JPH0126112Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0126112Y2 JPH0126112Y2 JP1981074453U JP7445381U JPH0126112Y2 JP H0126112 Y2 JPH0126112 Y2 JP H0126112Y2 JP 1981074453 U JP1981074453 U JP 1981074453U JP 7445381 U JP7445381 U JP 7445381U JP H0126112 Y2 JPH0126112 Y2 JP H0126112Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- light
- optical thyristor
- spherical lens
- receiving device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は光サイリスタの受光装置に係り、特に
光サイリスタの受光孔に球形レンズを配置して集
光効率を高めるようにした光サイリスタの受光装
置に関する。
光サイリスタの受光孔に球形レンズを配置して集
光効率を高めるようにした光サイリスタの受光装
置に関する。
一般に光サイリスタは、ゲート信号として電流
パルスを用いる代わりに光を照射してターンオン
させるものでLASCRとして知られている。この
種サイリスタでは、外部からのゲート信号による
点弧感度を上げるため、さらには光点弧感度と
dv／dt耐量の協調をとるために光サイリスタの
受光部により多くの光量を供給することが望まれ
ている。
パルスを用いる代わりに光を照射してターンオン
させるものでLASCRとして知られている。この
種サイリスタでは、外部からのゲート信号による
点弧感度を上げるため、さらには光点弧感度と
dv／dt耐量の協調をとるために光サイリスタの
受光部により多くの光量を供給することが望まれ
ている。
そのために、従来は、光を受光部に導くための
光フアイバをクラツド構造にして透過光を減少さ
せたり、あるいは光フアイバの先端を細くして光
密度を高めたりしていた。また、光サイリスタの
側に対しては、光サイリスタの受光部に溝を形成
し、空乏層への光到達量を増加させるようにした
り、あるいはSiOなどからなる反射防止膜を形成
することが試みられていた。ところが、これら従
来の受光装置によつては十分な光量を確保するこ
とが難しかつた。
光フアイバをクラツド構造にして透過光を減少さ
せたり、あるいは光フアイバの先端を細くして光
密度を高めたりしていた。また、光サイリスタの
側に対しては、光サイリスタの受光部に溝を形成
し、空乏層への光到達量を増加させるようにした
り、あるいはSiOなどからなる反射防止膜を形成
することが試みられていた。ところが、これら従
来の受光装置によつては十分な光量を確保するこ
とが難しかつた。
しかして、dv／dt耐量を上げるためには、受
光部の面積をできるだけ小さくすることが望まれ
るが、上述した従来の受光装置によつては受光部
面積以外の部分にも光が照射されてしまいこの光
が無駄となつていた。そして、従来は多くの光を
取入れるために受光部を定格dv／dt耐量に許さ
れるぎりぎりの面積まで広げる傾向があり、その
結果、設計上の余裕がなく歩留りを低下させる要
因となつていた。
光部の面積をできるだけ小さくすることが望まれ
るが、上述した従来の受光装置によつては受光部
面積以外の部分にも光が照射されてしまいこの光
が無駄となつていた。そして、従来は多くの光を
取入れるために受光部を定格dv／dt耐量に許さ
れるぎりぎりの面積まで広げる傾向があり、その
結果、設計上の余裕がなく歩留りを低下させる要
因となつていた。
そこで、本考案の目的は、受光部面積よりも広
い範囲に照射された光を集光して集光効率を高め
られるようにした光サイリスタの受光装置を提供
することにある。
い範囲に照射された光を集光して集光効率を高め
られるようにした光サイリスタの受光装置を提供
することにある。
本考案によれば、上記目的は、光サイリスタの
ゲート部に受光孔を形成し、この受光孔の開口縁
にその内径よりも大きな直径を有する球形レンズ
を装着し、この球形レンズの上方に光ガイドを配
置したことを特徴としている。
ゲート部に受光孔を形成し、この受光孔の開口縁
にその内径よりも大きな直径を有する球形レンズ
を装着し、この球形レンズの上方に光ガイドを配
置したことを特徴としている。
以下本考案による光サイリスタの受光装置の一
実施例を図面に参照して説明する。
実施例を図面に参照して説明する。
図において、符号１は光サイリスタを示し、こ
の光サイリスタ１は、Ｐ形のベース領域PBとＮ
形のベース領域NBとのPN接合を有し、さらにＰ
形のベース領域PBの上にはＮ形のエミツタ領域
NEが接合される一方、Ｎ形のベース領域NBには
Ｐ形のエミツタ領域PEが接合されている。
の光サイリスタ１は、Ｐ形のベース領域PBとＮ
形のベース領域NBとのPN接合を有し、さらにＰ
形のベース領域PBの上にはＮ形のエミツタ領域
NEが接合される一方、Ｎ形のベース領域NBには
Ｐ形のエミツタ領域PEが接合されている。
しかして、Ｎ形のエミツタ領域NEの上にはカ
ソード電極２が形成されると共にＰ形のエミツタ
領域PE側にはアノード電極３が形成されている。
ソード電極２が形成されると共にＰ形のエミツタ
領域PE側にはアノード電極３が形成されている。
また、上記カソード電極２の側には、受光孔５
が形成されており、この受光孔５はＮ形のエミツ
タ領域NEおよびＰ形のベース領域PBにかけて形
成された円形のくぼみ穴である。この受光孔５の
底部および円周壁には反射防止膜６が形成されて
いる。
が形成されており、この受光孔５はＮ形のエミツ
タ領域NEおよびＰ形のベース領域PBにかけて形
成された円形のくぼみ穴である。この受光孔５の
底部および円周壁には反射防止膜６が形成されて
いる。
さらに、上記受光孔５の開口縁には、球形レン
ズ７が装着されており、この球形レンズ７は、透
明な樹脂で作られ、その外径は受光孔５の孔径よ
りも若干大きく、実験によれば、受光孔の内径の
2.5倍以下が特に効果がある。
ズ７が装着されており、この球形レンズ７は、透
明な樹脂で作られ、その外径は受光孔５の孔径よ
りも若干大きく、実験によれば、受光孔の内径の
2.5倍以下が特に効果がある。
さらに、この球形レンズ７の上方には、光ガイ
ド８がその先端を球形レンズ７にのぞませて配置
されている。この光ガイド８は、光フアイバで構
成すればよい。
ド８がその先端を球形レンズ７にのぞませて配置
されている。この光ガイド８は、光フアイバで構
成すればよい。
以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば、光サイリスタの受光孔にそれよりも少し大き
い直径を有する球形レンズを装着したから、光ガ
イドを通して伝送されたゲート信号光は球形レン
ズによつて集束され、小さい領域に光を集めるこ
とができ、その結果、受光部面積を従来よりも小
さくしてdv／dt耐量を上げることができる。
ば、光サイリスタの受光孔にそれよりも少し大き
い直径を有する球形レンズを装着したから、光ガ
イドを通して伝送されたゲート信号光は球形レン
ズによつて集束され、小さい領域に光を集めるこ
とができ、その結果、受光部面積を従来よりも小
さくしてdv／dt耐量を上げることができる。
図は本考案による光サイリスタの受光装置の一
実施例を示した縦断面図である。 １……光サイリスタ、２……カソード電極、３
……アノード電極、５……受光孔、６……反射防
止膜、７……球形レンズ。
実施例を示した縦断面図である。 １……光サイリスタ、２……カソード電極、３
……アノード電極、５……受光孔、６……反射防
止膜、７……球形レンズ。
Claims (1)
- 光サイリスタのゲート部に受光孔を形成し、こ
の受光孔の開口縁に球形レンズを装着し、この球
形レンズの上方に光ガイドを配置した光サイリス
タの受光装置において、前記球形レンズが前記開
口縁の内径よりも大きな直径を有するものである
ことを特徴とする光サイリスタの受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981074453U JPH0126112Y2 (ja) | 1981-05-22 | 1981-05-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981074453U JPH0126112Y2 (ja) | 1981-05-22 | 1981-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188363U JPS57188363U (ja) | 1982-11-30 |
| JPH0126112Y2 true JPH0126112Y2 (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=29870226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981074453U Expired JPH0126112Y2 (ja) | 1981-05-22 | 1981-05-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0126112Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5918876B2 (ja) * | 1973-04-13 | 1984-05-01 | 株式会社日立製作所 | 光点弧半導体装置 |
| JPS5561076A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | Toshiba Corp | Light-driven semiconductor device |
| JPS5585081A (en) * | 1978-12-21 | 1980-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | Thyrister ignited by light |
-
1981
- 1981-05-22 JP JP1981074453U patent/JPH0126112Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188363U (ja) | 1982-11-30 |
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