JPH01283932A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01283932A JPH01283932A JP11523588A JP11523588A JPH01283932A JP H01283932 A JPH01283932 A JP H01283932A JP 11523588 A JP11523588 A JP 11523588A JP 11523588 A JP11523588 A JP 11523588A JP H01283932 A JPH01283932 A JP H01283932A
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- JP
- Japan
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- dry etching
- etched
- wafer
- film
- etching apparatus
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- Pending
Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ドライエツチング装置、たとえば半導体ウェ
ハの表面に形成された所定層を除去するプラズマエツチ
ング装置等に適用して特に有効な技術に関するものであ
る。
ハの表面に形成された所定層を除去するプラズマエツチ
ング装置等に適用して特に有効な技術に関するものであ
る。
この種のドライエツチング装置について記載されている
例としては、株式会社サイエンスフォーラム、昭和６０
年３月２０日発行、「サブミクロン・リソグラフィ総合
技術資料集Ｊ Ｐ３３５〜Ｐ４００がある。
例としては、株式会社サイエンスフォーラム、昭和６０
年３月２０日発行、「サブミクロン・リソグラフィ総合
技術資料集Ｊ Ｐ３３５〜Ｐ４００がある。
半導体装置の製造工程においては、半導体装置ハ（以下
、単にウェハという）の表面に形成された所定層（以下
、被エツチング膜という）を除去するため、前記文献に
記載されているようなプラズマを用いたドライエツチン
グ装置が用いられている。
、単にウェハという）の表面に形成された所定層（以下
、被エツチング膜という）を除去するため、前記文献に
記載されているようなプラズマを用いたドライエツチン
グ装置が用いられている。
該装置の原理としては、プラズマ雰囲気で生成されたイ
オンやラジカルと前記の被エツチング膜を反応させ気化
することによって、被エツチング膜を除去するものであ
る。
オンやラジカルと前記の被エツチング膜を反応させ気化
することによって、被エツチング膜を除去するものであ
る。
ところで、半導体装置の高集積化にともないウニ八表面
に形成される配線パターンも超微細化される傾向にあり
、また製造工程における能率と歩留り向上のためウェハ
は大口径化される傾向にある。
に形成される配線パターンも超微細化される傾向にあり
、また製造工程における能率と歩留り向上のためウェハ
は大口径化される傾向にある。
このようなウェハを処理するドライエツチング装置にお
いては、被エツチング膜のエツチング速度のウニ八面内
ばらつきを極力少なく押えることが要求されている。
いては、被エツチング膜のエツチング速度のウニ八面内
ばらつきを極力少なく押えることが要求されている。
〔発明が解決しようとする課題１
しかし、従来のドライエツチング装置においては処理容
器内の材質について配慮がなされていないため、以下の
ような不都合を生じる可能性のあることが本発明者によ
って明らかにされた。
器内の材質について配慮がなされていないため、以下の
ような不都合を生じる可能性のあることが本発明者によ
って明らかにされた。
すなわち、一般にドライエツチング装置における処理容
器内の構成部品は、該プラズマ雰囲気中でエツチングさ
れ難いもの、たとえば石英やセラミックやステンレス等
が用いられている。
器内の構成部品は、該プラズマ雰囲気中でエツチングさ
れ難いもの、たとえば石英やセラミックやステンレス等
が用いられている。
ところで、ウニ八表面を微視的に考えると、プラズマ雰
囲気中で生成されたイオンやラジカルは被エツチング膜
と反応して消費されているが、ウェハ外周部においては
外側にエツチングされ易いものが無いため、ウェハ中央
部に比べてイオンやラジカルの密度が高くなっている。
囲気中で生成されたイオンやラジカルは被エツチング膜
と反応して消費されているが、ウェハ外周部においては
外側にエツチングされ易いものが無いため、ウェハ中央
部に比べてイオンやラジカルの密度が高くなっている。
したがって、ウェハ外周部におけるイオンやラジカルと
被エツチング膜の反応はウェハ中央部に比べ盛んに行な
われるため、ウェハ外周部の被エツチング膜のエツチン
グ速度が大きくなり、ウェハ全体におけるエツチング速
度のばらつきが大きくなる。
被エツチング膜の反応はウェハ中央部に比べ盛んに行な
われるため、ウェハ外周部の被エツチング膜のエツチン
グ速度が大きくなり、ウェハ全体におけるエツチング速
度のばらつきが大きくなる。
本発明は、前記問題点に着目してなされたちのであり、
その目的はウェハ外周部の被エツチング膜のエツチング
速度が大きくなるのを防ぎ、ウニへ面内のエツチング速
度のばらつきを低減する汎用性の高いドライエツチング
技術を提供することにある。
その目的はウェハ外周部の被エツチング膜のエツチング
速度が大きくなるのを防ぎ、ウニへ面内のエツチング速
度のばらつきを低減する汎用性の高いドライエツチング
技術を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、ウェハ外周に此を取囲む様に被エツチング膜
と同材質の物体を配置する構造としたものである。
と同材質の物体を配置する構造としたものである。
［作 用］
前記した手段によれば、イオンやラジカルは前記物体と
も反応して消費されるため、ウェハ外周部におけるイオ
ンやラジカルの密度は、ウェハ中央部と変らなくなり、
反応速度、すなわち被エツチング膜のエツチング速度の
ウニ八面内ばらつきを低減することができる。
も反応して消費されるため、ウェハ外周部におけるイオ
ンやラジカルの密度は、ウェハ中央部と変らなくなり、
反応速度、すなわち被エツチング膜のエツチング速度の
ウニ八面内ばらつきを低減することができる。
［実 施 例］
第１図は、本発明の一実施例であるドライエツチング装
置を示す概略断面図である。
置を示す概略断面図である。
本実施例のドライエツチング装置１は、チャンバ２と、
ウェハが載置される高周波印加電極３と、ウェハ上方に
配置されるガス供給電極４とを有し、材質はステンレス
からなる。
ウェハが載置される高周波印加電極３と、ウェハ上方に
配置されるガス供給電極４とを有し、材質はステンレス
からなる。
前記ガス供給電極４の最上端には、処理空間１２内に処
理ガス７を供給するためのガス供給口９が開設されてお
り、該ガス供給電極４の最下面には多数のガス導入口１
０が開設されており、処理空間内に均一に処理ガスを導
くようになっている。
理ガス７を供給するためのガス供給口９が開設されてお
り、該ガス供給電極４の最下面には多数のガス導入口１
０が開設されており、処理空間内に均一に処理ガスを導
くようになっている。
処理空間１２の下方には高周波印加電極３が配置され、
前記チャンバ下端にはセラミックス等の絶縁材料からな
るガス排気口１１が構成されている。
前記チャンバ下端にはセラミックス等の絶縁材料からな
るガス排気口１１が構成されている。
チャンバ２とガス供給電極４は電気的に接地されており
、処理ガス７が処理空間１２内に導入され高周波印加電
極３に高周波電力が印加されると、処理空間内にプラズ
マが発生する。該プラズマ雰囲気中で生成されたイオン
やラジカルと、ウェハ５表面に形成されている被エツチ
ング膜が反応し気化してエツチングを行なう。
、処理ガス７が処理空間１２内に導入され高周波印加電
極３に高周波電力が印加されると、処理空間内にプラズ
マが発生する。該プラズマ雰囲気中で生成されたイオン
やラジカルと、ウェハ５表面に形成されている被エツチ
ング膜が反応し気化してエツチングを行なう。
前記反応において発生した気体は、排気ガス８として、
チャンバ下端のガス排気口１１より処理空間外に排気さ
れる構造になっている。
チャンバ下端のガス排気口１１より処理空間外に排気さ
れる構造になっている。
本実施例においては、前記構造に付加して、高周波印加
電極３上に載置されたウェハ５の外周に、此を取囲む様
にウニ八表面の被エツチング膜と同材質からなる外周リ
ング６を備えている。
電極３上に載置されたウェハ５の外周に、此を取囲む様
にウニ八表面の被エツチング膜と同材質からなる外周リ
ング６を備えている。
【発明の効果］
被エツチング膜がアルミニウム合金の場合は外周リング
６の材質をアルミニウムに、また被エツチング膜が多結
晶シリコンや単結晶シリコンの場合、は外周リング６の
材質をシリコンにすることにより、ウェハ５表面上に形
成されている被エツチング膜におけるウェハ外周部のエ
ツチング速度は、ウェハ中央部のエツチング速度と差が
無くなり、ウニ八面内のエツチング速度のばらつきを低
減できる。
６の材質をアルミニウムに、また被エツチング膜が多結
晶シリコンや単結晶シリコンの場合、は外周リング６の
材質をシリコンにすることにより、ウェハ５表面上に形
成されている被エツチング膜におけるウェハ外周部のエ
ツチング速度は、ウェハ中央部のエツチング速度と差が
無くなり、ウニ八面内のエツチング速度のばらつきを低
減できる。
第１図は本発明の一実施例であるドライエツチング装置
を示す概略断面図。 １・・・ドライエツチング装置 ２・・・チャンバ ３・・・高周波印加電極 ４・・・ガス供給電極 ５・・・ウェハ ６・・・外周リング ７・・・処理ガス ８・・・排気ガス ９・・・ガス供給口 ｌＯ・・・ガス導入口 １１・・・ガス排気口 １２・・・処理空間 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
を示す概略断面図。 １・・・ドライエツチング装置 ２・・・チャンバ ３・・・高周波印加電極 ４・・・ガス供給電極 ５・・・ウェハ ６・・・外周リング ７・・・処理ガス ８・・・排気ガス ９・・・ガス供給口 ｌＯ・・・ガス導入口 １１・・・ガス排気口 １２・・・処理空間 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）チャンバと電極によって外部から隔成された処理
空間内のプラズマ雰囲気中に載置された被エッチング物
に対して、処理流体を供給して処理を行なうドライエッ
チング装置であって、被エッチング物の材質がアルミニ
ウム（Ａｌ）あるいはシリコン（Ｓｉ）の場合、該被エ
ッチング物の外周に此を取囲む様に載置された該被エッ
チング物と同材質の物体を備えていることを特徴とする
ドライエッチング装置。 - （２）前記物体がチャンバあるいは電極に対して着脱可
能に固定されており、該物体が消耗したときは交換可能
であることを特徴とする請求項１記載のドライエッチン
グ装置。 - （３）被エッチング物が半導体ウェハ上に形成されたア
ルミニウム合金膜あるいは多結晶シリコン膜あるいは単
結晶シリコンである場合、該半導体ウェハの輪郭形状に
対応したリング状あるいは円弧状の前記物体を備えてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載のドラ
イエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11523588A JPH01283932A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11523588A JPH01283932A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283932A true JPH01283932A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14657689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11523588A Pending JPH01283932A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436467A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | Shimadzu Corp | 汚染防止ウェハ回転具 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11523588A patent/JPH01283932A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436467A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | Shimadzu Corp | 汚染防止ウェハ回転具 |
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