JPH0416432Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案はプラスチツクで封止された半導体の
チツプを露出させて不良解析時の検査あるいは品
質チエツクに使用できるようにする半導体のオー
プナー装置において、作動時に半導体をカバーす
る上蓋ロツク装置に関するものである。

［従来の技術］ プラスチツクで封止された半導体のチエツクを
行なうオープナー装置は、エツチプレートに載置
セツトされた半導体のパツケージに溶解液を噴射
して開封しチツプを露出させる構造となつてい
る。

［考案が解決しようとする問題点］ 前記した如く半導体のパツケージは溶解液によ
つて開封され、溶解液には加熱した熱硫酸が使用
される。

このため、溶解時にあつては、安全を確保する
ために半導体は上蓋によつてカバーされると共に
上蓋はロツク装置によつて作動中は開かないよう
に拘束制御されている。

ところで、半導体のパツケージはエポキシ樹脂
等の材質のため開封時に熱硫酸によつて焼付けを
起して外観が黒く汚れる。この汚れは酸と反応し
て時間経過と共に強くなるもので場合によつては
解析に支障をきたす恐れがあつた。

また、酸によつて腐蝕が進行するため開封後、
チツプが露出すると同時にすばやく洗浄すること
が望まれる。ところが、前記上蓋は、仕事を終え
た熱硫酸の排液工程終了後にロツク解除される制
御となるため半導体の取出しに時間がかかる問題
があつた。

そこで、この考案は半導体の開封後チツプが露
出すると上蓋のロツク解除が行なわれ、半導体取
出しの迅速化が図れるようにしたオープナー装置
の上蓋ロツク装置を提供することを目的としてい
る。

［問題点を解決するための手段］ 前記目的を達成するためにこの考案にあつて
は、上蓋によつてカバーされると共にエツチプレ
ートに載置セツトされた半導体のパツケージに溶
解液を噴射してチツプを露出させる半導体開口部
と、半導体のチツプ露出時を検出する検出手段と
を備えたオープナー装置において、前記半導体開
口部の上蓋をロツク装置によつてロツクすると共
にロツク装置は前記検出手段からのチツプ露出信
号でロツク解除となる。

［作用］ かかる装置において、ロツク状態にあるロツク
装置は、半導体のパツケージが開封し、チツプが
露出すると検出手段は、チツプ露出信号を出力
し、該信号によつてロツク解除されるようにな
る。このため、半導体の取出し時間が早くなり、
迅速な洗浄が可能となる。この結果、解析に支障
をきたすことがなくなる。

［実施例］ 以下、第１図乃至第３図の図面を参照しながら
この考案の一実施例を詳細に説明する。

図面は装置全体の概要図を示しており、該装置
は、貯蔵タンク部１と、予熱ヒータ部３と、半導
体開口部５と、排液冷却部７と、排液貯留タンク
部９とを備えており、これらは機体１０内に収納
配置されている。

貯蔵タンク部１のタンク７本体１１は耐酸性の
合成樹脂材で形成され、上部に常時閉状態の第１
電磁弁１３が設けられている。また、タンク本体
１１は常時閉状態の第２電磁弁１５を介して予熱
ヒータ部３のヒータタンク１７と連通し、ヒータ
タンク１７は前記タンク本体１１より低い位置に
配置されている。これにより、タンク本体１１内
の硫酸が落差でヒータタンク１７内に送り込まれ
るようになつている。

ヒータタンク１７は後述するエアーポンプ２５
からの空気圧が作用することで該タンク１７内の
硫酸が強制的に送り出される。ヒータータンク１
７には温度センサ１９によつてタンク１７内の硫
酸が約250℃に管理制御されるニクロム線等の熱
源部２１が設けられている。

第１、第２電磁弁１３，１５はヒータタンク１
７内に設けられ硫酸の有無を検知する液面センサ
２３によつて開閉自在に制御され、ヒータタンク
１７内の硫酸が空になつたことを前記液面センサ
２３が検知すると開となる。これにより、タンク
本体１１は大気に開放される一方、タンク本体内
の硫酸が落差でヒータタンク１７内に流れ込むよ
うになる。

エアーポンプ２５は所望の駆動手段によつて駆
動され、該ポンプ２５の吐出側に常時は閉の第３
電磁弁２７と、該電磁弁２７と直列に第４電磁弁
２９が設けられている。第４電磁弁２９は第３電
磁弁２７と連通のポートＰの外に、ノーマルクロ
ーズのポートP₁とノーマルオープンのポートP₂
を有する３方弁となつていてポートP₁はヒータ
タンク１７に、ポートP₂は半導体開口部５とそ
れぞれ連通している。

第３電磁弁２７は、図外のスタートスイツチと
前記液面センサ２３からの信号によつて開になる
と同時に第４電磁弁２９のポートP₁はポートＰ
と連通し、常時開の第５電磁弁３１は閉に制御さ
れる。第５電磁弁３１は蒸気を逃がすものでヒー
タタンク１７に設けられている。

なお、前記温度センサ１９は硫酸が約250℃以
下の場合はスタートスイツチを作動してもスター
トの指令信号が出力するのを抑える機能を備えて
いる。

一方、半導体開口部５は、DIPタイプの半導体
Ｗをセツトするエツチプレート３３と、該エツチ
プレート３３の下位に配置された溶解槽３５と、
前記半導体Ｗのパツケージに硫酸を噴射するポン
プ３７とから成り、溶解槽３５は前記ヒータタン
ク１７と連通している。

溶解槽３５内の硫酸は溶解槽３５内に空気圧が
作用することで排液冷却部７側へ強制的に送り出
されるようになる。溶解槽３５には液面センサ３
９と、温度センサ４１と電極センサ４３がそれぞ
れ設けられている。液面センサ３９は溶解槽３５
内の硫酸の有無を検知する。

温度センサ４１は溶解槽３５内の硫酸の温度を
約290℃前後にニクロム線等の熱源部４５を管理
制御する機能を有し、約290℃に達したことを検
知するとポンプ３７をオンに駆動する。また、電
極センサ４３は、半導体Ｗのパツケージが開封し
て内部のチツプが露出した時に硫酸を介して流れ
る電流を検知する検出手段となつており、検知後
に作動するタイマーにより一定時間経過後ポンプ
３７の駆動を停止させる一方、後述するロツク装
置４７をロツク解除する機能を有する。なお、電
極センサ４３と半導体Ｗのチツプ端子は該半導体
Ｗを保持するホルダー４９と電気的に接続し硫酸
を介して電気回路が形成されるようになつてい
る。

溶解槽３５には、蒸気の凝縮時に該凝縮液を溶
解槽３５へ還元するトラツプ５１が設けられてお
り、該トラツプ５１は蒸気を排液貯留タンク部９
へ逃がす常時開の第６電磁弁５３へ続いている。

一方、機体１０には半導体Ｗをカバーする上蓋
５５が設けられている。

上蓋５５にはヒンジ５７を支点として回転可能
となつており、内側には上蓋５５の閉時において
前記ホルダー４９を保持する押えばね５９が設け
られている。上蓋５５は、ロツク装置４７によつ
てロツクされている。

ロツク装置４７の作動アーム６１は機体１０に
回転自在に枢支６１ａされている。作動アーム６
１の上端に連結されたロツクピン６３は、上蓋５
５に設けられた係合孔６５に係脱自在に挿入され
ている。また、作動アーム６１の下端はソレノイ
ド６７によつて伸縮する作動ロツド６９に連結さ
れ、ソレノイド６７のオフで前記ロツクピン６３
は該ピン６３に設けられたばね６８の作用で後退
し係合孔６５より外れたロツク解除状態となる。

また、ソレノイド６７のオンでロツクピン６３
は前進し係合孔６５と係合し合うロツク状態とな
る。ソレノイド６７は前記電極センサ４３からの
チツプ露出信号によつてオフに制御されると共に
図外のスタートスイツチによつてオン制御され
る。

排液冷却部７は前記溶解槽３５と連通する冷却
トラツプ６９と該トラツプ６９に冷却風を送風す
る冷却フアン７１とからなり、冷却フアン７１に
よつてトラツプ６９内の排液は約100℃前後まで
冷却されるようになる。

排液貯留タンク部９は前記冷却トラツプ６９と
連通しフツ素樹脂（テフロン）の合成樹脂材で形
成され、タンク本体７３に設けられた一対の液面
センサ７５が液面に触れることで排液を介して電
流が流れ、満杯になつたことがわかるようになつ
ている。これにより、スタートスイツチをオンと
しても機能停止状態のままとなる。

なお、満杯になつたタンク本体７３は蛇腹７５
に対し離脱自在で、新しいタンク本体と交換可能
となつている。

このように構成されたオープナー装置におい
て、エツチプレート３３に半導体Ｗをセツトした
後、上蓋５５を閉じてスタートスイツチをオンに
する。これにより、タンク本体１１内の硫酸は第
１、第２電磁弁１３，１５の開でヒータタンク１
７内に送り込まれる。ヒータタンク１７の内の硫
酸は熱源部２１によつて約250℃前後に加温され
る。硫酸が約250℃に達すると、第３電磁弁２７
は開、第４電磁弁２９のポートP₁はポートＰと
連通し空気圧がヒータタンク１７に作用する。こ
れによりヒータタンク１７内の熱硫酸が溶解槽３
５内に送り込まれる。

溶解槽３５内の熱硫酸は熱源部４５によつて約
290℃に高められる。そして約290℃に達したこと
を温度センサ４１が検知するとポンプ３７がオン
となり熱硫酸を半導体Ｗのパツケージに噴射す
る。以下、パツケージが溶解してチツプが露出す
るまで噴射が続けられる。チツプが露出すると硫
酸を介して流れる電流を電極センサ４３が検知し
該センサ４５が働く。これにより検知後一定時間
経過後にポンプ３７は停止すると共にソレノイド
６７にチツプ露出信号が流れてソレノイド６７は
オフとなる。これにより、ロツク装置４７はロツ
ク解除状態となるから上蓋５５を開放し、半導体
Ｗの取外しが行なえるようになると共に迅速な洗
浄が可能となる。

次に、新たに半導体Ｗをエツチプレート３３に
載置セツト後、上蓋５５を閉めるとロツクピン６
３は係合孔６５と係合し合うロツク状態となる。
次に図外のスタートスイツチのオンにする。これ
により、溶解槽３５内にエアポンプ２５からの空
気圧が作用して、仕事を終えた排液は冷却トラツ
プ６９に送り出される。同時に予熱ヒーター部３
から新たな硫酸が送り込まれ、その後、ポンプ３
７の作動により前記した半導体の開封動作が繰返
えされるようになる。

［考案の効果］ 以上、説明したようにこの考案のオープナー装
置の上蓋ロツク装置によれば、半導体が開封しチ
ツプが露出すると、検出手段からのチツプ露出信
号によつてロツク装置のロツク解除ができるた
め、開封後速やかに半導体を取り出した後、迅速
な洗浄が行なえるようになる。したがつて、焼付
き等の汚れは最少に抑えられ正しい解析結果が得
られるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この考案のオープナー装置の一部切
断側面図、第２図は同上の平面図、第３図は全体
の連繋状態を示した概要説明図である。 主要な図面符号の説明、５……半導体開口部、
３３……エツチプレート、４３……検出手段（電
極センサ）、４７……ロツク装置。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 上蓋によつてカバーされると共にエツチプレー
   トに載置セツトされた半導体のパツケージに溶解
   液を噴射してチツプを露出させる半導体開口部
   と、半導体のチツプ露出時を検出する検出手段と
   を備えたオープナー装置において、前記半導体開
   口部の上蓋をロツク装置によつてロツクすると共
   にロツク装置は前記検出手段からのチツプ露出信
   号でロツク解除となることを特徴とするオープナ
   ー装置の上蓋ロツク装置。