JPH01283948A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01283948A JPH01283948A JP63112455A JP11245588A JPH01283948A JP H01283948 A JPH01283948 A JP H01283948A JP 63112455 A JP63112455 A JP 63112455A JP 11245588 A JP11245588 A JP 11245588A JP H01283948 A JPH01283948 A JP H01283948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- electrodes
- resin
- semiconductor device
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の小型化に対して好適な樹脂封止
型半導体装置に関するものである。
型半導体装置に関するものである。
近年、半導体素子は高集積化にともなって素子寸法が大
きくなり、これにともなって半導体装置の外形も大型化
する傾向にある。一方、半導体装置では高密度実装の需
要が増大しており、外形の小型化が要求されてきている
。
きくなり、これにともなって半導体装置の外形も大型化
する傾向にある。一方、半導体装置では高密度実装の需
要が増大しており、外形の小型化が要求されてきている
。
第４図に示す従来の半導体装置は、実開昭５８−１１２
４６号公報や特開昭５６−９４６５０号公報に開示され
ているように、半導体素子１の周囲にリード７を配設し
て前記半導体素子１の下部まで延長し。
４６号公報や特開昭５６−９４６５０号公報に開示され
ているように、半導体素子１の周囲にリード７を配設し
て前記半導体素子１の下部まで延長し。
前記半導体索子１の電極部に形成されたバンプ３を介し
てリード７に接続固着して樹脂５で封止した構造となっ
ていた。
てリード７に接続固着して樹脂５で封止した構造となっ
ていた。
上記従来技術では、リードが半導体素子の周囲に配置さ
れており、半導体素子とリードを接続して樹脂で封止さ
れた半導体装置の側面からリードが突出しているため、
半導体素子寸法が大きくなるとともに半導体装置の外形
寸法も大きくなるという問題があった。
れており、半導体素子とリードを接続して樹脂で封止さ
れた半導体装置の側面からリードが突出しているため、
半導体素子寸法が大きくなるとともに半導体装置の外形
寸法も大きくなるという問題があった。
本発明の目的は、小型化が可能となる樹脂封止型半導体
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上記目的は、入出力用の複数のピンを半導体素子表面の
電極と同一配置で、かつ前記電極が設けられている面と
垂直になるように基板に固定し。
電極と同一配置で、かつ前記電極が設けられている面と
垂直になるように基板に固定し。
前記複数のピンと前記半導体素子表面の電極とを前記電
極部に形成されたバンプを介して接続することにより、
達成される。
極部に形成されたバンプを介して接続することにより、
達成される。
尚、前記入出力用の複数のピンは、前記半導体素子表面
の電極が設けられている面の投影面積内に配置されてい
ることが好ましい。
の電極が設けられている面の投影面積内に配置されてい
ることが好ましい。
入出力用の複数のピンを半導体素子表面の電極と同一配
置でかつ垂直となるように基板に固定し。
置でかつ垂直となるように基板に固定し。
前記電極と接続することによって、樹脂封止型半導体装
置の外形寸法は、前記半導体素子側面に形成される薄い
樹脂の厚さだけ前記半導体素子の外形寸法より大きくな
るだけなので、樹脂封止型半導体装置が大型化すること
がない。
置の外形寸法は、前記半導体素子側面に形成される薄い
樹脂の厚さだけ前記半導体素子の外形寸法より大きくな
るだけなので、樹脂封止型半導体装置が大型化すること
がない。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１５！Ｊは、本発明の一実施例である樹脂封止型半導
体装置の断面図である。第１図において、入出力用の複
数のピン２は半導体素子１表面の電極が設けられている
而１ａの投影面積内に、半導体素子１表面のｔｔｔ極と
同一配置でかつＷｓ極が設けられている而１ａと垂直に
なるように基板４に固定されている。半導体素子１表面
の電極と入出力用の複数のピン２を、電極上に形成され
ているバンプ３を介して接続した後に樹脂５によって封
止する。本実施例によれば、樹脂封止型半導体装置の外
形寸法は、半導体素子側面１ｂに形成される薄い樹脂５
の厚さだけ半導体索子ｌの外形寸法より大きくなるだけ
なので、樹脂封止型半導体装置が大型化することがない
。
体装置の断面図である。第１図において、入出力用の複
数のピン２は半導体素子１表面の電極が設けられている
而１ａの投影面積内に、半導体素子１表面のｔｔｔ極と
同一配置でかつＷｓ極が設けられている而１ａと垂直に
なるように基板４に固定されている。半導体素子１表面
の電極と入出力用の複数のピン２を、電極上に形成され
ているバンプ３を介して接続した後に樹脂５によって封
止する。本実施例によれば、樹脂封止型半導体装置の外
形寸法は、半導体素子側面１ｂに形成される薄い樹脂５
の厚さだけ半導体索子ｌの外形寸法より大きくなるだけ
なので、樹脂封止型半導体装置が大型化することがない
。
第２図及び第３図は、本発明の樹脂封止型半導体装置の
他の実施例を示す。
他の実施例を示す。
第２図に示す実施例による樹脂封止型半導体装置におい
て、基板４には半導体素子側面１ｂを囲むように端部に
折り曲げ部４ｂが設けられており。
て、基板４には半導体素子側面１ｂを囲むように端部に
折り曲げ部４ｂが設けられており。
基板４の底面４ａに入出力用の複数のピン２が半導体素
子１表面の電極と同一配置でかつ電極が設けられている
面１ａと垂直になるように固定されている。本実施例に
おいても前記実施例と同様に、半導体素子１表面の電極
と入出力用の複数のピン２をバンプ３を介して接続した
後に樹脂５で封止して樹脂封止型半導体装置を構成する
。基板４の端部に設けられる折り曲げ部４ｂは、樹脂封
止を行う際の樹脂５の流れ止めとして用いるものであり
、ごく薄く部材で十分な流れ止め効果を得ることができ
る。従って、本実施例による樹脂封止型半導体装置の外
形も半導体素子１の外形よりわずかに大きくなるだけで
あり、樹脂封止型半導体装置が大型化することがない。
子１表面の電極と同一配置でかつ電極が設けられている
面１ａと垂直になるように固定されている。本実施例に
おいても前記実施例と同様に、半導体素子１表面の電極
と入出力用の複数のピン２をバンプ３を介して接続した
後に樹脂５で封止して樹脂封止型半導体装置を構成する
。基板４の端部に設けられる折り曲げ部４ｂは、樹脂封
止を行う際の樹脂５の流れ止めとして用いるものであり
、ごく薄く部材で十分な流れ止め効果を得ることができ
る。従って、本実施例による樹脂封止型半導体装置の外
形も半導体素子１の外形よりわずかに大きくなるだけで
あり、樹脂封止型半導体装置が大型化することがない。
なお、基板４の端部に設けられる折り曲げ部４ｂは、基
板４とは別の部材を用いることにより形成されていても
何ら差し支えない。
板４とは別の部材を用いることにより形成されていても
何ら差し支えない。
第３図に示す実施例による樹脂封止型半導体装置におい
て、入出力用の複数のピン２の半導体素子１表面の電極
と接続される個所に、隣接するピン２どうしが接触しな
い水平方向への折り曲げ部２ａが設けられている。ピン
２に折り曲げ部２ａを設けることによって、半導体素子
１表面の電極とピン２との接続をより確実に行うことが
できる。
て、入出力用の複数のピン２の半導体素子１表面の電極
と接続される個所に、隣接するピン２どうしが接触しな
い水平方向への折り曲げ部２ａが設けられている。ピン
２に折り曲げ部２ａを設けることによって、半導体素子
１表面の電極とピン２との接続をより確実に行うことが
できる。
本実施例においても前記実施例と同様に、半導体素子１
表面の電極と入出力用の複数のピン２をバンプ３を介し
て接続した後に樹脂５で封止して樹脂封止型半導体装置
を構成する。従って、本実施例によれば、樹脂封止型半
導体装置が大型化することがなく、さらに半導体素子１
表面の電極とピン２との接続を確実に行うことができる
。
表面の電極と入出力用の複数のピン２をバンプ３を介し
て接続した後に樹脂５で封止して樹脂封止型半導体装置
を構成する。従って、本実施例によれば、樹脂封止型半
導体装置が大型化することがなく、さらに半導体素子１
表面の電極とピン２との接続を確実に行うことができる
。
〔発明の効果〕
本発明によれば、樹脂封止型半導体装置の外形寸法が半
導体素子寸法よりわずかに大きくなるだけなので、樹脂
封止型半導体装置を小型化にすることができる。
導体素子寸法よりわずかに大きくなるだけなので、樹脂
封止型半導体装置を小型化にすることができる。
第１図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す断面図、第２図及び第３図は夫々本発明の樹脂封止型
半導体装置の他の実施例を示す断面図、第４図は従来の
樹脂封止型半導体装置の断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・ピン、３・・・バンプ、
４・・・基板、５・・・樹脂。
す断面図、第２図及び第３図は夫々本発明の樹脂封止型
半導体装置の他の実施例を示す断面図、第４図は従来の
樹脂封止型半導体装置の断面図である。 １・・・半導体素子、２・・・ピン、３・・・バンプ、
４・・・基板、５・・・樹脂。
Claims (1)
- １、入出力用の複数のピンを半導体素子表面の電極と同
一配置で、かつ前記電極が設けられている面と垂直にな
るように基板に固定し、前記複数のピンと前記半導体素
子表面の電極とを、前記電極部に形成されたバンプを介
して接続し、樹脂で封止したことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112455A JPH01283948A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112455A JPH01283948A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283948A true JPH01283948A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14587066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112455A Pending JPH01283948A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283948A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152662A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Nec Corp | 集積回路パッケージ |
| US5554887A (en) * | 1993-06-01 | 1996-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP63112455A patent/JPH01283948A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04152662A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Nec Corp | 集積回路パッケージ |
| US5554887A (en) * | 1993-06-01 | 1996-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package |
| US5710062A (en) * | 1993-06-01 | 1998-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package and method of manufacturing the same |
| US5834340A (en) * | 1993-06-01 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package and method of manufacturing the same |
| US6046071A (en) * | 1993-06-01 | 2000-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package and method of manufacturing the same |
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