JPH01283857A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH01283857A JPH01283857A JP11427988A JP11427988A JPH01283857A JP H01283857 A JPH01283857 A JP H01283857A JP 11427988 A JP11427988 A JP 11427988A JP 11427988 A JP11427988 A JP 11427988A JP H01283857 A JPH01283857 A JP H01283857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- external
- lead frame
- semiconductor device
- bending
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特にリー
ド部分の形状に関する。
ド部分の形状に関する。
従来、半導体装置(以下ICと略す)のリードは、IC
の製造、検査工程等で、リード曲りが起きる事があり、
(特に第3図に示すように、外部リードの先端部が根本
より細くなっているもので発生し易い)、リード曲りチ
エツクを行ない、不良で軽度のものは、リードの修正を
行っている6しかし、最近ではT A Tの問題でIC
の製造、検査工程での′f’ A T短縮が望まれてお
り、リードの修正率等も低減しなくてはならない。
の製造、検査工程等で、リード曲りが起きる事があり、
(特に第3図に示すように、外部リードの先端部が根本
より細くなっているもので発生し易い)、リード曲りチ
エツクを行ない、不良で軽度のものは、リードの修正を
行っている6しかし、最近ではT A Tの問題でIC
の製造、検査工程での′f’ A T短縮が望まれてお
り、リードの修正率等も低減しなくてはならない。
上述した従来の半導体装置用リードフレームは、外部リ
ードの強度が高くないなめ、ICの製造、検査工程にお
いてリード曲りが起き、リード修正等を行うためTAT
が長くなり、又は、リード曲りが大きい場合には、歩留
にも影響があるという欠点があった。
ードの強度が高くないなめ、ICの製造、検査工程にお
いてリード曲りが起き、リード修正等を行うためTAT
が長くなり、又は、リード曲りが大きい場合には、歩留
にも影響があるという欠点があった。
本発明の半導体装置用リードフレームは、外部リードに
その長手方向に沿ってエンボスが設けられているという
ものである。
その長手方向に沿ってエンボスが設けられているという
ものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図である。
リードフレームは、エツチングでパターンを抜き作成す
る方法とプレスによりパターンを抜く方法かあるが、本
発明はプレス法で作成されるものとし、リードフレーム
のパターンを抜く際に、外部り・〜ド1をバンチし、長
手方向に沿って…i面四字状のエンボス2を設ける。例
えば、外部リード1の先端部1−1の1幅が0.5關、
厚さが027開のとき、幅0.1市、深さ100μmの
四部を設ける。外部リードの曲り強度が高くなり、リー
ド曲り率を低下させる事ができる。。
る方法とプレスによりパターンを抜く方法かあるが、本
発明はプレス法で作成されるものとし、リードフレーム
のパターンを抜く際に、外部り・〜ド1をバンチし、長
手方向に沿って…i面四字状のエンボス2を設ける。例
えば、外部リード1の先端部1−1の1幅が0.5關、
厚さが027開のとき、幅0.1市、深さ100μmの
四部を設ける。外部リードの曲り強度が高くなり、リー
ド曲り率を低下させる事ができる。。
第2図は本発明の第2の実施例の平面図である。この実
施例は、外部リードの根本部の幅の広い部分にもエンボ
ス2−2を設けであるので外部リードの曲り強度をより
一層高くする事が出来る利点がある。
施例は、外部リードの根本部の幅の広い部分にもエンボ
ス2−2を設けであるので外部リードの曲り強度をより
一層高くする事が出来る利点がある。
以上説明したように本発明は、外部リードに、エンボス
を設ける事により、外部リードの強度を高くし7.リー
ド曲り率を低下させる事が出来る効県がある。
を設ける事により、外部リードの強度を高くし7.リー
ド曲り率を低下させる事が出来る効県がある。
第1図、第2図及び第3図はそれぞれ第1の実施例、第
2の実施例及び従来例の平面図である。
2の実施例及び従来例の平面図である。
1・・・外部リード、1−1・・・外部リードの先端部
、2.2−1.2−2・・・エンボス。
、2.2−1.2−2・・・エンボス。
Claims (1)
- 外部リードにその長手方向に沿つてエンボスが設けら
れていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11427988A JPH01283857A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11427988A JPH01283857A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283857A true JPH01283857A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14633854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11427988A Pending JPH01283857A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024507178A (ja) * | 2021-02-25 | 2024-02-16 | ドングアン リテルヒューズ エレクロトニクス、カンパニー リミテッド | 表面実装金属酸化物バリスタデバイス |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP11427988A patent/JPH01283857A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024507178A (ja) * | 2021-02-25 | 2024-02-16 | ドングアン リテルヒューズ エレクロトニクス、カンパニー リミテッド | 表面実装金属酸化物バリスタデバイス |
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