した従来のフォトマスクは、透光性基板上に形成さ
九た遮光膜全面を同時にパターニングするために、遮光
膜が１層となっているので、たとえば周辺部パターンが
同じでＲＯＭコード部のパターンが異なるフォトマスク
を作製する場合にＲＯＭコード部だけでなく周辺部を含
めた全体の設計データをフォトマスク形成用データに変
換し、遮光膜をパターニゲするために遮光膜上に形成し
たフォトレジストに電子ビーム等により露光しなければ
ならず、フォトマスクを製作するのに時間がかかるとい
う欠点がある。
九た遮光膜全面を同時にパターニングするために、遮光
膜が１層となっているので、たとえば周辺部パターンが
同じでＲＯＭコード部のパターンが異なるフォトマスク
を作製する場合にＲＯＭコード部だけでなく周辺部を含
めた全体の設計データをフォトマスク形成用データに変
換し、遮光膜をパターニゲするために遮光膜上に形成し
たフォトレジストに電子ビーム等により露光しなければ
ならず、フォトマスクを製作するのに時間がかかるとい
う欠点がある。
本発明の目的は上記のような欠点をなくし、フォトマス
ク製作の時間を短縮できる構造のフォトマスクを提供す
ることにある。
ク製作の時間を短縮できる構造のフォトマスクを提供す
ることにある。
本発明のフォトマスクは、透光製基板上に周辺部のマス
クパターンを形成する第１の遮光膜と、透光性基板の全
面に形成された透光膜と、ＲＯＭコード部のマスクパタ
ーンを形成する第２の遮光膜とを有している。
クパターンを形成する第１の遮光膜と、透光性基板の全
面に形成された透光膜と、ＲＯＭコード部のマスクパタ
ーンを形成する第２の遮光膜とを有している。
次に本発明のフォトマスクについて第１図〜第４図に製
作過程を示して説明する。
作過程を示して説明する。
本発明のフォトマスクは、第１図に示すようにたとえば
石英の透光性基板１１上に周辺部のマスクパターンを第
１の遮光膜１２、たとえばクロム等の遮光膜を形成した
後、透光性基板１１の全面にたとえば二酸化シリコン等
の透光性膜１３を２０００人、続いて、第２の遮光膜１
４を１０００人第２図のように形成する。第２の遮光膜
１４を第３図に示すようにたとえば厚さ０．５μｍのフ
ォトレジスト１５によって、所定のパターンにエツチン
グする。この時、第１の遮光膜１２は、透光膜１３に保
護され、エツチングされない。最後に第２の遮光膜１４
上のフォトレジスト１５を除去して第４図のように本発
明のフォトマスクが完成される。
石英の透光性基板１１上に周辺部のマスクパターンを第
１の遮光膜１２、たとえばクロム等の遮光膜を形成した
後、透光性基板１１の全面にたとえば二酸化シリコン等
の透光性膜１３を２０００人、続いて、第２の遮光膜１
４を１０００人第２図のように形成する。第２の遮光膜
１４を第３図に示すようにたとえば厚さ０．５μｍのフ
ォトレジスト１５によって、所定のパターンにエツチン
グする。この時、第１の遮光膜１２は、透光膜１３に保
護され、エツチングされない。最後に第２の遮光膜１４
上のフォトレジスト１５を除去して第４図のように本発
明のフォトマスクが完成される。
このように本発明のフォトマスクは、マスクパターンが
共通である周辺部の遮光膜を第１層に形成し、ＲＯＭ情
報によって異なるＲＯＭコード部の遮光膜を第２層に形
成するものである。
共通である周辺部の遮光膜を第１層に形成し、ＲＯＭ情
報によって異なるＲＯＭコード部の遮光膜を第２層に形
成するものである。
以上説明したように本発明は、フォトマスクの透光性基
板上の遮光膜を２層にし、第１の遮光膜をどのＲＯＭコ
ードに対しても共通な周辺部のマスクパターンとして予
め形成しておき、フォトマスク毎に異なるＲＯＭコード
部を第２の遮光膜で形成して、周辺部設計データをマス
クパターン露光用データに変換する時間と周辺部の遮光
膜上のフォトレジストを露光する時間が節約でき、マス
ク製作の時間を短縮できる効果がある。
板上の遮光膜を２層にし、第１の遮光膜をどのＲＯＭコ
ードに対しても共通な周辺部のマスクパターンとして予
め形成しておき、フォトマスク毎に異なるＲＯＭコード
部を第２の遮光膜で形成して、周辺部設計データをマス
クパターン露光用データに変換する時間と周辺部の遮光
膜上のフォトレジストを露光する時間が節約でき、マス
ク製作の時間を短縮できる効果がある。
第１図〜第４図は、本発明のフォトマスクの製造過程を
示す縦断面図、第５図は従来のフォトマスクの縦断面図
である。 １１・・・・・・透光性基板、１２・・・・・・第１の
遮光膜、１３・・・・・・透光性膜、１４・・・・・・
第２の遮光膜、１５・・・・・・フォトレジスト、１６
・・・・・・ＲＯＭコード部遮光膜、１７・・・・・・
周辺部遮光膜。 代理人 弁理士 内 原 音 半 ｔＷ！Ｊ 第 ５ 回
示す縦断面図、第５図は従来のフォトマスクの縦断面図
である。 １１・・・・・・透光性基板、１２・・・・・・第１の
遮光膜、１３・・・・・・透光性膜、１４・・・・・・
第２の遮光膜、１５・・・・・・フォトレジスト、１６
・・・・・・ＲＯＭコード部遮光膜、１７・・・・・・
周辺部遮光膜。 代理人 弁理士 内 原 音 半 ｔＷ！Ｊ 第 ５ 回
Claims (1)
- 透光性基板の表面に形成され、パターニングされた第１
の遮光膜と、該第１の遮光膜上に前記透光性基板の全表
面を覆って形成された透光性膜と、該透光性膜上に形成
され、パターニングされた第２の遮光膜とを有すること
を特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074985A JPH01245258A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074985A JPH01245258A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245258A true JPH01245258A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13563083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074985A Pending JPH01245258A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245258A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102179316A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-09-14 | 安泰科技股份有限公司 | 离心机和使用该离心机分离液体与微细粉末的方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074985A patent/JPH01245258A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102179316A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-09-14 | 安泰科技股份有限公司 | 离心机和使用该离心机分离液体与微细粉末的方法 |
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