JPH01252575A - 誘電体磁器材料 - Google Patents
誘電体磁器材料Info
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- JPH01252575A JPH01252575A JP63253383A JP25338388A JPH01252575A JP H01252575 A JPH01252575 A JP H01252575A JP 63253383 A JP63253383 A JP 63253383A JP 25338388 A JP25338388 A JP 25338388A JP H01252575 A JPH01252575 A JP H01252575A
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- dielectric ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばビデオテープレコーダ、マイクロフロ
ッピーディスク駆動装置等に装着される磁気ヘッドのガ
ード材、基板材として用いられる誘電体磁器材料に関す
る。
ッピーディスク駆動装置等に装着される磁気ヘッドのガ
ード材、基板材として用いられる誘電体磁器材料に関す
る。
一般に、ビデオテープレコーダ、マイクロフロッピーデ
ィスク駆動装置等の磁気記録媒体駆動装置に装着される
磁気ヘッドには、その磁気記録媒体の対接面の一部を形
成する如く磁気コア部を挾んで非磁性のガード材が配さ
れている。
ィスク駆動装置等の磁気記録媒体駆動装置に装着される
磁気ヘッドには、その磁気記録媒体の対接面の一部を形
成する如く磁気コア部を挾んで非磁性のガード材が配さ
れている。
かかるガード材としては、従来Ca0−Tie。
系誘電体磁器材料が多用されており、通常はその空孔を
減少させるためにAj2.Si、Ca、Mg。
減少させるためにAj2.Si、Ca、Mg。
Sn、Zr、Ba、Sr等の酸化物が添加されている。
しかしながら、これらの酸化物を添加した誘電体磁器材
料を作成するためには高い焼成温度を要し、また空孔も
充分小さくならない。空孔を微細化するためには、いわ
ゆるHIP処理(熱間静水圧成形)等の特殊処理が必要
となり、製造コストが高くなる。
料を作成するためには高い焼成温度を要し、また空孔も
充分小さくならない。空孔を微細化するためには、いわ
ゆるHIP処理(熱間静水圧成形)等の特殊処理が必要
となり、製造コストが高くなる。
このような欠点を解決する技術として、本願出願人は、
先に特開昭60−231463号明細書において、Ca
Ti0z系の誘電体磁器材料のCaの一部をBiで
置換し、かつZnOを添加した誘電体磁器材料を提案し
た。
先に特開昭60−231463号明細書において、Ca
Ti0z系の誘電体磁器材料のCaの一部をBiで
置換し、かつZnOを添加した誘電体磁器材料を提案し
た。
この系によれば、HIP等の特殊処理を行わなくとも通
常の焼成法により空孔が少ない誘電体磁器材料が得られ
、またBiの含有量により熱膨張係数が広範囲に選択で
きる。
常の焼成法により空孔が少ない誘電体磁器材料が得られ
、またBiの含有量により熱膨張係数が広範囲に選択で
きる。
〔発明が解決しようとする課題]
しかしながら、前述の誘電体磁器材料は、研削加工性に
乏しく、研削加工中にチッピングを生じたり、研削用の
砥石を著しく消耗させる等の点で不満を残している。こ
れは、誘電体磁器材料中において結晶粒子の一部が巨大
化し、組繊が不均一となっているためであると考えられ
る。
乏しく、研削加工中にチッピングを生じたり、研削用の
砥石を著しく消耗させる等の点で不満を残している。こ
れは、誘電体磁器材料中において結晶粒子の一部が巨大
化し、組繊が不均一となっているためであると考えられ
る。
あるいは、摩擦の観点からも不十分で、摩擦が大きいこ
とに起因して媒体を傷つけたり、逆にヘッドが傷付く等
の不都合が発生している。
とに起因して媒体を傷つけたり、逆にヘッドが傷付く等
の不都合が発生している。
そこで本発明は、上述の問題点を解決し、結晶粒子が微
細化・均一化され、研削加工性に優れる誘電体磁器材料
を提供することを目的とするものである。
細化・均一化され、研削加工性に優れる誘電体磁器材料
を提供することを目的とするものである。
さらに本発明は、摩擦係数が小さく、磁気記録媒体や磁
気ヘッド等に損傷を与えることのない誘電体磁器材料を
提供することを目的とする。
気ヘッド等に損傷を与えることのない誘電体磁器材料を
提供することを目的とする。
本発明者等は、前記目的を達成せんものと鋭意検討を重
ねた結果、結晶粒子の微細化、均一化にMgOの添加が
有効であり、また摩擦係数の低減にA 1.03添加が
有効であるとの知見を得るに至った。
ねた結果、結晶粒子の微細化、均一化にMgOの添加が
有効であり、また摩擦係数の低減にA 1.03添加が
有効であるとの知見を得るに至った。
本発明にかかる誘電体磁器材料は、上述の知見に基づい
て完成されたものであって、一般式%式%) (ただし、Xは組成をモル%で表し40≦x≦85であ
り、yは組成をモル比で表し0.005≦y≦0.6で
ある。)で表される基本組成物100重量部に対して0
.5〜760重量部のZnOが添加され、さらに0.5
〜5重量部のMgO及び/又は0.5〜15重量部の1
!、0.が添加され焼成されてなることを特徴とするも
のである。
て完成されたものであって、一般式%式%) (ただし、Xは組成をモル%で表し40≦x≦85であ
り、yは組成をモル比で表し0.005≦y≦0.6で
ある。)で表される基本組成物100重量部に対して0
.5〜760重量部のZnOが添加され、さらに0.5
〜5重量部のMgO及び/又は0.5〜15重量部の1
!、0.が添加され焼成されてなることを特徴とするも
のである。
ここで、基本組成物の組成やZnOの添加量は、特開昭
60−231463号明細書に記載される誘電体磁器材
料と同様の観点から決められる。
60−231463号明細書に記載される誘電体磁器材
料と同様の観点から決められる。
すなわち、基本組成物となる誘電体磁器材料は、Ca−
TiCh系の誘電体磁器材料にBiが添加されたもので
ある。この誘電体磁器材料の熱膨張係数αは、基本的に
はCaとTiのモル比によって変化するが、さらにBi
の添加量によっても制御される。したがって、TiやB
iの含有量を前記範囲内で適宜選択すれば、熱膨張係数
αを80×10−’/”C−120X10−’/’Cと
広範囲に変化させることができる。なお、Biの添加は
焼成温度の低温化にも効果がある。
TiCh系の誘電体磁器材料にBiが添加されたもので
ある。この誘電体磁器材料の熱膨張係数αは、基本的に
はCaとTiのモル比によって変化するが、さらにBi
の添加量によっても制御される。したがって、TiやB
iの含有量を前記範囲内で適宜選択すれば、熱膨張係数
αを80×10−’/”C−120X10−’/’Cと
広範囲に変化させることができる。なお、Biの添加は
焼成温度の低温化にも効果がある。
ZnOの添加量は、誘電体磁器材料の空孔を小さくする
という目的から決められ、当該添加量が0.5重量部未
満であると空孔を十分に微細化することができず、また
添加量が7.0重量部を越えると抗折強度等の低下につ
ながる。
という目的から決められ、当該添加量が0.5重量部未
満であると空孔を十分に微細化することができず、また
添加量が7.0重量部を越えると抗折強度等の低下につ
ながる。
一方、MgO及びA f 、0.は本発明特有の添加物
であって、特にMgOを添加することで結晶粒子の微細
化、均一化が図られる。こ、の場合、MgOの添加量が
0.5重量部未満であると、結晶粒子の微細化及び均一
化の効果が不足する。また、当該添加量が5重量部を越
えると、却って空孔が増加し、加工性も悪くなる。
であって、特にMgOを添加することで結晶粒子の微細
化、均一化が図られる。こ、の場合、MgOの添加量が
0.5重量部未満であると、結晶粒子の微細化及び均一
化の効果が不足する。また、当該添加量が5重量部を越
えると、却って空孔が増加し、加工性も悪くなる。
また、A l ! Osは実質的な摩擦係数を下げるた
めに添加され、A j! z O3を添加することで誘
電体磁器材料の表面に凸部が形成され、点接触すること
になって摩擦が少なくなる。このAltosの添加量と
しては、摩擦低減効果の観点からは基本組成物100重
量部に対して0.5重量部以上であることが好ましいが
、あまり多すぎると硬(なりすぎて加工性が悪(なるの
で、実用的には15重量部以下とするのが望ましい。
めに添加され、A j! z O3を添加することで誘
電体磁器材料の表面に凸部が形成され、点接触すること
になって摩擦が少なくなる。このAltosの添加量と
しては、摩擦低減効果の観点からは基本組成物100重
量部に対して0.5重量部以上であることが好ましいが
、あまり多すぎると硬(なりすぎて加工性が悪(なるの
で、実用的には15重量部以下とするのが望ましい。
勿論、これらMgOとA1.03を同時に添加しても良
く、この場合には結晶粒子の微細化、均一化と摩擦係数
の低減の両者が達成される。
く、この場合には結晶粒子の微細化、均一化と摩擦係数
の低減の両者が達成される。
上述のような誘電体磁器材料を作成するためには、Ca
、Bi、Ti、Zn、Mg、Alの酸化物や炭酸塩等を
所定のモル比あるいは重量部にて混合し、750〜90
0°Cにて仮焼後、成形工程を経て1200〜1350
°Cにて本焼成を行えばよい。
、Bi、Ti、Zn、Mg、Alの酸化物や炭酸塩等を
所定のモル比あるいは重量部にて混合し、750〜90
0°Cにて仮焼後、成形工程を経て1200〜1350
°Cにて本焼成を行えばよい。
〔作用]
CaB10−Ti0□系の誘電体磁器材料に、ZnOと
MgOの双方を添加することにより、ZnOのみを添加
した場合に比べて熱膨張係数αの変化や空孔の増加を起
こすことなく結晶粒子が微細化され、組繊が均一となる
。
MgOの双方を添加することにより、ZnOのみを添加
した場合に比べて熱膨張係数αの変化や空孔の増加を起
こすことなく結晶粒子が微細化され、組繊が均一となる
。
一方、A I!20 zを添加すると、第1図に模式的
に示すように、Ca T i O3を主成分とする析出
相(1)とTie、を主成分とする析出相(2)とから
なる母相中にAl□0.を主成分とする析出相(3)が
存在するかたちになる。ここで、Al2O.を主成分と
する析出相(3)は、母相よりも硬いために、研磨のさ
れ方の違いにより母相よりも凸の状態で仕上がる。磁気
記録媒体との接触を考えた場合、ガード材が平坦なもの
よりも凸部がある方が点接触することになり、全面接触
よりも摩擦は少なくなると言える。なお、凸の状態とな
っていることは走査型電子顕微鏡(SEM)でr1m認
し、各相の同定はEPMAで行った。
に示すように、Ca T i O3を主成分とする析出
相(1)とTie、を主成分とする析出相(2)とから
なる母相中にAl□0.を主成分とする析出相(3)が
存在するかたちになる。ここで、Al2O.を主成分と
する析出相(3)は、母相よりも硬いために、研磨のさ
れ方の違いにより母相よりも凸の状態で仕上がる。磁気
記録媒体との接触を考えた場合、ガード材が平坦なもの
よりも凸部がある方が点接触することになり、全面接触
よりも摩擦は少なくなると言える。なお、凸の状態とな
っていることは走査型電子顕微鏡(SEM)でr1m認
し、各相の同定はEPMAで行った。
以下、本発明を具体的な実施例により説明する。
1〜 0
まず、原料となるT i OH,Ca COs、 B
i 2oz。
i 2oz。
ZnOおよびMgOの所定量を秤量し、ボールミル内で
湿式混合を行った。このようにして得られた各混合物を
乾燥した後粉砕し、750〜900℃にて仮焼を行った
。仮焼後の各混合物を再び粉砕し、1.0〜2.0トン
/cm”の圧力でプレス成形を行った後、酸素雰囲気中
、 1200〜1350℃にて本焼成を行い、各誘電体
磁器材料を作成した。
湿式混合を行った。このようにして得られた各混合物を
乾燥した後粉砕し、750〜900℃にて仮焼を行った
。仮焼後の各混合物を再び粉砕し、1.0〜2.0トン
/cm”の圧力でプレス成形を行った後、酸素雰囲気中
、 1200〜1350℃にて本焼成を行い、各誘電体
磁器材料を作成した。
得られた各誘電体M1器材料について、熱膨張係数、結
晶粒径、加工性の評価を行った。熱膨張係数は50〜4
00°Cの温度範囲にて測定した。結晶粒径については
各誘電体磁器材料を研磨後エツチングしたものについて
顕微鏡観察を行い、最大粒径と最小粒径を求める一方、
平均粒径も算出した。
晶粒径、加工性の評価を行った。熱膨張係数は50〜4
00°Cの温度範囲にて測定した。結晶粒径については
各誘電体磁器材料を研磨後エツチングしたものについて
顕微鏡観察を行い、最大粒径と最小粒径を求める一方、
平均粒径も算出した。
また加工性については、研削加工機により各誘電体磁器
材料を切断する際のチッピングの発生状態を目視にて観
察し、MgOを添加していない誘電体磁器材料の状態を
「普通」とし、これよりチッピングの少ない誘電体磁器
材料を「良好」と評価した。
材料を切断する際のチッピングの発生状態を目視にて観
察し、MgOを添加していない誘電体磁器材料の状態を
「普通」とし、これよりチッピングの少ない誘電体磁器
材料を「良好」と評価した。
各実施例における誘電体磁器材料の組成、評価結果は第
1表にまとめて示す。なお、誘電体磁器材料の組成中、
ZnO及びMgOの添加量は、基本組成物〔Xモル%の
Tie、と(100−x)モル%の(Ca l−1,5
yBf y) Oとの混合物3100重量部に対する添
加量(重量部)である。
1表にまとめて示す。なお、誘電体磁器材料の組成中、
ZnO及びMgOの添加量は、基本組成物〔Xモル%の
Tie、と(100−x)モル%の(Ca l−1,5
yBf y) Oとの混合物3100重量部に対する添
加量(重量部)である。
ル較炎↓
上述の実施例に対する比較として、MgOを添加しない
誘電体磁器材料を作成し、同様に各評価を行った。誘電
体磁器材料の組成、評価結果は第1表に併せて示す。
誘電体磁器材料を作成し、同様に各評価を行った。誘電
体磁器材料の組成、評価結果は第1表に併せて示す。
比較1
上述の実施例に対する比較として、MgOの添加量が6
重量部と本発明で限定する範囲よりも多い誘電体磁器材
料を作成し、同様に各評価を行った。誘電体磁器材料、
評価結果は第1表に併せて示す。
重量部と本発明で限定する範囲よりも多い誘電体磁器材
料を作成し、同様に各評価を行った。誘電体磁器材料、
評価結果は第1表に併せて示す。
(以下余白)
まず比較例!、および実施例1ないし実施例6において
作成された各誘電体磁器材料を比較すると、MgOの添
加量が増大するにつれて結晶粒径の分布幅が狭くなり、
平均粒径も小さくなる傾向が認められる。加工性はMg
Oを添加した場合の方がいずれも優れている。また、熱
膨張係数αは変化していない。
作成された各誘電体磁器材料を比較すると、MgOの添
加量が増大するにつれて結晶粒径の分布幅が狭くなり、
平均粒径も小さくなる傾向が認められる。加工性はMg
Oを添加した場合の方がいずれも優れている。また、熱
膨張係数αは変化していない。
熱膨張係数αの変化はMgOの添加ではなく、T i
O,t It XあるいはBi置換1yにより支配され
ている。このことは、MgOの添加量を3重量部lB1
1換1yをモル比0.05と固定した場合に相当する実
施例4.実施例8および実施例9の相互比較、あるいは
MgOの添加量を3重量部。
O,t It XあるいはBi置換1yにより支配され
ている。このことは、MgOの添加量を3重量部lB1
1換1yをモル比0.05と固定した場合に相当する実
施例4.実施例8および実施例9の相互比較、あるいは
MgOの添加量を3重量部。
Tie、添加量を55モル%と固定した場合に相当する
実施例4および実施例7の相互比較により明らかである
。これらTiO□量X、あるいはBi置換1yが増加す
るにつれて、熱膨張係数αは低下する。
実施例4および実施例7の相互比較により明らかである
。これらTiO□量X、あるいはBi置換1yが増加す
るにつれて、熱膨張係数αは低下する。
また実施例4と実施例10との比較から、ZnOの添加
量は本発明において限定される範囲内で変化する限り、
得られる誘電体磁器材料の物性に影響しないことがわか
る。
量は本発明において限定される範囲内で変化する限り、
得られる誘電体磁器材料の物性に影響しないことがわか
る。
さらに、MgOを本発明において限定する範囲より多く
加えた比較例2では、熱膨張係数αは変化せず結晶粒径
も十分に小さいが、加工性は改善されていないことがわ
かる。
加えた比較例2では、熱膨張係数αは変化せず結晶粒径
も十分に小さいが、加工性は改善されていないことがわ
かる。
なお、MgOの代わりにMgC(hを添加しても同様の
結果が得られた。
結果が得られた。
実差号エヒ→0糖外跋
まず、原料となるTi0t、CaCO5,B izO:
+。
+。
ZnOおよびA j2203の所定量を秤量し、ボール
ミル内で湿式混合を行った。このようにして得られた各
混合物を乾燥した後粉砕し、750〜900°Cにて仮
焼を行った。仮焼後の各混合物を再び粉砕し、1.0〜
2.Oトン/ c m ”の圧力でプレス成形を行った
後、酸素雰囲気中、 1200〜1350°Cにて本焼
成を行い、各誘電体磁器材料を作成した。
ミル内で湿式混合を行った。このようにして得られた各
混合物を乾燥した後粉砕し、750〜900°Cにて仮
焼を行った。仮焼後の各混合物を再び粉砕し、1.0〜
2.Oトン/ c m ”の圧力でプレス成形を行った
後、酸素雰囲気中、 1200〜1350°Cにて本焼
成を行い、各誘電体磁器材料を作成した。
得られた各誘電体磁器材料について、熱膨張係数及び摩
擦について評価を行った。
擦について評価を行った。
・なお、摩擦はコンタクト・スタート・ストップ特性(
C3S特性)で調べた。すなわち、作成した誘電体磁器
材料を研削・鏡面仕上げ後、3sl×3mの四角形で厚
さ2mmのブロックに切り出し、第2図に示すように、
このブロック(11)を磁気ディスク(12)の中心か
ら一定の距離に設置した。そして、第3図に示すパター
ンで当該磁気ディスク(12)を回転駆動系(13)に
より回転駆動し、この時の最大摩擦係数を摩擦係数検出
系(14)により求めた。これを1000回繰り返し、
1000回目の摩擦係数で比較した。なお、磁気ディス
クには、スパッタリングにより磁性層が形成され液体潤
滑剤が施されただ3.5インチディスクを用い、A l
t Oxが添加されていない誘電体磁器材料(後述の
比較例3)の摩擦係数を1として相対値で表した。
C3S特性)で調べた。すなわち、作成した誘電体磁器
材料を研削・鏡面仕上げ後、3sl×3mの四角形で厚
さ2mmのブロックに切り出し、第2図に示すように、
このブロック(11)を磁気ディスク(12)の中心か
ら一定の距離に設置した。そして、第3図に示すパター
ンで当該磁気ディスク(12)を回転駆動系(13)に
より回転駆動し、この時の最大摩擦係数を摩擦係数検出
系(14)により求めた。これを1000回繰り返し、
1000回目の摩擦係数で比較した。なお、磁気ディス
クには、スパッタリングにより磁性層が形成され液体潤
滑剤が施されただ3.5インチディスクを用い、A l
t Oxが添加されていない誘電体磁器材料(後述の
比較例3)の摩擦係数を1として相対値で表した。
各実施例における誘電体磁器材料の組成、評価結果は第
2表にまとめて示す。なお、誘電体磁器材料の組成中、
ZnO,MgO及びA l z Oxの添加量は、ここ
でも基本組成物〔Xモル%のT i O2と(IOQ−
x)モル%の(Ca +−+、 syB i y)0と
の混合物3100重量部に対する添加量(重量部)であ
る。
2表にまとめて示す。なお、誘電体磁器材料の組成中、
ZnO,MgO及びA l z Oxの添加量は、ここ
でも基本組成物〔Xモル%のT i O2と(IOQ−
x)モル%の(Ca +−+、 syB i y)0と
の混合物3100重量部に対する添加量(重量部)であ
る。
比較H主
上述の実施例に対する比較として、Affi、o、を添
加しない誘電体磁器材料を作成し、同様に各評価を行っ
た。誘電体磁器材料の組成、評価結果は第2表に併せて
示す。
加しない誘電体磁器材料を作成し、同様に各評価を行っ
た。誘電体磁器材料の組成、評価結果は第2表に併せて
示す。
比較炭土
上述の実施例に対する比較として、Alzosの添加量
が20重量部と本発明で限定する範囲よりも多い誘電体
磁器材料を作成し、同様に各評価を行った。誘電体磁器
材料、評価結果は第2表に併せて示す。
が20重量部と本発明で限定する範囲よりも多い誘電体
磁器材料を作成し、同様に各評価を行った。誘電体磁器
材料、評価結果は第2表に併せて示す。
(以下余白)
この第2表からも明らかなように、A j! z Os
が添加されると摩擦が減少する傾向にある。
が添加されると摩擦が減少する傾向にある。
なお、Aj2□0.を20重量部添加した比較例4では
、摩擦の点では良好な結果を示したが、非常に硬く加工
性の悪いものであった。
、摩擦の点では良好な結果を示したが、非常に硬く加工
性の悪いものであった。
以上の説明からも明らかなように、本発明にかかる誘電
体磁器材料においては、 CaBtO−TiO□系誘電
体磁器材料に対し、ZnOに加えてMgOも添加してい
るので、結晶粒径を微細化・均一化し、加工性を向上さ
せることが可能となる。このような誘電体磁器材料は、
研削加工する際のチッピングや、ラッピングの際の結晶
粒子の脱落等を起こし難いので、歩留りの良い磁気ヘッ
ドの製造等が可能となる。
体磁器材料においては、 CaBtO−TiO□系誘電
体磁器材料に対し、ZnOに加えてMgOも添加してい
るので、結晶粒径を微細化・均一化し、加工性を向上さ
せることが可能となる。このような誘電体磁器材料は、
研削加工する際のチッピングや、ラッピングの際の結晶
粒子の脱落等を起こし難いので、歩留りの良い磁気ヘッ
ドの製造等が可能となる。
また、本発明にかかる誘電体磁器材料においては、A
l z Osを所定量添加しているので、希望に応じて
適切な熱膨張係数、摩擦係数を有する誘電体磁器材料を
提供することが可能となる。しだがって、本発明の誘電
体磁器材料を例えば磁気ヘッドのガード材として使用す
れば、トルクを低く抑えることができ、磁気記録媒体や
磁気ヘッドの損傷を防止することができる。
l z Osを所定量添加しているので、希望に応じて
適切な熱膨張係数、摩擦係数を有する誘電体磁器材料を
提供することが可能となる。しだがって、本発明の誘電
体磁器材料を例えば磁気ヘッドのガード材として使用す
れば、トルクを低く抑えることができ、磁気記録媒体や
磁気ヘッドの損傷を防止することができる。
勿論、これらMgOとA It z Osの両者を添加
すれば、加工性と摩擦の双方を改善することができ、そ
の利用価値は非常に高いものとなる。
すれば、加工性と摩擦の双方を改善することができ、そ
の利用価値は非常に高いものとなる。
第1図はAffijO,を添加したときの結晶相を示す
模式図であり、第2図は摩擦を評価するための評価装置
の概略構成を示す模式図、第3図は摩擦を評価する際の
C3Sサイクルを示す特性図である。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小池 晃(他2名)
模式図であり、第2図は摩擦を評価するための評価装置
の概略構成を示す模式図、第3図は摩擦を評価する際の
C3Sサイクルを示す特性図である。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小池 晃(他2名)
Claims (1)
- 一般式{(Ca_1_−_1_._5_yBi_y)O
}_1_0_0_−_x(TiO_2)_x(ただし、
xは組成をモル%で表し40≦x≦85であり、yは組
成をモル比で表し0.005≦y≦0.6である。)で
表される基本組成物100重量部に対して0.5〜7.
0重量部のZnOが添加され、さらに0.5〜5重量部
のMgO及び/又は0.5〜15重量部のAl_2O_
3が添加され焼成されてなる誘電体磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253383A JP2832956B2 (ja) | 1987-12-08 | 1988-10-07 | 誘電体磁器材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-308732 | 1987-12-08 | ||
| JP30873287 | 1987-12-08 | ||
| JP63253383A JP2832956B2 (ja) | 1987-12-08 | 1988-10-07 | 誘電体磁器材料 |
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Citations (2)
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1988
- 1988-10-07 JP JP63253383A patent/JP2832956B2/ja not_active Expired - Fee Related
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