JPH01283839A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01283839A JPH01283839A JP11301988A JP11301988A JPH01283839A JP H01283839 A JPH01283839 A JP H01283839A JP 11301988 A JP11301988 A JP 11301988A JP 11301988 A JP11301988 A JP 11301988A JP H01283839 A JPH01283839 A JP H01283839A
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- Pending
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳｉを基板とする半導体装置に関し、特に高信
品１ｃを必要とする分野において有効である。
品１ｃを必要とする分野において有効である。
本発明は、ＩＣチップの周辺、スクライブ構造において
、Ｓｉ基板またはＳｉ基板上の熱酸化膜と上層に形成す
るポリイミド樹脂か直接、接して成ることを特徴とした
半導体装置に関する。
、Ｓｉ基板またはＳｉ基板上の熱酸化膜と上層に形成す
るポリイミド樹脂か直接、接して成ることを特徴とした
半導体装置に関する。
従来、ＩＣチップの周辺は、第３図に示すように、Ｓｉ
基板１のスクライブ領域６には、ＣＶＤ蓄積したＳ ｉ
Ｏ２が接し、その上にＣＶＤ蓄積した５ｌｌＮ４膜４
が形成されていた。
基板１のスクライブ領域６には、ＣＶＤ蓄積したＳ ｉ
Ｏ２が接し、その上にＣＶＤ蓄積した５ｌｌＮ４膜４
が形成されていた。
しかしながら、従来の半導体装置ではＣＶＤ ＳｉＯ２
膜３とＳｉ基板１の界面から、水分及び水分に含まれた
不純物が侵入し、例えば、ＡＬパッド２を腐蝕しＩＣの
不良原因となっている６本発明の目的は、ＩＣチップ周
辺から、ＩＣ内部への水分の侵入を防ぎ、耐湿性を改善
、高信頼度の半導体装置を提供することにある。
膜３とＳｉ基板１の界面から、水分及び水分に含まれた
不純物が侵入し、例えば、ＡＬパッド２を腐蝕しＩＣの
不良原因となっている６本発明の目的は、ＩＣチップ周
辺から、ＩＣ内部への水分の侵入を防ぎ、耐湿性を改善
、高信頼度の半導体装置を提供することにある。
本発明は、ＣＶ Ｄ Ｓ ｉＯ２膜またはＣＶＤＳｉ、
Ｎ＜とＳｉ基板からの水分の侵入を防ぐため、ＣＶ Ｄ
（’） Ｓ ｉ Ｏ２またはＳ ｌ ｓ Ｎ ４ （
７）外側ノスクライブ領域には、ポリイミドが直接Ｓｉ
基板または熱酸化５ｓｔｏ２上に接している構造を持つ
。
Ｎ＜とＳｉ基板からの水分の侵入を防ぐため、ＣＶ Ｄ
（’） Ｓ ｉ Ｏ２またはＳ ｌ ｓ Ｎ ４ （
７）外側ノスクライブ領域には、ポリイミドが直接Ｓｉ
基板または熱酸化５ｓｔｏ２上に接している構造を持つ
。
この場合、ポリイミドとＳｉ基板または熱酸化膜界面か
ら侵入した水分は１、吸湿性を持つポリイミドにて吸収
され、ＩＣ内部への水分の侵入を防ぐことができる。こ
のため、本発明に依れば、ＩＣチップ周辺から、ＩＣ内
部への水分及び汚染物質の侵入がなく、言信頼度の半導
体装置を提供する。
ら侵入した水分は１、吸湿性を持つポリイミドにて吸収
され、ＩＣ内部への水分の侵入を防ぐことができる。こ
のため、本発明に依れば、ＩＣチップ周辺から、ＩＣ内
部への水分及び汚染物質の侵入がなく、言信頼度の半導
体装置を提供する。
以下、実施例を用いて詳細に説明する。第１図及び第２
図は、本発明による半導体装置の実施例で、パッド及び
スクライブ領域造の断面図である。
図は、本発明による半導体装置の実施例で、パッド及び
スクライブ領域造の断面図である。
第１図は、Ｓｉ基板１上ＩＣＡＬバツド２が形成サレ、
パッシベーションＣｖＤＳｉＯ２３、Ｃ■ＤＳｉｓＮａ
４に覆れ、さらに、スクライブ領域６は、ポリイミド膜
５で覆われ、ポリイミド５は、直接Ｓｉ基板１と接触し
ている。８はパッド開穴部であり、後工程で、外部との
接続をするなめ例えばハンダバンプ、ボンディングを行
なう領域である。第２図は、Ｓｉ基板１に熱酸化膜７が
存在し、ＡＬパッド２が形成され、パッシベーションＳ
ｉ ｓ Ｎ ４膜４及びポリイミドｇ！５で覆れてい
る。
パッシベーションＣｖＤＳｉＯ２３、Ｃ■ＤＳｉｓＮａ
４に覆れ、さらに、スクライブ領域６は、ポリイミド膜
５で覆われ、ポリイミド５は、直接Ｓｉ基板１と接触し
ている。８はパッド開穴部であり、後工程で、外部との
接続をするなめ例えばハンダバンプ、ボンディングを行
なう領域である。第２図は、Ｓｉ基板１に熱酸化膜７が
存在し、ＡＬパッド２が形成され、パッシベーションＳ
ｉ ｓ Ｎ ４膜４及びポリイミドｇ！５で覆れてい
る。
スクライブ領域６は、ポリイミド膜５と熱酸化膜７が直
接接触している９本発明の実施例では、ＩＣ周辺、スク
ライブ領域では、ポリイミド膜が直接Ｓｉ基板または熱
酸化膜に接触し、かつ、ＣｖＤ Ｓ ｉ Ｏ２またはＣ
Ｖ Ｄ Ｓ １２Ｎ ｓまたはＳｉ基板が接触する界面
、例えば第３図の界面９．１０が、ポリイミドで覆われ
ている。従って、第１．２図の界面１１から侵入する水
分は、吸湿性の高いポリイミド５に吸収され、内部に浸
透しない。
接接触している９本発明の実施例では、ＩＣ周辺、スク
ライブ領域では、ポリイミド膜が直接Ｓｉ基板または熱
酸化膜に接触し、かつ、ＣｖＤ Ｓ ｉ Ｏ２またはＣ
Ｖ Ｄ Ｓ １２Ｎ ｓまたはＳｉ基板が接触する界面
、例えば第３図の界面９．１０が、ポリイミドで覆われ
ている。従って、第１．２図の界面１１から侵入する水
分は、吸湿性の高いポリイミド５に吸収され、内部に浸
透しない。
なお、第２図における界面１２は、熱酸化膜とＳｉ基板
の界面で、ここからの水分の拡散はほとんど無視できる
。
の界面で、ここからの水分の拡散はほとんど無視できる
。
以上から、本発明による半導体装置は、耐湿性に優れた
高信頼度ＩＣを提供する。
高信頼度ＩＣを提供する。
第１図及び第２図は本発明による実施例を示す半導体装
置の断面図を示す、第３図は従来の半導体装置の断面図
を示す。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・ＡＬパッド ３・・・ＣｖＤＳｉＯ２ ４・・・ＣｖＤＳｉ、Ｎ４ ５・・・ポリイミド ６・・・スクライブ領域 ７・・・熱酸化膜 ８・・・パッド開穴部 ９．１０．１１．１２ ・・・各々の膜の界面 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）７１図 Ｊｉ ２図 ？
置の断面図を示す、第３図は従来の半導体装置の断面図
を示す。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・ＡＬパッド ３・・・ＣｖＤＳｉＯ２ ４・・・ＣｖＤＳｉ、Ｎ４ ５・・・ポリイミド ６・・・スクライブ領域 ７・・・熱酸化膜 ８・・・パッド開穴部 ９．１０．１１．１２ ・・・各々の膜の界面 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）７１図 Ｊｉ ２図 ？
Claims (1)
- ＩＣチップの周辺、すなわちスクライブ領域が、Ｓｉ
基板またはＳｉ基板上の熱酸化膜と上層に形成するポリ
イミド樹脂が直接、接して成ることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11301988A JPH01283839A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11301988A JPH01283839A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283839A true JPH01283839A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14601402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11301988A Pending JPH01283839A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283839A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358883A (en) * | 1992-02-03 | 1994-10-25 | Motorola, Inc. | Lateral bipolar transistor |
| US5923072A (en) * | 1994-08-19 | 1999-07-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with metallic protective film |
| US5990491A (en) * | 1994-04-29 | 1999-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix device utilizing light shielding means for thin film transistors |
| US5990542A (en) * | 1995-12-14 | 1999-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6225218B1 (en) | 1995-12-20 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| US7163854B2 (en) | 1996-11-07 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of a semiconductor device |
| US7633085B2 (en) | 1999-03-29 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11301988A patent/JPH01283839A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358883A (en) * | 1992-02-03 | 1994-10-25 | Motorola, Inc. | Lateral bipolar transistor |
| US7102164B2 (en) | 1994-04-29 | 2006-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a conductive layer with a light shielding part |
| US5990491A (en) * | 1994-04-29 | 1999-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix device utilizing light shielding means for thin film transistors |
| US7423291B2 (en) | 1994-04-29 | 2008-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US6501097B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US5923072A (en) * | 1994-08-19 | 1999-07-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with metallic protective film |
| US7361931B2 (en) | 1995-11-17 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display with an organic leveling layer |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| US6867434B2 (en) | 1995-11-17 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display with an organic leveling layer |
| US7202551B2 (en) | 1995-12-14 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having underlying insulating film and insulating films |
| US7034381B2 (en) | 1995-12-14 | 2006-04-25 | Semiconductor Energey Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6787887B2 (en) * | 1995-12-14 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7413937B2 (en) | 1995-12-14 | 2008-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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| US7750476B2 (en) | 1995-12-20 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a reliable contact |
| US7163854B2 (en) | 1996-11-07 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of a semiconductor device |
| US7470580B2 (en) | 1996-11-07 | 2008-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication method of a semiconductor device |
| US7633085B2 (en) | 1999-03-29 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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