JPH01248646A - 半導体装置の気密封止方法および気密封止用電極 - Google Patents

半導体装置の気密封止方法および気密封止用電極

Info

Publication number
JPH01248646A
JPH01248646A JP7703388A JP7703388A JPH01248646A JP H01248646 A JPH01248646 A JP H01248646A JP 7703388 A JP7703388 A JP 7703388A JP 7703388 A JP7703388 A JP 7703388A JP H01248646 A JPH01248646 A JP H01248646A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
electrodes
contact
electrode
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7703388A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0378783B2 (ja
Inventor
Susumu Aono
進 青野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Avionics Co Ltd
Original Assignee
Nippon Avionics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Avionics Co Ltd filed Critical Nippon Avionics Co Ltd
Priority to JP7703388A priority Critical patent/JPH01248646A/ja
Publication of JPH01248646A publication Critical patent/JPH01248646A/ja
Publication of JPH0378783B2 publication Critical patent/JPH0378783B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Butt Welding And Welding Of Specific Article (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はシーム溶接法にて半導体装置のパッケージとキ
ャップを気密封止する方法およびこの気密封止方法に用
いられる半導体気密封止用電極に関する。
(従来技術) 従来、金属表面処理(メツキ)をした半導体装置用の積
層セラミックパッケージに金属キャップをかぶせてその
接合部をシーム溶接法にて気密封止する方法として、一
対の円錐ローラ電極を金属キャップの上側稜線に接触さ
せ、前記ローラ電極を回転させつつ該電極とセラミック
パッケージを相対移動させてパッケージ周囲を溶接する
方法がとられている。第6図(a)〜(d)は角形のシ
ールフレームがロー付けされたパッケージを、パッケー
ジ直線移動方式のパラレルシーム溶接法で溶接封止する
手順を示したものである。まず第6図(a)、(C)の
如くセラミックパッケージ1をテーブル2に固定し、長
方形の角形キャップ3を角形シールフレーム4にのせ、
軸がキャップ面に平行な円錐台形の一対のローラ電極5
をエアーシリンダ等によって下降させるかテーブル2を
上昇させるかして長方形の角形キャップ3を電極5で押
え付け、次いでテーブル2を矢印A方向に直線移動させ
てキャップの長辺側を封止する。その後、第6図(b)
、(d)の如くテーブル2を90″方向転換して矢印B
方向に移動させ、キャップ3の短辺側の封止を完了後、
再びテーブル2を90°回転させて元の位置に戻す。電
極5はキャップ3の移動につれて軸線のまわりに回転す
る。
この方法が角形シームパッケージを封止する従来の方法
で、直線方向にテーブルが移動することから、直線移動
式パラレルシーム溶接法と呼ばれている。
第6図(a)〜(d)に示す従来例では、ローラ電極の
軸線が金属キャップ面と平行な方向にのびているが、こ
れを前記キャップ面に対して垂直な方向となるように軸
支し、かつ前記キャップの稜線と接する先端部を充分基
底直径の大きい円錐形とし、電極円錐面の接触可能領域
を広くすることにより、角形シールフレーム側を直線移
動させることなく回転のみで溶接封止できるようにした
ものもある(例えば特公昭57−42223号公報)。
(発明が解決しようとする問題点) この種のシーム溶接においては、ローラ電極の接触面積
と溶接部位の発熱は相反する関係にあり、また溶接電流
の電流量の大小はパッケージ全体の温度上昇に影響する
ので、パッケージの大きさ、種類等によって電極の接触
面積と電流量との関係を適切に選定する必要がある。例
えば電流量が同じであるとすれば、金属キャップとの接
触点でのローラ電極のテーバ角度が大きい程パッケージ
全体の温度上昇は抑制される。しかし上述した従来のシ
ーム溶接法で用いるローラ電極は、いずれも截頭円錐形
(円錐台形)あるいは直円錐形の形状を有し、したがっ
て金属キャップとの接触点における電極面のテーバ角度
はローラ電極の位置(軸方向位置)に関係なく一定であ
る。このため従来はパッケージの種類に応じてその都度
適切なテーバ角度をもったローラ電極と取り換えてシー
ム溶接をしなければならないという不便があった。さら
に従来の円錐形ローラ電極では、パッケージのフレーム
あるいはテーブルとの接触を避けるために、採用できる
テーバ角度にも制限があり、場合によってはテーブルも
交換しなければならないという不具合があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は半導体装置に金属キャップをかぶせ該キャップ
の異なる2点の周縁部に一対の電極を接触させてシーム
溶接法にて気密封止する方法において、前記一対の電極
は回転放物面状の曲面を有し、半導体装置の種類に応じ
て前記曲面とキャップ周縁部との接触抵抗が最適となる
電極上の曲面位置を選択して前記キャップ周縁部に接触
させ、前記電極と前記キャップ周縁部を相対移動させて
シーム溶接するようにしたものである。
また、本発明の気密封止方法に用いる電極は、回転放物
面状の曲面部分を有し、該曲面部分を前記キャップ周縁
部との接触領域としたものである。
(実施例) 次に、本発明を実施例について図面を参照して説明する
第1図は、本発明の実施例に係るローラ電極10の側面
図であり、第2図は本発明に係る気密封止方法を用いて
角形パッケージの気密封止を行う場合の一例を示した平
面図である。第1図に示すように本実施例のローラ電極
10は、軸部11の先端に回転放物面の曲面部分をもつ
キャップ接触部12を有している。この回転放物面の中
心線は軸部11の軸線13と一致している。したがって
キャップ接触部12の任意の点Pにおける接線Tと軸線
との成す角(テーバ角)θは軸線方向にとったキャップ
接触部上の各点についてそれぞれ異なっており、第3図
に示すように先端部側ではこの角度が大で被溶接材の金
属キャップ3との接触面積が小さ°く、軸部11側即ち
回転放物面の基底部12aに近ずく程テーバ角θは小と
なってキャップ3との接触面積は増大する。
このようなローラ電極でパッケージの気密封止を行うに
は、第2図に示すように、一対の電極10.10′を水
平に対向して軸支し、パッケージ1の角形シールフレー
ム上にかぶせた角形金属キャップ3の対向した二つの陵
部に回転放物面のキャップ接触部12.12′を接触さ
せて押圧し、パッケージ1を電極軸線に対して直角方向
(図示矢印方向)に移動させて各電極をその軸線のまわ
りに回転させ、例えばキャップ3の長辺側2辺を封止し
、その後、パッケージ1を水平面内で90′回転させて
同様に短辺側2辺の封止を行う。なお、第6図でも説明
したように、この実施例でもパッケージ1は直線往復移
動可能なテーブル上に固定される。
ここで本発明においては、パッケージ1の種類、大きさ
、外形形状等によって、一対のローラ電極10.10′
の間隔を変え、キャップ接触部12とキャップ稜部との
接触面積、いいかえれば接触抵抗が良好な溶接結果をも
たらす電極位置を選定して接触させる。これによってそ
の都度所要のテーパ角をもつローラー電極と交換するこ
となく、同じ電極で種々の半導体装置のシーム溶接封止
を行うことができる。
第4図は半導体装置のシーム溶接において本発明による
ローラ電極10を用いた場合と従来の円錐台形ローラ電
極5(破線で示す)を用いた場合とを比較して示した部
分的な正面図である。この半導体装置のパッケージ1に
対しては電極10の回転放物面の0点で接触させるのが
接触抵抗の上で最適であるとした場合に、これを従来の
電極5を用いて溶接しようとすると、図示の位置では電
極5の大径の基底部5aがテーブル2に当接することと
なり、従来このような場合は同じデーパ角でテーブル2
に当らない形状の小さな円錐台形ローラ電極5′と取り
換えて、同じ中心半径Rの位置で接触させて溶接しなけ
ればならない。これに対して本発明の放物曲面をもつロ
ーラ電極10の場合は、曲面上の任意の点(例えば図示
の0点)から軸線方向両側の部分が被溶接部側から離れ
る方向へ凸状にわん曲するので、直円錐形と比べてその
分だけテーブル等に当接する危険は少ない。
上述の実施例では電極の軸線をキャップの面と平行(水
平)に保持した場合を示したが、場合によっては第5図
のように電極軸線13をキャップ面3aに対して垂直方
向に軸支し、回転放物面をもつ先端部の曲面上で所望テ
ーバ角の接触位置を選んで電極とキャップの稜線を接触
させて溶接してもよい。
以上の実施例においては、矩形のキャップを用いた場合
について説明したが、キャップが円形の場合には一対の
放物面状電極の適切なテーパ角の部分を選んで該キャッ
プに接触させ、テーブルを180°強はど回転させるこ
とにより同様にシーム溶接することができる。
(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、1つの電極で複数
のテーパ角をもたせることができ、したがって種々の半
導体装置に対してその都度これに合ったテーパ角の電極
と交換する必要がなく、能率のよい溶接封止が行える。
また円錐形電極のように電極基部側が半導体装置の支持
台、回転台等に当る危険が少なく、この点でも同じ1つ
の電極で各種外形の半導体装置のシーム溶接を有効に行
い得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る溶接封止用電極の側面図
、第2図は本発明による電極を用いて気密封止する場合
の一例を示した平面図、第3図は本発明の電極における
テーパ角の変化を例示した部分的な側面図、第4図は電
極とパッケージテーブルとの位置関係を本発明による電
極と従来の円錐台形ローラ電極について比較して示した
側面図、第5図は本発明の他の実施例に係る溶接封止用
電極の側面図、第6図(a)〜(d)は従来の円錐台形
ローラ電極によるパラレルシーム溶接の溶接手順を示し
た図である。 1・・・パッケージ、2・・・テーブル、3・・・角形
キャップ、4・・・角形シールフレーム、5.10・・
・ローラ電極、11・・・軸部、12・・・キャップ接
触部、θ・・・テーパ角、T・・・接触点接線。 代理人  弁理士  染 川 利 吉 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 (a) 6図 (b) (d)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、半導体装置に金属キャップをかぶせ該キャップ
    の異なる2点の周縁部に一対の電極を接触させてシーム
    溶接法にて気密封止する方法において、前記一対の電極
    は回転放物面状の曲面を有し、半導体装置の種類に応じ
    て前記曲面とキャップ周縁部との接触抵抗が最適となる
    電極上の曲面位置を選択して前記キャップ周縁部に接触
    させ、前記電極と前記キャップ周縁部を相対移動させて
    シーム溶接することを特徴とする半導体装置の気密封止
    方法。
  2. (2)、半導体装置に金属キャップをかぶせ該キャップ
    の異なる2点の周縁部に一対の電極を接触させてシーム
    溶接法にて気密封止するのに用いる電極において、回転
    放物面状の曲面部分を有し、該曲面部分を前記キャップ
    周縁部との接触領域とすることを特徴とする半導体装置
    の気密封止用電極。
JP7703388A 1988-03-30 1988-03-30 半導体装置の気密封止方法および気密封止用電極 Granted JPH01248646A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7703388A JPH01248646A (ja) 1988-03-30 1988-03-30 半導体装置の気密封止方法および気密封止用電極

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7703388A JPH01248646A (ja) 1988-03-30 1988-03-30 半導体装置の気密封止方法および気密封止用電極

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01248646A true JPH01248646A (ja) 1989-10-04
JPH0378783B2 JPH0378783B2 (ja) 1991-12-16

Family

ID=13622445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7703388A Granted JPH01248646A (ja) 1988-03-30 1988-03-30 半導体装置の気密封止方法および気密封止用電極

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01248646A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103056500A (zh) * 2012-11-30 2013-04-24 北京时代民芯科技有限公司 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103056500A (zh) * 2012-11-30 2013-04-24 北京时代民芯科技有限公司 半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0378783B2 (ja) 1991-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8299392B2 (en) Rotating laser welding pressure unit
JPH0378783B2 (ja)
US5527992A (en) Cavity down mounting seam-welding ceramic package for semiconductor device
JPH02235581A (ja) 抵抗溶接方法およびその装置
JPH0378784B2 (ja)
JP2003001428A (ja) パッケージ封止におけるリッドの仮付け装置
JP2638413B2 (ja) 抵抗溶接方法
JP2557087Y2 (ja) シーム接合の仮止め用電極装置
JP3881479B2 (ja) パラレルギャップシーム溶接方法
JPS6023109Y2 (ja) シ−ム溶接機
JPS6032978B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02122714A (ja) 圧電振動子
JPS59145545A (ja) 半導体装置用容器の気密封止法
JP2500480B2 (ja) シ―ム溶接機
JPH0631458A (ja) マイクロパラレルシーム接合装置
JPH0318474A (ja) 薄板の高速溶接方法
JPS63249355A (ja) 集積回路の外囲器
JPS637433Y2 (ja)
JPH02108480A (ja) 接点材料の溶接方法
JPS6012293A (ja) 回転電機の回転子短絡環の溶接方法
JPS61277122A (ja) 電気接触子の製造方法
JPH0569147A (ja) 2電極回転トーチ
JPH01299778A (ja) シームウェルダ
JPH03248771A (ja) 管の全姿勢裏波溶接方法
JPS61123155A (ja) シ−ム熔接方法