JPH10163397A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH10163397A JPH10163397A JP33288796A JP33288796A JPH10163397A JP H10163397 A JPH10163397 A JP H10163397A JP 33288796 A JP33288796 A JP 33288796A JP 33288796 A JP33288796 A JP 33288796A JP H10163397 A JPH10163397 A JP H10163397A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着剤及び封止樹脂との密着性がよく、更に
ワイヤボンディング性及びはんだ濡れ性のよい半導体装
置用リードフレームの製造方法を提供する。 【解決手段】 金属帯条材から半導体装置用リードフレ
ームの所要形状を備えたリードフレーム部材１０を形成
する第１工程と、リードフレーム部材１０の表面に直接
又は下地めっき層１１を介してＰｄめっき層１２を形成
する第２工程と、Ｐｄめっき層１２の上に、更に耐熱性
貴金属めっき層１３を形成する第３工程と、前記工程に
おいて、Ｐｄめっき層１２及び耐熱性貴金属めっき層１
３が形成されたリードフレーム部材１０を真空又は非酸
化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行い、耐熱性貴
金属めっき層１３中にＰｄを拡散させる第４工程と、第
４工程で拡散処理が行われたリードフレーム部材１０を
酸化雰囲気炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散した
Ｐｄの酸化処理を行う第５工程とを有する。
ワイヤボンディング性及びはんだ濡れ性のよい半導体装
置用リードフレームの製造方法を提供する。 【解決手段】 金属帯条材から半導体装置用リードフレ
ームの所要形状を備えたリードフレーム部材１０を形成
する第１工程と、リードフレーム部材１０の表面に直接
又は下地めっき層１１を介してＰｄめっき層１２を形成
する第２工程と、Ｐｄめっき層１２の上に、更に耐熱性
貴金属めっき層１３を形成する第３工程と、前記工程に
おいて、Ｐｄめっき層１２及び耐熱性貴金属めっき層１
３が形成されたリードフレーム部材１０を真空又は非酸
化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行い、耐熱性貴
金属めっき層１３中にＰｄを拡散させる第４工程と、第
４工程で拡散処理が行われたリードフレーム部材１０を
酸化雰囲気炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散した
Ｐｄの酸化処理を行う第５工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、封止樹脂との密着
性、はんだ濡れ性に優れた半導体装置用リードフレーム
の製造方法に関する。
性、はんだ濡れ性に優れた半導体装置用リードフレーム
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用リードフレームにおいて
は、半導体素子とインナーリードを電気的に接続するワ
イヤのボンディング性が良好であること、及び、アウタ
ーリードと外部機器との接続の際の良好なはんだ濡れ性
が要求される。このため、従来は所要の形状にプレス加
工されたリードフレーム部材の全面に直接又は下地めっ
き層を介してＰｄ又はＰｄ合金めっきを行い、その上に
薄いＡｕめっき層を形成することが提案されていた。
は、半導体素子とインナーリードを電気的に接続するワ
イヤのボンディング性が良好であること、及び、アウタ
ーリードと外部機器との接続の際の良好なはんだ濡れ性
が要求される。このため、従来は所要の形状にプレス加
工されたリードフレーム部材の全面に直接又は下地めっ
き層を介してＰｄ又はＰｄ合金めっきを行い、その上に
薄いＡｕめっき層を形成することが提案されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術に係るリードフレームにおいては、表面に金めっ
きがなされているので、半導体素子搭載時のＡｇペース
トや、封止樹脂との密着性が悪いという問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、Ａｇペー
スト等の接着剤の密着性及び封止樹脂との密着性がよ
く、更にワイヤボンディング性及びはんだ濡れ性のよい
半導体装置用リードフレームの製造方法を提供すること
を目的とする。
来技術に係るリードフレームにおいては、表面に金めっ
きがなされているので、半導体素子搭載時のＡｇペース
トや、封止樹脂との密着性が悪いという問題があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、Ａｇペー
スト等の接着剤の密着性及び封止樹脂との密着性がよ
く、更にワイヤボンディング性及びはんだ濡れ性のよい
半導体装置用リードフレームの製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の半導体装置用リードフレームの製造方法は、最上
層にＰｄ酸化物と、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の耐熱性貴金属
との拡散層を設けた半導体装置用リードフレームの製造
方法であって、金属帯条材からプレス加工又はエッチン
グ加工により、半導体装置用リードフレームの所要形状
を備えたリードフレーム部材を形成する第１工程と、前
記リードフレーム部材の表面に直接又は下地めっき層を
介してＰｄめっき層を形成する第２工程と、前記Ｐｄめ
っき層の上に、更にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の耐熱性貴金属
めっき層を形成する第３工程と、第２工程及び第３工程
において、前記Ｐｄめっき層及び耐熱性貴金属めっき層
が形成されたリードフレーム部材を真空又は非酸化性雰
囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行い、前記耐熱性貴金
属めっき層中にＰｄを拡散させる第４工程と、第４工程
で拡散処理が行われたリードフレーム部材を酸化雰囲気
炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散した前記Ｐｄの
酸化処理を行う第５工程とを有している。また、請求項
２記載の半導体装置用リードフレームの製造方法は、請
求項１記載の方法において、前記酸化雰囲気炉は、有機
質及び／又は無機質からなる不純物を除去した高純度の
雰囲気ガスが使用されている。そして、請求項３記載の
半導体装置用リードフレームの製造方法は、請求項１又
は２記載の方法において、前記酸化雰囲気炉は、雰囲気
ガスに純酸素を添加したものを使用している。
記載の半導体装置用リードフレームの製造方法は、最上
層にＰｄ酸化物と、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の耐熱性貴金属
との拡散層を設けた半導体装置用リードフレームの製造
方法であって、金属帯条材からプレス加工又はエッチン
グ加工により、半導体装置用リードフレームの所要形状
を備えたリードフレーム部材を形成する第１工程と、前
記リードフレーム部材の表面に直接又は下地めっき層を
介してＰｄめっき層を形成する第２工程と、前記Ｐｄめ
っき層の上に、更にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の耐熱性貴金属
めっき層を形成する第３工程と、第２工程及び第３工程
において、前記Ｐｄめっき層及び耐熱性貴金属めっき層
が形成されたリードフレーム部材を真空又は非酸化性雰
囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行い、前記耐熱性貴金
属めっき層中にＰｄを拡散させる第４工程と、第４工程
で拡散処理が行われたリードフレーム部材を酸化雰囲気
炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散した前記Ｐｄの
酸化処理を行う第５工程とを有している。また、請求項
２記載の半導体装置用リードフレームの製造方法は、請
求項１記載の方法において、前記酸化雰囲気炉は、有機
質及び／又は無機質からなる不純物を除去した高純度の
雰囲気ガスが使用されている。そして、請求項３記載の
半導体装置用リードフレームの製造方法は、請求項１又
は２記載の方法において、前記酸化雰囲気炉は、雰囲気
ガスに純酸素を添加したものを使用している。
【０００５】請求項１〜３記載の半導体装置用リードフ
レームの製造方法においては、第４工程で、Ｐｄめっき
層及び貴金属めっき層が形成されたリードフレーム部材
を、真空又は非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理
を行い、該貴金属めっき層中にＰｄを拡散させているの
で、Ｐｄが酸化されることなく貴金属めっき層中に拡散
する。ここで、空気等の酸化性雰囲気で加熱すると、貴
金属めっき層の下地層であるＰｄめっき層が酸化される
ので、表面の貴金属めっき層の剥離が生じ易いという問
題があるが、非酸化性雰囲気で加熱するので、この問題
は解決している。次に、第５工程で、Ｐｄ及び貴金属の
拡散処理が行われたリードフレーム部材を酸化雰囲気炉
に入れて加熱処理を行うので、表面に拡散したＰｄのみ
が酸化される。これによって、めっき処理をされたリー
ドフレーム部材の表面に、貴金属と酸化したＰｄが露出
することになり、結果としてはんだ濡れ性とワイヤボン
ディング性を確保し、酸化したＰｄは接着剤や封止樹脂
との密着性を向上させる。
レームの製造方法においては、第４工程で、Ｐｄめっき
層及び貴金属めっき層が形成されたリードフレーム部材
を、真空又は非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理
を行い、該貴金属めっき層中にＰｄを拡散させているの
で、Ｐｄが酸化されることなく貴金属めっき層中に拡散
する。ここで、空気等の酸化性雰囲気で加熱すると、貴
金属めっき層の下地層であるＰｄめっき層が酸化される
ので、表面の貴金属めっき層の剥離が生じ易いという問
題があるが、非酸化性雰囲気で加熱するので、この問題
は解決している。次に、第５工程で、Ｐｄ及び貴金属の
拡散処理が行われたリードフレーム部材を酸化雰囲気炉
に入れて加熱処理を行うので、表面に拡散したＰｄのみ
が酸化される。これによって、めっき処理をされたリー
ドフレーム部材の表面に、貴金属と酸化したＰｄが露出
することになり、結果としてはんだ濡れ性とワイヤボン
ディング性を確保し、酸化したＰｄは接着剤や封止樹脂
との密着性を向上させる。
【０００６】特に、請求項２記載の半導体装置用リード
フレームの製造方法においては、酸化雰囲気炉は、有機
質及び／又は無機質からなる不純物を除去した高純度雰
囲気ガスを使用しているので、めっきされたリードフレ
ーム部材の表面に不純物が付着しないので、はんだ濡れ
性が損なわれることがない。そして、請求項３記載の半
導体装置用リードフレームの製造方法においては、前記
酸化雰囲気炉は、雰囲気ガスに純酸素を添加したものを
使用しているので、酸化性が向上し低温・短時間のうち
に表面のＰｄの酸化が可能となる。
フレームの製造方法においては、酸化雰囲気炉は、有機
質及び／又は無機質からなる不純物を除去した高純度雰
囲気ガスを使用しているので、めっきされたリードフレ
ーム部材の表面に不純物が付着しないので、はんだ濡れ
性が損なわれることがない。そして、請求項３記載の半
導体装置用リードフレームの製造方法においては、前記
酸化雰囲気炉は、雰囲気ガスに純酸素を添加したものを
使用しているので、酸化性が向上し低温・短時間のうち
に表面のＰｄの酸化が可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置用リードフレームの製造方法の説明
図、図２は同方法によって製造されたリードフレーム表
面の一部拡大図である。
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は本発明の一実施の形
態に係る半導体装置用リードフレームの製造方法の説明
図、図２は同方法によって製造されたリードフレーム表
面の一部拡大図である。
【０００８】図１（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、本発明
の一実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの製
造方法は、金属帯条材から周知のプレス加工又はエッチ
ング加工により、中央の素子搭載部、その周囲のインナ
ーリード、インナーリードに接続されるアウターリード
等を備えるリードフレーム部材１０を形成する第１工程
と、リードフレーム部材１０の表面に下地めっき層の一
例であるＮｉめっき層１１を介してＰｄめっき層１２を
形成する第２工程と、Ｐｄめっき層１２の上に、更に貴
金属めっき層の一例であるＡｕめっき層１３を形成する
第３工程と、以上の工程によってめっき処理されたリー
ドフレーム部材１０を非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて
加熱処理を行う第４工程と、Ｐｄの拡散処理が行われた
リードフレーム部材１０をダスト等が高純度に除去され
た空気加熱の酸化雰囲気炉に入れて加熱処理を行う第５
工程とを有している。以下、これらについて詳しく説明
する。
の一実施の形態に係る半導体装置用リードフレームの製
造方法は、金属帯条材から周知のプレス加工又はエッチ
ング加工により、中央の素子搭載部、その周囲のインナ
ーリード、インナーリードに接続されるアウターリード
等を備えるリードフレーム部材１０を形成する第１工程
と、リードフレーム部材１０の表面に下地めっき層の一
例であるＮｉめっき層１１を介してＰｄめっき層１２を
形成する第２工程と、Ｐｄめっき層１２の上に、更に貴
金属めっき層の一例であるＡｕめっき層１３を形成する
第３工程と、以上の工程によってめっき処理されたリー
ドフレーム部材１０を非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて
加熱処理を行う第４工程と、Ｐｄの拡散処理が行われた
リードフレーム部材１０をダスト等が高純度に除去され
た空気加熱の酸化雰囲気炉に入れて加熱処理を行う第５
工程とを有している。以下、これらについて詳しく説明
する。
【０００９】前記金属帯条材としては、特に限定される
ものではなく、例えばＣｕ合金又はＦｅ−Ｎｉ合金が用
いられる。図１（Ａ）に示すように、この金属帯条材を
用いて常法によって脱脂及び活性化処理を行った後、周
知の工程である前記第１工程によって製造されたリード
フレーム部材１０の全面に、図１（Ｂ）に示すように下
地めっき層を形成するＮｉめっき層１１を形成する。こ
のＮｉめっき層１１の厚みは０．５〜３．５μｍで通常
は１〜２μｍ程度が好ましい。これは余り薄くすると、
リードフレーム部材が銅又は銅合金の場合には拡散を生
じて銅がＮｉめっきの表面に浮かび上がってくるからで
あり、Ｎｉめっき層１１を余り厚くしても材料の無駄に
なるからである。このＮｉめっき層１１の上に図１
（Ｃ）に示すようにＰｄめっき層１２を形成する。この
Ｐｄめっき層１２の厚みは０．０７６〜０．２μｍ程度
で十分である。これは余り薄くなるとこの上に行うＡｕ
めっき層１３への拡散が少なくなるからである（以上、
第２工程）。
ものではなく、例えばＣｕ合金又はＦｅ−Ｎｉ合金が用
いられる。図１（Ａ）に示すように、この金属帯条材を
用いて常法によって脱脂及び活性化処理を行った後、周
知の工程である前記第１工程によって製造されたリード
フレーム部材１０の全面に、図１（Ｂ）に示すように下
地めっき層を形成するＮｉめっき層１１を形成する。こ
のＮｉめっき層１１の厚みは０．５〜３．５μｍで通常
は１〜２μｍ程度が好ましい。これは余り薄くすると、
リードフレーム部材が銅又は銅合金の場合には拡散を生
じて銅がＮｉめっきの表面に浮かび上がってくるからで
あり、Ｎｉめっき層１１を余り厚くしても材料の無駄に
なるからである。このＮｉめっき層１１の上に図１
（Ｃ）に示すようにＰｄめっき層１２を形成する。この
Ｐｄめっき層１２の厚みは０．０７６〜０．２μｍ程度
で十分である。これは余り薄くなるとこの上に行うＡｕ
めっき層１３への拡散が少なくなるからである（以上、
第２工程）。
【００１０】次に、図１（Ｄ）に示すように、Ｐｄめっ
き層１２の上に厚みが０．０００７〜０．１μｍ（更に
好ましくは０．０００７〜０．０１μｍ）のＡｕめっき
層１３を形成する。ここで、Ａｕめっき層１３の厚みが
０．０００７μｍより薄い場合には、後の処理でＰｄの
拡散が多すぎ、Ａｕの露出分が少なくなって、はんだ濡
れ性が悪くなるからである。また、Ａｕめっき層１３の
厚みが０．１μｍより厚い場合には、後の工程でＰｄの
拡散が表面まで届かず、結果としてＰｄの酸化物の量が
減少するからである（以上、第３工程）。
き層１２の上に厚みが０．０００７〜０．１μｍ（更に
好ましくは０．０００７〜０．０１μｍ）のＡｕめっき
層１３を形成する。ここで、Ａｕめっき層１３の厚みが
０．０００７μｍより薄い場合には、後の処理でＰｄの
拡散が多すぎ、Ａｕの露出分が少なくなって、はんだ濡
れ性が悪くなるからである。また、Ａｕめっき層１３の
厚みが０．１μｍより厚い場合には、後の工程でＰｄの
拡散が表面まで届かず、結果としてＰｄの酸化物の量が
減少するからである（以上、第３工程）。
【００１１】以上の工程によって、Ｎｉめっき層１１、
Ｐｄめっき層１２及びＡｕめっき層１３が形成されたリ
ードフレーム部材１０を、図１（Ｅ）に示すように、非
酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行う。この場
合の雰囲気ガスとしては、Ｎ2 ガスを使用してもよい
し、Ａｒガス等を使用してもよい。加熱温度は約３５０
〜４００℃程度（好ましくは４００℃）、加熱時間は５
〜２０秒程度である。なお、加熱温度が低い場合（例え
ば、２００℃）には加熱時間が長くなり、加熱温度が高
い場合（例えば、５００℃）の場合には加熱時間が短く
なる。これによって、ＰｄとＡｕが相互に適切な拡散比
率でＰｄがＡｕめっき層１３の表面に点在的に露出した
拡散層１４が形成されることになる（以上、第４工
程）。
Ｐｄめっき層１２及びＡｕめっき層１３が形成されたリ
ードフレーム部材１０を、図１（Ｅ）に示すように、非
酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を行う。この場
合の雰囲気ガスとしては、Ｎ2 ガスを使用してもよい
し、Ａｒガス等を使用してもよい。加熱温度は約３５０
〜４００℃程度（好ましくは４００℃）、加熱時間は５
〜２０秒程度である。なお、加熱温度が低い場合（例え
ば、２００℃）には加熱時間が長くなり、加熱温度が高
い場合（例えば、５００℃）の場合には加熱時間が短く
なる。これによって、ＰｄとＡｕが相互に適切な拡散比
率でＰｄがＡｕめっき層１３の表面に点在的に露出した
拡散層１４が形成されることになる（以上、第４工
程）。
【００１２】次に、図１（Ｆ）に示すように、以上の第
４工程を経て拡散処理後のリードフレーム部材１０を酸
化雰囲気炉に入れて加熱処理を行う。この場合の雰囲気
ガスには空気に純酸素を混合したものを使用する。そし
て、前記空気は予めクリーニング処理が行われて、有機
物及び無機物の不純物（ダスト）が除去されている。ま
た、純酸素の混合量は多い方が処理時間が短くて済む
が、通常は空気に対して１対１の割合としておく。加熱
温度は約３５０℃程度で、加熱時間は５〜２０秒程度で
ある。これによって、図２に黒部１５で示すように拡散
層１４の表面に露出したＰｄが酸化されることになる。
なお、白部１６はＡｕである（以上、第５工程）。な
お、リードフレームの表面に金が露出する面積の割合
は、３０〜７０％程度である。
４工程を経て拡散処理後のリードフレーム部材１０を酸
化雰囲気炉に入れて加熱処理を行う。この場合の雰囲気
ガスには空気に純酸素を混合したものを使用する。そし
て、前記空気は予めクリーニング処理が行われて、有機
物及び無機物の不純物（ダスト）が除去されている。ま
た、純酸素の混合量は多い方が処理時間が短くて済む
が、通常は空気に対して１対１の割合としておく。加熱
温度は約３５０℃程度で、加熱時間は５〜２０秒程度で
ある。これによって、図２に黒部１５で示すように拡散
層１４の表面に露出したＰｄが酸化されることになる。
なお、白部１６はＡｕである（以上、第５工程）。な
お、リードフレームの表面に金が露出する面積の割合
は、３０〜７０％程度である。
【００１３】以上の製造方法によって製造されたリード
フレームは、表面にＡｕと、Ｐｄの酸化皮膜が混在した
状態で露出しているので、はんだ濡れ性が良好、ワイヤ
ボンディング性が良好、Ａｇペースト等の接着剤の密着
性が良好、封止樹脂の密着性が良好等の優れた特徴を有
する。前記実施の形態においては、最上部にＡｕめっき
層を形成したがＰｔめっき層又はＡｇめっき層であって
も同様の効果が得られる。前記めっきの方法としては、
電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法、スパッターリ
ング法のいずれであってもよい。また、前記Ｐｄめっき
層には、Ｐｄ合金層を形成する場合も含まれる。
フレームは、表面にＡｕと、Ｐｄの酸化皮膜が混在した
状態で露出しているので、はんだ濡れ性が良好、ワイヤ
ボンディング性が良好、Ａｇペースト等の接着剤の密着
性が良好、封止樹脂の密着性が良好等の優れた特徴を有
する。前記実施の形態においては、最上部にＡｕめっき
層を形成したがＰｔめっき層又はＡｇめっき層であって
も同様の効果が得られる。前記めっきの方法としては、
電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法、スパッターリ
ング法のいずれであってもよい。また、前記Ｐｄめっき
層には、Ｐｄ合金層を形成する場合も含まれる。
【００１４】
【発明の効果】請求項１〜３記載の半導体装置用リード
フレームの製造方法は以上の説明からも明らかなよう
に、はんだ濡れ性とワイヤボンディング性が確保され、
更には接着剤や封止樹脂の密着性のよいリードフレーム
が提供できる。特に、Ｐｄを表面の貴金属めっき層に拡
散させる場合に、真空又は非酸化性雰囲気で行っている
ので、Ｐｄが酸化されることなく貴金属の方に拡散する
ので、表面の貴金属めっき層の接合強度が下がることが
なく、強固に形成される。特に、請求項２記載の半導体
装置用リードフレームの製造方法においては、めっきさ
れたリードフレーム部材の表面に不純物の拡散・浸透を
防止できるので、リードフレーム部材と封止樹脂等の密
着性及びはんだ濡れ性が向上し、半導体装置の長期信頼
性が向上する。そして、請求項３記載の半導体装置用リ
ードフレームの製造方法においては、前記酸化雰囲気炉
は、雰囲気ガスに純酸素を添加したものを使用する雰囲
気炉からなっているので、酸化性が向上し、均一に短時
間のうちに表面のＰｄのみの部分酸化が可能となる。
フレームの製造方法は以上の説明からも明らかなよう
に、はんだ濡れ性とワイヤボンディング性が確保され、
更には接着剤や封止樹脂の密着性のよいリードフレーム
が提供できる。特に、Ｐｄを表面の貴金属めっき層に拡
散させる場合に、真空又は非酸化性雰囲気で行っている
ので、Ｐｄが酸化されることなく貴金属の方に拡散する
ので、表面の貴金属めっき層の接合強度が下がることが
なく、強固に形成される。特に、請求項２記載の半導体
装置用リードフレームの製造方法においては、めっきさ
れたリードフレーム部材の表面に不純物の拡散・浸透を
防止できるので、リードフレーム部材と封止樹脂等の密
着性及びはんだ濡れ性が向上し、半導体装置の長期信頼
性が向上する。そして、請求項３記載の半導体装置用リ
ードフレームの製造方法においては、前記酸化雰囲気炉
は、雰囲気ガスに純酸素を添加したものを使用する雰囲
気炉からなっているので、酸化性が向上し、均一に短時
間のうちに表面のＰｄのみの部分酸化が可能となる。
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の一実施の形態に係る
半導体装置用リードフレームの製造方法の説明図であ
る。
半導体装置用リードフレームの製造方法の説明図であ
る。
【図２】同方法によって製造されたリードフレーム表面
の一部拡大図である。
の一部拡大図である。
１０ リードフレーム部材 １１ Ｎｉめっき
層（下地めっき層） １２ Ｐｄめっき層 １３ Ａｕめっき層（貴金属めっき層） １４ 拡散層 １５ 黒部（酸化
パラジウム） １６ 白部（Ａｕ）
層（下地めっき層） １２ Ｐｄめっき層 １３ Ａｕめっき層（貴金属めっき層） １４ 拡散層 １５ 黒部（酸化
パラジウム） １６ 白部（Ａｕ）
Claims (3)
- 【請求項１】 最上層にＰｄ酸化物と、Ａｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ等の耐熱性貴金属との拡散層を設けた半導体装置用リ
ードフレームの製造方法であって、 金属帯条材からプレス加工又はエッチング加工により、
半導体装置用リードフレームの所要形状を備えたリード
フレーム部材を形成する第１工程と、 前記リードフレーム部材の表面に直接又は下地めっき層
を介してＰｄめっき層を形成する第２工程と、 前記Ｐｄめっき層の上に、更にＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の耐
熱性貴金属めっき層を形成する第３工程と、 第２工程及び第３工程において、前記Ｐｄめっき層及び
耐熱性貴金属めっき層が形成されたリードフレーム部材
を真空又は非酸化性雰囲気の拡散炉に入れて加熱処理を
行い、前記耐熱性貴金属めっき層中にＰｄを拡散させる
第４工程と、 第４工程で拡散処理が行われたリードフレーム部材を酸
化雰囲気炉に入れて加熱処理を行い、表面に拡散した前
記Ｐｄの酸化処理を行う第５工程とを有することを特徴
とする半導体装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項２】 前記酸化雰囲気炉は、有機質及び／又は
無機質からなる不純物を除去した高純度の雰囲気ガスが
使用されていることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置用リードフレームの製造方法。 - 【請求項３】 前記酸化雰囲気炉は、雰囲気ガスに純酸
素を添加したものを使用していることを特徴とする請求
項１又は２記載の半導体装置用リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33288796A JPH10163397A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33288796A JPH10163397A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163397A true JPH10163397A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18259917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33288796A Pending JPH10163397A (ja) | 1996-11-27 | 1996-11-27 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163397A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223634A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2005311353A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2022085602A (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-08 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき材料及び電子部品 |
-
1996
- 1996-11-27 JP JP33288796A patent/JPH10163397A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223634A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2005311353A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Samsung Techwin Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法 |
| US7268021B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-09-11 | Samsung Techwin Co., Ltd. | Lead frame and method of manufacturing the same |
| CN100405564C (zh) * | 2004-04-16 | 2008-07-23 | 三星Techwin株式会社 | 引线框以及制造该引线框的方法 |
| JP2022085602A (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-08 | Ｊｘ金属株式会社 | めっき材料及び電子部品 |
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