JPH01246558A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は２種類の電荷発生物質を用いた電子写真感光体
に関するものである。

［発明の背景］ 最近の電子写真複写機の高速化、小型化に伴い、ますま
すこれに用いられる電子写真感光体の高感度化が要求さ
れてきており、このような観点からいわゆる機能分離型
の電子写真感光体が主流になりつつある。

上記の機能分離型電子写真感光体の電荷発生物質として
従来用いられていたアゾ系顔料、特にビスアゾ系顔料（
例えば特開昭４７−３７５４号、同５３−１３３４４５
号、同５８−７０２３２号、同５８−１４０７４５号な
ど）は５７０ｒｖ以上の長波側感度が良く全体としても
比較的高感度である。しかしながら、このようなアゾ系
顔料を電荷発生物質として用いた場合、その電荷輸送能
が低く、長波側感度を生かすためには電荷発生層の膜厚
を０．１〜０．３μｌ程度の薄膜で形成する必要がある
。膜厚を厚くすると、帯電能や感度が不足し、繰り返し
特性も劣化する。このような薄膜を一般的な製造方法で
ある浸漬塗布法によって塗布すると、段ムラ、液ダレ、
凝集などの塗布欠陥を生じやすく、塗布収率低下、生産
性低下、コストアップにつながっていた。

また、電荷発生物質としてフタロシアニン系顔料も知ら
れているが（特公昭４９−４３３８号、特開昭５８−１
８２６３９号、同６０−１９１５４号など）、上記のア
ゾ系顔料と同様の問題点を有している。

一方、複写画像再現性の良好な顔料として多環キノン系
顔料が知られている（特開昭５７−６７９３３号参照）
。多環キノン系顔料は一般にビスアゾ系顔料よりも電荷
輸送能が高く、通常０．５〜３μｍ程度の比較的厚い電
荷発生層にして使用すると、電子写真特性の良好な感光
体となる。従って比較的厚い膜に形成できるので、製造
時の塗布欠陥が発生しにくい。しかしながら、この多環
キノン系顔料を用いた場合、５７０ｎ１以上の領域で感
度低下が大きく、５８０〜ｆ３２Ｏｒｖ付近の領域には
殆んど感度を有していないため、高感度を要求される高
速複写機や小型複写機に用いるには感度が不充分である
。

［発明の目的］ 本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、
第１に高速複写機や小型複写機に用いても充分な感度を
有し、製造時の塗布欠陥が発生しにくく生産性に優れた
電子写真感光体を提供すること、第２に繰り返し特性に
優れた高感度の電子写真感光体を提供することを目的と
する。

［発明の構成］ 本発明の上記目的は、導電性支持体上に少なくとも電荷
発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体において
、前記電荷発生層にはビスアゾ系化合物及びフタロシア
ニン系化合物から選ばれる少なくとも１種と多環キノン
系化合物の少なくとも１種を含有し、かつ前記電荷発生
層の膜厚は０．５μＩｌｌ〜５μＩであることを特徴と
する電子写真感光体によって達成される。

本発明に用いられるビスアゾ系化合物は、例えば、−紋
穴８−＋Ｎ−Ｎ−Ａ）２によって示される。

ここでＡはカプラーを表わし、Ｂはアゾ基の結合した炭
素原子間が共役二重結合系を形成する２価の有ｉ基を表
わす。具体的には例えば下記−紋穴［Ｉ］〜［ＶＩ］で
示される化合物が代表的なものとして挙げられる。

一般式［Ｉ］ Ｋ＋　　Ｒ２Ｒ３Ｋ４ 式中、Ａ「１、Ａｒ２及びＡｒ　ｓ　ｌ；ｔソレソｔＬ
ｌＦ換若しくは未置換の芳香族炭素環残基又は置換若し
くは未置換の芳香族複素環残基を表わす。Ｒ１、Ｒ２、
Ｒ３及びＲ４はそれぞれ水素原子又は電子吸引性基を表
わず。但し、Ｒ１−Ｒ４のうち少なくとも１つは電子吸
引性基である。

Ａ１は −Ｎ　ＨＳ　Ｏ２−Ｒａ　　（ココｔ’　Ｒｓ及びＲ７
はそれぞれ水素原子又は置換若しくは未置換のアルキル
基を表わし、Ｒ８は置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換のアリール基を表わす。）を表わ
す。Ｙｌはハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換若しく
は未置換のカルバモイル基、置換若しくは未置換のスル
ファモイル基、カルボキシル基又はスルホ基を表わす。

ｚｌは置換若しくは未置換の炭素環式芳香族環又は置換
若しくは未置換の複素環式芳香族環を構成するに必要な
原子群を表わず。Ｒ５は水素原子、置換若しくは未置換
のアルギル基、置換若しくは未置換のアミムＬＩ？換若
しくは未置換のカルバモイル基、カルボキシル基又はそ
のエステル基を表わす。

Ａ′は置換若しくは未置換のアリール基を表わず。

ｎは１，２又は３の整数を表わし、１は０．１又は２の
整数を表わす。

一般式［Ｉ］において、Ａｒ１、Ａｒ２又はＡｒｓで表
わされる残基としては、例えばその環上に置換基を有す
る場合、置換基としては例えばハロゲン原子、アルキル
基等が挙げられる。

Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３又はＲ４で表わされる電子吸引性基と
しては、例えばハロゲン原子（」１素原子、臭素原子等
）、シアノ基、二１−ロ基等である。

−紋穴ｔＩ］で示される化合物の代表的具体例を以下に
示すが、これらに限定されるものではない。

以下金層”・−′”３・ Ｎｏ、　　　　　　　　Ａ。

Ｎｏ、　　　　　　　　　　Ａ。

Ｎｏ、　　　　　　　　　　　Ａ。

Ｎｏ、　　　ＲＩ　　Ｒｚ　　Ｒ３Ｒ４、ＡｔＮｏ、１
−１７ Ｎｏ、ｌ−１８ Ｎｏ、ｌ−１９ Ｎｏ、ｌ−２Ｏ ＮＣ）、　　ｌ−２１ Ｎｏ、　　　　　　　　　　Ａ。

−紋穴［ｎ］ ここで、Ａｒ１は芳香族ｒｉｉ基又は複素環基を表わす
。Ａｒｓ及びＡｒｓはそれぞれ芳香１！Ｘ、環基を表わ
す。Ｒ９及び［１１はそれぞれ水素原子、アルキル基又
はアリール基を表わ′！１′、、Ｒ１０はアルキル基、
カルボキシル基又はそのエステル基を表わす。

Ｚ２は芳香族環又は複素環を形成でるのに必要な原子群
を表わす。

Ａｒｓ、Ａｒ５又はＡｒｓで表わされる芳香族環基は例
えばフェニル基、ナフチル基等であり、Ａｒｓで表わさ
れる複素環基は例えばジベンゾフラン環、カルバゾール
環、インドール環等である。

Ｒｓ、Ｒｈｏ又はＲａｔで表わされるアルキル基は例え
ばメチル基、エチル基等の低級アルキル基であり、Ｒ９
又はＲ＋＋で表わされるアリール基は例えばフェニル基
等である。またＺ２により形成される芳香族環又は複素
環の具体例は上記Ａｒ＋〜Ａｒｓの具体例と同様なもの
を挙げることができる。

Ａｒ４〜Ａｒ６、Ｒ９−Ｒ１１及びｚ２で表わされる多
基は置換基を有していてもよく、置換基としては例えば
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、
置換アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基、カルボキシ
ル基、スルホン酸基、スルファモイル基等である。

一般式［ＩＩ］で示される化合物の代表的具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。

以！び一〇 １　メ Ｎｏ、　　　　　　　　Ａｒ＜　　　　　　　　　Ｒ＊
Ｎｏ、　　　　　　　Ａｒ４　　　　　　　Ｒｓすに Ｎｏ、　　　　　　　　Ａｒ４　　　　　　　　Ｒ＊一
般式Ｃ１［Ｉ］ ○ 式中、Ａ２は前記一般式［ＴＩ］におりるＡ２と同義で
ある。

一般式［Ｉ［［］で示される化合物の代表的具体例を以
下に示すが、これらに限定されるものではな四とユ」 Ｎｏ、　　　　　　　　Ａｒ＜　　　　　　　　　Ｒ−
Ｎ　ｏ　、　　　　　　　　Ａ　ｒ　＜　　　　　　　
　　Ｒｓ（’−１ Ｎｏ、　　　　　　Ａｒ４Ｒ＊ 一般式［］Ｖ］ 式中、Ｒ＋２及びＲ？３はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子又はアルキル基を表わす、Ｘ２は一〇−又は−Ｎ−
（ＲＩ４は水素原子、アルキル基又はア区 レン基を表わす。Ｒ１５はアルキル基又はアリール基を
表わＴ、Ｒｔｓは水素原子、アルキル基又はアリール基
を表わす。Ａｒ７はアリール基を表わす。

Ｙ２は芳香族炭素環又は複素環を形成するに必要な原子
群を表わす。

Ｒ＋２〜Ｒ＋ｓで表わされるアルキル基としては例えば
メチル基、エチル基等が挙げられ、Ｒｎ〜Ｒ＋ｓ、Ａｒ
７で表わされるアリール基としては例えばフェニル基、
ナフチル基等が挙げられ、これらの基は置換基を有して
いてもよい。

×２は特に−〇−である場合が好ましい。

Ｚ３で表わされるアリーレン基としては例えばフェニレ
ン基、ナフチレン基等が挙げられ、これらの基は置換基
を有していてもよい。置換基としては例えばハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ヒドロキシ
ル基等が挙げられるＺ３は特に置換若しくは未置換のフ
ェニレン基が好ましい。

Ｙ２により形成される芳香族炭素環又は複素環は例えば
ベンゼン環、ナフタレン環、トリアゾール環等である。

一般式［ＩＶ］で示される化合物の代表的具体例い。

Ｎｏ、　　　　　　　Ｒ＋ｚ　　　　　　　Ｒ，、Ｒ，
。

■−７ＨＨ−ＣＨ５ ＴＶ−８ＨＨ−Ｃ，Ｈ。

ＩＶ−９ＨＨ−Ｃ２Ｈ，ＯＣＨ。

ＩＶ−１０ＨＨ−Ｃ，Ｈ，○Ｃ２Ｈ。

Ｎ−ｕ　　　　　　　ＨＨ−Ｃ，Ｈ，０ＨＮ−１２−Ｃ
Ｈ，（３位）　　−ＣＨ，（３位）　　　　−ＣＨ。

■−１３−ＣＨ，４３位）　　−ＣＨ，（３位）　　　
−Ｃ２８％■−１４−ＣＨ，（３位）　　−ＣＨ，（３
位）　　　　−Ｃ，Ｈ，ＯＣＨ。

ＩＶ−１５−ＣＨ，（３位）　　−ＣＨ，（３位）　　
　　Ｃ３Ｈ−ＯＣ２Ｈ５ＩＶ−１８−ＣＨ５（３位）　
　−ＣＨ，（３位）　　　　−Ｃ２Ｈ，○ＨＮｏ、　　
ＴＶ　−１７ Ｎｏ、Ｒｌｚ　　　Ｒ１３Ｒ１！　　　　　ＡｒｔＮｏ
、　　　　Ｒ１２Ｒ１ｆｆＲ＋ｉ　　　　　Ａｒ。

以下余白 一般式［Ｖ］ 式中、Ａｒａ及びＡｒｓはそれぞれ置換若しくは未置換
の芳香族炭素環残塁又は置換若しくは未置換の芳香族複
素環残基を表わす。Ｒ１７及びＲ＋ａはそれぞれ水素原
子又は電子吸引性基を表わす。

但し、Ｒ１７、Ｒ＋ａの少なくとも１つは電子吸引性基
である。

Ａ４は −ＮＨ８Ｏ２−Ｒ２２（ここでＲ２０及びＲ２＋はそれ
ぞれ水素原子又は置換若しくは未置換のアルキル基を表
わし、Ｒ２２は置換若しくは未置換のアルキル基又は置
換若しくは未置換のアリール基を表わす。）を表わす。

Ｙ３は水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換の
アルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、置換
若しくは未置換のカルバモイル基、置換若しくは未置換
のスルファモイル基、カルボキシル 又はスルホ基を表わす。Ｚ４は置換若しくは未置換の炭
素環式芳香族環又は置換若しくは未置換の複素環式芳香
族環を構成するに必要な原子群を表わす。Ｒ＋９は水素
原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは
未置換のアミノ基、置換若しくは未置換のカルバモイル
基、カルボキシル基又はそのエステル基を表わす。Ａ“
は置換若しくは未置換のアリール基を表わす。ｎは１，
２又は３の整数を表わし、ｍは０，１又は２の整数を表
わす。

一般式［Ｖ］において、Ａｒａ又はＡｒｓで表わされる
残塁としては、例えば その環上に置換基を有する場合、８　１＠Ｍとしては例
えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シアン
基等が挙げられる。

Ｒ＋７又はＲ＋ａで表わされる電子吸引性基としては、
例えばハロゲン原子（塩素原子、臭素原子等）、シアノ
基、ニトロ基等である。

−紋穴［Ｖ］で示される化合物の代表的具体例を以下に
示すが、これらに限定されるものではない。

１＋Ｈ−、ｊ士ｊ Ｎ　Ｏ　、　　　　Ｒ　＋　ｙ　　　　Ｒ　ｌ＊　　　
　　　　　Ａ　＋Ｎｏ．　　　　Ｒ．ｔ　　　Ｒ，、　
　　　　　　　　Ａ。

Ｎｏ、　　　　　　Ｒ，ｔ　　・　　Ｒ，、Ａ４−紋穴
［Ｖｌ　］ 式中、Ａ５は びＲ２４はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基又はヒドロキシル基を表わす。Ｒ２５
はアルギル基又はアルコキシカルボニル塁を表わず。ｎ
は１，２又は３を表わず。

−紋穴［　Ｖｒ　］にＪ３いて、Ｒ　２３又はＲ２４で
表わされるハロゲン原子としては例えばｉ！ｉりＦ２原
子、臭素原子等が挙げられ、アルキル基としては例えば
メチル基、エチル基等が挙げられ、アルコキシ基として
は例えばメトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。また
Ｒ２５で表わされるアルキル基としては例えばメチル基
、エチル基等が挙げられ、アルコキシカルボニル基とし
ては例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基等が挙げられる。

−紋穴［Ｖｔｌで示される化合物の代表的具体例を以下
に示すが、これらに限定されるものではない。

以下余白゛１ □−へ．− Ｎｏ、　　　　　　Ｒ２）　　　　　　　　Ｒ２４ｎ■
−１−ＯＣＨ，Ｈ１ ■−２−ＣＨ，ＨＩ ＶＩ−３−ＣＩ　　　　　　　　　ＨＩＶｌ−４−Ｃ１
−ＯＣＨ，（６位）　　　ＩＶＩ−５−Ｃ１−ＣＩＣ４
位、６位）　　２■−６−Ｃ１−Ｃ１（６位）　　　　
　１’ｖ１−７　　　−Ｃ１−Ｃ１（５位）　　　　　
ＩＶ（−８−Ｃ１−Ｃ１（４位）　　　　　１’ｌ／ｌ
−９Ｂｒ　　　　　　　　　Ｈ１■−１０−ＯＨＨＩ Ｖｌ−１１−Ｃ１−ＣＨ，（３位、５位）　　２Ｎ　Ｏ
，Ｒ２３Ｒｚ　−ｎ Ｖ［−１２−Ｃ１−ＣＨ，（２位）　　　ＩＶＩ−１３
−Ｃ１−ＣＨ５（２位、４位）　　２ｊＨ４）ニョ 一般式［ＶＩ］ Ｘ。

式中、×１は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又は
アルコキシ基を表わす。

八６は を表わす。ここで、Ｒ２６は躍換若しくは未置換のカル
バモイル ル基を表ね’ａ　Ｚｓは炭素環式芳香族環又は複素環式
芳香族環を形成するに必要な原子群を表わす。

Ｒ２７はアルキル基又はアリール基を表わす。

−紋穴［ＶＩ］において、×１で表わされるハロゲン原
子どしては例えばｊｎ素原子、臭素原子等が挙げられ、
アルギル基としては例えばメチル基、エチル基等が挙げ
られ、アル：１キシ基どしては例えばメトキシ基、エト
キシ基等が挙げられる。

Ｒ２６で表わされる置換カルバモイル基としては例えば
Ｎ−フェニルカルバモイルＷ、Ｎ−エチルカルバモイル
基、Ｎ−ナフチルカルバモイルＮ−フェニル−Ｎ−エチ
ルカルバモイル基、Ｎ。

Ｎ−ジフェニルカルバモイル基等が挙げられ、これらの
基はざらに置換基を有していても良い。

れる。

ｚ５により形成される炭素環式芳香族環又は複素環式芳
香族環は例えばベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾー
ル その環上に１　１！ｉｆ！　Ｗを有していてら良い。

Ｒ２７で表わされるアルキル基としては例えばメチル基
、エチル基等が挙げられ、アリール基としては例えばフ
ェニル基等が挙げられ、これらの基は置換基を有してい
ても良い。

一般式［■］で示される化合物の代表的具体例を以下に
示すが、これらに限定されるものではない。

Ｙ。

Ｎｏ、　　　　　　　　　　　ＡＩ　　　　　　　　　
　　　　　　　　Ｘ４Ｎｏ、Ａｓ　　　　　　　　　　
　　　　　　　Ｘ４Ｎｏ、　　　　　　　　　　　Ａｓ
　　　　　　　　　　　　　　　　Ｘ４ＣＨ。

以上−紋穴［Ｉ］〜［■］で示される化合物の代表的具
体例を挙げたが、この他の具体例として、−紋穴［Ｉ］
については例えば特開昭５８−７０２３２号、同５８−
１４０７４５号、−紋穴［ＩＩ］については例えば特開
昭５３−１３３４４５号、−紋穴［Ｉ［Ｉ］については
例えば特開昭５４−２２８３４号、−紋穴［ｒＶ］につ
いては例えば特開昭５９−２２９５６４号、−紋穴［Ｖ
コについては例えば特開昭５７−１８２７４７号、同５
８−１１５４４７号、同５６−１１６０４０号、−紋穴
［ＶＩ］については例えば特開昭４７−３７５４３号、
−紋穴［■］については例えば特開昭５６−１１６０３
９号にそれぞれ記載された化合物を挙げることができる
。

また以上の如きビスアゾ系化合物は上記各公報に記載の
方法により容易に合成することができる。

本発明に使用されるフタロシアニン系化合物は無金汎フ
タロシアニン化合物、金属フタロシアニン化合物のいず
れも使用でき、例えばα、β、γ、τ、τ′、η、η′
、Ｘ型無金属フタロシアニン化合物及びε型の銅フタロ
シアニン化合物が挙げられる。これらのうち無金属フタ
ロシアニン化合物は、感度、帯電安定性に優れていると
いう特長がある。これらのうちの無金属フタロシアニン
化合物のいくつかの特性値を示すと次のようになる。

なお、これらの無金属フタロシアニン化合物は特公昭４
９−４３３８号公報、特開昭６０−１９１５４号公報、
特開昭５８−１８２６３９号公報に詳細に記載されてい
る。

またε型銅フタロシアニンは特公昭４０−２７８０号公
報に記載されている。

本発明に用いられる多環キノン系化合物としては下記−
紋穴［Ａ］で示されるアントアントロン系顔料、下記−
紋穴［Ｂ］で示されるジベンズピレンキノン系顔料及び
下記−紋穴［Ｃ］で示されるビラントロン系顔料から選
ばれる少なくとも一種を挙げることができるが、特に−
紋穴［Ａ］が１″５°゛°、−几、。

以下余白母 −紋穴［Ａ］　　　　　　　　　　　−紋穴［Ｂ］−紋
穴［ＣＪ 式中、Ｘはハロゲン原子、二１〜ロ基、シアン基、アシ
ル基又はカルボキシル基を表わし、ｎは０〜４の整数を
表わし、ｍはＯ〜６の整数を表わ１゜−紋穴［Ａ］で示
されるアントアントロン系顔料の具体的化合物を挙げる
と次の通りである。

［Ａｌ１　　　　　　　　　　　　　　　［Ａ２］［Ａ
３］　　　　　　　　　　　　　　　［Ａ４］［Ａ５］
　　　　　　　　　　　　　　　　［Ａ６］［Ａ７］　
　　　　　　　　　　　　　　［Ａ８］［Ａ９］ ［Ａ１０］ ［Ａ１１］ 一般式［Ｂ］で示されるジベンズピレンキノン系顔料の
具体的化合物例を挙げると次の通りである。

［Ｂ１１ ［Ｂ２１ ［Ｂ１１ ［Ｂ４〕 ［Ｂ５１ ［Ｂ１１ ［Ｂ１１ ［Ｂ１１ ［Ｂ１１ 一般式［Ｃ］で示されるビラントロン系顔料のし上ｊ ［Ｃ１］ ［Ｃ２］ ［Ｃ３］ ［Ｃ４］ ［Ｃ５］ ＥＣ６】 ［Ｃ７】 ［Ｃ８］ ［Ｃ９］ 以上の如き多環キノン系化合物は公知の方法により合成
することができるが、市販品として入手することもでき
る。

電子写真感光体の構成は種々の形態が知られているが、
本発明の電子写真感光体はそれらのいずれの形態をもと
り得る。

通常は、第１図〜第４図の形態である。第１図及び第２
図では、ＩＩＩ性支持体１上に前述のビスアゾ系化合物
及びフタロシアニン系化合物から選ばれる少なくとも１
種と多環キノン系化合物の少なくとも１種を含有する膜
厚０．５μＩｌ〜５μｍの電荷発生層２と、後述する電
荷輸送物質を主成分として含有する電荷輸送層３との積
層体より成る感光層４を設けており、第１図と第２図で
は、電荷発生層２と電荷輸送層３の積層順が異なる。第
３図及び第４図に示すようにこの感光層４は、導電性支
持体上に、接着層、バリア層などの中間層５を介して設
けてもよい。このように感光層４を二層構成としたとき
に最も優れた電子写真特性を有する感光体が得られる。

また本発明においては、最外層として保護層を設けても
よい。

二層構成の感光Ｎ４を構成する電荷発生層２は導電性支
持体１、もしくは電荷輸送層３上に直接、あるいは必要
に応じて接着層もしくはバリヤ層などの中間層５を設け
た上に例えば次の方法によって形成することができる。

Ｍ−１）ビスアゾ系化合物及び７′タロシアニン系化合
物から選ばれる少なくとも１種と多環キノン系化合物の
少なくとも１種を一緒に或いは別々に適当な溶媒に溶解
した溶液を、あるいは必要に応じてバインダー樹脂を加
え混合溶解した溶液を塗布する方法。

Ｍ−２）ビスアゾ系化合物及びフタロシアニン系化合物
から選ばれる少なくとも１種と多環キノン系化合物の少
なくとも１種を一緒に或いは別々にボールミル、ホモミ
キサ等によって分散媒中で微細粒子（好ましくは粒径５
μＩＩｌ以下、更に好ましくは１μｍ以下）とし、必要
に応じてバインダー樹脂を加え混合分散した分散液を塗
布する方法。

電荷発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒とし
ては、ローブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジ
アミン、イソプロパツールアミン、トリエタノールアミ
ン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１
．２−ジクロロエタン、１．２−ジクロロプロパン、１
゜１．２−トリクロロエタン、１，１．１−トリクロロ
エタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、ジ
クロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタ
ノール、エタノール、イソプロパツール、酢酸エチル、
酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ
等が挙げられる。

また、電荷輸送層は上記電荷発生層と同様にして形成す
ることができる。

電荷発生層あるいは電荷輸送層の形成に用いられるバイ
ンダー樹脂は任意のものを用いることができるが、疎水
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい。こ°のような高分
子重合体としては、例えば次のものを挙げることができ
るが、これらに限定されるものではない。

Ｐ−１）ポリカーボネート Ｐ−２）ポリエステル Ｐ−３）メタクリル酸 Ｐ−４）アクリル樹脂 Ｐ−５）ポリ塩化ビニル Ｐ−６）ポリ塩化ビニリデン Ｐ−７）ポリスチレン Ｐ−８）ポリビニルアセテート Ｐ−９）スチレン−ブタジェン共重合体ｐ　−１０）塩
化ビニリデンーアクリロニ１〜リル共重合体 ｐ−１１）塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体ｐ−１２）
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 ｐ　−１３）シリコン樹脂 ｐ−１４）シリコン−アルキッド樹脂 ｐ　−１５）フェノールホルムアルデヒド樹脂ｐ　−１
６）スチレン−アルキッド樹脂ｐ　−１７）ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾールＰ　−　１８）ポリビニルブチラー
ル Ｐ　−　１９）ポリビニルフォルマールこれらのバイン
ダー樹脂は、単独であるいは２種以上の混合物として用
いることができる。

以上のようにして形成される電荷発生層の膜厚を０．５
μｍ〜５μ１１好ましくは０．５〜３μｍとすることに
よって、最も良好な電子写真特性が得られる。また比較
的厚い膜に形成できるので、製造時の塗布欠陥が発生し
にくい。

また、以上のようにして形成される電荷発生層において
、ビスアゾ系化合物及びフタロシアニン系化合物から選
ばれる少なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくと
も１種からなる電荷発生物質とバインダーとの重量比は
好ましくは１００：０〜１００　：　５００である。電
荷発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度が低く
、残留電位の増加を招き、またこれより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。

また、多環キノン系化合物の少なくとも１種とビスアゾ
系化合物及びフタロシアニン系化合物から選ばれる少な
くとも１種の併用割合は重量比で１００：１〜１００：
３０であることが好ましく、ビスアゾ系化合物及びフタ
ロシアニン系化合物から選ばれる少なくとも１種の割合
がこれより多いと、電子写真特性が低下する。

また、前記のようにして形成される電荷輸送層において
、電荷輸送物質は電荷輸送層中のバインダー樹脂１００
重量部当り２０〜２００重伍部が好ましく、特に好まし
くは３０〜１５０重量部である。

また、形成される電荷輸送層の厚さは、好ましくは５〜
５０μｍ１待に好ましくは５〜３０μｍである。

本発明に用いられる前述の電荷輸送物質としては、特に
制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導
体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダ
シロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ごスイミダゾリ
ジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラ
ゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体、ベ
ンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キ
ナゾリンｇ　１体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン
、ポリ−９−ごニルアントラセン等である。

本発明において用いられる電荷輸送物質としては光照射
時発生するホールの支持体側への輸送能力が優れている
外、前記多環キノン系化合物、ビスアゾ系化合物、フタ
ロシアニン系化合物等との組合せに好適なものが好まし
く用いられ、かかる電荷輸送物質として好ましいものは
下記−紋穴（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）で表わされるもの
が挙げられる。

一般式（Ａ＞ 但り、、Ａｒ＋　、Ａｒ２　、Ａｒ＋はそれぞれ置換又
は未置換のアリール基を表わし、Ａｒ３は置換又は未置
換のアリーレン基を表わし、Ｒ１は水素原子、置換若し
くは未置換のアルキル基、又は置換もしくは未置換のア
リール基を表わづ。

このような化合物の具体例は特開昭５８−６５４４０号
の第３〜４頁及び同５８−１９８０／１３号の第３〜６
頁に詳細に記載されている。

一般式（Ｂ） Ｒよ 但し、Ｒ１は置換、未置換のアリール基、置換。

未置換の複素環基であり、Ｒ２は水素原子、置換。

未置換のアルキル基、置換、未置換のアリール基を表わ
し、詳細には特開昭５８−１３４６４２号及び同５８−
１６６３５４号の公報に記載されている。

−紋穴（Ｃ） 但し、Ｒ１は置換、未置換の７リール基であり、Ｒ２は
水素原子、ハロゲン原子、置換、未置換のアルキル基、
置換、未置換のアルコキシ基、置換。

未置換のアミノ基、ヒドロキシ基であり、Ｒ３は置換、
未置換のアリール基、置換、未置換の複素環基を表わす
。これらの化合物の合成法及びその例示は特公昭５７−
１４８７５０号公報に詳細に記載されており、本発明に
援用することができる。

本発明のその他の好ましい電荷輸送物質としては、特開
昭５７−６７９４０号、同５９−１５２５２号、同５７
−１０１８４４号公報にそれぞれ記載されているヒドラ
ゾン化合物を挙げることができる。

本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支持体とし
ては、合金を含めた金属板、金属ドラムまたは導電性ポ
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物や合金を含め
たアルミニウム、パラジウム、金等の全屈薄層を塗布、
蒸着あるいはラミネートして、導電性化された紙、プラ
スチックフィルム等が挙げられる。接着層あるいはバリ
ヤ層などの中間層としては、前記バインダー樹脂とじて
用いられる高分子重合体のほか、ポリビニルアルコール
、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなど
の有機高分子物質または酸化アルミニウムなどが用いら
れる。

本発明の感光層には電荷発生物質の電荷発生機能を改善
する目的で有様アミン類を添加することができ、特に２
級アミンを添加するのが好ましい。

かかる２級アミンとしては、例えばジメチルアミン、ジ
エチルアミン、ジ−ｎアミルアミン、ジ−イソプロピル
アミン、ジ−ｎブチルアミン、ジ−イソブチルアミン、
ジ−ｎアミルアミン、ジ−イソアミルアミン、ジ−ｎヘ
キシルアミン、ジ−イソヘキシルアミン、ジ−ｎペンチ
ルアミン、ジ−イソペンチルアミン、ジ−ｎオクチルア
ミン、ジ−イソオクチルアミン、ジ−ｎノニルアミン、
ジ−イソノニルアミン、ジ−ｎデシルアミン、ジ−イソ
デシルアミン、ジ−ｎモノデシルアミン、ジ−イソモノ
デシルアミン、ジ−ｎドデシルアミン、ジ−イソドデシ
ルアミン等を挙げることができる。

又かかる有機アミン類の添加量としては、電荷発生物質
の１倍以下、好ましくは０．２倍〜０．００５倍の範囲
のモル数とするのがよい。

又、本発明の感光層には、オゾン劣化防止の目的で酸化
防止剤を添加することができる。

かかる酸化防止剤の代表的具体例を以下に示すが、これ
に限定されるものではない。

（Ｉ）群：ヒンダードフェノール類 ジブチルヒドロキシトルエン、２．２１−メチレンビス
（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、４．４’
−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノ
ール）、４．４’　〜チオビス（６−ｔ−ブチル−３−
メチルフェノール）、２．２′−ブチリデンビス（６−
【−ブチル−４−メチルフェノール）、α−トコフェロ
ール、β−トコフェロール、２，２．４−トリメチル−
６−ヒトロキシー７−ｔ−ブチルクロマン、ペンタエリ
スチルテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２．２’　
−チオジエチレンビス［３−（３゜５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１．６
−ヘキサンジオールビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ブチ
ルヒドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソー
ル、１−［２−（（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４
−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ）エチル］
　−４−［３−（３，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−
ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，
６，６−テトラメチルビベリジルなど。

（ｎ）群：バラフエニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ′−イソプロピル−〇−フェニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ’−ジー５ｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ。

Ｎ′−ジイソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ’−ジメチル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェ
ニレンジアミンなど。

（Ｉｆｆ）群：ハイドロキノン類 ２．５−ジーも一オクチルハイドロキノン、２゜６−シ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン
、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−【−
オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オク
タデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

（ｒＶ）群：有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー３，３′−チオジプロピオネートなど。

（Ｖ１群：有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ボスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ
）ホスフィンなど。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

これらの酸化防止剤は電荷発生層、電荷輸送層、又は保
護層のいずれに添加されてもよいが、好ましくは電荷輸
送層に添加される。その場合の酸化防止剤の添加量は電
荷輸送物質１００１ｉ　回部に対して０．１〜１００重
量部、好ましくは１〜５０重量部、特に好ましくは１〜
２５重量部である。

本発明において電荷発生層には感度の向上、残留電位乃
至反復使用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種
以上の電子受容性物質を含有せしめることができる。

ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、０−ジニトロベンゼン、ｌ−ジニトロベンゼン
、１．３．５−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、２
．７−シニトロフルオレノン、２，４．７−トリニトロ
フルオレノン、２゜４．５．７−テトラニトロフルオレ
ノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノ
ジニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデン−［
ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピクリン酸、０
−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジニ
トロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサ
リチル酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メ
リット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げる
ことができる。

電子受容性物質の添加ｍは、重洛比で電荷発生物質：電
子受容性物質＝　１００：　　０．０１〜２００、好ま
しくはＩＯＱ　：　　０．１〜１００である。

電子受容性物質は電荷輸送層に添加してもよい。

かかる層への電子受容性物質の添加量はｆｆ１ｆｆｉ比
で電荷輸送物質：電子受容性物質＝　１００：　　０．
０１〜１００、好ましくは１００　：　　０．１〜５０
である。

また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤等を含有してもよく、また
感色性補正の染料を含有してもよい。

本発明の電子写真感光体は以上のような構成であって、
後述する実施例からも明らかなように、高感度で、特に
高速複写機や小型複写機に用いても充分な感度を有して
いる。また、本発明の電子写真感光体は繰り返し使用し
たときにも特性が安定しているものである。

さらに、本発明の電子写真感光体は、比較的厚い電荷発
生層を形成することにより感光体としての特性が良好と
なるので、前述したような製造時の塗布欠陥の発生が少
なく生産性に優れたものである。

［実施例］ 以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、こ
れにより本発明の実施態様が限定されるものではない。

実施例−１ ポリカーボネート樹脂（パンライトＬ　−１２５０゜今
人化成■製）５（＋を１．２−ジクロロエタン２００１
１２に溶解した後、電荷発生物質ＣＧＭ２として例示多
環牛ノン系化合物［Ａ３］１０ｏを混合し、サンドグラ
インダーで１０時間分散した。これをＡ液とする。

次に上記ポリカーボネート樹脂１ｇを１．２−ジクロロ
エタン１２０ｉＮに溶解した後、電荷発生物質ＣＧＭ１
として例示ごスアゾ系化合物Ｎｏ、Ｉ　−２２，２９を
混合し、サンドグラインダーで１０時間分散した。これ
をＢ液とする。

上記のＡ液とＢ液をそれぞれ単独で、或いは両者を撹拌
混合して電荷発生層形成用塗布液とし、この塗布液を用
いて、浸漬塗布法によりアルミドラム上に塗布して、電
荷発生層を形成した。この際、塗布液からの引上げ速度
を変えることにより、膜厚を種々変化させた。

次に下記組成の電荷輸送層形成用塗布液を用いて、同じ
く浸漬塗布法により、乾燥後膜厚的２０μｍの電荷輸送
層を上記の電荷発生層上に積層し、感光体を得た。

１．２−ジクロロエタン　　　　　　　１００１１２ポ
リカーボネート樹脂（同上）１５ｇ こうして得られた感光体試料の特性評価試験を以下の様
にして行なった。

［感度試験］ 静電帯電試験装置Ｅ　Ｐ　Ａ　−８１００（川口電機（
■製）を用いて、感光体表面電位が初期帯電電位Ｖａ（
Ｖ）から半減するのに必要な露光ｍ　Ｅ　１／２　　（
１−ｕｘ・ｓｅａ　＞を測定した。

［繰り返し特性試験］ 上記静電帯電試験装置ＥＰＡ−８１００を用いて、帯電
→露光→除電を１００回繰り返した時の１回目と　１０
０回目の帯Ｔ３電位の変化分ΔＶａＯ→１００　（ｖ）
を測定した。

表−１の結果から、本発明の感光体は比較感光体に比べ
て、感度、繰り返し特性及び生産性の全ての点において
、優れた性能を示していることが明らかである。

実施例−２ 使用される電荷発生物質の組合せを表−２に示す様に変
え、さらに電荷輸送層形成用塗布液に用いられるポリカ
ーボネート樹脂をニーピロン２−２００（三菱ガス化学
ｖＡ製）に代える以外は実施例−１と同様にして試料を
作製し、実施例−１と同様な特性評価試験を行ない、得
られた結果を表−以下余、白□・□１ ・、−ヱ」 表−２の結果から、本発明の感光体は、感度、繰り返し
特性及び生産性の全ての点において、優れた性能を示す
ことがわかる。

実施例−３ 使用される電荷発生物質の組合せを表−３に示す様に変
え、さらに電荷輸送層形成用塗布液に用いられるポリカ
ーボネート樹脂をニーピロンＺ−２００（前出）に代え
、電荷輸送物質をに代える以外は実施例−１と同様にし
て試料を作製し、実施例−１と同様な特性評１ｉ１１ｉ
試験を行ない、得られた結果を表−３に示す。

１ζ゛−１ 以下余１白：゛゛ １さ」九 表−３の結果から、本発明の感光体は感度、操り返し特
性及び生産性の全ての点において、優れた性能を示ザこ
とがわかる。

実施例−４ 使用される電荷発生物質の組合せを表−４に示寸様に変
え、ざらに電荷輸送層形成用塗布液に用いられるポリカ
ーボネート樹脂をニーピロン２−２００（前出）に代え
、電荷輸送物質をに代える以外は実ＩＭＬｆＡ−１と同
様ｌこして試料を作製し、実施例−１と同様な特性評画
試躾を行ない、得られた結果を表−４に示す。

以下余白： ’、、−Ｔ−−ｊ 表−４の結果から、本発明の感光体は感度、繰り返し特
性及び生産性の全ての点において、優れた性能を示すこ
とがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図はそれぞれ本発明の感光体の構成例につ
いて示す断面図である。 １・・・導電性支持体 ２・・・電荷発生層 ３・・・電荷輸送層 ４・・・感光層 ５・・・中間層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　導電性支持体上に少なくとも電荷発生層及び電荷輸送
   層を有する電子写真感光体において、前記電荷発生層に
   はビスアゾ系化合物及びフタロシアニン系化合物から選
   ばれる少なくとも１種と多環キノン系化合物の少なくと
   も１種を含有し、かつ前記電荷発生層の膜厚は０．５μ
   ｍ〜５μｍであることを特徴とする電子写真感光体。