JPH01276607A - 強磁性薄膜およびその製造方法 - Google Patents
強磁性薄膜およびその製造方法Info
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- JPH01276607A JPH01276607A JP10391488A JP10391488A JPH01276607A JP H01276607 A JPH01276607 A JP H01276607A JP 10391488 A JP10391488 A JP 10391488A JP 10391488 A JP10391488 A JP 10391488A JP H01276607 A JPH01276607 A JP H01276607A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高飽和磁束密度を有する強磁性膜に関し、特に
磁気ヘッドのコア材料に適した強磁性膜および磁気ディ
スク装置、ＶＴＲなどに用いる磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドのコア材料に適した強磁性膜および磁気ディ
スク装置、ＶＴＲなどに用いる磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドの記録時における磁気飽和を防ぐために、磁
気ヘッド材料は高飽和磁束密度を有することが必要であ
る。またヘッドの再生効率の面から低保磁力、高透磁率
の特性を有することも必要、である。
気ヘッド材料は高飽和磁束密度を有することが必要であ
る。またヘッドの再生効率の面から低保磁力、高透磁率
の特性を有することも必要、である。
このような高飽和磁束密度を有する磁性材料を得るため
、Ｆｅを主成分とする合金の開発が進められており、特
開昭５２−１１２７９７に論じられているように、Ｆｅ
−８ｉ系合金で高飽和磁束密度および高透磁率が得られ
ている。
、Ｆｅを主成分とする合金の開発が進められており、特
開昭５２−１１２７９７に論じられているように、Ｆｅ
−８ｉ系合金で高飽和磁束密度および高透磁率が得られ
ている。
しかし、Ｆｅを主成分とする合金薄膜をＭ ｎ −Ｚｎ
フェライト、ＳｉＯｘ，ＡｌｘＯｓ等の酸化物基板上に
形成した場合、合金薄膜と基板との接着力が弱く、１μ
ｍ以上の膜厚を有する合金薄膜は上記基板よりはく離し
、形成できない等の問題があった。
フェライト、ＳｉＯｘ，ＡｌｘＯｓ等の酸化物基板上に
形成した場合、合金薄膜と基板との接着力が弱く、１μ
ｍ以上の膜厚を有する合金薄膜は上記基板よりはく離し
、形成できない等の問題があった。
本発明の目的は、上述の従来技術の欠点を解消し、酸化
物基板との接着力が強い強磁性膜およびこれを用いた高
密度磁気記録用の磁気ヘッドを提供することにある。
物基板との接着力が強い強磁性膜およびこれを用いた高
密度磁気記録用の磁気ヘッドを提供することにある。
本発明は、Ｆｅ薄膜およびＦｅを主成分とする合金薄膜
と酸化物基板との界面にＺｒ、Ｈｆ。
と酸化物基板との界面にＺｒ、Ｈｆ。
Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｎ、Ｍｎ、Ｚｎ。
Ｆｅの中から選ばれる１種以上の金属の酸化物からなる
下地層を設けたものであり、これにより合金薄膜と基板
とのはく離を防止することができる。
下地層を設けたものであり、これにより合金薄膜と基板
とのはく離を防止することができる。
また下地層の材料としては、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ。
Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｎ，Ａｌも適している。また非晶質磁性
合金を下地層とすることもはく離防止に効果がある。
合金を下地層とすることもはく離防止に効果がある。
本発明者等は酸化物基板上に形成したＦｅ薄膜およびＦ
ｅを主成分とする合金薄膜について鋭意研究を重ねた結
果１合金薄膜と基板との界面に種種の下地層を設けるこ
とにより上記合金薄膜と基板との接着力が向上し、はく
離を防止できることを明らかにし、本発明を完成するに
至った。
ｅを主成分とする合金薄膜について鋭意研究を重ねた結
果１合金薄膜と基板との界面に種種の下地層を設けるこ
とにより上記合金薄膜と基板との接着力が向上し、はく
離を防止できることを明らかにし、本発明を完成するに
至った。
Ｆｅ薄膜あるいはＦｅを主成分とする合金薄膜と酸化物
基板との界面にＺｒ、Ｈｆｔ Ｍｏ、ＷｅＶ、Ｎｂ、Ｔ
ａ，Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅの中から選ばれる１種以上
の金属の酸化物または、Ｚｒ。
基板との界面にＺｒ、Ｈｆｔ Ｍｏ、ＷｅＶ、Ｎｂ、Ｔ
ａ，Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅの中から選ばれる１種以上
の金属の酸化物または、Ｚｒ。
Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｎ，Ａｌ、非晶質磁性合金
等からなる下地層を設けることにより、合金薄膜と基板
とのはく離を防止することができる。
等からなる下地層を設けることにより、合金薄膜と基板
とのはく離を防止することができる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図表を参照しながらさ
らに具体的に説明する。
らに具体的に説明する。
［実施例１コ
強磁性膜の作製にはデュアル・イオンビーム・スパッタ
リング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行
った。
リング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行
った。
イオンガス ・・・Ａｒ装置内Ａｒ
ガス圧力 −２，５Ｘ １０−２Ｐ ａ蒸着用イオン
ガン加速電圧 ・・・１２００Ｖ蒸着用イオンガン
イオン電流 ・・・１２０ｍＡ基板照射用イオンガン
加速電圧 ・・・２００Ｖ基板照射用イオンガンイオン
電流・・・４０ｍＡターゲット・基板間距離 ・
・・１２７ｍ作製した強磁性膜の断面図を第１図に示す
。
ガス圧力 −２，５Ｘ １０−２Ｐ ａ蒸着用イオン
ガン加速電圧 ・・・１２００Ｖ蒸着用イオンガン
イオン電流 ・・・１２０ｍＡ基板照射用イオンガン
加速電圧 ・・・２００Ｖ基板照射用イオンガンイオン
電流・・・４０ｍＡターゲット・基板間距離 ・
・・１２７ｍ作製した強磁性膜の断面図を第１図に示す
。
本実施例では磁性膜１１としてＦｅ、Ｆｅ−１２ａｔ％
Ｓｉ、Ｆａ−１０ａｔ％Ｃ薄膜、下地層１２としてＺ
ｒ Ｏｘ、 Ｈｆ Ｏｘ、 Ｍ ｏ Ｏｘ、 ＷＯｓ＋
Ｖ２０ａ、 Ｎ ｂ ｇｏｓ、 Ｔ ａ ｘｏｓ、 Ａ
Ｑ ｚｏｓ。
Ｓｉ、Ｆａ−１０ａｔ％Ｃ薄膜、下地層１２としてＺ
ｒ Ｏｘ、 Ｈｆ Ｏｘ、 Ｍ ｏ Ｏｘ、 ＷＯｓ＋
Ｖ２０ａ、 Ｎ ｂ ｇｏｓ、 Ｔ ａ ｘｏｓ、 Ａ
Ｑ ｚｏｓ。
Ｆｅｚ○ａ、Ｍｎ Ｚｎフェライト、基板１３として
Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトを用いた。また磁性膜１１
の膜厚を１０μｍ、下地層１２の膜厚を１００人とした
。スパッタリングに用いた基板の枚数は、それぞれの磁
性膜、下地層について２０枚である。
Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトを用いた。また磁性膜１１
の膜厚を１０μｍ、下地層１２の膜厚を１００人とした
。スパッタリングに用いた基板の枚数は、それぞれの磁
性膜、下地層について２０枚である。
２０枚の基板上にはく離せず形成できた強磁性膜の枚数
で接着力を評価した。従って枚数が多く、２０枚に近い
程、接着力が強いとした。第１表に実験結果を示す。
で接着力を評価した。従って枚数が多く、２０枚に近い
程、接着力が強いとした。第１表に実験結果を示す。
第１表
上表に示すように、種々の材料を下地層とすることによ
り、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板とＦｅ系合金の接
着力を向上することができた。またこれらの下地層材料
の中でＡＱｚＯａ、ＦｅｚＯａおよびＭ ｎ −Ｚ ｎ
フェライトの効果が優れていた。
り、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板とＦｅ系合金の接
着力を向上することができた。またこれらの下地層材料
の中でＡＱｚＯａ、ＦｅｚＯａおよびＭ ｎ −Ｚ ｎ
フェライトの効果が優れていた。
酸化物をスパッタリングで形成した場合、若干酸素を失
い、酸化物である基板と、金属である磁性膜の中間の状
態になるためと思われる。
い、酸化物である基板と、金属である磁性膜の中間の状
態になるためと思われる。
また基板１３としてＳ ｉ Ｏｚ、 Ａ ｎ ｚｏｓ基
板を用いた実験も行ったところ、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
基板とほぼ同様の傾向を示し、第１表に示す下地層を用
いることにより基板と磁性膜の接着力が向上した。この
場合もＡｌｇｏｓ、ＦｅｚＯａ、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
の効果が優れていた。
板を用いた実験も行ったところ、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
基板とほぼ同様の傾向を示し、第１表に示す下地層を用
いることにより基板と磁性膜の接着力が向上した。この
場合もＡｌｇｏｓ、ＦｅｚＯａ、Ｍｎ−Ｚｎフェライト
の効果が優れていた。
また磁性膜１１としてＦｅ系合金を他の組成の物質を介
して多層構造とした磁性膜を用いた場合にも、第１表に
示す下地層を用いることにより基板１３と磁性膜１１の
接着力を向上することができる１例えば、Ｆ ｅ −１
〜２０ ａ ｔ％Ｃ合金とＮ ｉ −２０ａ ｔ％Ｆｅ
合金を積層構造とした磁性膜を下地層を介さずＭ ｎ
−Ｚ ｎフェライト基板上に形成した場合、磁性膜１１
は全てはく離する。
して多層構造とした磁性膜を用いた場合にも、第１表に
示す下地層を用いることにより基板１３と磁性膜１１の
接着力を向上することができる１例えば、Ｆ ｅ −１
〜２０ ａ ｔ％Ｃ合金とＮ ｉ −２０ａ ｔ％Ｆｅ
合金を積層構造とした磁性膜を下地層を介さずＭ ｎ
−Ｚ ｎフェライト基板上に形成した場合、磁性膜１１
は全てはく離する。
これに対し、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る下地
層を設けると約１０枚の基板において、はく離を伴わず
に強磁性膜を形成することができる。
層を設けると約１０枚の基板において、はく離を伴わず
に強磁性膜を形成することができる。
［実施例２コ
実施例１と同様の方法でＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂ。
Ｔ ａ ＋ Ｍ ｎ ｐ Ｚ ｎ ＋ Ａ ２からなる
下地層を有する強磁性膜を作製した。磁性膜の構造は実
施例１と同様とし、第１図における磁性膜１１としてＦ
ｅ −５〜１５ａｔ％Ｃ合金を用いた。基板１３とし
てＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトを用いた。接着力の評価
は実施例１と同様に行った。結果を第２表に示す。
下地層を有する強磁性膜を作製した。磁性膜の構造は実
施例１と同様とし、第１図における磁性膜１１としてＦ
ｅ −５〜１５ａｔ％Ｃ合金を用いた。基板１３とし
てＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトを用いた。接着力の評価
は実施例１と同様に行った。結果を第２表に示す。
第２表
第２表に示すように、上記金属を下地層とすることによ
りＦｅ−Ｃ系合金とＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板と
の接着力が向上したｅ Ｆ ｅ Ｃ系合金は。
りＦｅ−Ｃ系合金とＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト基板と
の接着力が向上したｅ Ｆ ｅ Ｃ系合金は。
高飽和磁束密度および高透磁率を有するが、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト基板との接着力が弱く、磁気ヘッドの作製が
困難であった。Ｆｅ−Ｃ系合金の磁気ヘッドの応用に対
して、本発明は有効である。
フェライト基板との接着力が弱く、磁気ヘッドの作製が
困難であった。Ｆｅ−Ｃ系合金の磁気ヘッドの応用に対
して、本発明は有効である。
また、上記金属からなる下地層とＭ ｎ −Ｚ ｎフェ
ライト基板との界面をオージェ電子分光分析。
ライト基板との界面をオージェ電子分光分析。
電子顕微鏡等で観察したところ、Ｚｎ、Ｈｆ。
Ｎｂ、Ｔａを用いた磁性膜では、上記金属と基板との界
面に上記金属の酸化物層が形成されていることがわかっ
た。この酸化による結合が磁性膜と基板との接着力を向
上させているものと考えられる。また、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａ
ｌ１からなる下地層を用いた強磁性膜では、基板とＭｎ
、Ｚｎ，Ａｌとの間に反応層が見られ、相互拡散してい
ることがわかった。この反応がＭｎ、Ｚｎ、ＡΩと基板
との接着力を向上させているものと考えられる。
面に上記金属の酸化物層が形成されていることがわかっ
た。この酸化による結合が磁性膜と基板との接着力を向
上させているものと考えられる。また、Ｍｎ、Ｚｎ、Ａ
ｌ１からなる下地層を用いた強磁性膜では、基板とＭｎ
、Ｚｎ，Ａｌとの間に反応層が見られ、相互拡散してい
ることがわかった。この反応がＭｎ、Ｚｎ、ＡΩと基板
との接着力を向上させているものと考えられる。
さらに基板１３としてＳ ｉ Ｏｘ、 Ａ Ｑ ｚｏａ
基板を用いた実験を行ったところ、これらの基板におい
ても、第２表に示す金属を下地層として用いることによ
り、磁性膜と基板との接着力が向上した。
基板を用いた実験を行ったところ、これらの基板におい
ても、第２表に示す金属を下地層として用いることによ
り、磁性膜と基板との接着力が向上した。
［実施例３］
第２図に示すような積層磁性膜を形成した。
本実施例では主磁性膜２１として膜厚９５０人のＦｅ−
１０ａｔ％Ｃ合金、中間層２２として膜厚５０人のＮｉ
−２０ａｔ％Ｆｅ合金、基板２４としてＳｉＯｘを用い
た。磁性膜は５０周期積層した。下地膜２３としてはＭ
ｎ −Ｚ ｎフェライトを用い、膜厚を変化した。
１０ａｔ％Ｃ合金、中間層２２として膜厚５０人のＮｉ
−２０ａｔ％Ｆｅ合金、基板２４としてＳｉＯｘを用い
た。磁性膜は５０周期積層した。下地膜２３としてはＭ
ｎ −Ｚ ｎフェライトを用い、膜厚を変化した。
Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト下地膜の膜厚変化によるＦ
ｅ−Ｃ多層膜の比透磁率の変化を第３図に示す。
ｅ−Ｃ多層膜の比透磁率の変化を第３図に示す。
同図に示すように、下地膜の膜厚が大きくなるに従い、
比透磁率が減少する。比透磁率の減少を最小限にするた
めには下地膜の膜厚は２００Å以下が好ましい、また膜
厚２０Å以下では下地膜の効果がなく、磁性膜は基板よ
りはく離する。従ってで下地膜の膜厚は２０〜２００人
の範囲が好ましい、この膜厚依存性は第１表および第２
表に示すその他の下地膜材料でもほぼ同様であった。
比透磁率が減少する。比透磁率の減少を最小限にするた
めには下地膜の膜厚は２００Å以下が好ましい、また膜
厚２０Å以下では下地膜の効果がなく、磁性膜は基板よ
りはく離する。従ってで下地膜の膜厚は２０〜２００人
の範囲が好ましい、この膜厚依存性は第１表および第２
表に示すその他の下地膜材料でもほぼ同様であった。
［実施例４コ
第２図に示すような構造の積層磁性膜を用いてＶＴＲ用
磁気ヘッドを作製した。本実例では主磁性膜２１として
膜厚９５０人のＦ ｅ ＝ １０ ａ ｔ％Ｃ合金、中
間層２２として膜厚５０人のＮｉ −２０ａｔ％Ｆｅ合
金を用いた。磁性膜は１００周期積層し、膜厚は約１０
μｍとした。下地層２３としては膜厚１００人のＭ ｎ
−Ｚ ｎフェライトを用いた。第４図に示すＶＴＲ用
磁気ヘッド９０の作製工程を以下に述べる。
磁気ヘッドを作製した。本実例では主磁性膜２１として
膜厚９５０人のＦ ｅ ＝ １０ ａ ｔ％Ｃ合金、中
間層２２として膜厚５０人のＮｉ −２０ａｔ％Ｆｅ合
金を用いた。磁性膜は１００周期積層し、膜厚は約１０
μｍとした。下地層２３としては膜厚１００人のＭ ｎ
−Ｚ ｎフェライトを用いた。第４図に示すＶＴＲ用
磁気ヘッド９０の作製工程を以下に述べる。
第４図（ａ）に示す溝８１を有するＭ ｎ −Ｚ ｎフ
ェライトからなる基板８２を用意し、第４図（ｂ）に示
すごとく基板８２の表面に膜厚約１０μｍの上記積層構
造を有する強磁性膜８３をイオンビーム・スパッタリン
グ法により作製した。
ェライトからなる基板８２を用意し、第４図（ｂ）に示
すごとく基板８２の表面に膜厚約１０μｍの上記積層構
造を有する強磁性膜８３をイオンビーム・スパッタリン
グ法により作製した。
次に第４図（Ｑ）に示すとと＜ｐｂ系ガラス８４を用い
て溝８１を充填し、さらに第４図（ｄ）に示すとと＜ｐ
ｂ系ガラス８４の表面を研摩してギャップ構成面８５を
形成し、ヘッドコア半休ブロック８６を作製した。さら
に、ギャップ構成面８５にギャップ材となり５ｉｆｔ膜
をスパッタリング法により形成し、第４図（８）に示す
ごとく。
て溝８１を充填し、さらに第４図（ｄ）に示すとと＜ｐ
ｂ系ガラス８４の表面を研摩してギャップ構成面８５を
形成し、ヘッドコア半休ブロック８６を作製した。さら
に、ギャップ構成面８５にギャップ材となり５ｉｆｔ膜
をスパッタリング法により形成し、第４図（８）に示す
ごとく。
巻線窓８７を有するヘッドコア半休ブロック８８と上記
ヘッドコア半休ブロック８６とをギャップ材を介して重
ね合わせて５００℃の温度で３０分間加熱してｐｂ系ガ
ラス８４を再度溶融、固化して接合ブロック８９を作製
した。さらに第４図（８）に示す２点鎖線部を切断して
、第４図（ｆ）に示すＶＴＲ用磁気ヘッド９０を得た。
ヘッドコア半休ブロック８６とをギャップ材を介して重
ね合わせて５００℃の温度で３０分間加熱してｐｂ系ガ
ラス８４を再度溶融、固化して接合ブロック８９を作製
した。さらに第４図（８）に示す２点鎖線部を切断して
、第４図（ｆ）に示すＶＴＲ用磁気ヘッド９０を得た。
上述の工程によって作製した本発明の磁気ヘッドおよび
、従来材料であるＦ ｅ −Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金薄
膜を用いたヘッドの記録特性を保磁力１４０（１０ｅの
メタルテープを用いて測定した。再生ヘッドにはフェラ
イトヘッドを用いた。この結果、本発明のＦｅ−Ｃ多層
膜を用いたヘッドは、Ｆ６−ＡＱ−８ｉ系合金薄膜を用
いたヘッドと比較してＩ Ｍ Ｈｚの周波数において約
４ｄＢ高い出力を示した。上述のように、磁性膜と基板
との界面にＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る下地層
を設けることにより、高飽和磁束密度を有するＦｅ系合
金薄膜を形成することができ、この結果、記録特性の優
れた磁気ヘッドが得られる、 ［実施例５］ 実施例１と同様の方法で第５図に示す構造の強磁性膜を
作製した。Ｆｅ系合金５１は膜厚２μｍのＦ ｅ −１
０ａ ｔ％Ｃ合金、非晶質磁性合金５２は膜厚３ｐｍの
Ｃｏ −９ａ ｔ％Ｎｂ−３８ｔ％Ｚｒ合金とした。ま
た基板５３はＭ ｎ −Ｚｎフェライトとした。
、従来材料であるＦ ｅ −Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金薄
膜を用いたヘッドの記録特性を保磁力１４０（１０ｅの
メタルテープを用いて測定した。再生ヘッドにはフェラ
イトヘッドを用いた。この結果、本発明のＦｅ−Ｃ多層
膜を用いたヘッドは、Ｆ６−ＡＱ−８ｉ系合金薄膜を用
いたヘッドと比較してＩ Ｍ Ｈｚの周波数において約
４ｄＢ高い出力を示した。上述のように、磁性膜と基板
との界面にＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る下地層
を設けることにより、高飽和磁束密度を有するＦｅ系合
金薄膜を形成することができ、この結果、記録特性の優
れた磁気ヘッドが得られる、 ［実施例５］ 実施例１と同様の方法で第５図に示す構造の強磁性膜を
作製した。Ｆｅ系合金５１は膜厚２μｍのＦ ｅ −１
０ａ ｔ％Ｃ合金、非晶質磁性合金５２は膜厚３ｐｍの
Ｃｏ −９ａ ｔ％Ｎｂ−３８ｔ％Ｚｒ合金とした。ま
た基板５３はＭ ｎ −Ｚｎフェライトとした。
以上の条件により、２０枚中１５枚の膜をはく離せずに
形成することができた。従って、非晶質磁性合金を下地
層とすることも接着力向上に効果がある。
形成することができた。従って、非晶質磁性合金を下地
層とすることも接着力向上に効果がある。
さらに強磁性膜全体の膜厚を５μｍ一定としその中に占
める非晶質磁性合金５２の膜厚を変化した。その結果、
非晶質磁性合金５２の膜厚を１μｍ未満、すなわち全体
に占める割合を２０％未満とすると、非晶質磁性合金の
はく離防止効果が弱くなることがわかった。また、非晶
質磁性合金５２の膜厚を４μｍより厚く、すなわち全体
に占める割合を８０％より大きくすると、全体の飽和磁
束密度が低下し、Ｆｅ系合金を使用する利点を失う。従
って、全体に占める非晶質磁性合金の膜厚の割合は２０
〜８０％の範囲とすることにより好ましい。また基板５
３としてＳ ｉ Ｏ２，Ａ Ｑ ２０１１を使用した場
合にもほぼ同様の結果を得た。
める非晶質磁性合金５２の膜厚を変化した。その結果、
非晶質磁性合金５２の膜厚を１μｍ未満、すなわち全体
に占める割合を２０％未満とすると、非晶質磁性合金の
はく離防止効果が弱くなることがわかった。また、非晶
質磁性合金５２の膜厚を４μｍより厚く、すなわち全体
に占める割合を８０％より大きくすると、全体の飽和磁
束密度が低下し、Ｆｅ系合金を使用する利点を失う。従
って、全体に占める非晶質磁性合金の膜厚の割合は２０
〜８０％の範囲とすることにより好ましい。また基板５
３としてＳ ｉ Ｏ２，Ａ Ｑ ２０１１を使用した場
合にもほぼ同様の結果を得た。
［実施例６コ
第５図に示す構造の強磁性膜を用いてＶＴＲ用磁気ヘッ
ドを作製した。第５図における磁性膜５１として膜厚２
μｍのＦ ｅ −Ｃ／ Ｎ ｉ −Ｆ ｓ２０層膜（周
期１０００人）、非晶質磁性合金５２として膜厚３μｍ
のＧ ｏ −９ａ ｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ合金を用い
た。磁気ヘッドの構造および作製プロセスは実施例４と
同様とした。
ドを作製した。第５図における磁性膜５１として膜厚２
μｍのＦ ｅ −Ｃ／ Ｎ ｉ −Ｆ ｓ２０層膜（周
期１０００人）、非晶質磁性合金５２として膜厚３μｍ
のＧ ｏ −９ａ ｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ合金を用い
た。磁気ヘッドの構造および作製プロセスは実施例４と
同様とした。
本発明の磁気ヘッドおよび、従来材料であるＦ ｅ −
Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金簿膜を用いたヘッドの記録特性
を保磁力１４０００ ｅのメタルテープを用いて測定し
た。再生ヘッドにはフェライトヘッドを用いた。この結
果、本発明のヘッドは、Ｆｅ−ＡＱ−８ｉ系合金薄膜を
用いたヘッドと比較してＩ Ｍ Ｈｚの周波数において
約３ｄＢ高い出力を示すことがわかった６本発明のヘッ
ドに用いたＣ０−９ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ合金の飽
和磁束密度は約ＩＴであり、Ｆｅ−ＡＱ−８ｉ系合金の
飽和磁束密度と大差ない、それにもかかわらず、本発明
の磁気ヘッドが高い記録能力を示すのは、磁気ヘッドの
記録に重要な働きを示すギャップ付近の磁性膜に、高飽
和磁束密度を有するＦｅ−Ｃ系合金を用いたためと考え
られる。
Ａ Ｑ −Ｓ ｉ系合金簿膜を用いたヘッドの記録特性
を保磁力１４０００ ｅのメタルテープを用いて測定し
た。再生ヘッドにはフェライトヘッドを用いた。この結
果、本発明のヘッドは、Ｆｅ−ＡＱ−８ｉ系合金薄膜を
用いたヘッドと比較してＩ Ｍ Ｈｚの周波数において
約３ｄＢ高い出力を示すことがわかった６本発明のヘッ
ドに用いたＣ０−９ａｔ％Ｎｂ−３ａｔ％Ｚｒ合金の飽
和磁束密度は約ＩＴであり、Ｆｅ−ＡＱ−８ｉ系合金の
飽和磁束密度と大差ない、それにもかかわらず、本発明
の磁気ヘッドが高い記録能力を示すのは、磁気ヘッドの
記録に重要な働きを示すギャップ付近の磁性膜に、高飽
和磁束密度を有するＦｅ−Ｃ系合金を用いたためと考え
られる。
一方、凝似ギャップの効果による磁気ヘッドの特性劣化
を減少させるためには１Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板と磁
性膜との飽和磁束密度を急激に変化させないことが重要
である。この観点から、本発明の磁気ヘッドの様に、Ｆ
ｅ系合金とフェライト基板との間に、飽和磁束密度０．
８Ｔ〜１．６Ｔの非晶質磁性合金を形成することが好ま
しい。また、第５図の非晶質磁性合金の組成を基板から
の距離によって変化し、基板５３の近くでは比較的飽和
磁束密度を低く、Ｆｅ系合金５１の近くでは比較的飽和
磁束密度を高くすることはさらに好ましい。
を減少させるためには１Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板と磁
性膜との飽和磁束密度を急激に変化させないことが重要
である。この観点から、本発明の磁気ヘッドの様に、Ｆ
ｅ系合金とフェライト基板との間に、飽和磁束密度０．
８Ｔ〜１．６Ｔの非晶質磁性合金を形成することが好ま
しい。また、第５図の非晶質磁性合金の組成を基板から
の距離によって変化し、基板５３の近くでは比較的飽和
磁束密度を低く、Ｆｅ系合金５１の近くでは比較的飽和
磁束密度を高くすることはさらに好ましい。
以上詳細に説明したごとく、Ｆｅ薄膜あるいはＦｅを主
成分とする合金薄膜を酸化物基板上に形成する場合、薄
膜と基板との界面にＺｒ、Ｈｆ。
成分とする合金薄膜を酸化物基板上に形成する場合、薄
膜と基板との界面にＺｒ、Ｈｆ。
Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＡＭ、Ｍｎ、Ｚｎ。
Ｆｅの中から選ばれる１種以上の金属の酸化物の層を設
けることにより薄膜と基板との接着力を向上し、はく離
を伴わずに数μｍの膜厚の磁性膜を形成することが可能
となる。また、Ｚｒ、Ｈｆ。
けることにより薄膜と基板との接着力を向上し、はく離
を伴わずに数μｍの膜厚の磁性膜を形成することが可能
となる。また、Ｚｒ、Ｈｆ。
Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｚｎ，Ａｌもはく前紡＋ｈに効果が
ある。また非晶質磁性合金からなる下地層を設けること
は、はく前紡止および磁気ヘッドの疑似ギャップ効果減
少に効果がある。以上の結果、高飽和磁束密度を有する
Ｆｅ系合金、Ｆｅ系合金多層膜を磁気ヘッドに適用する
ことが可能となり、高密度磁気記録用の磁気ヘッドを得
ることができる。
ある。また非晶質磁性合金からなる下地層を設けること
は、はく前紡止および磁気ヘッドの疑似ギャップ効果減
少に効果がある。以上の結果、高飽和磁束密度を有する
Ｆｅ系合金、Ｆｅ系合金多層膜を磁気ヘッドに適用する
ことが可能となり、高密度磁気記録用の磁気ヘッドを得
ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す下地膜を有する強磁性
膜の断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す下地膜
を有する積層磁性膜の断面図、第３図は本発明の実施例
の強磁性膜の比透磁率の下地膜厚依存性を示すグラフ、
第４図は本発明の実施例の強磁性膜を用いたＶＴＲ用磁
気ヘッドの作製工程を示す斜視図、第５図は本発明の他
の実施例を示す非晶質合金からなる下地膜を有する強磁
性膜の断面図である。 １１・・・磁性膜、１２・・・下地層、１３・・・基板
、２１・・・主磁性膜、２２・・・中間層、２３・・・
下地層、２４・・・基板、５１・・・Ｆｅ系合金、５２
・・・非晶質磁性合金、５３・・・基板、８１・・・溝
、８２・・・基板、８３・・・強磁性膜、８４・・・ｐ
ｂ系ガラス、８５・・・ヘッドギャップ構成面、８６・
・・ヘッドコア半休ブロック、８７・・・巻線窓、８８
・・・巻線窓を有するヘッドコア半休ブロック、８９・
・・接合ブロック、９０・・・ＶＴＲ用磁気ヘッド。 ρ ／〃 λｎ ３
ρρ小−ム フエライＬ １捜７ＩＫＡＮＸノｊ＜−１
）（＾）２７茅４図 （す
膜の断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す下地膜
を有する積層磁性膜の断面図、第３図は本発明の実施例
の強磁性膜の比透磁率の下地膜厚依存性を示すグラフ、
第４図は本発明の実施例の強磁性膜を用いたＶＴＲ用磁
気ヘッドの作製工程を示す斜視図、第５図は本発明の他
の実施例を示す非晶質合金からなる下地膜を有する強磁
性膜の断面図である。 １１・・・磁性膜、１２・・・下地層、１３・・・基板
、２１・・・主磁性膜、２２・・・中間層、２３・・・
下地層、２４・・・基板、５１・・・Ｆｅ系合金、５２
・・・非晶質磁性合金、５３・・・基板、８１・・・溝
、８２・・・基板、８３・・・強磁性膜、８４・・・ｐ
ｂ系ガラス、８５・・・ヘッドギャップ構成面、８６・
・・ヘッドコア半休ブロック、８７・・・巻線窓、８８
・・・巻線窓を有するヘッドコア半休ブロック、８９・
・・接合ブロック、９０・・・ＶＴＲ用磁気ヘッド。 ρ ／〃 λｎ ３
ρρ小−ム フエライＬ １捜７ＩＫＡＮＸノｊ＜−１
）（＾）２７茅４図 （す
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103914A JP2675062B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 強磁性薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103914A JP2675062B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 強磁性薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276607A true JPH01276607A (ja) | 1989-11-07 |
| JP2675062B2 JP2675062B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=14366695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103914A Expired - Lifetime JP2675062B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 強磁性薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2675062B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209607A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｉｇ型磁気ヘッド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63103914A patent/JP2675062B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6134707A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209607A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｉｇ型磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2675062B2 (ja) | 1997-11-12 |
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