JPH01281994A - 記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光透過率および光反射率が変化し、その光学
特性の保持が可能な高分子材料からなる記録層を少なく
とも２層以上積層してなる多層型記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来、書き換え型光メモリーには、光記録層の材料によ
って無機系、有機系に大別される。

無機系には、光磁気メモリーやＴ　ｅ　Ｏｘ系等の相変
化型光メモリーが代表的である。これらは大きな再生コ
ントラスト比が得に（＜、記録層の環境安定性が悪く、
さらに製造に蒸着工程を含むため製造コストが高くなる
という欠点がある。

一方、有機系には、フォトクロミック材料、液晶材料あ
るいは相分離ポリマー等可逆的に光透過率や光反射率が
変化する材料を用いた光メモリーが挙げられる。一般に
、有機系特に低分子化合物の場合、耐光性や耐熱性に難
点があり、記録再生消去など光照射に対する繰り返し耐
久性が悪いという欠点があった。これに反し、高分子化
合物の場合、耐光性、耐熱性の点で低分子化合物よりも
有利である上に、記録層の薄膜を容易に作りやすいとい
う優位性があり、書き換え型光メモリーとして有望視さ
れている。

また、これらの高分子材料はメモリー媒体以外にも像形
成媒体としても用いることができ、大面積でかつ耐光性
に優れた書き換え可能な像形成媒体としても期待されて
いる。

〔発明が解決しようとしている問題点〕しかしながら、
光メモリーでは記録密度向上のために］ヒラ）・の大き
さを小さくすることが望まれるのに対し、光を用いてい
る限り、その大きさは光の分解能で制限を受け（〜１μ
ｍ程度）それ以上の記録密度が得にくいという問題があ
った。

特開昭６２−２３１４．３７及び特開昭６２−２３］４
３８に、高分子液晶性化合物を光記録層とし、これと光
吸収層断熱層からなる光記録ユニットを積層した多層書
き換え型光記録媒体が開示されている。

この場合、光吸収性色素と高分子液晶性化合物を別の層
として積層し、さらに層間のクロストーク防止のために
、各記録ユニットに断熱層を設けているため、光記録媒
体の構成が複雑になるという問題点があった。

また断熱層を有しているため、隣接して積層された光記
録層間での熱伝導を利用した光記録が行なえないという
欠点があった。

また像形成媒体上の画質向上のために１画素について、
階調表示ができることが必要であるのに対し、効果的に
階調表示を行なう手法は得られていなかった。

〔問題点を解決するための手段（及び作用）〕本発明に
よれば、ある相転移温度で光透過率又は光反射率が可逆
的に変化し、その光学特性の保持が可能である高分子材
料を記録層とし、この記録層が隣接して少な（とも２層
以上積層された書き換え型記録媒体を用いることにより
、記録密度の犬１コな向上、あるいは記録状態の固定（
Ｅ−ＤＲＡＷとＤＲＡＷの複合記録）あるいは階調記録
が可能となった。

本発明において、記録媒体の記録層には高分子材料が用
いられる。高分子材料は光磁気メモリーＴ　ｅ　Ｏｘ系
等の相変化型メモリーで用いられている無機材料やフォ
トクロミック材料、低分子液晶等の有機化合物に比べ、
記録層の膜を容易に作成でき、またその積層化も可能で
ある。しかも酸化、光劣化等に対する安定性に優れるた
め、環境安定性や記録再生に対する耐久に優れた記録媒
体を安価に作ることができる。また、高分子材料は光吸
収色素等の添加剤との相溶性が良好で、高分子材料同志
のブレンドなども可能で多種多様の記録媒体を作ること
ができる。

かかる高分子材料としては、例えば相分離ポリマーと高
分子液晶が挙げられる。これらの材料は、加熱後の急冷
や徐冷の差によって、あるいは加熱後に電界や磁界を印
加するかしないかの差により、光反射率や光透過率を可
逆的に変化させることができ、しかもそれが一定温度下
で保持（本発明でいう保持とは光学特性が記録もしくは
消去光で変化しても、再生光（読みとり光）では変化せ
ず、さらに光をあてない場合にも長期保存が可能である
状態のものを示している。）できるという特性があるた
め、書き換え型記録媒体の記録層として用いることがで
きる。

相分離ポリマーとしては、例えば２種類以上の無定形ポ
リマーを混合した系が挙げられ、これらは温度によって
相溶状態と相分離状態とに変化をする。

相分離状態では、ある特性のポリマー組成物を有する微
小領域に系が分離し、それぞれの組成の光の屈折率が異
なれば微小領域の界面で光が強く散乱される。従って、
相分離状態は光散乱状態である。一方、相溶状態では、
このような界面が存在しないため光は散乱されない。こ
の相分離状態と相溶状態は、それぞれの光散乱特性に応
じ、例えば、光反射率や光透過率を検出することで識別
できる。

温度による相溶−相分離の変化パターンによって、これ
らの相分離ポリマーにはＬＣ３Ｔ　（ＬｏｗｅｒＣｒｉ
ｔｉｃａｌ　　５ｏｌｕｔｉｏｎ　　Ｔｅｍｐｅｒａｔ
ｕｒｅ）型とＵＣ８Ｔ　（Ｕｐｐｅｒ　Ｃｒ１ｔｉｃａ
ｌ　５ｏｌａｔｉｏｎ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）型に
区別され、前者は高温側て相分離状態を示し、低温側で
は相溶状態を示し、後者はその逆である。

ＵＣ３Ｔ型には、例えばポリスチレンーポリイソブデン
系、ポリスヂレン−ポリブタジエン系、ポリプロピレン
オキシド−ポリブタジェン系等が挙げられ、ＬＣ８Ｔ型
には、ポリ塩化ビニル−ポリメタクリル酸−ｎ−ヘキシ
ル系、スチレンアクリロニトリル共重合体−ポリメタク
リル酸メチル系、ポリフッ化ビニリデン−ポリアクリル
酸メチル系などが挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。

また、これらの相分離ポリマーは加熱後徐冷することに
より、高温側での相溶あるいは相分離の状態を低温側の
状態に変化できる上に、加熱後急冷することにより、高
温側での状態を冷却後も保持できるという特徴があるた
め、書き換え型を含め記録媒体に応用できる。

一方、高分子液晶は、ザーモトロピック液晶であり、中
間相としてネマチック、スメクチック。

コレステリックのタイプが使用できる。高分子サーモト
ロピック液晶は、薄膜状態が得られるのみならず、低分
子液晶に比べ記録状態の保持が容易であるという利点を
有する。

例えば、本発明において利用できる高分子サーモトロピ
ック液晶（以下単に高分子液晶と記す）は、次の２つに
分類される。

■　メソーゲン基、あるいは比較的剛直で長い原子団が
屈曲性鎮で結ばれたもの。

■　側鎖にメソーゲン基、あるいは比較的剛直で長い原
子団を有する。

これらの高分子液晶は異なる数種の高分子液晶と混合し
て用いることが可能である。また高分子液晶と低分子液
晶との混合物、高分子液晶と高分子との混合物として用
いることも可能である。

以下に高分子液晶の具体例を示すがこれらに限定される
ものてはない。

（Ｊ−） ０　　　　　　　　　リ　　　　　Ｑ　　　　　　　　
リＨ３ ■ ｅ ■ これらの高分子液晶はガラス転移点以下の温度でその構
造状態を保持てきる特徴があるため、例えば次のような
記録モートが可能である。

（１）の記録モードは、まず高分子液晶を液晶相が多数
のドメイン（分域）から成るポリドメイン状態に保持し
ておく。次に等吉相を示す温度以」二に高分子液晶を加
熱後、ガラス転移点以下に急冷し高分子液晶を等吉相の
状態に保持することにより、記録が行なわれる。

（２）の記録モードは、まず高分子液晶を電界等を用い
液晶相が単一のドメインから成るモノドメイン状態に保
持しておく。次にガラス転移点以上に高分子液晶を加熱
後冷却することにより、液晶相をポリドメイン状態に保
持することで記録が行なわれる。

これら（１）、（２）いずれの記録モードでも、記録状
態を加熱後の徐冷が加熱と電界印加の組合せにより、初
期の状態に戻すことが可能であるため、書き換え可能な
記録媒体として用いることができる。従って、先非散乱
−光散乱の各状態を逆転させて記録モードとすることも
可能になる。

記録層の加熱には、サーマルヘッド等の抵抗発熱体を用
いることができ、特に光記録媒体の記録層中の高分子材
料を加熱する手法としては、記録層中又は隣接層中に光
吸収性色素を添加して照射光を熱に変換する手法が一般
的である。

照射光は単色性、直進性に優れたレーザー光が好ましく
、特にコンパクト性や低消費電力等の点で半導体レーザ
ーが好ましい。半導体レーザー光のような近赤外波長領
域に吸収を有する光吸収色素には、例えば以下のような
ものが挙げられる。

−Ｉ Ｄ−４ なお、Ｈｅ　−Ｎ　ｅレーザー光、Ａｒイオンレーザ−
光等を用いればそれぞれの波長に吸収を有する光吸収性
色素を用いることができ、特に、高分子液晶中に添加す
る場合は相溶性の点で二色性色素を用いるのが好ましい
。

本発明の記録媒体は、このような材料から得られる記録
層を少なくとも２層以上積層された構成を有することに
特徴がある。

本発明の記録媒体では、多層化される記録層の各層の相
転移温度を任意に選択することができる。

また、光吸収性色素を混合する場合、各光記録層ごとに
光吸収性色素の吸収波長や添加量を適宜選択することが
できる。

多層型記録媒体は、その使用目的に応じ、媒体構成を選
択する必要がある。使用目的としては、例えば次の使用
目的が挙げられるが、これに限定されるものではない。

（１）記録密度向上のための多層（多重）記録媒体、あ
るいは多値記録媒体 （２）記録状態の固定化のための多層記録媒体（３）階
調表示 （１）の具体例としては、第１図に示すような構成の光
記録媒体が必要となる。

第１図で光吸収性色素を含有する光記録層１ａ〜１ｄと
、光吸収性色素を含有しない記録層２ａ〜２Ｃを交互に
基板３上に積層する。

光記録層１ａ〜１ｄに含有されている光吸収性色素の吸
収波長はそれぞれ異なるものとする。

また光記録層１ａ〜１ｄは、光吸収色素の光吸収波長に
対応した光照射によって選択的に加熱される。加熱後の
急冷あるいは徐冷によって、光記録層１ａ〜１ｄの光透
過率あるいは光反射率を可逆的に変化させることができ
る。

ここで、光吸収性色素を含まない記録層２ａ〜２Ｃは、
光記録層１　ａ−１ｄが選択的に加熱された時、断熱層
となってクロストークを防止する。さらに、光記録層１
ａ−１ｄの加熱温度が高い場合（照射光強度が大きい場
合）は、記録層２ａ〜２Ｃは熱伝導によって加熱され、
光記録層とともに光透過率あるいは光反射率が可逆的に
変化させることができる。この場合、熱伝導による記録
のため、記録層２ａ〜２ｃは、深さ方向に連続的に光透
過率あるいは光反射率を変化させることができ、１つの
光記録層とそれを挟持する記録層を１つのユニットとし
て、多値記録と多層記録を同時に行なうことができるよ
うになる。

従って、この光記録媒体の記録密度は非常に大きくなる
。この記録方法においては、多層に積層された光記録層
及び記録層を構成する高分子材料のガラス転移点および
／又は相転移温度を適宜選択しても良い。

また、光記録層及び記録層がともに、例えば高分子液晶
あるいは、相分離ポリマーの同種類のポリマー層の積層
であるため、各記録層、光記録層間の密着性や成膜性も
良好になる。記録状態の再生は、各光記録層中に含まれ
る光吸収色素の吸収波長に対応した光を用いる。光記録
層及び記録層の光学特性を変化させない程度の低出力に
した上で、その光記録層に焦点を合わせ、光記録層及び
それを挟持する記録層の光透過率あるいは光反射率を検
出して行なう。

次に記録の消去は、記録領域に低強度で比較的長いパル
スを有するレーザー光を照射するか、電場等を同時に印
加する方法がある。

（２）の具体的例としては、第２図に示すような２層構
成の光記録媒体が挙げられる。

基板３」二に光吸収性色素を含有した光記録層４ａ。

４ｂを積層する。光記録層４ａ側から光照射を行ない光
記録層４ａを加熱し、その後の急冷あるいは徐冷によっ
て光透過率あるいは光反射率を変化させる。照射光強度
が小さい時、光記録層４ａのみに光学特性の変化が生じ
、照射光強度が大きい場合は、光記録層４．ａ、４ｂと
もに光学特性の変化が生じるように、光記録層４ａと４
ｂ中の高分子材料のガラス転移温度および／又は相転移
温度を選ぶ。

以上より、光記録層４ａは書き換え型光記録層として用
い、光記録層４ｂは追記型光記録層として用いることが
できる。

記録状態の再生は、光記録層の光学特性が変化しない程
度の微弱光を照射して、その光透過率あるいは光反射率
を検出して行なうことができる。

（３）の具体例としては、第３図に挙げた像記録媒体が
必要となる。

基板３，３′　間にガラス転移温度および／又は相転移
温度の異なる記録層５ａ〜５ｄを多層積層する。

基板３側から、サーマルヘッド６によって加熱し、記録
層５ａ〜５ｄの光学特性を順次変化させる。記録層の光
学特性が変化する温度は、低温側から５ａ〜５ｄとなる
ように記録層中の高分子材料を選択する。

サーマルヘッドから記録層に与えられる熱量に応じて、
記録層５ａ〜５ｄのうちのいくつかの光学特性が変化す
るため、像記録媒体の階調がとれる。

以下本発明を実施例によって、より詳細に説明する。

（実施例） 以下の構造式の高分子液晶（Ａ、　） のフィルム（厚さ約３０μｍ）上に以下の構造式の高分
子液晶（Ｂ）１００重量部 に以下の構造式の半導体レーザー光吸収性色素１重量部 を、シクロへキサノン５００重量部に溶解させた溶液を
グラビアコータで塗工し、１２０°Ｃで減圧乾燥して約
５μｍの光記録層７を作成した。

一方、光吸収性色素を２色性色素Ｇ−３６６（日本感光
色素（株）社製）にして前述と同様に高分子液晶（Ａ）
のフィルム上に高分子液晶（Ｅ）から成る光記録層８を
形成する。

以上のようにして得られた２つの積層体及び高分子液晶
（Ａ）のフィルム（６ａ〜６Ｃ）を２枚の１　ｍ　ｍ厚
のガラス基板間に挟持し１６０　’Ｃに加熱後、室温ま
で徐冷し端面を接着剤で封止することによって、第４図
に示した構成の光記録媒体を作成した（この時、光記録
層及び記録層ともに液晶ポリドメイン状態（光散乱状態
）で保持されている。）。この光記録媒体への光記録及
び再生、消去を第５図に示した装置で行なった。

第５図中符号９は半導体レーザー、９′　はＡｒイオン
レーザ−１１０はハーフミラ−１］１．　１１’　　は
レンズ、１２は光記録媒体、１３はステージ、１４はフ
ォトダイオードを示す。

記録、再生及び消去は、半導体レーザー９（λ□、Ｘ＝
８３０ｎｍ）と、Ａｒイオンレーザ−９′（λｍａｘ＝
４．８８ｎｍ）からのレーザー光を光記録媒体の光記録
層７および８にそれぞれ焦点を合わせて照射することに
より行なった。

光記録層７に半導体レーザー９からλｍａｘ　８３０　
ｎ　ｍ　。

出力５ｍＷのレーザー光を照射した。この時、光記録層
７中の高分子液晶（Ｅ）は約１２０°Ｃまで加熱された
後急冷されるため、等吉相状態で保持され、光散乱強度
が減少し、記録を行なうことができた。

記録の際に光記録層７が等吉相を示す温度域（約１．２
００Ｃ）まで加熱されているので、光記録層７に隣接す
る記録層６ａ及び６ｂ中に含まれる高分子液晶（Ａ）は
、ガラス転移温度（約１２０°Ｃ）以上に加熱されない
ため、初期の光学特性は変化しなかった。また光記録層
８も記録層６ｂが断熱層となるために、光学特性の変化
はなかった。

次に、半導体レーザー９から出力１５　ｍ　Ｗのレーサ
ー光を照射した。この時、光記録層７中の高分子液晶（
Ｂ）は、約１６０　’Ｃまで加熱された後、急冷される
ため、前と同様に等吉相状態で保持される。

さらに光記録層７に隣接する記録層６ａ及び６ｂは、加
熱された光記録層７からの熱伝導によって高分子液晶（
Ａ）の等吉相を示す温度以上に加熱後急冷されるため、
光記録層７に面した側からある一定の領域も等吉相状態
で保持される。

記録の再生は、同じ半導体レーザー９からの光出力を０
　、２　ｍ　Ｗにして、光記録層７に焦点を合わせて光
照射を行ない、その透過光強度をフォトダイオード１４
て検出することにより行なった。このとき透過光強度は
焦点を合わせた光記録層７の近傍の光学特性のみを検出
することができる。

従って、前述した記録の際の光出力を変化させると、第
６図に示したような連続的な光透過率変化が得られた。

記録の消去は、半導体レーザー９からの光照射時間（パ
ルス巾）や照射スポット径を大きくすることにより、あ
るいは照射パルス数を多（することにより高分子液晶（
Ａ）、（Ｂ）の等吉相温度以」二に加熱後徐冷する条件
が得られ、光記録層７、記録層６ａ、　６ｂを光散乱状
態に戻すことができた。

以」二の記録、再生、消去は、光記録層８及び記録層６
ｂ、　　６ｃに対しても、Ａｒイオンレーザ−を用いて
同様に行なうことができた。

この光記録媒体では、多値記録と多層（多重）記録を併
用して行なうため、従来よりその記録密度を大巾に向上
させることができた。

（実施例２） ウオレットサイズ］、　ｍ　ｍ厚のガラス基板２３上に
Ａ１反射層２２を蒸着によって作成し、この上に実施例
１で用いた高分子液晶（Ａ）　１００重量部に、λｍａ
ｘ８３０ｎｍ半導体レーザー光吸収性色素１重量部をジ
クロロエタン３００重量部に溶解させた溶液をスピンコ
ー）・法で塗工し、８０℃で加熱乾燥させた。

一方、０　、５　ｍ　ｍ厚のガラス基板３上に実施例１
で用いた高分子液晶（Ｂ）　１００重量部に半導体レー
ザー光吸収性色素１重量部をシクロへキサノン５０’０
重量部に溶解させた溶液をスピンコード法で塗工し、１
３０°Ｃで減圧乾燥させた。得られた２つの積層体を１
６０℃下重ね合わせ、端面を接着剤封止し、室温まで徐
冷することにより、第７図に示す構成の光カードを作成
した。

光カードの光記録層２０．２１の層厚は、それぞれ１０
μｍ、３μｍであり、ともに液晶ポリドメイン状態（光
散乱状態）で保持された。

この光カートの記録、再生、消去は第８図に示す装置で
行なった。第８図中符号は前述の通り、但し２５はＸ波
長板を表わす。半導体レーザー９（λｍａｘ８３０ｎｍ
）から出力２　ｍ　Ｗのレーザー光を照射し、光記録層
を１２０℃まで加熱し、急冷する。光記録層２ｏ中の高
分子液晶（Ｂ）が等吉相以上の温度に加熱され急冷され
て等吉相状態で保持されるため、光散乱強度が減少し、
光記録層２０のみが記録された。

一方、半導体レーザー９の出力を１．０　ｍ　Ｗにする
と、光記録層２１中の高分子液晶（Ａ）も等吉相以上に
加熱され、急冷されるため、光記録層２０．２１ともに
記録された。

光記録層２０の消去は、レーザー出力２ｍＷで照射スポ
ット径を太き（し、光記録層２０を等吉相以上の温度に
加熱後徐冷することで行なうことができた。この時光記
録層２１の光学特性に変化はなく消去されなかった。記
録の再生は半導体レーザー光の出力を０．２ｍＷにして
、照射を行ない光カードからの反射光を偏光ヒームスプ
リッターで分解し、その強度をフォトダイオードで検出
することにより行なった。記録状態と反射光強度との関
係を第９図に示した（図中符号２６は等吉相状態を、符
号２７はポリドメイン状態を示す。）。

このような光カードでは、記録に用いるレーザー光出力
を調節することで、光記録層２１に消去手段に対して消
去不可能な記録を形成することができる点で有効である
。

（実施例３） 厚さ約１００μｍのポリエステルフィルム３５と、厚さ
約５μｍのポリイミドフィルム３１間に以下の構造式の
高分子液晶（Ｃ） と高分子液晶（Ｄ） Ｈ３ と実施例１で述べた高分子液晶（Ｅ）、各フィルム（厚
さ約１０μｍ）を高分子液晶（Ｄ）、（Ｃ）、（Ｂ）の
順につまり３４，３３．３２の順に積層して挟持した後
、ギヤツブ約１２０μｍ、温度約１００°Ｃの剛体ロー
ラ間を通過させ、第１０図に示す構成の記録媒体を作成
した。

この記録媒体を約１２０℃の温度から徐冷することによ
り、各記録層中の高分子液晶を液晶ポリドメイン状態（
光散乱状態）で保持した。

この記録媒体にポリイミドフィルム側からサーマルヘッ
ド３６によって熱印加を行ない、記録層中の高分子液晶
を等吉相温度以上に加熱後急冷して、等吉相状態（先非
散乱状態）で保持することにより、記録を行なった（第
１１図）。

第１１図中、符号３６はサーマルヘッド、３７はプラテ
ンローラー、３０は記録媒体を示す。サーマルヘッドか
ら与えられる熱量を制御することで、高分子液晶の相転
移温度の差に対応した記録媒体の厚み方向の制御ができ
るため、記録媒体上に良好な階調記録を行なうことがで
きた。記録の消去は記録媒体全面と前述したように約１
２０°Ｃに加熱後徐冷して一括消去を行なうことも可能
であり、またサーマルヘッドから部分的に加熱を行なっ
ても可能であった。

〔発明の効果〕

以上説明したように、光透過率及び光反射率が可逆的に
変化し、その光学特性の保持が可能な高分子材料からな
る記録層を隣接して、少なくとも２層以上積層してなる
多層型記録媒体を用いることにより、記録密度の大巾向
上及び良好な階調記録制御を行なうことができた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明の原理作用を示すための説明図
、 第４図は実施例１，２の光記録媒体の断面図、第５図、
第８図は実施例１，２の記録再生消去装置構成図、 第６図は実施例１の光記録媒体の光透過率と記録照射光
出力との関係図、 第７図は実施例２の光カードの断面図、第９図は実施例
２の光カート中の２層の光記録層の記録状態と、光反射
光強度との関係図、第１０図は実施例３の記録媒体の断
面図、第１１図は実施例３の記録消去装置構成図、図中
符号、１ａ〜ｌｄ、　　４ａ、　　４ｂは光吸収性色素
を含有する光記録層、２ａ〜２ｃ、　　５ａ〜５ｄは光
吸収性色素を含有しない記録層、３．３′　　は基板、
６ａ〜６ｃは実施例１の高分子液晶（Ａ）を含有する記
録層、７，８は実施例１の高分子液晶（Ｂ）と光吸収性
色素を含有する光記録層、９は半導体レーザー、９′　
はＡｒイオンレーザ−１１０はハーフミラ−１１１、１
１’　　はレンズ、１２は光記録媒体、１３はステージ
、１４はフォトダイオード、２０は実施例２の高分子液
晶（Ｂ）と光吸収性色素を含有する光記録層、２１は実
施例２の高分子液晶（Ａ）と光吸収性色素を含有する光
記録層、２２はＡＡ層、２３はガラス基板、２４は偏光
ビームスプリッタ、２５はＸ波長板、２６は等吉相状態
、２７は液晶ポリドメイン状態、３０は記録媒体、３１
はポリイミドフィルム、３２．３３゜３４はそれぞれ高
分子液晶（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含有する記録層、３
５はポリエステルフィルム、３６はサーマルヘッド、３
７はプラテンローラーを示す。 特許出願人　　キャノン株式会社 錫基）簸曖璧ミ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）光透過率又は光反射率が変化し、該光学特性の保
   持が可能である高分子材料を記録層とし、この記録層が
   隣接して少なくとも２層以上積層された構成を有するこ
   とを特徴とする記録媒体。
2. （２）前記積層された記録層の少なくとも１層中に光吸
   収性色素を含有していることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の記録媒体。
3. （３）前記記録媒体で、光吸収性色素を含有する記録層
   と含有しない記録層が交互に積層されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項記載の記録媒体。
4. （４）前記記録層に含有されている光吸収性色素がそれ
   ぞれ異なることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
   の記録媒体。
5. （５）前記記録媒体において、一方の層中の高分子材料
   のガラス転移温度及び／又は相転移温度が、隣接した他
   方の層の高分子材料のガラス転移温度および／又は相転
   移温度と異なることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の記録媒体。
6. （６）記録層の各々に含有されている高分子材料が光の
   散乱強度が可逆的に変化することを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の記録媒体。
7. （７）記録層の各々に含有されている高分子材料が相分
   離ポリマー、又は高分子液晶であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の記録媒体。