JPH01263268A - スパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPH01263268A JPH01263268A JP9100188A JP9100188A JPH01263268A JP H01263268 A JPH01263268 A JP H01263268A JP 9100188 A JP9100188 A JP 9100188A JP 9100188 A JP9100188 A JP 9100188A JP H01263268 A JPH01263268 A JP H01263268A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- alloy
- composition
- foamed
- prepared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はスパッタリング用ターゲットの製造方法に関す
る。
る。
（従来の技術）
希土類−遷移金属系光磁気記録膜を作成する、スパッタ
リング用ターゲットは、その製造法により、鋳造ターゲ
ット、焼結ターゲット、半溶融ターゲットなどに分類さ
れる。ここで言う、鋳造ターゲットとは、所定の組成を
完全に溶解し鋳造した鋳塊を外形加工したものであり、
焼結ターゲットとは、前記の鋳塊を粉砕し焼結にて所定
の形状にしたものである。半溶融ターゲットとは、特開
昭 ６１−９９６４０に示すものである。
リング用ターゲットは、その製造法により、鋳造ターゲ
ット、焼結ターゲット、半溶融ターゲットなどに分類さ
れる。ここで言う、鋳造ターゲットとは、所定の組成を
完全に溶解し鋳造した鋳塊を外形加工したものであり、
焼結ターゲットとは、前記の鋳塊を粉砕し焼結にて所定
の形状にしたものである。半溶融ターゲットとは、特開
昭 ６１−９９６４０に示すものである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら前述の焼結ターゲットは、本質的に酸素量
を多く含み（２０００ｐβｍが限界）、酸化され易い希
土類−遷移金属には適していない。
を多く含み（２０００ｐβｍが限界）、酸化され易い希
土類−遷移金属には適していない。
一方鋳造法は含有酸素量も少なく （５００ｐｐｍ程度
）好ましいが、成膜面内にて組成分布が生じると言う問
題点を有する。
）好ましいが、成膜面内にて組成分布が生じると言う問
題点を有する。
また半溶融法で作成したターゲットは基盤面内で組成分
布が生じにくいという特徴があるが、半溶融法も基本的
には焼結による方法であるため金属組織は密な状態にな
っておらず表面積が大きいため、大気中に放置された場
合はターゲット表面層が酸化され易く予備スパッタリン
グでは表面層がクリーニングできないほど酸化層が厚く
なってしまう。
布が生じにくいという特徴があるが、半溶融法も基本的
には焼結による方法であるため金属組織は密な状態にな
っておらず表面積が大きいため、大気中に放置された場
合はターゲット表面層が酸化され易く予備スパッタリン
グでは表面層がクリーニングできないほど酸化層が厚く
なってしまう。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、その
目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットが持つ成
膜面内で組成分布が生じると言う欠点を克服する希土類
遷移金属系ターゲットを提供するところにある。
目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットが持つ成
膜面内で組成分布が生じると言う欠点を克服する希土類
遷移金属系ターゲットを提供するところにある。
（課題を解決するための手段）
そこで本発明は、この様な間ｕ点を解決するもので
（１）希土類金属をＲＥ、遷移金属をＴＭで表わしたと
き、 組成の原子比が ＲＥｘＴＭ＋−ｘ （０，３３＜ｘ＜１） なる合金を前記合金を融点以上に加熱し発泡状ＴＭに溶
浸することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
製造方法。
き、 組成の原子比が ＲＥｘＴＭ＋−ｘ （０，３３＜ｘ＜１） なる合金を前記合金を融点以上に加熱し発泡状ＴＭに溶
浸することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
製造方法。
（２）前項記載希土類金属（ＲＥ）の主たる組成が、
Ｎｄ、 Ｃｅ、 Ｐｒ＋ Ｓｍ、 Ｇｄ、
Ｔｂ。
Ｎｄ、 Ｃｅ、 Ｐｒ＋ Ｓｍ、 Ｇｄ、
Ｔｂ。
Ｄｙのうち少なくとも１種以上の重希土類金属を含み、
遷移金属（ＴＭ）の主たる組成がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのう
ち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲットの製造
方法。
遷移金属（ＴＭ）の主たる組成がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのう
ち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲットの製造
方法。
（作用）
従来より実験上で用いられているＴＭツタ−ゲット上Ｒ
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲヅト方式の場合、
基盤面内の組成分布は完全溶融の鋳造合金ターゲットの
それとは逆の傾向を示す。
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲヅト方式の場合、
基盤面内の組成分布は完全溶融の鋳造合金ターゲットの
それとは逆の傾向を示す。
つまり複合ターゲットの場合は、ターゲットの直上にな
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
一方鋳造合金ターゲットのそれは、ターゲットの直上に
なるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
なるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
このことからターゲットの金属組織に出現している金属
相によりＲＥとＴＭのスパッタ粒子の飛び方に違いがあ
ることがわかる。
相によりＲＥとＴＭのスパッタ粒子の飛び方に違いがあ
ることがわかる。
従ってターゲット金属組織中にＲＥ、ＴＭ単相およびＲ
Ｅ−ＴＭ合金相を適度な割合で出現させ混在させること
により、基盤面内で組成分布のない均一な成膜が可能と
なる。
Ｅ−ＴＭ合金相を適度な割合で出現させ混在させること
により、基盤面内で組成分布のない均一な成膜が可能と
なる。
本発明の製造法により作成したターゲットは、ＲＥ、Ｔ
Ｍ単相及びＲＥとＴＭの合金相が適度な割合で出現して
いる。
Ｍ単相及びＲＥとＴＭの合金相が適度な割合で出現して
いる。
（実施例）
（実施例１）
実施例により本発明の効果を述べる。まず原料として組
成の原子比がＴ ｂ ？２Ｆ ８２８．２ＣＯ１，１１
なる合金を作成する。またＦ ｅ ９１８ＣＯａ、ａな
る組成の発泡状ＴＭを準備する。発泡状ＴＭとは例えば
「工業材料、１９８７年１０月号」等にみられるような
、骨格が海面状の高い空孔率を持った金属多孔体である
。
成の原子比がＴ ｂ ？２Ｆ ８２８．２ＣＯ１，１１
なる合金を作成する。またＦ ｅ ９１８ＣＯａ、ａな
る組成の発泡状ＴＭを準備する。発泡状ＴＭとは例えば
「工業材料、１９８７年１０月号」等にみられるような
、骨格が海面状の高い空孔率を持った金属多孔体である
。
次に上記合金と粉末を原子比で、合金が３０゜６、発泡
ＴＭが６９．４となるように用意する。
ＴＭが６９．４となるように用意する。
また、発泡ＴＭの空孔中に合金が過不足なく溶浸すべく
適度な空孔率を有するように、発泡ＴＭをプレスし、形
を出来上りのターゲットに近い形に切断する。
適度な空孔率を有するように、発泡ＴＭをプレスし、形
を出来上りのターゲットに近い形に切断する。
この様に用意した合金と発泡ＴＭを入れた坩堝を真空雰
囲気中にて約１０００°Ｃにて加熱する。
囲気中にて約１０００°Ｃにて加熱する。
Ｔ ｂ ？２Ｆ ｅ ２６．２ＣＯ＋、＠合金は融点が
低いため約８５０℃以上になると溶解し発泡状のＦ ｅ
ｓ３．ａＣＯｓ４に溶浸透する。
低いため約８５０℃以上になると溶解し発泡状のＦ ｅ
ｓ３．ａＣＯｓ４に溶浸透する。
このようにしてできた鋳ぐるみ合金の金属組織の模式図
第１図に示す。組織中には遷移金属（Ｆｅ ９３．８Ｃ
Ｏａ、４） の単独犯１０１、希土類金属（Ｔｂ）の
単独犯１０２、遷移金属と希土類金属の合金相１０３が
混在する。
第１図に示す。組織中には遷移金属（Ｆｅ ９３．８Ｃ
Ｏａ、４） の単独犯１０１、希土類金属（Ｔｂ）の
単独犯１０２、遷移金属と希土類金属の合金相１０３が
混在する。
このＴｂＦｅＣｏインゴットを外形加工し作成したター
ゲットを第２図に示すようなスパッタリング装置に装着
、成膜し、その磁気特性及び組成分布を調べてみた。第
２図中２０１がスパッタリングターゲットであり２０２
が基盤ホルダー（３００Φ）である。成膜条件は、Ａｒ
圧２・ ５ｍＴｏｒｒ、初期真空度３ｘｌＯ−７Ｔｏｒ
ｒ、投入電力はＤＣ電源を用い１．ＯＡ、３４０Ｖで行
なった。第三図に本発明ターゲットを用いた基板内組成
分布及び磁気特性分布図である。この図に示すように組
成は、ＲＥが２２．０−２２．５ａｔ％で均一であり、
磁気特性もＨｅが１４． ７−１５゜５ｋＯｅで均一で
ある。基板ホルダー内に殆どと言って良い程均−な膜が
成膜できている。またこのターゲットは希土類金属をイ
ンゴットの形で供給し粉末としないため含有酸素量は少
なく６００ｐｐｍであった。
ゲットを第２図に示すようなスパッタリング装置に装着
、成膜し、その磁気特性及び組成分布を調べてみた。第
２図中２０１がスパッタリングターゲットであり２０２
が基盤ホルダー（３００Φ）である。成膜条件は、Ａｒ
圧２・ ５ｍＴｏｒｒ、初期真空度３ｘｌＯ−７Ｔｏｒ
ｒ、投入電力はＤＣ電源を用い１．ＯＡ、３４０Ｖで行
なった。第三図に本発明ターゲットを用いた基板内組成
分布及び磁気特性分布図である。この図に示すように組
成は、ＲＥが２２．０−２２．５ａｔ％で均一であり、
磁気特性もＨｅが１４． ７−１５゜５ｋＯｅで均一で
ある。基板ホルダー内に殆どと言って良い程均−な膜が
成膜できている。またこのターゲットは希土類金属をイ
ンゴットの形で供給し粉末としないため含有酸素量は少
なく６００ｐｐｍであった。
（比較例１）
一方、比較のために従来の方法でＴｂＦｅＣ。
ターゲットを作成した。まずＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏ金属原料
をＴ ｂ２２Ｆ ６！？３ＣＯ５となるように坩堝中に
て溶解して、そして鋳型に注湯鋳造した。この様にして
作成した鋳塊を切断研磨して直径４インチ厚さ６ｍｍの
寸法のターゲットに作成した。第４図にこの従来の製造
方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた基
盤ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。この
図に示すように組成はＲＥが２２．８−１９．’８ａｔ
％で基盤ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホル
ダー外周へ行くほどＲＥが少なくなっている。また磁気
特性もＨｃが１ｌ−１７ｋＯｅとホルダー中心へ行くほ
どＨｅが大きくなっている。これは組成分布と一致する
。つまり従来の方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲ
ットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金属）がとび
やすく、横方向はどＲＥがとびやすい特性を示し、基盤
ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
をＴ ｂ２２Ｆ ６！？３ＣＯ５となるように坩堝中に
て溶解して、そして鋳型に注湯鋳造した。この様にして
作成した鋳塊を切断研磨して直径４インチ厚さ６ｍｍの
寸法のターゲットに作成した。第４図にこの従来の製造
方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた基
盤ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。この
図に示すように組成はＲＥが２２．８−１９．’８ａｔ
％で基盤ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホル
ダー外周へ行くほどＲＥが少なくなっている。また磁気
特性もＨｃが１ｌ−１７ｋＯｅとホルダー中心へ行くほ
どＨｅが大きくなっている。これは組成分布と一致する
。つまり従来の方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲ
ットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金属）がとび
やすく、横方向はどＲＥがとびやすい特性を示し、基盤
ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
（実施例２）
次に原料として組成の原子比がＤ ｙ７２Ｆ ｅ ２ａ
、ｇＣｏ ＋、＠なる合金を作成する。Ｆ ｊｆ３ ｓ
ａ、ｅｃ Ｏａ、ａ発泡体を用意する。
、ｇＣｏ ＋、＠なる合金を作成する。Ｆ ｊｆ３ ｓ
ａ、ｅｃ Ｏａ、ａ発泡体を用意する。
次に上記合金と発泡体を原子比で、合金が３０゜６、発
泡体が６９．４となるように用意して、前記（実施例１
）に記した様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
泡体が６９．４となるように用意して、前記（実施例１
）に記した様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
この様に用意した合金と発泡ＴＭを入れた坩堝を真空雰
囲気中にて加熱する。
囲気中にて加熱する。
Ｄ ’！ ？２Ｆ ｅ ２８．２ＣＯ＋、ｓ合金、は融
点が低いため約９００℃以上になると溶解しＦ ｅ ｓ
ｚ、ａｃ Ｏ６，４発泡体に溶浸する。
点が低いため約９００℃以上になると溶解しＦ ｅ ｓ
ｚ、ａｃ Ｏ６，４発泡体に溶浸する。
このＤｙＦｅＣｏインゴットをスパッタリングターゲッ
トとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板ホルダ
ー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが
２２．０−２２．５ａｔ％であり均一であり、磁気特性
もＨｅが１２．０−１３．０ｋＯｅで均一であった。含
有酸素量は６１１ｐｐｍであった。
トとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板ホルダ
ー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが
２２．０−２２．５ａｔ％であり均一であり、磁気特性
もＨｅが１２．０−１３．０ｋＯｅで均一であった。含
有酸素量は６１１ｐｐｍであった。
（比較例２）
一方、比較のために従来の方法でＤｙＦｅＣ。
ターゲットを作成した。まずＤｙ、Ｆｅ、Ｃｏ金属原料
をＤ ｙ２２Ｆｅ７３ｃＯ５となるように坩堝中にて溶
解して、そして鋳型に注湯鋳造した。この様にして作成
した鋳塊を切断研磨して直径４インチ厚さ６ｍｍの寸法
のターゲットに作成した。
をＤ ｙ２２Ｆｅ７３ｃＯ５となるように坩堝中にて溶
解して、そして鋳型に注湯鋳造した。この様にして作成
した鋳塊を切断研磨して直径４インチ厚さ６ｍｍの寸法
のターゲットに作成した。
このＤｙＦｅＣｏインゴットをスパッタリングターゲッ
トとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板ホルダ
ー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが
２２．９１９．５ａｔ％で基盤ホルダー中心へいくほど
ＲＥが多く、逆にホルダー外周へ行くほどＲＥが少なく
なっている。
トとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板ホルダ
ー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが
２２．９１９．５ａｔ％で基盤ホルダー中心へいくほど
ＲＥが多く、逆にホルダー外周へ行くほどＲＥが少なく
なっている。
また磁気特性もＨｃが７−１８に前記（実施令１）に記
した様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
した様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
この様に用意した合金と発泡ＴＭを入れた坩堝を真空雰
囲気中にて加熱する。Ｏｅとホルダー中心へ行くほどＨ
ｃが大きくなっている。
囲気中にて加熱する。Ｏｅとホルダー中心へ行くほどＨ
ｃが大きくなっている。
（実施例３）
次に原料として組成の原子比がＴ ｂ ３８Ｇ ｄ ３
６Ｆｅ ２６．２ＣＯ＋、ｅなる合金を作成する。また
組成がＦ ｅ ９３．６ＣＯａ□４なる発泡体を用意す
る。
６Ｆｅ ２６．２ＣＯ＋、ｅなる合金を作成する。また
組成がＦ ｅ ９３．６ＣＯａ□４なる発泡体を用意す
る。
次に上記合金と発泡体を原子比で、合金が３０発泡体が
７０となるように用意して、前記（実施令１）に記した
様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
７０となるように用意して、前記（実施令１）に記した
様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
この様に用意した合金と発泡ＴＭを入れた坩堝を真空雰
囲気中にて約１０００°Ｃにて加熱する。
囲気中にて約１０００°Ｃにて加熱する。
Ｔ ｂ ３６Ｇ ｄ ３６Ｆ ｅ ２８．２ＣＯ１，１
１合金は、約９００°Ｃ以上になると溶解しＦ ｅ ９
３．６ＣＯｅ、ａ発泡体に溶浸する。
１合金は、約９００°Ｃ以上になると溶解しＦ ｅ ９
３．６ＣＯｅ、ａ発泡体に溶浸する。
このＴｂＧｄＦｅＣｏインゴットをスパッタ【ノンゲタ
−ゲットとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板
ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、
ＲＥが２２． ０−２２． ５ａｔ％であり均一であり
、磁気特性もＨｃが１２゜０−１３．０ｋＯｅで均一で
あった。含有酸素量は少な（６０１ｐｐｍである。
−ゲットとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板
ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、
ＲＥが２２． ０−２２． ５ａｔ％であり均一であり
、磁気特性もＨｃが１２゜０−１３．０ｋＯｅで均一で
あった。含有酸素量は少な（６０１ｐｐｍである。
（実施例４）
次に原料として組成の原子比がＮ ｄ ＋ｅ、＋Ｄ ’
！５ａ３Ｆ ｅ ２３．ＴＣＯｓ、９なる合金を作成す
る。また組成がＦｅ５ａＣＯｚｓなる発泡体を用意する
。
！５ａ３Ｆ ｅ ２３．ＴＣＯｓ、９なる合金を作成す
る。また組成がＦｅ５ａＣＯｚｓなる発泡体を用意する
。
次に上記合金と発泡体を重量比も、合金が４０発泡体が
６０となるように用意して、前記（実施令１）に記した
様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
６０となるように用意して、前記（実施令１）に記した
様な処理を施した後、坩堝中に充填する。
このＦ炙に用意した合金と発泡ＴＭを入れた坩堝を真空
雰囲気中にて約９５０℃にて加熱する。
雰囲気中にて約９５０℃にて加熱する。
Ｎ ｄ ＋ｅ、＋Ｄ ５１５ａ、３Ｆ ｅ２３．ｖｃ
０５．９なる合金は、約８５０℃以上になると溶解しＦ
ｅｓの００２６発泡体に溶浸する。
０５．９なる合金は、約８５０℃以上になると溶解しＦ
ｅｓの００２６発泡体に溶浸する。
このＮｄＤｙＦｅＣｏインゴットをスパッタリングター
ゲットとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板ホ
ルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、Ｒ
Ｅが２８．０〜２８．５ａ七％であり均一であり、磁気
特性もＨｅが９．７〜１０．５ｋＯｅて均一であった。
ゲットとし実施例１と同じ成膜装置成膜方法で、基板ホ
ルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、Ｒ
Ｅが２８．０〜２８．５ａ七％であり均一であり、磁気
特性もＨｅが９．７〜１０．５ｋＯｅて均一であった。
含有酸素量は少なく６２０ｐｐｍである。
本発明に於て、ＲＥとＴＭの合金の組成の原子比を
ＲＥｘＴＭ＋−ｘ
（０，３３＜ｘ＜１）
に設定したのは、合金の組成がこの範囲内にないと第り
図に示したようなＲＥ、ＴＭ、ＲＥとＴＭの合金相が同
時に出現しないからである。
図に示したようなＲＥ、ＴＭ、ＲＥとＴＭの合金相が同
時に出現しないからである。
これら実施例’１． ２． ３．４に示した組成系以外
に、 ＳｍＤｙＦｅＣｏ、 ＰｒＤｙＦｅＣｏ。
に、 ＳｍＤｙＦｅＣｏ、 ＰｒＤｙＦｅＣｏ。
ＮＰｒＤｙＦｅＣｏ、 ＴｂＤｙＦｅＣｏ、 Ｄｙ
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ等の組成系についても本発
明の効果が存在することを確認した。
ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ等の組成系についても本発
明の効果が存在することを確認した。
また、上記元素以外に添加物、不純物としてＴｉ、
Ａ１． Ｓｉ、 Ｃｒ、 Ｚｒ、 Ｖ、 Ｍ
ｎ、 Ｃａ等がＲＥ−ＴＭ金合金あるいは発泡ＴＭに
含まれても本発明の効果が存在する。
Ａ１． Ｓｉ、 Ｃｒ、 Ｚｒ、 Ｖ、 Ｍ
ｎ、 Ｃａ等がＲＥ−ＴＭ金合金あるいは発泡ＴＭに
含まれても本発明の効果が存在する。
上述実施台においてはいずれも出発物質を同じ坩堝に入
れているが、ＲＥ−ＴＭ金合金けを坩堝中にて溶解し、
別の容器の中にいれた発泡状ＴＭに注ぎ溶浸する方法で
も同様に作成できる。
れているが、ＲＥ−ＴＭ金合金けを坩堝中にて溶解し、
別の容器の中にいれた発泡状ＴＭに注ぎ溶浸する方法で
も同様に作成できる。
（発明の効果）
このように本発明を用いれば、ターゲット中の酸素量が
少ないという鋳造合金の特性を保ったまま成膜面内で組
成分布ができないという効果を有するターゲットを製作
できる。
少ないという鋳造合金の特性を保ったまま成膜面内で組
成分布ができないという効果を有するターゲットを製作
できる。
発泡ＴＭはプレス等による圧縮処理が簡単に施すことが
でき、空孔率が容易に変更出来るので、溶浸した金属組
織中のＴＭ、ＲＥ、ＴＭ−ＲＥ金合金比の制御が容易と
なった また、発泡ＴＭは、ターゲットインゴット全体に骨組み
を形成し、ターゲットインゴットは靭性が向上する。こ
のため、鋳造合金に比して加工扱いが容易になった。
でき、空孔率が容易に変更出来るので、溶浸した金属組
織中のＴＭ、ＲＥ、ＴＭ−ＲＥ金合金比の制御が容易と
なった また、発泡ＴＭは、ターゲットインゴット全体に骨組み
を形成し、ターゲットインゴットは靭性が向上する。こ
のため、鋳造合金に比して加工扱いが容易になった。
第１図は本発明ターゲットの表面組織の模式図。
第２図はスパッタリング装置の概略図。
第３図は本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成
分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳雅誉（他１名） 第２図
分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳雅誉（他１名） 第２図
Claims (2)
- （１）希土類金属をＲＥ、遷移金属をＴＭで表わしたと
き、 組成の原子比が ＲＥ＿ｘＴＭ＿１＿−＿ｘ （０．３３＜ｘ＜１） なる合金を前記合金の融点以上に加熱し発泡状ＴＭに溶
浸することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
製造方法。 - （２）前項記載希土類金属（ＲＥ）の主たる組成が、Ｎ
ｄ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少なく
とも１種以上の希土類金属を含み、遷移金属（ＴＭ）の
主たる組成がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも１種以
上を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
スパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100188A JPH01263268A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
| DE3885690T DE3885690T2 (de) | 1987-09-17 | 1988-09-14 | Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubungstargets zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums. |
| EP88308503A EP0308201B1 (en) | 1987-09-17 | 1988-09-14 | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium |
| KR1019880011970A KR930007159B1 (ko) | 1987-09-17 | 1988-09-16 | 광자기 기록매체, 스파터링용 타게트 및 스파터링용 타게트의 제조방법 |
| CN88106744A CN1033654A (zh) | 1987-09-17 | 1988-09-17 | 光磁记录介质、溅射用靶及溅射用靶的制造方法 |
| HK130197A HK130197A (en) | 1987-09-17 | 1997-06-26 | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100188A JPH01263268A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263268A true JPH01263268A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=14014265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9100188A Pending JPH01263268A (ja) | 1987-09-17 | 1988-04-13 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01263268A (ja) |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP9100188A patent/JPH01263268A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0768612B2 (ja) | 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 | |
| US4824481A (en) | Sputtering targets for magneto-optic films and a method for making | |
| JPH0617524B2 (ja) | マグネシウム―チタン系焼結合金およびその製造方法 | |
| EP0308201B1 (en) | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium | |
| US4915737A (en) | Alloy target for manufacturing a magneto-optical recording medium | |
| JPS6393841A (ja) | 希土類永久磁石合金用組成物 | |
| JPH01263268A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JP2597380B2 (ja) | 希土類金属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法 | |
| JP2692139B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPH036218B2 (ja) | ||
| JP2586562B2 (ja) | スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| US5193605A (en) | Techniques for preparation of ingot metallurgical discontinuous composites | |
| JPH01156470A (ja) | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 | |
| JP2002226970A (ja) | Ｃｏ系ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2894695B2 (ja) | 希土類金属−鉄族金属ターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH01198470A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JPH0196381A (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JPH01156468A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JPH03219074A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JPH0791637B2 (ja) | スパッタリング用合金ターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0518899B2 (ja) | ||
| JPH0297669A (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JPH01156469A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JPH0261061A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法 | |
| JPS62205556A (ja) | 光磁気記録媒体形成用Ｔｂ―Ｆｅ系焼結スパッタリングターゲット材 |