JPH0416431Y2 - - Google Patents
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- JPH0416431Y2 JPH0416431Y2 JP7060986U JP7060986U JPH0416431Y2 JP H0416431 Y2 JPH0416431 Y2 JP H0416431Y2 JP 7060986 U JP7060986 U JP 7060986U JP 7060986 U JP7060986 U JP 7060986U JP H0416431 Y2 JPH0416431 Y2 JP H0416431Y2
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- tank
- sulfuric acid
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 16
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 8
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は半導体(I.C)のパツケージに溶解
液を噴射してチツプを露出させるオープナー装置
において、送風ダクト内の排液を取除く排液取出
装置に関するものである。
液を噴射してチツプを露出させるオープナー装置
において、送風ダクト内の排液を取除く排液取出
装置に関するものである。
従来、半導体(I.C)の不良解析時、又は品質
チエツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶
解液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露
出させる手段がとられている。
チエツクを行なう際に、半導体のパツケージに溶
解液、例えば加熱した熱硫酸を当ててチツプを露
出させる手段がとられている。
半導体のパツケージは作業テーブルのセツト部
に載置され、噴射ノズルより噴射された熱硫酸が
前記パツケージに当るようになつている。
に載置され、噴射ノズルより噴射された熱硫酸が
前記パツケージに当るようになつている。
半導体のチツプが露出し、仕事を終えた排液は
排液冷却部で冷却された後、排液貯留タンク部へ
送り出される構造となつている。
排液冷却部で冷却された後、排液貯留タンク部へ
送り出される構造となつている。
前記した如くオープナー装置は、チツプを露出
させる容解液として沸点近く約290℃まで加熱し
た熱硫酸を使用する所から仕事を終えた熱硫酸は
排液冷却部で約100℃前後まで冷却された後、排
液貯留タンク部へ送り出される。
させる容解液として沸点近く約290℃まで加熱し
た熱硫酸を使用する所から仕事を終えた熱硫酸は
排液冷却部で約100℃前後まで冷却された後、排
液貯留タンク部へ送り出される。
排液貯留タンク部内の熱硫酸は約100℃前後の
温度があり、蒸気が発生する所から該蒸気を送風
ダクトへ誘導するようになつている。送風ダクト
内に誘導された蒸気は冷気によつて凝固して送風
ダクトの底に溜まる恐れがあり、ダクトの底に溜
まつた液体は硫酸のため処理が大変面倒であつ
た。
温度があり、蒸気が発生する所から該蒸気を送風
ダクトへ誘導するようになつている。送風ダクト
内に誘導された蒸気は冷気によつて凝固して送風
ダクトの底に溜まる恐れがあり、ダクトの底に溜
まつた液体は硫酸のため処理が大変面倒であつ
た。
そこで、この考案は送風ダクト内に溜る硫酸の
処理が安全かつ、容易に行なえるようにすること
を目的としている。
処理が安全かつ、容易に行なえるようにすること
を目的としている。
前記目的を達成するためにこの考案にあつて
は、送風ダクト内に設けられ半導体開口部で仕事
を終えた排液を該ダクト内を通る冷却風によつて
冷却する冷却トラツプと、冷却トラツプ内の排液
を一時溜めておく排液貯留タンク部とを備えたオ
ープナー装置において、前記送風ダクト内に、該
ダクトの底部近接部位に取入口が臨む排液取出管
を設け、該排液取出管に吸引ポンプを接続すると
共に該ポンプの吐出口を排液貯留タンク部に接続
連通させてある。
は、送風ダクト内に設けられ半導体開口部で仕事
を終えた排液を該ダクト内を通る冷却風によつて
冷却する冷却トラツプと、冷却トラツプ内の排液
を一時溜めておく排液貯留タンク部とを備えたオ
ープナー装置において、前記送風ダクト内に、該
ダクトの底部近接部位に取入口が臨む排液取出管
を設け、該排液取出管に吸引ポンプを接続すると
共に該ポンプの吐出口を排液貯留タンク部に接続
連通させてある。
かかるオープナー装置において、送風ダクト内
で凝固して溜つた硫酸は、吸引ポンプによつて排
液取出管の取入口より取入れられると共に排液貯
留タンク部へ順次送り出され、送風ダクト内に溜
る排液の処理が安全、かつ容易に行なえるように
なる。
で凝固して溜つた硫酸は、吸引ポンプによつて排
液取出管の取入口より取入れられると共に排液貯
留タンク部へ順次送り出され、送風ダクト内に溜
る排液の処理が安全、かつ容易に行なえるように
なる。
以下、第1図と第2図の図面を参照しながらこ
の考案の一実施例を詳細に説明する。
の考案の一実施例を詳細に説明する。
第1図は装置全体の概略図を示しており、該装
置は、貯蔵タンク部1と、予熱ヒータ部3と、半
導体開口部5と、排液冷却部7と、排液貯留タン
ク部9とを備えており、これらは機体内に配置さ
れている。
置は、貯蔵タンク部1と、予熱ヒータ部3と、半
導体開口部5と、排液冷却部7と、排液貯留タン
ク部9とを備えており、これらは機体内に配置さ
れている。
貯蔵タンク部1のタンク本体11は耐酸性の合
成樹脂材で形成され、上部に常時閉状態の第1電
磁弁13が設けられている。また、タンク本体1
1は常時閉状態の第2電磁弁15を介して予熱ヒ
ータ部3のヒータタンク17と連通し、ヒータタ
ンク17は前記タンク本体11より低い位置に配
置されている。これにより、タンク本体11内の
硫酸が落差でヒータタンク17内に送り込まれる
ようになつている。
成樹脂材で形成され、上部に常時閉状態の第1電
磁弁13が設けられている。また、タンク本体1
1は常時閉状態の第2電磁弁15を介して予熱ヒ
ータ部3のヒータタンク17と連通し、ヒータタ
ンク17は前記タンク本体11より低い位置に配
置されている。これにより、タンク本体11内の
硫酸が落差でヒータタンク17内に送り込まれる
ようになつている。
ヒータタンク17は後述するエアーポンプ25
からの空気圧(エアー圧)が作用することでタン
ク17内の硫酸が強制的に送り出されるもので、
該タンク17には温度センサ19によつてタンク
17内の硫酸が約250℃に管理制御されるニクロ
ム線等の熱源部21が設けられている。
からの空気圧(エアー圧)が作用することでタン
ク17内の硫酸が強制的に送り出されるもので、
該タンク17には温度センサ19によつてタンク
17内の硫酸が約250℃に管理制御されるニクロ
ム線等の熱源部21が設けられている。
第1、第2電磁弁13,15はヒータタンク1
7内に設けられた硫酸の有無を検知する液面セン
サ23によつて開閉自在に制御され、ヒータタン
ク17内の硫酸が空になつたことを前記液面セン
サ23が検知すると開となる。これにより、タン
ク本体11は大気に開放される一方、タンク本体
11内の硫酸が落差でヒータタンク17内に流れ
込むようになる。
7内に設けられた硫酸の有無を検知する液面セン
サ23によつて開閉自在に制御され、ヒータタン
ク17内の硫酸が空になつたことを前記液面セン
サ23が検知すると開となる。これにより、タン
ク本体11は大気に開放される一方、タンク本体
11内の硫酸が落差でヒータタンク17内に流れ
込むようになる。
エアーポンプ25は所望の駆動手段によつて駆
動され、該ポンプ25の吐出側に第3、第4、第
5電磁弁27,29,30が直列に設けられてい
る。
動され、該ポンプ25の吐出側に第3、第4、第
5電磁弁27,29,30が直列に設けられてい
る。
第3、第4、第5電磁弁27,29,30は取
入口となるポートPの外にノーマルクローズのポ
ートP1とノーマルオープンのポートP2を有し、
第5電磁弁30のポートP2はエア管31と連通
しポートP1はヒータタンク17と連通している。
また、第5電磁弁30は半導体開口部5の液面セ
ンサ45からの空の信号で切換制御される。
入口となるポートPの外にノーマルクローズのポ
ートP1とノーマルオープンのポートP2を有し、
第5電磁弁30のポートP2はエア管31と連通
しポートP1はヒータタンク17と連通している。
また、第5電磁弁30は半導体開口部5の液面セ
ンサ45からの空の信号で切換制御される。
なお、エア管31には後述する溶解槽41内の
蒸気を排液貯留タンク部9へ逃がす常時開の第7
電磁弁53と、前記第5電磁弁30のポートP2
と連通のエア取入口37と、エアー管31内で凝
固した硫酸を溶解槽41へ戻すバイパス通路33
が設けられている。
蒸気を排液貯留タンク部9へ逃がす常時開の第7
電磁弁53と、前記第5電磁弁30のポートP2
と連通のエア取入口37と、エアー管31内で凝
固した硫酸を溶解槽41へ戻すバイパス通路33
が設けられている。
第4電磁弁29は後述する電極センサ49から
の指令信号によつて切換制御され、ポートPは第
3電磁弁27のポートP2と連通し、ポートP1は
前記第5電磁弁30のポートPと連通しポート
P2は遊んでいる。
の指令信号によつて切換制御され、ポートPは第
3電磁弁27のポートP2と連通し、ポートP1は
前記第5電磁弁30のポートPと連通しポート
P2は遊んでいる。
第3電磁弁27はフード61の「開」で切換制
御される。
御される。
フード61はヒンジを支点として開閉可能で閉
時において半導体開口部5の作業台39をカバー
するようになると共に該フード61の「開」時に
おいて、オンとなる検知スイツチ69が機体に設
けられている。
時において半導体開口部5の作業台39をカバー
するようになると共に該フード61の「開」時に
おいて、オンとなる検知スイツチ69が機体に設
けられている。
検知スイツチ69は、第3電磁弁27を切換制
御する。これにより、ボートP1とP2は切換わり
エアーポンプ25からのエアーがアスピレータ6
3のノズル67に流れフード61の開時におい
て、作業台39の内部に溜つた硫酸の蒸気を吸引
し作業者が蒸気を吸うのを防いでいる。
御する。これにより、ボートP1とP2は切換わり
エアーポンプ25からのエアーがアスピレータ6
3のノズル67に流れフード61の開時におい
て、作業台39の内部に溜つた硫酸の蒸気を吸引
し作業者が蒸気を吸うのを防いでいる。
ヒータタンク17に設けられた第6電磁弁38
は常時は開で、ヒータタンク17内の蒸気を排液
貯留タンク部9へ逃がすよう機能すると共に温度
センサ19及び後述する液面センサ45の信号で
閉に制御される。これにより空気圧がヒータタン
ク17内に作用するようになる。
は常時は開で、ヒータタンク17内の蒸気を排液
貯留タンク部9へ逃がすよう機能すると共に温度
センサ19及び後述する液面センサ45の信号で
閉に制御される。これにより空気圧がヒータタン
ク17内に作用するようになる。
なお、前記温度センサ19は硫酸が約250℃以
下の場合はスタートスイツチを作動してもスター
トの指令信号が出力するのを押える機能を備えて
いる。
下の場合はスタートスイツチを作動してもスター
トの指令信号が出力するのを押える機能を備えて
いる。
半導体開口部5は、DIPタイプの半導体Wをセ
ツトする作業台39と、該作業台39の下位に配
置された溶解槽41と、前記半導体Wのパツケー
ジに硫酸を噴射するポンプ43とから成り、溶解
槽41は前記ヒータタンク17と連通している。
ツトする作業台39と、該作業台39の下位に配
置された溶解槽41と、前記半導体Wのパツケー
ジに硫酸を噴射するポンプ43とから成り、溶解
槽41は前記ヒータタンク17と連通している。
溶解槽41には前記した液面センサ45と、電
極センサ49の外に温度センサ47がそれぞれ設
けられている。液面センサ45は溶解槽41内の
硫酸の有無を検出する。
極センサ49の外に温度センサ47がそれぞれ設
けられている。液面センサ45は溶解槽41内の
硫酸の有無を検出する。
温度センサ47は溶解槽41内の硫酸の温度を
約250℃前後にニクロム線等の熱源部51を管理
制御する機能を有し、約290℃に達したことを検
知するとポンプ43をオンに駆動する。また、電
極センサ49は、半導体Wのパツケージが溶解し
て内部のチツプが露出した時に硫酸を介して流れ
る電流を検知し、検出後に作動するタイマーによ
り一定時間経過後ポンプ43の駆動を停止する一
方、第4電磁弁29を切換制御し、かつ、常時開
の第7電磁弁53を閉とする。これにより、溶解
槽41にはエア管31を介して空気圧が作用す
る。なお、電極センサ49と半導体Wのチツプ端
子は該半導体Wを保持するホルダー57と電気的
に接続し硫酸を介して電気回路が形成されるよう
になつている。
約250℃前後にニクロム線等の熱源部51を管理
制御する機能を有し、約290℃に達したことを検
知するとポンプ43をオンに駆動する。また、電
極センサ49は、半導体Wのパツケージが溶解し
て内部のチツプが露出した時に硫酸を介して流れ
る電流を検知し、検出後に作動するタイマーによ
り一定時間経過後ポンプ43の駆動を停止する一
方、第4電磁弁29を切換制御し、かつ、常時開
の第7電磁弁53を閉とする。これにより、溶解
槽41にはエア管31を介して空気圧が作用す
る。なお、電極センサ49と半導体Wのチツプ端
子は該半導体Wを保持するホルダー57と電気的
に接続し硫酸を介して電気回路が形成されるよう
になつている。
排液冷却部7は前記溶解槽41と連通する冷却
トラツプ71と該トラツプ71に冷却風を送風す
る冷却フアン73とから成り、冷却フアン71は
前記冷却フアン73を備えた送風ダクト75内に
設けられている。送風ダクト75内に冷却風が流
れることでトラツプ71内の排液は約100℃前後
まで冷却されるようになる。
トラツプ71と該トラツプ71に冷却風を送風す
る冷却フアン73とから成り、冷却フアン71は
前記冷却フアン73を備えた送風ダクト75内に
設けられている。送風ダクト75内に冷却風が流
れることでトラツプ71内の排液は約100℃前後
まで冷却されるようになる。
送風ダクト75内には取入口79が送風ダクト
75の底部近接部位に臨む排液取出管77が設け
られている。
75の底部近接部位に臨む排液取出管77が設け
られている。
排液取出管77は吸引ポンプ81の吸引口81
aと接続連通している。また、吸引ポンプ81の
吐出口81bは排液貯留タンク部9の装着部83
とそれぞれ接続連通している。吸引ポンプ81は
耐酸製の材質で作られると共に手元操作スイツチ
(図示していない)によつてオン・オフに制御さ
れる。
aと接続連通している。また、吸引ポンプ81の
吐出口81bは排液貯留タンク部9の装着部83
とそれぞれ接続連通している。吸引ポンプ81は
耐酸製の材質で作られると共に手元操作スイツチ
(図示していない)によつてオン・オフに制御さ
れる。
排液貯留タンク部9の装着部83とタンク部8
5とから成り、タンク部85は前記冷却トラツプ
71と連通しフツ素樹脂(テフロン)の合成樹脂
材で形成され、装着部83に設けられた一対の液
面センサ87が液面に触れることで排液を介して
電流が流れ、満杯になつたことがわかるようにな
つている。これにより、スタートスイツチをオン
としても機能停止状態のままとなる。
5とから成り、タンク部85は前記冷却トラツプ
71と連通しフツ素樹脂(テフロン)の合成樹脂
材で形成され、装着部83に設けられた一対の液
面センサ87が液面に触れることで排液を介して
電流が流れ、満杯になつたことがわかるようにな
つている。これにより、スタートスイツチをオン
としても機能停止状態のままとなる。
なお、満杯になつたタンク部85は蛇腹89に
対し離脱自在で、新しいタンク部と交換可能とな
つている。
対し離脱自在で、新しいタンク部と交換可能とな
つている。
このように構成されたオープナー装置におい
て、半導体開口部5で仕事を終えた熱硫酸は第4
電磁弁29のポートP1の開でエアー管31にエ
アーが流れる。これにより、溶解槽41内の熱硫
酸は空気圧で冷却トラツプ71に送り出され、該
トラツプ71で約100℃前後まで冷却された後、
排液貯留タンク部9のタンク85部内へ送り出さ
れる。
て、半導体開口部5で仕事を終えた熱硫酸は第4
電磁弁29のポートP1の開でエアー管31にエ
アーが流れる。これにより、溶解槽41内の熱硫
酸は空気圧で冷却トラツプ71に送り出され、該
トラツプ71で約100℃前後まで冷却された後、
排液貯留タンク部9のタンク85部内へ送り出さ
れる。
排液貯留タンク部9のタンク85より発生した
蒸気は送風ダクト内に送られるが、この時、凝固
した硫酸は送風ダクト75の底部に時間と共に溜
まるようになる。
蒸気は送風ダクト内に送られるが、この時、凝固
した硫酸は送風ダクト75の底部に時間と共に溜
まるようになる。
送風ダクト75の底部に溜つた硫酸が一定量溜
ると吸引ポンプ81を作動し排取出管77を介し
て硫酸を吸い上げて排液貯留タンク部9へ送り込
む。これにより、排液処理が行なえるようにな
る。なお、吸引ポンプ81は液面センサからの信
号でオン・オフの作動管理が行なえるようにして
もよい。
ると吸引ポンプ81を作動し排取出管77を介し
て硫酸を吸い上げて排液貯留タンク部9へ送り込
む。これにより、排液処理が行なえるようにな
る。なお、吸引ポンプ81は液面センサからの信
号でオン・オフの作動管理が行なえるようにして
もよい。
また、吸引ポンプ81は装着部83と接続して
いるためタンク部83の交換時に支障は起こらな
い。
いるためタンク部83の交換時に支障は起こらな
い。
以上、説明したようにこの考案によれば、蒸気
が凝固して送風ダクト内に硫酸が溜ると吸引ポン
プによつて容易に取出すことができるようにな
り、硫酸の処理が安全に行なえるようになる。
が凝固して送風ダクト内に硫酸が溜ると吸引ポン
プによつて容易に取出すことができるようにな
り、硫酸の処理が安全に行なえるようになる。
第1図はオープナー装置の全体の概要説明図、
第2図は排液取出装置の切断面図である。 主要な図面符号の説明、5……半導体開口部、
9……排液貯留タンク部、71……冷却トラツ
プ、75……送風ダクト、77……排液取出管、
79……取入口、81……吸引ポンプ。
第2図は排液取出装置の切断面図である。 主要な図面符号の説明、5……半導体開口部、
9……排液貯留タンク部、71……冷却トラツ
プ、75……送風ダクト、77……排液取出管、
79……取入口、81……吸引ポンプ。
Claims (1)
- 送風ダクト内に設けられ半導体開口部で仕事を
終えた排液を該ダクト内を通る冷却風によつて冷
却する冷却トラツプと、冷却トラツプ内の排液を
一時溜めておく排液貯留タンク部とを備えたオー
プナー装置において、前記送風ダクト内に、該ダ
クトの底部近接部位に取入口が臨む排液取出管を
設け、該排液取出管に吸引ポンプを接続すると共
に該ポンプの吐出口を排液貯留タンク部にそれぞ
れ接続連通させたことを特徴とするオープナー装
置の送風ダクト内の排液取出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060986U JPH0416431Y2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060986U JPH0416431Y2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182547U JPS62182547U (ja) | 1987-11-19 |
| JPH0416431Y2 true JPH0416431Y2 (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=30912401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060986U Expired JPH0416431Y2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0416431Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP7060986U patent/JPH0416431Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62182547U (ja) | 1987-11-19 |
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