JPH01268885A - Ｔａ膜パターン形成法 - Google Patents
Ｔａ膜パターン形成法Info
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- JPH01268885A JPH01268885A JP9760388A JP9760388A JPH01268885A JP H01268885 A JPH01268885 A JP H01268885A JP 9760388 A JP9760388 A JP 9760388A JP 9760388 A JP9760388 A JP 9760388A JP H01268885 A JPH01268885 A JP H01268885A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＴａ膜の湿式エツチング技術に関する。
［従来の技術１
従来、基板上に形成されたＴａ１ｌｌをエッチバターニ
ングする技術には、水酸化ナトリウム水溶液、又は水酸
化ナトリウム水溶液＋過酸化水素水、又は特開昭５６−
１１２２３に示す水酸化ナトリウム水溶液＋飽和過マン
ガン酸カリウム溶液、又は希釈フッ酸等により湿式エッ
チバターニングする方法とドライエツチング装置を用い
てフレオン＋０２系ガスやＡｒガスでエッチバターニン
グする方法とがあった。
ングする技術には、水酸化ナトリウム水溶液、又は水酸
化ナトリウム水溶液＋過酸化水素水、又は特開昭５６−
１１２２３に示す水酸化ナトリウム水溶液＋飽和過マン
ガン酸カリウム溶液、又は希釈フッ酸等により湿式エッ
チバターニングする方法とドライエツチング装置を用い
てフレオン＋０２系ガスやＡｒガスでエッチバターニン
グする方法とがあった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし従来の技術ではウェットエツチングの場合、水酸
化ナトリウム水溶液や水酸化ナトリウム水溶液十過酸化
水素水、特開昭５６−１１２２３に示す水酸化ナトリウ
ム水溶液＋飽和過マンガン酸カリウム溶液を用いてＴａ
１ｌをエッチバターニングすると水酸化Ｔａが生成され
そのためＴａのある結晶方位のものが残存しパターンが
短絡しやすかった。また残存物を除去すべくさらにエツ
チングし続けるとオーバーエツチングになり、微細パタ
ーンが形成できないという問題点があった。
化ナトリウム水溶液や水酸化ナトリウム水溶液十過酸化
水素水、特開昭５６−１１２２３に示す水酸化ナトリウ
ム水溶液＋飽和過マンガン酸カリウム溶液を用いてＴａ
１ｌをエッチバターニングすると水酸化Ｔａが生成され
そのためＴａのある結晶方位のものが残存しパターンが
短絡しやすかった。また残存物を除去すべくさらにエツ
チングし続けるとオーバーエツチングになり、微細パタ
ーンが形成できないという問題点があった。
更に水酸化ナトリウム水溶液＋過酸化水素水の場合は過
酸化水素水が気化しやすいため、エツチング特性にバラ
ツキを生じさせていた。また水酸化ナトリウム水溶液十
過マンガン酸カリウムの場合もエツチング液中にエツチ
ングとともにマンガン酸塩が生成され、エツチング特性
にバラツキを生じさせていた。フッ酸を用いた場合もＴ
ａを形成した、ガラス、石英、セラミックなどの基板が
侵されてしまうという問題点があった。
酸化水素水が気化しやすいため、エツチング特性にバラ
ツキを生じさせていた。また水酸化ナトリウム水溶液十
過マンガン酸カリウムの場合もエツチング液中にエツチ
ングとともにマンガン酸塩が生成され、エツチング特性
にバラツキを生じさせていた。フッ酸を用いた場合もＴ
ａを形成した、ガラス、石英、セラミックなどの基板が
侵されてしまうという問題点があった。
次に従来のもう一つの手法であるドライエツチングの場
合、フレオン＋０２系ガスを用いてエツチングを行なう
と反応生成物のＴ ａ Ｆ ｓが真空ポンプ中に混入し
、さらにオイル中にＨＦが生成され、ポンプに多大なダ
メージを与えていた。このため頻搬にポンプを交換しな
くてはならないという問題点があった。またＡｒガスを
用いてプラズマエツチングを行なう場合はバクーンのレ
ジストダメージが大きく、後工程でのレジスト剥離が難
しかった。更に一般にドライエツチング法はエツチング
面分布のバラツキが少なくなく微細パターンの形成や最
近要求の大きい、基板の大型化に適していなかった。か
つ装置も大規模になりやすく、スルーブツトが悪いため
生産コストのアップをひきおこしていた。
合、フレオン＋０２系ガスを用いてエツチングを行なう
と反応生成物のＴ ａ Ｆ ｓが真空ポンプ中に混入し
、さらにオイル中にＨＦが生成され、ポンプに多大なダ
メージを与えていた。このため頻搬にポンプを交換しな
くてはならないという問題点があった。またＡｒガスを
用いてプラズマエツチングを行なう場合はバクーンのレ
ジストダメージが大きく、後工程でのレジスト剥離が難
しかった。更に一般にドライエツチング法はエツチング
面分布のバラツキが少なくなく微細パターンの形成や最
近要求の大きい、基板の大型化に適していなかった。か
つ装置も大規模になりやすく、スルーブツトが悪いため
生産コストのアップをひきおこしていた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するものであっ
て、その目的とするところは効率よく基板を侵さずに微
細なＴａ膜のパターン形成を行なうものである。
て、その目的とするところは効率よく基板を侵さずに微
細なＴａ膜のパターン形成を行なうものである。
［課題を解決するための手段］
（１）本発明は水酸化ナトリウム水溶液に酒石酸ナトリ
ウムを加えた液を使用してＴａ膜をエツチングしパター
ン形成することを特徴としている。
ウムを加えた液を使用してＴａ膜をエツチングしパター
ン形成することを特徴としている。
（２）本発明は２．５ｎｏ１％以上、９ｍ０１％未満の
水酸化ナトリウムと、０．１〜１．７＋ｎｏ１％の酒石
酸ナトリウムを含む水溶液を使用してＴａ膜をエツチン
グしパターン形成することを特徴としている。
水酸化ナトリウムと、０．１〜１．７＋ｎｏ１％の酒石
酸ナトリウムを含む水溶液を使用してＴａ膜をエツチン
グしパターン形成することを特徴としている。
［実 施 例］
バリウム硼珪酸ガラスにＴａをＲＦスパックにて４０ｏ
Ｏ人形成し、ネガレジストＯＭＲ−８３を５μｍライン
中にバターニングした後、ボストベークを１４５℃×２
０分行なう、この基板を表１の１〜２０に示す様な液で
Ｔａ膜をエツチングし残渣の有無と５μｍラインパター
ン形成状況を観察した。
Ｏ人形成し、ネガレジストＯＭＲ−８３を５μｍライン
中にバターニングした後、ボストベークを１４５℃×２
０分行なう、この基板を表１の１〜２０に示す様な液で
Ｔａ膜をエツチングし残渣の有無と５μｍラインパター
ン形成状況を観察した。
その結果表１の１１に示す様な７０℃の水酸化ナトリウ
ム水溶液でＴａ１ｌをエッチバターニングすると残渣が
あり５μｍラインのパターン形成はできなかった。
ム水溶液でＴａ１ｌをエッチバターニングすると残渣が
あり５μｍラインのパターン形成はできなかった。
次に表１の１２．１３に示す様な７０℃の水酸化ナトリ
ウム水溶液に水酸化カリウムを加えた液でＴａ１ｌをエ
ッチバターニングすると残渣があり５μｍラインのパタ
ーン形成はできなかった。
ウム水溶液に水酸化カリウムを加えた液でＴａ１ｌをエ
ッチバターニングすると残渣があり５μｍラインのパタ
ーン形成はできなかった。
次に表１の１４．１５．１６に示す様な７０℃の水酸化
ナトリウム水溶液に飽和過マンガン酸カリウム液を加λ
た液でＴａ膜をエッチバターニングすると表１の１２．
１３と同様残渣があり５μｍラインのパターン形成はで
きなかった。かつエツチング中にマンガン酸塩が生成さ
れ、液の特性が変化したため、エツチングの再現性も良
くなかった。
ナトリウム水溶液に飽和過マンガン酸カリウム液を加λ
た液でＴａ膜をエッチバターニングすると表１の１２．
１３と同様残渣があり５μｍラインのパターン形成はで
きなかった。かつエツチング中にマンガン酸塩が生成さ
れ、液の特性が変化したため、エツチングの再現性も良
くなかった。
次に表１の１７．１，８．１９に示す様に７０℃の水酸
化ナトリウム水溶液に過酸化水素水を加＾た液でＴａ膜
をエッチバターニングすると同様に残渣があり５μｍラ
インのパターン形成はできなかった。かつ過酸化水素水
がエツチング中急速に気化したため表１の１４．１５．
１６と同様、エツチングの再現性が良くなかった。
化ナトリウム水溶液に過酸化水素水を加＾た液でＴａ膜
をエッチバターニングすると同様に残渣があり５μｍラ
インのパターン形成はできなかった。かつ過酸化水素水
がエツチング中急速に気化したため表１の１４．１５．
１６と同様、エツチングの再現性が良くなかった。
次に表１の２０に示す様なフッ酸液でＴａ１ｌｌをエッ
チバターニングするとバリウム硼珪酸ガラスが侵され、
自濁した。そのためＴａパターンが剥離してしまった。
チバターニングするとバリウム硼珪酸ガラスが侵され、
自濁した。そのためＴａパターンが剥離してしまった。
次に水酸化ナトリウム水溶液に酒石酸ナトリウムを加え
た液温７０℃の本発明エツチング液は表１の１−１０に
示す様に表１の１１〜２０の従来のエツチング液と比較
して優れたエツチング特性を有することがわかる。すな
わち酒石酸ナトリウムが、含まれていれば全ての水酸化
ナトリウム濃度で良好なＴａエツチング特性が得られる
にれはＴａエツチング時生成される。水酸化タンクルが
酒石酸により溶解するためであると思われる。
た液温７０℃の本発明エツチング液は表１の１−１０に
示す様に表１の１１〜２０の従来のエツチング液と比較
して優れたエツチング特性を有することがわかる。すな
わち酒石酸ナトリウムが、含まれていれば全ての水酸化
ナトリウム濃度で良好なＴａエツチング特性が得られる
にれはＴａエツチング時生成される。水酸化タンクルが
酒石酸により溶解するためであると思われる。
しかし、酒石酸ナトリウムが０．１ｍｏｌ％より少なく
なると残渣がわずかに生じる傾向がある。だが、従来の
エツチング液と比較してその程度は良い、又１．７＋ｎ
ｏ１％を越えると飽和に近づくため、エツチング途中、
析出してくる場合があり、適当でない、水酸化ナトリウ
ムについては１．２５＋ｎｏ１％以下でも酒石酸ナトリ
ウムが入っていることにより、残渣、オーバーエッチと
もなしにＴａをエッチバターニングできる。しかし、エ
ツチング速度が非常に遅いため生産性の点で問題がある
。また９ｍｏ１％を越＾るとエツチング速度も大きくな
り、オーバーエツチングしやすくなる。
なると残渣がわずかに生じる傾向がある。だが、従来の
エツチング液と比較してその程度は良い、又１．７＋ｎ
ｏ１％を越えると飽和に近づくため、エツチング途中、
析出してくる場合があり、適当でない、水酸化ナトリウ
ムについては１．２５＋ｎｏ１％以下でも酒石酸ナトリ
ウムが入っていることにより、残渣、オーバーエッチと
もなしにＴａをエッチバターニングできる。しかし、エ
ツチング速度が非常に遅いため生産性の点で問題がある
。また９ｍｏ１％を越＾るとエツチング速度も大きくな
り、オーバーエツチングしやすくなる。
以上より水酸化ナトリウム水溶液に酒石酸ナトリウムを
入れることにより従来のＴａエツチング液に比べて、優
れたエツチング特性が得られ、かつ水酸化ナトリウム２
．５ｍｏ１％以上、９ ｍｏ１％未満、酒石酸ナトリウ
ム０．１ｎｏ１％〜１．７ｍｏｌ％が最良組成であるこ
とがわかる。
入れることにより従来のＴａエツチング液に比べて、優
れたエツチング特性が得られ、かつ水酸化ナトリウム２
．５ｍｏ１％以上、９ ｍｏ１％未満、酒石酸ナトリウ
ム０．１ｎｏ１％〜１．７ｍｏｌ％が最良組成であるこ
とがわかる。
表１
０５μｍラインパターンが形成できた
Δ オーバーエツチングになった
Ｘ 残渣が多くパターンにならない
［発明の効果］
以上述べた様に本発明によればＴａ膜のエツチング液を
水酸化ナトリウム水溶液＋酒石酸ナトリウムとすること
により、Ｔａ膜を残渣なく、又は、残渣があってもわず
かな程度でエツチングできる。又前述した様に水酸化ナ
トリウム、酒石酸ナトリウム濃度を制限することにより
その効果を拡大でき、Ｔａ残渣なしに微細なパターンま
で良好にエッチバターニングできる。更に、ガラス、セ
ラミック、Ｓｉ等基板を侵さず、液寿命が長い、従来の
エツチング液に比ベレジストのダメージが若干少ない、
Ｔａ／Ｔａ ｓ Ｏｓのエッチレート比が大きく、選択
エッチが可能等積々のメリットにより、 （１）製造コストの低減、製造歩留り向上、製造品質の
向上が大きい。
水酸化ナトリウム水溶液＋酒石酸ナトリウムとすること
により、Ｔａ膜を残渣なく、又は、残渣があってもわず
かな程度でエツチングできる。又前述した様に水酸化ナ
トリウム、酒石酸ナトリウム濃度を制限することにより
その効果を拡大でき、Ｔａ残渣なしに微細なパターンま
で良好にエッチバターニングできる。更に、ガラス、セ
ラミック、Ｓｉ等基板を侵さず、液寿命が長い、従来の
エツチング液に比ベレジストのダメージが若干少ない、
Ｔａ／Ｔａ ｓ Ｏｓのエッチレート比が大きく、選択
エッチが可能等積々のメリットにより、 （１）製造コストの低減、製造歩留り向上、製造品質の
向上が大きい。
（２）プロセス設計、素子や基板材質選択の自由度が大
幅に拡大される。
幅に拡大される。
という絶大な効果を有する。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (2)
- （１）水酸化ナトリウム水溶液に酒石酸ナトリウムを加
えた液を使用してエッチングすることを特徴とするＴａ
膜のパターン形成法。 - （２）２．５ｍｏｌ％以上、９ｍｏ１％未満の水酸化ナ
トリウムと、０．１ｍｏｌ％〜１．７ｍｏｌ％の酒石酸
ナトリウムを含む水溶液を使用してエッチングすること
を、特徴とするＴａ膜のパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9760388A JPH01268885A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Ｔａ膜パターン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9760388A JPH01268885A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Ｔａ膜パターン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268885A true JPH01268885A (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=14196805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9760388A Pending JPH01268885A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | Ｔａ膜パターン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10051052C2 (de) * | 2000-10-14 | 2003-06-05 | Bosch Gmbh Robert | Lösung und Verfahren zum Ätzen von Metalloberflächen sowie deren Verwendung |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9760388A patent/JPH01268885A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10051052C2 (de) * | 2000-10-14 | 2003-06-05 | Bosch Gmbh Robert | Lösung und Verfahren zum Ätzen von Metalloberflächen sowie deren Verwendung |
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