JPH0128674Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は、プラスチツクで封止された半導体
のチツプを露出させて不良解析時の検査あるいは
品質チエツクに使用できるようにする半導体のオ
ープナ装置に関するものである。

［従来技術］ 従来、半導体のパツケージを溶解する溶解液に
は一般に硫酸が使用され、該硫酸は効率よく溶解
するために約290℃まで高めて使用する。

このため、半導体開口工程部には加温時に発生
する蒸気を大気中へ逃がす電磁式の制御弁が設け
られた構造となつている。

［考案が解決しようとする問題点］ かかる装置において、半導体開口工程部の熱硫
酸は、一回仕事を終えると排出し、新しい硫酸と
交換する。この時、新しい硫酸を約290℃まで高
めるようになるが、この時、常温から約290℃ま
で高めるには時間がかかり能率の面で望ましくな
かつた。

そこで、この考案は待機状態にある硫酸を約
250℃まで高めた温度に管理できるようにし、か
つ、待機時に発生する蒸気を簡単な手段で処理が
行えるようにした半導体のオープナ装置を提供す
ることを目的としている。

［問題点を解決するための手段］ 前記目的を達成するために、この考案にあつて
は、溶解用の液体を所定量確保しておく貯蔵タン
ク部と、該タンク部と連通すると共に蒸気を大気
中へ逃がす制御弁を有し溶解用の液体を半導体の
パツケージに噴きつける半導体開口工程部と、該
半導体開口工程部で仕事を終えた排液を排出する
排出手段と、該手段によつて排出された排液を一
時貯留する排液貯留タンク部とを備えたオープナ
装置において、前記半導体開口工程部と連通し溶
解用の液体を所定の温度まで高める予熱ヒータ部
を設け、予熱ヒータ部のヒータタンクに該ヒータ
タンク内の蒸気を前記半導体開口工程部側へ逃が
すバイパス通路を設けてある。

［作用］ かかる半導体開口工程部において、蒸気は制御
弁より排出される。一方熱硫酸は半導体のパツケ
ージに噴射され、以下、チツプが露出するまで噴
射が続けられる。この時、待機状態にある硫酸は
予熱ヒータ部によつて所定の温度まで高められ
る。加温時に発生する予熱ヒータ部の蒸気はバイ
パス通路を介して半導体開口工程部側へ流れ、該
工程部より発生する蒸気と一緒に大気中へ逃げる
ようになる。

［実施例］ 以下、添付図面に基づきこの考案の一実施例を
詳細に説明する。

図面は装置全体の概要図を示しており、該装置
は、貯蔵タンク部１と、予熱ヒータ部３と、半導
体開口工程部５と、排液冷却部７と、排液貯蔵タ
ンク部９とを備えており、これらは本体ケース
（図示していない）内に収納配置されている。

貯蔵タンク部１のタンク７の本体１１は耐酸性
の合成樹脂材で形成され、上部に常時閉状態の第
１電磁弁１３が設けられている。また、タンク本
体１１は常時閉状態の第２電磁弁１５を介して予
熱ヒータ部３のヒータタンク１７と連通し、ヒー
タタンク１７は前記タンク本体１１より低い位置
に配置されている。これにより、タンク本体１１
内の硫酸が落差でヒータタンク１７内に送り込ま
れるようになつている。

ヒータタンク１１は送液パイプ１８を介して半
導体開口工程部５と連通している。送液パイプ１
８にはヒータタンク１７より延長されたバイパス
通路１９が接続し、ヒータタンク１７内の蒸気が
バイパス通路１９を介して送液パイプ１８に逃げ
るようになつている。

また、ヒータタンク１７には、温度センサS₁に
よつてヒータタンク１７内の硫酸が約250℃に管
理されるニクロム線等の熱源部21が設けられてい
る。

第１、第２電磁弁１３，１５はヒータタンク１
７内に設けられた硫酸の有無を検知する液面セン
サ２３によつて開閉自在に制御され、ヒータタン
ク１７内の硫酸が空になつたことを前記液面にセ
ンサ２３が検知すると開となる。これにより、タ
ンク本体１１は大気中に開放される一方、タンク
本体１１内の硫酸が落差でヒータタンク１７内に
流れ込むようになる。

エアーポンプ２５は所望の駆動手段によつて駆
動され、該ポンプ２５の吐出側に常時は閉の第３
電磁弁２７と、該電磁弁２７と直列に第４電磁弁
２９が設けられている。第４電磁弁２９はポート
Ｐ，P₁，P₂を有する３方弁となつていてポート
P₁はヒータタンク１７に、ポートP₂は半導体開
口工程部５にそれぞれ連通し、前記第３電磁弁２
７と連通のポートＰは、ノーマルオープンとなる
ポートP₂と連通している。

第３電磁弁２７は、図外のスタートスイツチと
前記液面センサ２３からの信号によつて開になる
と同時に第４電磁弁２９のポートP₁はポートＰ
と連通している。

また、第３電磁弁２７は後述する電極センサ４
３からの指令信号によつて開に制御される。な
お、前記温度センサS₁は硫酸が約250℃以下の場
合はスタートスイツチを作動してもスタートの指
令信号が出力するのを抑える機能を備えている。

一方、前記ヒータタンク１７と送液パイプ１８
を介して連通の半導体開口工程部５は、DIPタイ
プの半導体３１をセツトする作業台３３と、該作
業台３３の下位に配置された溶解槽３５と、前記
半導体３１のパツケージ３１ａに硫酸を噴射する
ポンプ３７とから成り、溶解槽３５は作業台３３
を介して前記ヒータタンク１７と連通し、作業台
３３は、本体ケース（図示していない）より露出
している。

溶解槽３５内の硫酸は溶解槽３５内に空気圧が
作用することで排液冷却部７側へ強制的に送り出
されるようになる。溶解槽３５には液面センサ３
９と、温度セン４１と前記電極センサ４３がそれ
ぞれ設けられている。液面センサ３９は溶解槽３
５内の硫酸の有無を検知する。

温度センサ４１は溶解槽３５内の硫酸の温度を
約290℃前後にニクロム線等の熱源部４５を管理
制御する機能を有し、約290℃に達したことを検
知するとポンプ３７をオンに駆動する。また、電
極センサ４３は、パツケージ３１ａが開口して内
部のチツプが露出した時に硫酸を介して流れる電
流を検知する。そして、検知後に作動するタイマ
ーにより一定時間経過後ポンプ３７の駆動を停止
する一方、第３電磁弁２７を開とし、かつ、後述
する第５電磁弁４７を閉とする。なお、電極セン
サ４３と半導体３１のチツプ端子は該半導体３１
を保持するホルダー（図示していない）と電気的
に接続し硫酸を介して電気回路が形成されるよう
になつている。

溶解槽３５には、蒸気の凝縮時に該凝縮液を溶
解槽３５へ還元するトラツプ４９が設けられてお
り、該トラツプ４９は蒸気を大気中へ逃がす常時
開の第５電磁弁４７へ続いている。

排液冷却部７は前記溶解槽３５と連通する冷却
トラツプ５１と該トラツプ５１に冷却風を送風す
る冷却フアン５３とから成り、冷却フアン５３に
よつてトラツプ５１内の排液は約100℃前後まで
冷却れさるようになる。

排液貯留タンク部９は前記冷却トラツプ５１と
連通し内面がフツ素樹脂（テフロン）で内面処理
された合成樹脂材で形成され、タンク部５５に設
けられた一対の液面センサ５６が液面に触れるこ
とで排液を介して電流が流れ、満杯になつたこと
がわかるようになつている。これにより、スター
トスイツチをオンとしても機能停止状態のままと
なる。

なお、満杯になつたタンク部５５は蛇腹５７に
対し離脱自在で、新しいタンク部と交換可能とな
つている。

このように構成されたオープナ装置において、
作業台３３に半導体３１をセツトしスタートスイ
ツチをオンにする。これにより、タンク本体１１
内の硫酸は第１、第２電磁弁１３，１５の開でヒ
ータタンク１７内に送り込まれる。ヒータタンク
１７内の硫酸は熱源部２１によつて約250℃前後
に加温される。この時、発生する蒸気はバイパス
通路１９より送液パイプ１８に逃げるようにな
る。一方硫酸が約250℃に達すると、第３電磁弁
２７は開、第４電磁弁２９のポートP₁はポート
Ｐと連通し空気圧がヒータタンク１７に作用す
る。これによりヒータタンク１７内の熱硫酸が溶
解槽３５内に送り込まれる。

溶解槽３５内の熱硫酸は熱源部４５によつて約
290℃に高められる。この時発生する蒸気は前記
バイパス通路１９から送られる蒸気と一緒に電磁
弁４７を介して大気中に逃げるようになる。そし
て約290℃に達したことを温度センサ４１が検知
するとポンプ３７がオンとなり熱硫酸をパツケー
ジ３１ａに噴射する。以下、パツケージ３１ａが
溶解してチツプが露出するまで噴射が続けられ
る。チツプが露出すると硫酸を介して流れる電流
を電極センサ４３が検知し、検知後一定時間経過
後にポンプ３７を停止すると共に第３電磁弁２７
を開とする。これにより、溶解槽３５内に空気圧
が作用し冷却トラツプ５１に送り出され、ここで
約100℃まで冷却された後、タンク部５５へ排出
されるようになる。

以下、半導体３１をセツトしなおし、スタート
スイツチをオンとすることでパツケージ３１ａの
開口工程に入りパツケージ３１ａの開口が行なわ
れる。この時ヒータタンク１７内の硫酸は約250
℃まで加温されているため溶解槽３５内において
目的の温度約290℃まで迅速に高められ、作業が
能率よく行なえるようになる。

［考案の効果］ 以上、説明したように、この考案のオープナ装
置によれば、予熱ヒータ部によつて待機状態にあ
る溶解用の液体を予め所定の温度まで高めること
ができるため、使用時において目的の温度まで高
める加温時間が大巾に短縮され、作業能率が向上
する。また、ヒータ部で発生した蒸気はバイパス
通路を設ける簡単な工夫によつて大気中に逃がす
ことができるようになり、構造の簡略化が図れ
る。

【図面の簡単な説明】

添付図面はこの考案を実施した全体のオープナ
装置の概要説明図である。 主要な図面符号の説明、１……貯蔵タンク、３
……予熱ヒータ部、５……半導体開口工程部、９
……排液貯蔵タンク部、１７……ヒータタンク、
１９……バイパス通路、２５……ポンプ（排出手
段）、３１……半導体、４７……第５電磁弁（制
御弁）。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 溶解用の液体を所定量確保しておく貯蔵タンク
   部と、該タンク部と連通すると共に蒸気を大気中
   へ逃がす制御弁を有し溶解用の液体を半導体のパ
   ツケージに噴きつける半導体開口工程部と、該半
   導体開口工程部で仕事を終えた排液を排出する排
   出手段と、該手段によつて排出された排液を一時
   貯留する排液貯留タンク部とを備えたオープナ装
   置において、前記半導体開口工程部と連通し溶解
   用の液体を所定の温度まで高める予熱ヒータ部を
   設け、予熱ヒータ部のヒータタンクに該ヒータタ
   ンク内の蒸気を前記半導体開口工程部側へ逃がす
   バイパス通路を設けたことを特徴とする半導体の
   オープナ装置。