JPH0436467A - 汚染防止ウェハ回転具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造分野、特にウェハに特定のイオ
ンビームを照射する際のウェハ回転具に関する。

〔従来の技術〕

イオン注入法によりウェハに不純物をドーピングする場
合、ウェハＷは第６図に示すように回転具（ディスク）
上に円形に並べられ、回転装置により回転されながらイ
オンビームを照射される。

二の場合イオンビームがウェハＷの設置されている近傍
の回転具材に当たるとその材料の元素がスパッタリング
を受けて飛び散りその元素がウェハを汚染するという問
題がある。このため従来のイオン注入装置のウェハ回転
具は第６図のＣ−Ｃ矢視断面図である第７図に示すよう
に、ウェハ回転具材料のイオンビームによるスパッタリ
ング防止（ウェハへのコンタミネーション防止）をする
ためウェハを設置する位置を高くした構造とするか、或
いはウェハ回転具のイオンビームの当たる部分をウェハ
元素を主成分とした膜でコーティング処理した構造（例
えば、シリコン（Ｓｉ）ウェハの場合は５ｉＳＳｉＮＳ
ＳｊＣの膜）となっていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記する従来例で、ウェハ回転具のウェハ設置位置を高
くした構造のものは加工が複雑となり、またウェハ回転
具材料のコンタミネーションを完全には防止出来ない。

また、ウェハ回転具のイオンビームの当たる部分をウェ
ハ元素を主成分とした膜でコーティング処理した構造の
ものはコーティング処理が大掛かりになるといった問題
もある。

更に、例えばシリコンウェハに主としてボロン（Ｂ）を
注入している装置で、リン（Ｐ）を注入する場合光に注
入されていたドーパントが後から注入されるドーパント
によってシリコンウェハ以外にコンタミネーションとし
て入ってしまうという問題がある。従来はこのような場
合ウェハ回転具そのものを交換しなければならなかった
。

この発明はこのようなコンタミネーションの問題を解決
するためになされたものである。

〔課題を解決するための手段〕

即ち、この発明は上記する課題を解決するために汚染防
止ウェハ回転具を構成する手段が、回転可能としたディ
スク上に、複数のウェハを載置するプレート或いは複数
のウェハを嵌め込む穴を穿設したプレートであって該ウ
ェハと同材質の成分元素を主成分とするプレートを固定
具により着脱自在に分割設置したことを特徴とする。

〔作　用〕

汚染防止ウェハ回転具を上記手段とすると、プレート成
分がイオンビームによりスパッタリングされてもウェハ
を汚染することにはならない。また、ウェハ毎に固定具
で着脱可能に固定するようにすれば異種のイオンを注入
する時ディスク交換せずプレート交換のみで良いため作
業が簡便となる。

〔実施例〕

以下、この発明の具体的実施例について図面を参照して
説明する。

第１図はこの発明にかかる汚染防止ウェハ回転具の平面
図である。この図で、１はディスクであって回転駆動装
置（図示せず）によって回転させる。２はウェハであり
前記ディスク１上に並べられる。３はプレートであって
材質はイオンビームを照射する際スパッタリングされ飛
び出した元素で前記ウェハ２を汚染しても問題とならな
い材質とする。例えば、ウェハ２がシリコンウェハの場
合、シリコン或いは■属元素を主成分としたプレー）　
（ＳｉＣ，ＳｉＮ等）とする。また、シリコンウェハ以
外の場合でもスパッタリングによってそのウェハに飛び
込む元素が問題にならない材料を選択する。例えばウェ
ハがゲルマニウムの場合ゲルマニウム若しくはゲルマニ
ウムを主成分とするプレートを選択し、ウェハ２がガリ
ウムヒ素の場合はガリウムヒ素或いはこれを主成分とす
るプレートを選択する。

第２図は第１図の一部平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ
矢視断面図である。

前記プレート３には穴３ａが穿設されるが、液穴３ａの
大きさは前記ウェハ２のサイズに合致する大きさとする
。また該プレート３は前記ディスク１上に多数敷き詰め
ることが出来るよう分割した形状とし、隅を固定具例え
ばネジ４で着脱自在に固定するようにする。このように
該プレート３を分割形とするとウェハ２に異種のイオン
を注入する場合予めコンタミネーションとならないよう
なプレート３に交換することが出来るので便利である。

例えば、シリコンウェハにボロン（Ｂ）を多量に打ち込
んだ場合この状態で次のリン（Ｐ）を打ち込むとボロン
がスパッタリングされて汚染源となり汚染されるが、ボ
ロンを打ち終えた時点でプレート３も交換すればこのよ
うな事態を防止することが出来る。また、多量のウェハ
２に同種のイオンを同時に注入処理する場合は円形状プ
レート３としウェハサイズに合致する穴３ａを穿設して
も良い。

この発明にかかる汚染防止ウェハ回転具を以上のように
構成すると、イオンビームにより該プレートの元素がス
パッタリングされてもウェハを汚染することにはならな
い。また、ウェハ毎にネジで着脱可能に固定するように
すれば異種のイオンを注入する時プレート交換が極めて
簡単となる。

この発明にかかる汚染防止ウェハ回転具は以上のようで
あるが、変形例としてＡｌ板やその他の金属板に１μｍ
程度のウェハと同一の元素を主成分とするコーティング
処理のプレートを取付けても同様な結果が得られる。こ
れはスパッタリングされる元素が表面付近に限定される
ためである。

更にプレートの形状としては第４図に示すようにリング
状としても良いし、第５図の断面図で示すようにウェハ
２の下に敷き詰める形状としても良い。

〔発明の効果〕

この発明にかかる汚染防止ウェハ回転具は以上詳述した
ような構成としたので、汚染防止用のウェハ回転具とし
て従来より簡単な構造とすることが出来、大掛かりなコ
ーティング処理が不要となる。また、多量にイオン注入
を行ってもプレート交換にて対処すれば汚染防止可能と
なる。更に、Ｓｉ半導体、■−■属化金化合物半導体ぞ
れの場合に応じてプレート材質を変えることによりコン
タミネーション防止対策が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明にかかる汚染防止ウェハ回転具の平面
図、第２図は第１図の一部平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ矢視断面図、第４図（ａ）はリング状としたこの発
明にかかるプレートにウェハを嵌めた場合の一部平面図
、同図（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面巣、第５図はウ
ェハの下にこの発明にかかるプレートを敷き詰めるよう
にした場合の変形実施例の断面図、第６図は従来の汚染
防止ウェハ回転具の一部平面図で第７図は第６図のＣ−
〇矢視断面図である。 １−ディスク　２・・・ウェハ　３・・−プレート３ａ
・−穴　４−ネジ 出願人　株式会社　島　津　製　作　所代理人　弁理士
　河　崎　眞　樹

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）回転可能としたディスク上に、複数のウェハを載
   置するプレート或いは複数のウェハを嵌め込む穴を穿設
   したプレートであって該ウェハと同材質の成分元素を主
   成分とするプレートを固定具により着脱自在に分割設置
   したことを特徴とする汚染防止ウェハ回転具。