JPH0196381A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの組か及び組成に関する。
トの組か及び組成に関する。
希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは従来より鋳造法、炉詰法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳、込んだ鋳塊をその
まま外径加工にてターゲットにするものであり、焼結法
とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲット形
状とするものである。又、半溶融法とは特開昭６ｌ−９
９Ｅｔ４０に示すものである。
グ用ターゲットは従来より鋳造法、炉詰法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳、込んだ鋳塊をその
まま外径加工にてターゲットにするものであり、焼結法
とは一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲット形
状とするものである。又、半溶融法とは特開昭６ｌ−９
９Ｅｔ４０に示すものである。
しかしながら前述の焼結法は、本質的に酸素量を多く含
み（２０００ＰＰｍが限界）、酸化され易い希土類遷移
金属系には適していない。一方、鋳造法は酸素量も少な
く （５００ｐＰｍ程１ｔ）好ましいが、成膜面内で組
成分布が生じるという問題点を存する。
み（２０００ＰＰｍが限界）、酸化され易い希土類遷移
金属系には適していない。一方、鋳造法は酸素量も少な
く （５００ｐＰｍ程１ｔ）好ましいが、成膜面内で組
成分布が生じるという問題点を存する。
又、半溶融法で作成したターゲットは基板面内で組成分
布が生じにくい七いう特長があるが、半溶融法も基本的
には焼結による製造であるため、ターゲットは完全な密
状聾となっておらず、大気中に放置された場合はターゲ
ットの表面層が酸化されてしまい、予備スパッタリング
では表面層をクリーニングできないほどの酸化層となっ
てしまう。
布が生じにくい七いう特長があるが、半溶融法も基本的
には焼結による製造であるため、ターゲットは完全な密
状聾となっておらず、大気中に放置された場合はターゲ
ットの表面層が酸化されてしまい、予備スパッタリング
では表面層をクリーニングできないほどの酸化層となっ
てしまう。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするととろは従来の鋳造合金ターゲットがも
つ成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さ
らに半溶融法、焼結法ターゲットのもつ酸化されやすい
という欠点を克服する希土類遷移金属ターゲットを提供
するところにある。
その目的とするととろは従来の鋳造合金ターゲットがも
つ成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さ
らに半溶融法、焼結法ターゲットのもつ酸化されやすい
という欠点を克服する希土類遷移金属ターゲットを提供
するところにある。
希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパッタリ
ングにて製造する鋳造合金ターゲットに勿いて、鋳造合
金ターゲット中の金属組織が、希土類金属単体相と遷移
金属単体相と希土順遷移金属合金相からなることを特徴
とする。
ングにて製造する鋳造合金ターゲットに勿いて、鋳造合
金ターゲット中の金属組織が、希土類金属単体相と遷移
金属単体相と希土順遷移金属合金相からなることを特徴
とする。
従来より実験室で用いられているＴＭツタ−ゲット上Ｒ
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲット方式の場合、
基板面内の組成分布は、鋳造合金ターゲットのそれとは
逆の傾向を示す。
Ｅチップを配して成膜する複合ターゲット方式の場合、
基板面内の組成分布は、鋳造合金ターゲットのそれとは
逆の傾向を示す。
つまり、複合ターゲットの場合はターゲットの直上にな
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
るほどＲＥが多く側面はどＴＭが多い。
一方、鋳造合金ターゲットのそれは、ターゲットの直上
になるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
になるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。
丁度、鋳造合金ターゲットと複合ターゲットではＲＥと
ＴＭのスパッタ粒子の飛び方に、相補関係があることが
わかる。つまり、ＲＥ単体層と、Ｔ Ｍ単体相とＲＥ
−Ｔ Ｍ合金相を適当に混在させたターゲットができれ
ば、基板面内で組成分布のない均一な成膜が可能となる
。
ＴＭのスパッタ粒子の飛び方に、相補関係があることが
わかる。つまり、ＲＥ単体層と、Ｔ Ｍ単体相とＲＥ
−Ｔ Ｍ合金相を適当に混在させたターゲットができれ
ば、基板面内で組成分布のない均一な成膜が可能となる
。
〔実施例１〕
まず原料として、平均粒径が３００μｍ程度のＴｂ粉末
を作り、Ｆｅ＊５Ｃｏｖａｔ％となるＦｅＣｏ鋳塊を平
均粒径が１５０８℃程度になる様に粉砕し、ＦｅＣｏ粒
末を作る。
を作り、Ｆｅ＊５Ｃｏｖａｔ％となるＦｅＣｏ鋳塊を平
均粒径が１５０８℃程度になる様に粉砕し、ＦｅＣｏ粒
末を作る。
次にＴｂｙ ＊ Ｆ ｅｙ ｓ ＣＯｓ ａ ｔ％とな
る様に真空中でルツボ中に投入し、１６５０°Ｃまで一
度温度を上げ完全に溶解させ、その後１３８０°Ｃまで
下げる。そしてこのＴｂＦｅＣｏ溶湯合金に、上記のＴ
ｂ粉末とＦｅＣｏ粒末をルツボ中に投入した。Ｔｂは融
点が１４５０℃であり、Ｆｅｃ。
る様に真空中でルツボ中に投入し、１６５０°Ｃまで一
度温度を上げ完全に溶解させ、その後１３８０°Ｃまで
下げる。そしてこのＴｂＦｅＣｏ溶湯合金に、上記のＴ
ｂ粉末とＦｅＣｏ粒末をルツボ中に投入した。Ｔｂは融
点が１４５０℃であり、Ｆｅｃ。
は１５３０℃であるため１３８０°Ｃの湯中では溶解し
ないので、Ｔｂ、ＦｅＣｏ粒末のままで存在することに
なる。そしてこれらＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ、ＦｅＣｏｆＡ
は次の様な割合になっている。
ないので、Ｔｂ、ＦｅＣｏ粒末のままで存在することに
なる。そしてこれらＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ、ＦｅＣｏｆＡ
は次の様な割合になっている。
（ＴｂＦｅＣｏ）Ａ （Ｔｂｃ （ＦｅＣｏ）ｏ ）
ＢＡ：Ｂ＝２５ニア５ｗｔ％ Ｃ：Ｄ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＴｂＦｅＣｏ）−Ｔｂ−（ＦｅＣ
ｏ）溶湯を鋳型に鋳込み、その後出来上がった鋳造合金
を加工し、４＃φｘｅｔのスパッタリングターゲットを
作成した。こうして、できあがったターゲットの表面組
織の模式図を第１図に示す。１の相はＴｂＦｅＣｏａｔ
％組成相であり、この相はＦｅ＊５Ｃｏｔａｔ％組成相
で、３はＴｂの組成相である。つまりＴｂのＲＥ単体相
と、Ｆ ｅ ＣｏのＴＭ単体相と、ＴｂＦｅＣｏのＲＥ
−ＴＭの３相からなっていることがわかる。
ＢＡ：Ｂ＝２５ニア５ｗｔ％ Ｃ：Ｄ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＴｂＦｅＣｏ）−Ｔｂ−（ＦｅＣ
ｏ）溶湯を鋳型に鋳込み、その後出来上がった鋳造合金
を加工し、４＃φｘｅｔのスパッタリングターゲットを
作成した。こうして、できあがったターゲットの表面組
織の模式図を第１図に示す。１の相はＴｂＦｅＣｏａｔ
％組成相であり、この相はＦｅ＊５Ｃｏｔａｔ％組成相
で、３はＴｂの組成相である。つまりＴｂのＲＥ単体相
と、Ｆ ｅ ＣｏのＴＭ単体相と、ＴｂＦｅＣｏのＲＥ
−ＴＭの３相からなっていることがわかる。
このＴｂＦｅＣｏターゲットを第２図に示ず様なスバフ
クリング装置に装着、成膜し、その磁気特性及び組成分
布を調べてみた。第２図の２１がスパッタリングターゲ
ットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）である。
クリング装置に装着、成膜し、その磁気特性及び組成分
布を調べてみた。第２図の２１がスパッタリングターゲ
ットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）である。
成膜条件は、Ａｒ圧２．５ｍＴｏ ｒ ｒｓ初期真空１
ｔ３Ｘ１０−’Ｔ。
ｔ３Ｘ１０−’Ｔ。
ｒｒｓ投入電力はＤＣ電源を用い１．ＯＡ、３４０ｖで
おこなった。第３図に本発明ターゲットを用いた基板ホ
ルダー内組成分布及び磁気特性分布図である。この図に
示す様に、組成はＲＥが、２２．０〜２２．５ａｔ％で
均一であり、磁気特性も、Ｈｅが１４．７〜１５．５Ｋ
Ｏｅで均一である。基板ホルダー内にほとんどといって
良いほど均一な膜が成膜できている。当然のこのターゲ
ットは鋳造合金であるので酸素は少なく３５０ｐｐｍで
あった。
おこなった。第３図に本発明ターゲットを用いた基板ホ
ルダー内組成分布及び磁気特性分布図である。この図に
示す様に、組成はＲＥが、２２．０〜２２．５ａｔ％で
均一であり、磁気特性も、Ｈｅが１４．７〜１５．５Ｋ
Ｏｅで均一である。基板ホルダー内にほとんどといって
良いほど均一な膜が成膜できている。当然のこのターゲ
ットは鋳造合金であるので酸素は少なく３５０ｐｐｍで
あった。
一方、比較のために従来の製造方法でＴｂＦｅＣ０ター
ゲットを作成した。すなわちＴｂＦｅＣ０全組成をＴｂ
ｚ ｓ Ｆｅｗ ｓ Ｃｏａ ａｔ％となるようにルツ
ボ中で１６５０℃で溶解し、そして鋳型に注湯し鋳塊を
作った。そして、との鋳塊を切断、研磨し４＃φＸ６ｔ
のＴｂＦｅＣｏターゲフトを作成した。第４図にこの従
来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを
用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示
す。
ゲットを作成した。すなわちＴｂＦｅＣ０全組成をＴｂ
ｚ ｓ Ｆｅｗ ｓ Ｃｏａ ａｔ％となるようにルツ
ボ中で１６５０℃で溶解し、そして鋳型に注湯し鋳塊を
作った。そして、との鋳塊を切断、研磨し４＃φＸ６ｔ
のＴｂＦｅＣｏターゲフトを作成した。第４図にこの従
来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを
用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を示
す。
この図に示す様に組成はＲＥが２２．８〜１９゜８ａｔ
％で、基板ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホ
ルダー外周へいくほどＲＥが少なくなっている。又、磁
気特性もＨｅが１７〜ＩＩＫＯｅとホルダー中心へいく
ほどＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも一致
する。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣ
ｏターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金属
）がとびやす（、横方向はどＲＥがとびやすい特性を示
し、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
％で、基板ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホ
ルダー外周へいくほどＲＥが少なくなっている。又、磁
気特性もＨｅが１７〜ＩＩＫＯｅとホルダー中心へいく
ほどＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも一致
する。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣ
ｏターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金属
）がとびやす（、横方向はどＲＥがとびやすい特性を示
し、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
〔実施例２〕
次に原料として、平均粒径が３００８℃程度のＤＹ粒末
を作り、Ｆｅｅ ｓ Ｃｏｔ ａｔ％となるＦｅＣｏ鋳
塊を平均粒径が１５０μｍ程度になる様に粉砕し、Ｆｅ
Ｃｏ粒末を作る。
を作り、Ｆｅｅ ｓ Ｃｏｔ ａｔ％となるＦｅＣｏ鋳
塊を平均粒径が１５０μｍ程度になる様に粉砕し、Ｆｅ
Ｃｏ粒末を作る。
次にＤｙ鵞＊ Ｆｅｗ ｓ Ｃｏｂ ａｔ％となる様に
真空中でルツボ中に投入し、１６５０”Ｃまで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後１３８０ ”Ｃまで下げ
る。そしてこのＤｙＦｅＣｏ溶湯合金に、上記のＤｙ粉
末とＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。Ｄｙは融点が
１４５０℃であり、ＦｅＣ。
真空中でルツボ中に投入し、１６５０”Ｃまで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後１３８０ ”Ｃまで下げ
る。そしてこのＤｙＦｅＣｏ溶湯合金に、上記のＤｙ粉
末とＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。Ｄｙは融点が
１４５０℃であり、ＦｅＣ。
は１５３０℃であるため１３８０ ”Ｃの湯中では溶解
しないので、Ｄｙ、ＦｅＣｏ粒末は粒末のままで存在す
ることになる。そしてこれらＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ量は次の様な割合になっている。
しないので、Ｄｙ、ＦｅＣｏ粒末は粒末のままで存在す
ることになる。そしてこれらＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ量は次の様な割合になっている。
（ＤｙＦｅＣｏ）ｇ （Ｄｙｃ （ＦｅＣｏ）、）
ｒＥゴ＝２５ニア５ｗｔ％ Ｇ：Ｈ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＤｙＦｅＣｏ）−０ｙ−（ＦｅＣ
ｏ）溶湯を、鋳型に鋳込みその後出来上がった鋳造合金
を加工し、４＃φ×６ｔのスバフタリングターゲットを
用い実施例２と同じ成り Ｂ置及び成膜方法で、基板ホ
ルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、Ｒ
Ｅが２２．０〜２２．５ａｔ％で均一であり、磁気特性
もＨｅが１２．０−１３．０ＫＯｅで均一であった。酸
素量も３５０１）ｆ）ｍと少なかった。
ｒＥゴ＝２５ニア５ｗｔ％ Ｇ：Ｈ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＤｙＦｅＣｏ）−０ｙ−（ＦｅＣ
ｏ）溶湯を、鋳型に鋳込みその後出来上がった鋳造合金
を加工し、４＃φ×６ｔのスバフタリングターゲットを
用い実施例２と同じ成り Ｂ置及び成膜方法で、基板ホ
ルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、Ｒ
Ｅが２２．０〜２２．５ａｔ％で均一であり、磁気特性
もＨｅが１２．０−１３．０ＫＯｅで均一であった。酸
素量も３５０１）ｆ）ｍと少なかった。
〔実施例３〕
次に原料として、Ｔｂ、。Ｇｄ、。ａｔ％となるＧｄＴ
ｂ鋳塊を作り、ＧｄＴｂ粒末を作る。そして同様にＦｅ
５ｓＣＯｔａｔ％粒末を作る。さらにＧｄ＋ 、Ｔｂ＋
＋ Ｆｅ７ｓ Ｃｏｔ ａｔ％となる様にルツボ中
に各元素を投入し、１ｅ５０’Ｃまで一度温度を上げ完
全に溶解させ、その後１３２０°Ｃまで下げる。そして
このＧｄＴｂＦｅＣｏ＠湯合金に、上記のＧｄＴｂ粒末
とＦｅＣｏ粒末をルツボ中に投入した。このＧｄＴｂ粒
末は融点が１４００°Ｃであり、ＦｅＣｏは１５３０°
Ｃであるタメ１３２０℃の湯中では溶解しないので、Ｇ
ｄＴｂ、ＦｅＣｏ粒末は粒末のままで存在することにな
る。そして、これらＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ、Ｆｅ
Ｃｏｆｆ１は次の様な割合になっている。
ｂ鋳塊を作り、ＧｄＴｂ粒末を作る。そして同様にＦｅ
５ｓＣＯｔａｔ％粒末を作る。さらにＧｄ＋ 、Ｔｂ＋
＋ Ｆｅ７ｓ Ｃｏｔ ａｔ％となる様にルツボ中
に各元素を投入し、１ｅ５０’Ｃまで一度温度を上げ完
全に溶解させ、その後１３２０°Ｃまで下げる。そして
このＧｄＴｂＦｅＣｏ＠湯合金に、上記のＧｄＴｂ粒末
とＦｅＣｏ粒末をルツボ中に投入した。このＧｄＴｂ粒
末は融点が１４００°Ｃであり、ＦｅＣｏは１５３０°
Ｃであるタメ１３２０℃の湯中では溶解しないので、Ｇ
ｄＴｂ、ＦｅＣｏ粒末は粒末のままで存在することにな
る。そして、これらＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ、Ｆｅ
Ｃｏｆｆ１は次の様な割合になっている。
（ＧｄＴｂＦｅＣｏ） ＋ （（ＧｄＴｂ）ｔ （Ｆ
ｅＣｏ）Ｌ）Ｊ １：Ｊ＝２５ニア５ｗｔ％ に：Ｌ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた （ＧｄＴｂＦｅＣｏ）−（ＧｄＴ
ｂ）−（ＰｅＣｏ） 鋳造合金ターゲットは、実施例１
．２と同様に、やはり基板ホルダー内で組成分布、磁気
特性分布のない成膜ができるターゲットであった。Ｈｅ
は１１〜１３ＫＯｅ。
ｅＣｏ）Ｌ）Ｊ １：Ｊ＝２５ニア５ｗｔ％ に：Ｌ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた （ＧｄＴｂＦｅＣｏ）−（ＧｄＴ
ｂ）−（ＰｅＣｏ） 鋳造合金ターゲットは、実施例１
．２と同様に、やはり基板ホルダー内で組成分布、磁気
特性分布のない成膜ができるターゲットであった。Ｈｅ
は１１〜１３ＫＯｅ。
ＲＥは２２〜２２．５ａｔ％で均一であった。酸素量は
３００ｐｐｍであった。
３００ｐｐｍであった。
これら、実施例１．２．３に示した組成系以外に、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｃＣｏ、Ｇｄ
ＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ等の組成系についても本発明効
果が存在することを確認した。
ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｃＣｏ、Ｇｄ
ＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ等の組成系についても本発明効
果が存在することを確認した。
このように本発明を用いれば、ターゲット中の酸素量が
少ないという鋳造合金の特質を保ったまま、成膜面内で
組成分布が生じないという効果を存する。
少ないという鋳造合金の特質を保ったまま、成膜面内で
組成分布が生じないという効果を存する。
第１図は本発明ターゲットの表面組織の模式第２図はス
パッタリング装置の概略図。 第３図は本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成
分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 １・・・・・・ＴｂＦｅＣｏａｔ％組成相２−− Ｆ
ｅ ＊ ｓ ＣＯｔ ａ ｊ％組成相３・・・・・・Ｔ
ｂの組成相 ２１・・・・・・スパッタリングターゲット２２・・・
・・・基板ホルダー（３００φ）以 上 第 １ 口
パッタリング装置の概略図。 第３図は本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成
分布及び磁気特性分布図。 第４図は従来の製造方法による鋳造合金ターゲットを用
いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 １・・・・・・ＴｂＦｅＣｏａｔ％組成相２−− Ｆ
ｅ ＊ ｓ ＣＯｔ ａ ｊ％組成相３・・・・・・Ｔ
ｂの組成相 ２１・・・・・・スパッタリングターゲット２２・・・
・・・基板ホルダー（３００φ）以 上 第 １ 口
Claims (2)
- （１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造する鋳造合金ターゲットにおいて、
前記鋳造合金ターゲット中の金属組織が希土類金属単体
相と遷移金属単体相と希土類遷移金属合金相からなるこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - （２）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の重希
土類金属（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種
以上の遷移金属（ＴＭ）を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253001A JPH0196381A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | スパッタリング用ターゲット |
| DE3885690T DE3885690T2 (de) | 1987-09-17 | 1988-09-14 | Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubungstargets zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums. |
| EP88308503A EP0308201B1 (en) | 1987-09-17 | 1988-09-14 | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium |
| KR1019880011970A KR930007159B1 (ko) | 1987-09-17 | 1988-09-16 | 광자기 기록매체, 스파터링용 타게트 및 스파터링용 타게트의 제조방법 |
| CN88106744A CN1033654A (zh) | 1987-09-17 | 1988-09-17 | 光磁记录介质、溅射用靶及溅射用靶的制造方法 |
| HK130197A HK130197A (en) | 1987-09-17 | 1997-06-26 | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62253001A JPH0196381A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196381A true JPH0196381A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17245107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62253001A Pending JPH0196381A (ja) | 1987-09-17 | 1987-10-07 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196381A (ja) |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62253001A patent/JPH0196381A/ja active Pending
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