JPH01275568A - アジン誘導体 - Google Patents
アジン誘導体Info
- Publication number
- JPH01275568A JPH01275568A JP63103762A JP10376288A JPH01275568A JP H01275568 A JPH01275568 A JP H01275568A JP 63103762 A JP63103762 A JP 63103762A JP 10376288 A JP10376288 A JP 10376288A JP H01275568 A JPH01275568 A JP H01275568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- group
- compound expressed
- formulas
- tables
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ8発明の目的
庶via1月り別亘
本発明はへテロ環骨格を含む液晶化合物に関するもので
あり、特に本発明は強誘電性液晶として利用できるアジ
ン誘導体に関するものである。
あり、特に本発明は強誘電性液晶として利用できるアジ
ン誘導体に関するものである。
従来技衛、発■の7ンしようと子る構成現在、液晶によ
る画像表示装置は動的散乱によるものに代ってTN (
twisted nematic )型によるものが採
用されている。この表示方式は消費電力が小さいこと、
薄型表示が可能であることなどの特徴を有するため各種
表示素子として広範囲に使用されている。しかしながら
TN型液晶表示素子は画素数の多い表示素子への利用に
当っては応答速度(数m5ecないし数10m5ec)
がおそいなどの問題がある。しかし最近スメクチック液
晶を用いればより高速な応答速度(μsec以下)が得
られることがわかった。
る画像表示装置は動的散乱によるものに代ってTN (
twisted nematic )型によるものが採
用されている。この表示方式は消費電力が小さいこと、
薄型表示が可能であることなどの特徴を有するため各種
表示素子として広範囲に使用されている。しかしながら
TN型液晶表示素子は画素数の多い表示素子への利用に
当っては応答速度(数m5ecないし数10m5ec)
がおそいなどの問題がある。しかし最近スメクチック液
晶を用いればより高速な応答速度(μsec以下)が得
られることがわかった。
従って、従来の液晶に比較して高速応答性と双安定性が
得られる液晶であって、テレビ等の動画像や高速シャッ
ターなどの表示素子に使用できる液晶素子の開発が要望
されている。
得られる液晶であって、テレビ等の動画像や高速シャッ
ターなどの表示素子に使用できる液晶素子の開発が要望
されている。
特開昭57−95965号公報にはピリミジン化合物の
液晶への利用が提案されているが、相転移温度などは明
らかにされていない。また、特開昭61−129169
号公報にはピリミジン化合物を液晶として利用すること
が提案されているが、室温を含む相転移温度範囲が十分
でなかった。
液晶への利用が提案されているが、相転移温度などは明
らかにされていない。また、特開昭61−129169
号公報にはピリミジン化合物を液晶として利用すること
が提案されているが、室温を含む相転移温度範囲が十分
でなかった。
本発明者らは、既に室温を含む相転移温度範囲が広いヘ
テロ環骨格を有する液晶物質を合成し、特許出願したが
、さらにこれらの化合物の液晶としての緒特性を向上さ
せるために研究をおこない本発明゛に到達した。
テロ環骨格を有する液晶物質を合成し、特許出願したが
、さらにこれらの化合物の液晶としての緒特性を向上さ
せるために研究をおこない本発明゛に到達した。
口0発明の構成
構 を2するための
本発明は、−形成
〔式中R1は炭素数1〜20のアルキル、アルケニル、
アルキニル、アルコキシアルキルまたはアラルキル基; R2は炭素数1〜20のアルキルまたはアルコキシ基; Xはハロアルキル基; Yは一0C−、−0CH1−、−0−または−S−基;
単結合を表わす。
アルキニル、アルコキシアルキルまたはアラルキル基; R2は炭素数1〜20のアルキルまたはアルコキシ基; Xはハロアルキル基; Yは一0C−、−0CH1−、−0−または−S−基;
単結合を表わす。
基、またはZが単結合の場合には(A)は単結合を表わ
す。
す。
lは1〜2の整数;
EおよびFが窒素原子の場合、DおよびGは−CH=基
を表わし、DおよびGが窒素原子の場合、EおよびFは
−CH=基を表わし、EおよびDが窒素原子の場合、F
およびGは−CI+=基を表わし、EおよびGが窒素原
子の場合、DおよびFは−CH=基を表わす〕 で表わされるアジン誘導体に関するものである。
を表わし、DおよびGが窒素原子の場合、EおよびFは
−CH=基を表わし、EおよびDが窒素原子の場合、F
およびGは−CI+=基を表わし、EおよびGが窒素原
子の場合、DおよびFは−CH=基を表わす〕 で表わされるアジン誘導体に関するものである。
本発明の液晶化合物の代表的なものは例えば次のようで
ある。
ある。
R,は炭素数1〜20のアルキル、アルケニル、アルキ
ニル、アルコキシアルキルまたはアラルキル基であって
、好ましくはエチル基(czos)、プロピル基(CJ
t)、ブチル基(C4)11)、イソブチル基(ic4
11.)、ペンチル基(CsH++) 、ヘキシル基(
ChHI、l)、オチクル基(CsH+?) 、デシル
基R2は炭素数1〜20のアルキル基またはアルコキシ
基で、アルキル基およびアルコキシ基のアルキル部分は
上記R1のアルキル基と同意義を有する。
ニル、アルコキシアルキルまたはアラルキル基であって
、好ましくはエチル基(czos)、プロピル基(CJ
t)、ブチル基(C4)11)、イソブチル基(ic4
11.)、ペンチル基(CsH++) 、ヘキシル基(
ChHI、l)、オチクル基(CsH+?) 、デシル
基R2は炭素数1〜20のアルキル基またはアルコキシ
基で、アルキル基およびアルコキシ基のアルキル部分は
上記R1のアルキル基と同意義を有する。
Xはハロアルキル基で、例えばCh 、 CtFs。
CHF2.CHzF、 CCI Fz、CCl zF、
CF2CCl tおよびC,F、基などである。
CF2CCl tおよびC,F、基などである。
本発明の化合物のへテロ環は上記−形成りおよびGが−
CH=基を表わす場合はピリミジンEおよびFが−CH
=基を表わす場合はピリミジン原子で、FおよびGが−
CH−基である場合はビリGが窒素原子で、DおよびF
が−CH=である場合本発明の目的化合物の好ましい具
体例は例えば、N N
軸==:!::!: CJ u (J
QI I 1
10=Q ロ=υ ロ=υ ロ=υ(式中
、R,はC4H911caHq +’ CsH++ +
C11l+i +R2は1〜20のアルキル基であり
、 XはCh 、 CzFs、 Cl1h、 CIbF、
CC1h。
CH=基を表わす場合はピリミジンEおよびFが−CH
=基を表わす場合はピリミジン原子で、FおよびGが−
CH−基である場合はビリGが窒素原子で、DおよびF
が−CH=である場合本発明の目的化合物の好ましい具
体例は例えば、N N
軸==:!::!: CJ u (J
QI I 1
10=Q ロ=υ ロ=υ ロ=υ(式中
、R,はC4H911caHq +’ CsH++ +
C11l+i +R2は1〜20のアルキル基であり
、 XはCh 、 CzFs、 Cl1h、 CIbF、
CC1h。
CCl zF、CFsCCl zおよびC3F?基であ
る。)である。
る。)である。
本発明の化合物の合成法の一例を示すと次のようである
。
。
く
(1)(式中、R,、RZおよびXは上記と同意義を有
する)すなわち、 〔A〕4−ベンジルオキシ安息香酸クロリドと1−フル
オロアルキル−2−アルカノイル−1−アルコールとを
ピリジンを溶媒として水冷上反応させて4−ベンジルオ
キシ安息香酸−1−フルオロアルキル−2−アルカノイ
ル−1−エチルエステル(1)を得た。次に得られた化
合物(1)をパラジウム−炭素触媒の存在下で水素添加
して4−ヒドロキシ安息香酸−1−フルオロアルキル−
2−アルカノイル−1−エチルエステル(2)得た。
(1)(式中、R,、RZおよびXは上記と同意義を有
する)すなわち、 〔A〕4−ベンジルオキシ安息香酸クロリドと1−フル
オロアルキル−2−アルカノイル−1−アルコールとを
ピリジンを溶媒として水冷上反応させて4−ベンジルオ
キシ安息香酸−1−フルオロアルキル−2−アルカノイ
ル−1−エチルエステル(1)を得た。次に得られた化
合物(1)をパラジウム−炭素触媒の存在下で水素添加
して4−ヒドロキシ安息香酸−1−フルオロアルキル−
2−アルカノイル−1−エチルエステル(2)得た。
(B)常法によって合成した4−(5−アルキルピリミ
ジニル−2)−安息香酸(3)と4−ヒドロキシ安息香
a−1−フルオロアルキル−2−アルカノイル−1−エ
チルエステル(2)とをジシクロへキシルカルボジイミ
ドとテトラヒドロフラン(THF)との存在下で反応さ
せて目的化合物である4−(5−アルキルピリミジニル
−2)安息香酸−4’−(1−フルオロアルキル−2−
アルカノイル−1−エチルオキシカルボニル)フェニル
エステル(4)を得た。
ジニル−2)−安息香酸(3)と4−ヒドロキシ安息香
a−1−フルオロアルキル−2−アルカノイル−1−エ
チルエステル(2)とをジシクロへキシルカルボジイミ
ドとテトラヒドロフラン(THF)との存在下で反応さ
せて目的化合物である4−(5−アルキルピリミジニル
−2)安息香酸−4’−(1−フルオロアルキル−2−
アルカノイル−1−エチルオキシカルボニル)フェニル
エステル(4)を得た。
次に実施例を掲げて本発明を説明するが、これに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
実施例1
±土世皇立虞
4−ヒドロキシ安息香酸4.8gを水酸化カリウム4.
1g、水15mj!およびエタノール32m j7の混
合溶液に溶解し、さらに臭化ベンジル6.3gを加え、
10時間反応した。反応終了後、3N塩酸にて中性にし
た後、析出した結晶を炉取し、精製して4−ベンジルオ
キシ安息香酸8gを得た。
1g、水15mj!およびエタノール32m j7の混
合溶液に溶解し、さらに臭化ベンジル6.3gを加え、
10時間反応した。反応終了後、3N塩酸にて中性にし
た後、析出した結晶を炉取し、精製して4−ベンジルオ
キシ安息香酸8gを得た。
得られた4−ベンジルオキシ安息香酸に過剰量の塩化チ
オニルを加え、加熱還流下、6時間反応した後、未反応
の塩化チオニルを減圧上留去して酸塩化物を得た。この
酸塩化物を塩化メチレン50mfに溶解し、これに、(
2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシ)エチル−n
−へキシルケトン5gとピリジン2.6gとを水冷下で
加え、ゆっくり室温に戻してさらに5時間反応した。反
応終了後、有機層を希塩酸、水、IN炭酸ナトリウム、
水にて順次渋柿して中性にした後、無水硫酸マグネシウ
ムにて乾燥し、さらに溶媒を留去し、トルエン−シリカ
ゲルクロマトにかけ、上記目的化合物(116gを得た
。
オニルを加え、加熱還流下、6時間反応した後、未反応
の塩化チオニルを減圧上留去して酸塩化物を得た。この
酸塩化物を塩化メチレン50mfに溶解し、これに、(
2−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシ)エチル−n
−へキシルケトン5gとピリジン2.6gとを水冷下で
加え、ゆっくり室温に戻してさらに5時間反応した。反
応終了後、有機層を希塩酸、水、IN炭酸ナトリウム、
水にて順次渋柿して中性にした後、無水硫酸マグネシウ
ムにて乾燥し、さらに溶媒を留去し、トルエン−シリカ
ゲルクロマトにかけ、上記目的化合物(116gを得た
。
(2)の合成
上記1)項の化合物6gをメタノール59 m lに溶
解し、10%担持パラジウム−カーボン0.7gを加え
て、加圧上室温にて5時間反応し、目的化合物5gを得
た。
解し、10%担持パラジウム−カーボン0.7gを加え
て、加圧上室温にて5時間反応し、目的化合物5gを得
た。
フェニルエステル(4)の合成
常法により合成した4−(5−デシルピリミジニル−2
)安息香酸5gと上記2)項で合成した化合物(2)
5 gおよびジシクロヘキシルカルボンジイミド3.7
gをテトラヒドロフラン(THF)25mlに加え、室
温で一昼夜反応した。
)安息香酸5gと上記2)項で合成した化合物(2)
5 gおよびジシクロヘキシルカルボンジイミド3.7
gをテトラヒドロフラン(THF)25mlに加え、室
温で一昼夜反応した。
反応終了後、反応液に水50m1を加え、トルエン抽出
をくり返し、得られた有機層をIN炭酸ソーダ、水、I
N塩酸および水にて順次洗滌して無水硫酸マグネシウム
で乾燥して溶媒を減圧上留去し、ヘキサン−酢酸エチル
混合展開液にてシリカゲルクロマト処理し、さらにエタ
ノールにて再結晶を(り返して上記目的化合物(4)
1.9 gを得た。
をくり返し、得られた有機層をIN炭酸ソーダ、水、I
N塩酸および水にて順次洗滌して無水硫酸マグネシウム
で乾燥して溶媒を減圧上留去し、ヘキサン−酢酸エチル
混合展開液にてシリカゲルクロマト処理し、さらにエタ
ノールにて再結晶を(り返して上記目的化合物(4)
1.9 gを得た。
この化合物は液晶相を示し、その相転移温度は次の通り
である。
である。
本発明の目的化合物の赤外線吸収スペトクル図は第1図
に示す。
に示す。
ハ、又里■四果
本発明の化合物は強誘電性液晶として電界に対する応答
性が良好であり、液晶表示素子や液晶光シャッターなど
への利用が可能な材料を提供することができる。
性が良好であり、液晶表示素子や液晶光シャッターなど
への利用が可能な材料を提供することができる。
第1図は本発明の目的化合物の赤外線吸収スペクトル図
である。 代理人 弁理士 1)代 黒 治
である。 代理人 弁理士 1)代 黒 治
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は炭素数1〜20のアルキル、アルケニ
ル、アルキニル、アルコキシアルキルまたはアラルキル
基; R_2は炭素数1〜20のアルキルまたはアルコキシ基
; Xはハロアルキル基; Yは▲数式、化学式、表等があります▼、−O−CH_
2−、−O−または−S−基;Zは▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
−CH_2O−、−OCH_2−基または単結合を表わ
す。 (A)は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ 基;またはZが単結合の場合には(A)は単結合を表わ
す。 (B)は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
ります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼基; lは1〜2の整数; EおよびFが窒素原子の場合、DおよびGは−CH=基
を表わし、DおよびGが窒素原子の場合、EおよびFは
−CH=基を表わし、EおよびDが窒素原子の場合、F
およびGは−CH=基を表わし、EおよびGが窒素原子
の場合、DおよびFは−CH=基を表わす〕で表わされ
るアジン誘導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103762A JPH01275568A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | アジン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103762A JPH01275568A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | アジン誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275568A true JPH01275568A (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=14362520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103762A Pending JPH01275568A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | アジン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01275568A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200521A (en) * | 1990-09-27 | 1993-04-06 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cyclohexylphenylpyrimidines, process for their preparation, and their use in liquid-crystalline mixtures |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63103762A patent/JPH01275568A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200521A (en) * | 1990-09-27 | 1993-04-06 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cyclohexylphenylpyrimidines, process for their preparation, and their use in liquid-crystalline mixtures |
| US5439612A (en) * | 1990-09-27 | 1995-08-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cyclohexylphenylpyrimidines, process for their preparation, and their use in liquid-crystalline mixtures |
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