JPH0214527A - Ｍｏｓ型半導体装置 - Google Patents

Ｍｏｓ型半導体装置

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JPH0214527A
JPH0214527A JP63285062A JP28506288A JPH0214527A JP H0214527 A JPH0214527 A JP H0214527A JP 63285062 A JP63285062 A JP 63285062A JP 28506288 A JP28506288 A JP 28506288A JP H0214527 A JPH0214527 A JP H0214527A
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JP
Japan
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semiconductor device
pad
active element
insulating film
pad portion
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JP63285062A
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JPH0474858B2 (ja
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Hiroyoshi Ohira
大平　廣吉
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関して、特にチップサイズの縮小
、集積度の向上が可能なバンドの構造を提案するもので
ある。
従来の集積回路におけるパッドの構造を第１図に示す。
同図において、斜線部１は能動素子領域、２はバンド部
を示す。この構造では、チップ内に能動素子領域とパッ
ド部が必要な為、チップサイズの縮小ができないという
欠点がある。また、層内部配線の場合には、パッド部ま
で信号を引き出してくる配線面積が高集積化のさまたげ
となる。
また、パッド部の下の絶縁膜を厚くできない為、大きな
パッド容量が付き、速度が遅い、消費電流が増える等の
欠点が有る。
本発明は、このような従来の装置の有する諸欠点を解決
し、よりチップサイズの縮小、高密度化が可能な半導体
装置を得ることを目的とし、その構造及びその製造方法
に新規な手段を提案するものである。
本発明では、能動領域の上に絶縁層を設：する工程、そ
の絶縁層の所望な箇所にスルーホールを設ける工程、能
動素子領域の上にパッド部を形成する工程からなる半導
体装置を提案する。
本発明の構造を第２図に示す。斜線３は能動素子領域、
４はパッド部を示す。この構造の断面図を第３図に示す
。同図は例としてＰ型ＭＯＳトランジスタの上にパッド
部を設けた構造を示す。同図において５は半導体基板、
６はソース、ドレイン、７はゲート酸化膜、８は絶縁膜
、例えば二酸化硅素被膜、９はゲート金属、例えばアル
ミニウム、モリブデン、多結晶シリコン等が適用され得
る。１０は層間絶縁膜であり例えば、二酸化硅素、リン
シリケートガラス、ポリイミド系樹脂、窒化硅素等が適
用され得る。１１はパッド葉配線金属であり例えばアル
ミニウム、モリブデン多結晶シリコン、クロム等が適用
され得る。１２はパッシヘーション被膜である。
以上の構造は層間絶縁膜１０の材質及び厚さによっては
、集積回路の機能試験または外部とのボンディング時に
加わる外圧により能動素子の信頼性がそこなわれること
もある。これをさけるため第４図のように１１のパッド
金属上に突起電極１３を設は外圧を、援和し得る構造に
することも可能である。例えば金ハンプ、ハンダバンプ
等が適用され得る。
このような発明によれば、次のような効果が発揮される
。
まずパッド部を能動素子領域上に形成できるためチップ
サイズが縮小できる。また集積回路内の所望な信号線を
適当な場所にパッド部として取り出せるため、配線部分
が減少し集積度の向上できる、また回路試験や外部との
接続が容易にできる。
さらに、パッド下の絶縁膜を厚くできるため、パッド容
量が減少でき、高速化、低消費電力化にも寄与できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の構造図。 第２図は本発明による半導体装置の構造図。 第３図、第４図本発明による半導体装置の構造を示す断
面図である。 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上柳雅誉　他１名 第 図 第２ 図 第３図 ５４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上に製造された集積回路の上に、さらに層間
    絶縁膜を設け、配線金属を多層化し、多層目の配線金属
    で外部接続端子部（バット部）を形成、能動素子領域上
    にボンディングパッド部を設けることを特徴とする半導
    体装置。
JP63285062A 1988-11-11 1988-11-11 Ｍｏｓ型半導体装置 Granted JPH0214527A (ja)

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