JPH0261471B2 - - Google Patents

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JPH0261471B2
JPH0261471B2 JP2239182A JP2239182A JPH0261471B2 JP H0261471 B2 JPH0261471 B2 JP H0261471B2 JP 2239182 A JP2239182 A JP 2239182A JP 2239182 A JP2239182 A JP 2239182A JP H0261471 B2 JPH0261471 B2 JP H0261471B2
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JP
Japan
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liquid crystal
point
acid
compound
trans
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Application number
JP2239182A
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English (en)
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JPS58140086A (ja
Inventor
Yasuyuki Goto
Masahiro Fukui
Hiromichi Inoe
Yoshito Furukawa
Susumu Tokita
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JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
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Publication date
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Priority to JP2239182A priority Critical patent/JPS58140086A/ja
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Publication of JPH0261471B2 publication Critical patent/JPH0261471B2/ja
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  • Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な有機化合物に関し、更に詳しく
は誘電異方性が正の新規な化合物に関するもので
ある。正の誘電異方性を有する液晶物質はねじれ
た配列を持つたネマチツク液晶を用いる液晶表示
素子、いわゆるTN型セルに利用できる他、適当
な色素物質を添加して、ゲスト・ホスト効果を応
用したカラー液晶表示素子にも利用される。これ
らの液晶材料は単独の化合物ではその諸性能即ち
液晶温度範囲、動作電圧、応答性能等で実用的な
使用に耐える物は少く、実用的には数種の液晶混
合物又は非液晶化合物を混合してある程度の使用
に耐え得るものを得ているのが現状である。本発
明の目的は、この様な実用的な性能のすぐれた且
つ安定な液晶組成物を構成する一成分として有用
な化合物を提供することにある。
即ち本発明は一般式 K0626 (上式に於てRは炭素数1〜9のアルキル基を示
す) で表わされる4−(トランス−5−アルキル−1,
3−ジオキサ−2−イル)安息香酸3−クロロ−
4−シアノフエニルエステルである。
本発明の()式の化合物は誘電異方性は正で
大きく、液晶温度範囲が広く、特に透明点(N−
I点)の高い安定性にすぐれた液晶化合物であ
る。ただ本化合物は融点(C−N点)が比較的高
いため、この化合物単独では通常の表示素子用と
して使用できない。しかし他の液晶化合物との相
溶性にすぐれ、他の液晶物質、例えばシツフ塩基
系、アゾキシ系、安息香酸フエニールエステル
系、シクロヘキサンカルボン酸フエニールエステ
ル系、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキサン
エステル系、ビフエニル系、フエニルシクロヘキ
サン系、フエニルピリミジン系、フエニルメタジ
オキサン系などの液晶の一種類、あるいは数種の
系の混合物と混合させることにより、その透明点
を上昇せしめる、いわゆる高温液晶成分として有
用であり、更に従来同じ様な目的で広く用いられ
ているシアノターフエニル系、シアノビフエニル
シクロヘキサン系などの液晶物質に比べ、誘電率
の異方性、即ち△εが大きいので駆動電圧を下げ
る効果を有している。
次に本発明の化合物の製法を示す。まず化学式
でその概略を示すと K0627 K0628 K0629 K0630 即ち、まずマロン酸ジエチルエステルを、無水
エチルアルコール溶媒中ナトリウムエトキシドの
存在下にて臭化アルキルと反応させて、2−アル
キルマロン酸ジエチルエステル()を得る。
これをテトラハイドロフラン溶媒中にて水素化
リチウムアルミニウムを用いて還元し、2−アル
キル−1,3−プロパンジオール()とする。
マロン酸エステルの還元は必要に応じて公知のそ
の他の還元剤(例えばボランメチルサルフアイ
ド)や還元方法を用いることもできる。この2−
アルキル−1,3−プロパンジオール()とテ
レフタルアルデヒド酸とをp−トルエンスルホン
酸、塩化アルミニウム、塩酸、硫酸等の適当な触
媒を用い、ベンゼン、トルエン等の不活性有機溶
媒中で反応させることにより4−(5−アルキル
−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸を得
る。このカルボン酸はトランス体とシス体の2種
類の混合物として得られる。目的とする化合物は
トランス体であり、シス体は再結晶により除去す
ることができる。次にこの4−(トランス−5−
アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香
酸を塩化チオニル、五塩化燐等の塩素化剤により
相当する酸塩化物()とし、これに3−クロロ
−4−シアノフエノールをピリジン、トリエチル
アミン等の塩基性溶媒中で反応させることにより
目的とする化合物4−(トランス−5−アルキル
−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸3−ク
ロロ−4−シアノフエニルエステル()を得
る。
以下実施例として本発明の化合物の合成例およ
び使用例を示して、更に詳細に説明する。
実施例 1 〔4−(トランス−5−ペンチル−1,3−ジ
オキサ−2−イル)安息香酸3−クロロ−4−
シアノフエニルエステルの製造〕 ナトリウムエトキシド41.3g(0.61モル)を無水
エチルアルコール200mlに溶解する。次にマロン
酸ジエチルエステル96g(0.60モル)を加え、加熱
撹拌する。そこへ、臭化ノルマルアミル90.6g
(0.6モル)を徐々に滴下し、滴下終了後、4時間
加熱還流する。しかる後、常圧にてエチルアルコ
ールを留去し、残つた反応混合物に冷水200mlを
加え、臭化ナトリウムを溶解せしめる。次いで水
層と有機層を分離し、その水層を200mlのノルマ
ルヘキサンで抽出し、抽出液を上層の有機層と合
わせ、水洗後、減圧にてノルマルヘキサンを留去
し、ベンチルマロン酸ジエチルエステル()
95.3g(0.41モル)を得た。その沸点は98〜101
℃/3mmHgであつた。
この様にして得られたペンチルマロン酸ジエチ
ルエステル()69.1g(0.3モル)を、水素化カ
ルシウムを用いて乾燥したテトラハイドロフラン
150ccに溶解し、これを、テトラハイドロフラン
500ml中に水素化リチウム・アルミニウム15g(0.4
モル)を懸濁せしめ激しく撹拌している液中に、
25℃にて滴下した。滴下終了後、この混合物を還
流下に2時間加熱した。加熱終了後、氷浴で反応
混合物を冷却し、過剰の水素化リチウムアルミニ
ウムを分解するために、これに酢酸エチルエステ
ル10mlを添加した。次いで、この混合物に20%硫
酸200mlを加え、無機物が溶解するまで激しく撹
拌した。生成物をエーテル100mlで抽出し抽出液
を5%−炭酸水素ナトリウム水溶液で2回洗浄
し、次いで水洗後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥
した。しかる後に抽出液からエーテルを留去し、
残渣を蒸留して2−ペンチル−1,3−プロパン
ジオール()31g(0.21モル)を得た。その沸点
は125〜126℃/2.5mmHgであつた。
次に、ベンゼン400mlに上記の2−ペンチル−
1,3−プロパンジオール()21.9g(0.15モ
ル)、テレフタルアルデヒド酸22.5g(0.15モル)
およびp−トルエンスルホン酸0.1gを加え、反応
によつて生成する水が留出しなくなるまで加熱還
流下にて反応を行う。反応終了後放冷し、析出し
た結晶を150mlのp−ジオキサンにて再結晶し、
4−(トランス−5−ペンチル−1,3−ジオキ
サ−2−イル)安息香酸()を得た。この物は
液晶相を示し、C−N点:207℃、N−I点:211
℃であつた。収得量25.5g(0.09モル)。
次に、上記で得られた化合物()5g(0.018モ
ル)を塩化チオニル4.3gに溶解し、還流下で1時
間反応させた後、過剰の塩化チオニルを減圧下に
て留去しその酸塩化物()を得た。一方3−ク
ロロ−4−シアノフエノール2.8g(0.019モル)を
ピリジン5mlに溶解し、そこへ先の酸塩化物を室
温で加え、更に70℃にて2時間加熱撹拌した。反
応終了後、室温まで放冷し、反応生成物を50mlの
ベンゼンにて抽出し、抽出液を希塩酸、希アルカ
リ水溶液および水で洗浄後抽出液を無水硫酸マグ
ネシウムを用いて乾燥し、しかる後にベンゼンを
留去した。残留物を10mlの酢酸エチルエステルか
ら再結晶させて、目的物である4−(トランス−
5−ペンチル−1,3−ジオキサ−2−イル)安
息香酸3−クロロ−4−シアノフエニルエステル
4.2g(0.01モル)を得た。
この物は液晶相を示し、C−N点:116.9〜
117.0℃、N−I点:142.0〜143.0℃であつた。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値と
よく一致した。
分析値(%) 計算値(%) (C13H24NO2Clとして) C 66.8 66.7 H 5.7 5.8 実施例 2〜4 実施例1と同様な方法で次の化合物を合成し
た。
4−(トランス−5−エチル−1,3−ジオキ
サ−2−イル)安息香酸3−クロロ−4−シアノ
フエニルエステル(実施例2) C−I点:150.2〜150.8℃ 4−(トランス−5−プロビル−1,3−ジオ
キサ−2−イル)安息香酸3−クロロ−4−シア
ノフエニルエステル(実施例3) C−N点:125.4〜125.8℃、 N−I点:145.6〜146.5℃ 4−(トランス−5−ブチル−1,3−ジオキ
サ−2−イル)安息香酸3−クロロ−4−シアノ
フエニルエステル(実施例4) C−N点:116.9〜117.5℃ N−I点:141.9〜142.5℃ 実施例 5(使用例 1) K0631 K0632 K0633 K0634 なる組成の液晶組成物のN−I点は57.8℃であ
る。この液晶組成物をガラス基板にSiO膜を形成
させラビングによる表面配向処理を施したセル厚
10μmのTN型液晶セルに封入したところ、誘電
率の異方性△ε=13.8、32Hzの矩形波を使用し
て測定した室温におけるしきい電圧は1.31V、飽
和電圧は1.79Vであつた。上記の成分中、4番目
の本発明の化合物を入れない物のN−I点は52.4
℃、△ε=11.1、しきい電圧は1.50V、飽和電圧
は2.10Vであつた。又、上記の組成物に於て、本
発明の化合物の代りに高温液晶成分として従来よ
く知られている を同量用いる他は全く同様にした場合、N−I点
は73.5℃と高いが、△ε=11.2、しきい電圧
1.72V、飽和電圧2.41Vであり動作電圧は非常に
高くなつている。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 K0624 (上式に於て、Rは炭素数が1〜9のアルキル基
    を示す) で表わされる4−(トランス−5−アルキル−1,
    3−ジオキサ−2−イル)安息香酸3−クロロ−
    4−シアノフエニルエステル。 2 一般式 K0625 (上式に於て、Rは炭素数が1〜9のアルキル基
    を示す) で表わされる4−(トランス−5−アルキル−1,
    3−ジオキサ−2−イル)安息香酸3−クロロ−
    4−シアノフエニルエステルを少くとも1種含有
    することを特徴とする液晶組成物。
JP2239182A 1982-02-15 1982-02-15 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸誘導体 Granted JPS58140086A (ja)

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JP2239182A JPS58140086A (ja) 1982-02-15 1982-02-15 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸誘導体

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JP2239182A JPS58140086A (ja) 1982-02-15 1982-02-15 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸誘導体

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JPS58140086A JPS58140086A (ja) 1983-08-19
JPH0261471B2 true JPH0261471B2 (ja) 1990-12-20

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JP2239182A Granted JPS58140086A (ja) 1982-02-15 1982-02-15 4−(トランス−5−アルキル−1,3−ジオキサ−2−イル)安息香酸誘導体

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DE3405914A1 (de) * 1984-02-18 1985-08-22 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Fluessigkristalline verbindungen
JPS6178782A (ja) * 1984-09-25 1986-04-22 Dainippon Ink & Chem Inc 3−フルオロ−4−シアノフエノ−ル誘導体
JP4989904B2 (ja) * 2006-02-23 2012-08-01 富士フイルム株式会社 1,3−ジオキサン基を有するエステル化合物、該化合物を含む組成物、位相差板、及び表示装置

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JPS58140086A (ja) 1983-08-19

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