JPH01281741A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01281741A
JPH01281741A JP63110840A JP11084088A JPH01281741A JP H01281741 A JPH01281741 A JP H01281741A JP 63110840 A JP63110840 A JP 63110840A JP 11084088 A JP11084088 A JP 11084088A JP H01281741 A JPH01281741 A JP H01281741A
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JP
Japan
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metal block
semiconductor element
wiring pattern
wire
semiconductor device
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Pending
Application number
JP63110840A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanobu Yoshida
貴信 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01281741A publication Critical patent/JPH01281741A/ja
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    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体に関し、特にその金属細線による配
線に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のこの種の半導体装置の断面側面図を第２図に示す
。
（１）は放熱板、（２）は放熱板（１）上にはんだ融着
された絶縁基板、（３ｍ）　（３ｂ）は絶縁基板（２）
上に形成された第１及び第２の配線パターン、（４ａ）
は第１の配線パターン（３ａ）上にはんだ融着された第
１の金属ブロック、（５）は第１の金属ブロック（４ａ
）上にはんｔ！融着された半導体素子、（６）は、半導
体素子（５）と第２の配線パターン（３ｂ）を接続する
金属細線である。
上記従来の装置の組立工程は、次のようにされている。
まず、放熱板（１）上に、はんだを介し、あらかじめ第
１．第２の配線パターン（３ａ）、　（３ｂ）が形成さ
れている絶縁基板（２）を置く。つづいて、この第１の
配線パターン（３ａ）上に、はんだを介し、第１の金属
ブロック（４＆）を載せる。
さらに、第１の金属ブロック（４ａ）にはんだ・を介し
、半導体素子（５）を配置する。このように各部品が載
置された放熱板（１）を組立設備の熱板（図示してない
）上に載せ加熱し、各部品をはんだ融着する。つぎに、
半導体素子（５）のポンディングパッドに金属細線（６
）をボンディングし、そして、第２の配線パターン（３
ｂ）にその金属細線（６）をボンディングして、半導体
素子（５）と第２の配線パターン（３ｂ）を接続する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のこの装置では、半導体素子（５）の消費電力によ
り、素子が発熱し、その熱量の大部分は素子直下に放熱
される。そこで、熱放散性の良好な金属を第１金属ブロ
ツク（４ａ）として半導体素子（５）直下に使用してい
る。このため、絶縁基板（２）上の第２の配線パターン
（３ｂ）と、半導体素子（５）のポンディングパッドと
の段差が大きくなり、ワイヤボンドされた金属細線（６
）が半導体素子（５）や第１の金属ブロック（４ａ）の
エツジとワイヤタッチすることがあるなどの問題点があ
った。
この発明は上記のような問題点を解消するなめになされ
たもので、ワイヤボンドされた金属細線が、半導体素子
や第１の金属ブロックとのワイヤタッチを防ぐことので
きる半導体装置を得ることを目的とする。
〔課題を解消するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、第２の配線パターン上に
、第２の金属ブロックを設けたものである。
〔作用〕
この発明における半導体装置は、第２の配線パターン上
に設けられた金属ブロックにより、２つのワイヤボンデ
ィング点間の段差が小さくなる。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）は放熱板、（２）はこの放熱板
（１）上にはんだ融着された絶縁基板、（３ａ）　（３
ｂ）は絶縁基板（２）上に形成された第１．第２の配線
パターン、（４ａ）は第１の配線パターン（３ａ）上に
はんだ融着された第１の金属ブロック、（５）は第１の
金属ブロック（４ａ）上にはんだ融着された半導体素子
、（４ｂ）は第２の配線パターン（３ｂ）上にはんだ融
着された第２の金属ブロック、（６）は半導体素子（５
）と第２の金属ブロック（４ａ）を接続する金属細線で
ある。
前述した構成によれば、第２の配線パターン（３ｂ）上
にも、第２の金属ブロック（４ａ）を配置したことによ
り、半導体素子（５）のワイヤポンディングパッドと第
２の配線パターン（３ｂ）側のボンディング点との段差
が小さくなる。そのため、２点間を接続する金属細線（
６）と半導体素子（５）や第１の金属ブロック（４ａ）
のエツジとワイヤタッチすることを防ぐことができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、第２の配線パターン
上に、第２の金属ブロックを設けたので、金属細線と半
導体素子や金属ブロックが接触することを防ぐことがで
きるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例による半導体装置の断面
側面図、第２図は、従来の半導体装置を示す断面側面図
である。（１）は放熱板、（２）は絶縁基板、（３ｍ）
　（３ｂ）は第１．第２の配線パターン、（４＆）（４
ｂ）は第１．第２の金属ブロック、（５）は半導体素子
、（６）は金属細線。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　絶縁基板上に互いに離間して設けられた第１、第２の
    配線パターンと、第１の配線パターン上に第１の金属ブ
    ロックを介して設けられた半導体素子と、第２の配線パ
    ターン上に設けられた第２の金属ブロックと、前記半導
    体素子と前記第２の金属ブロックを接続する金属細線と
    を備えた半導体装置。
JP63110840A 1988-05-07 1988-05-07 半導体装置 Pending JPH01281741A (ja)

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JP63110840A JPH01281741A (ja) 1988-05-07 1988-05-07 半導体装置

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JP63110840A JPH01281741A (ja) 1988-05-07 1988-05-07 半導体装置

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JP63110840A Pending JPH01281741A (ja) 1988-05-07 1988-05-07 半導体装置

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