JPH0126058Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はIC基板等の電子機器素子の気密端子
ベースに関する。

電子機器素子をソリツドタイプ金属ベースに重
ねて端子接続を行う場合に、ソリツドタイプ金属
ベースの孔にリード線とともに封入した粉末焼結
ガラスがリード線に這い上り、その這い上り部分
すなわちヌレがソリツドタイプ金属ベースのフエ
ースより高くなることがある。このため、金属ベ
ースのフエースに密接状態に電子機器素子を載置
することができなくなり、ソリツドタイプ金属ベ
ースのフエースと電子機器素子との間に隙間がで
きて気密端子ベースの品質管理が困難となる。

本考案の目的は、ソリツドタイプ金属ベースの
孔にリード線をガラス封着する際、ガラスがリー
ド線に沿つて這い上ることなく、少くともガラス
表面をソリツドタイプ金属ベースのフエースの高
さよりも低い位置に保持して、IC基板等をソリ
ツドタイプ金属ベースのフエースに載置して、リ
ード線により電子機器素子のアースをとる場合気
密端子ベースの表面にIC基板等を密着して接続
できて容積が小型で安定した気密端子ベースを提
供するにある。

本考案のその他の目的、構成、作用および効果
等を実施例の図面について説明する。１は金属ベ
ース、２はソリツドタイプ金属ベース１にあけた
ガラス封入孔、３はガラス封入孔２に封入した粉
末焼結ガラス、４は粉末焼結ガラス内に封入した
断面丸形、四角形、長四角形等に成形されたリー
ド線、６はリード線４の中間部外周に形成した鍔
である。第１図に示すようにソリツドタイプ金属
ベース１のインナー側のフエース５の下方にＨだ
け低い位置に鍔６の上面を位置して粉末焼結ガラ
ス３を炉にて溶融してガラスをガラス封入孔２内
に充てんするとともにリード線４に沿つて這い上
るのを鍔６の下縁にて押える。従つてガラス３は
フエース５の上には露出しない。７はフエース５
に載置したIC基板であつて、リード線の上方の
接続部４ａを電子機器素子７の孔８を貫通してそ
の表面側に突出させ、その部分を電子機器素子７
の端子と半田付けする。

第２図は本考案の他の実施例を示すもので、ソ
リツドタイプ金属ベース１のインナー側のフエー
ス５側においてガラス封入孔２の内側に狭搾縁９
を設け、この狭搾縁９の下方におけるリード線４
の鍔６の下方に粉末焼結ガラス３を充てんしたも
のである。

本考案は前記したようにソリツドタイプ金属ベ
ースのガラス封入孔内にリード線の中間部に設け
た鍔をソリツドタイプ金属ベースのフエースより
若干低く位置して粉末焼結ガラスにてリード線を
封着したから、粉末焼結ガラスを溶融したときそ
の溶融ガラスが鍔より上方に這い上るのを防止す
ることができて、ソリツドタイプ金属ベースのフ
エースに電子機器素子を密着してリード線を接続
することができる。従つて均等の品質の気密端子
ベースを提供することができる。またソリツドタ
イプ金属ベースのガラス封入孔のフエース側に狭
搾縁を設けることによりガラス封入孔内のガラス
の這い上り防止を尚一層確実にすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

図面は本考案の実施例を示す。第１図は縦断側
面図、第２図は他の実施例の縦断側面図である。 １……ソリツドタイプ金属ベース、２……ガラ
ス封入孔、３……粉末焼結ガラス、４……リード
線、４ａ……リード線の上端接続部、５……ソリ
ツドタイプ金属ベースのフエース、６……リード
線の鍔、７……電子機器素子、９……金属ベース
の狭搾縁。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ソリツドタイプ金属ベース１にあけたガラス封
   入孔２に粉末焼結ガラス３にてリード線４を封入
   した電子機器素子の気密端子ベースにおいて、ソ
   リツドタイプ金属ベース１のフエース５側よりＨ
   だけ低い位置にリード線４の中間部に設けた鍔６
   を位置して粉末焼結ガラス３を鍔６より上に這い
   上らぬようにするとともに、ガラス封入孔２の内
   側に突出した狭搾縁９を設け狭搾縁９の下方にお
   けるリード線４の鍔６の下方に粉末焼結ガラス３
   を充てんするとともに鍔６より上方の接続部４ａ
   をソリツドタイプ金属ベース１のフエース５の上
   方に突出させ、ソリツドタイプ金属ベース１のフ
   エース５面に電子機器素子７を取付けてなる電子
   機器素子の気密端子ベースの構造。