JPH01287806A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トラック幅を規定する突き合わせ面の幅がコ
ア幅（コア厚み）よりも小さく設定された２つのコア半
体を接合した磁気ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

磁気記録媒体の高記録密度化に伴う狭トラツク幅化、並
びに高い保磁力をもつ媒体への対応のため、コア基体上
に高飽和磁束密度、高透磁率の非晶質磁性合金等よりな
る磁性膜をもち、且つトラック幅を規定する突き合わせ
面の幅がコア幅よりも小さな２つのコア半体同士を接合
するようにした磁気ヘッドが各種提案されている。

第８図は斯る磁気ヘッドを示す斜視図で、ＩＡ。

ＩＢはコア半体で、例えば磁性フェライトよりなるコア
基体２，２と、該コア基体２，２上に形成された高飽和
磁束密度、高透磁率の非晶質磁性合金よりなる磁性膜３
，３と、該磁性膜３．３を後記ガラスの侵食から守るた
めの保護膜４．４とをそれぞれ具備している。上記コア
基体２には突部が形成され、突部頂面の前記磁性膜３に
よってトラック幅ＴＷと等しい幅の突き合わせ面が形成
されていて、該突き合わせ面の幅（Ｔｗ）はコア幅（コ
ア厚み）Ｗよりも小さく設定されている。

５は、各コア半体ＩＡ、ＩＢの突き合わせ面の両側部の
欠削部６にそれぞれ予め充填された接合用のガラスで、
両コア半体ＩＡ、ＩＢをギャップ規制膜７を介して接合
している。なお、８は巻線窓で図示せぬコイルが巻回さ
れる。

次に第９図（ａ）〜（ｄ）によって、上記磁気ヘッドの
製造工程を概説する。

まず、同図＜ａ）に示すように、磁性フェライトよりな
るブロック１０に、前記欠削部６形成用の溝１１を切削
すると共に、該溝１１によって突起１２を形成し、これ
を前記一方のコア半体ＩＡの母材となるブロックＩＯＡ
とする。また、上記ブロックＩＯＡと同様に作製された
ブロック１０には、同図（ａ）で１点鎖線で示したよう
に、前記溝１１と直交する巻線溝１３を形成して、これ
を前記他方のコア半体ＩＢの母材たるブロック１０Ｂと
する。次に、上記両ブロックＩＯＡ、１０Ｂの溝形成側
の面に、前記磁性膜３、及び保護膜４を蒸着、スパッタ
リング等の薄膜製造技術によって順次所定膜厚で成膜す
る。

続いて、第９図（ｂ）に示すように、両ブロックＩＯＡ
、ＩＯＢの薄膜形成面上に前記ガラス５を比較的厚めに
充填・被着した後、同図に示した１点鎖線位置まで研磨
し、両ブロックＩＯＡ、１０Ｂにフラットな接合面を各
々形成すると共に、前記磁性膜３の頂部をトラック幅Ｔ
ｗと等しい幅で露呈させて前記した突き合わせ面とする
。なお、この段階で前記一方のブロックＩＯＢ内の巻線
溝１３内のガラス５も除去される。

次に、両ブロックＩＯＡ、ＩＯＢの接合面上には、それ
ぞれ所定厚みの前記ギャップ規制膜７がスパッタリング
等の薄膜製造技術によって形成された後、両コアブロッ
ク１０Ａ、１０Ｂは第９図（ｃ）に示すようにギヤツブ
規制膜７同士を向い合わせて、突き合わせ・位置決めさ
れ、所定の加熱加圧条件で前記ガラス５によるボンディ
ングによって両ブロックＩＯＡ、ＩＯＢが一体された第
９図（ｄ）の如き組立てブロック１４を作製する。

なお、ギャップ規制膜７は、前記磁性膜３の突き合わせ
面に直接、即ち、磁性層３を守るための保護膜４が除去
された部分にも当然被着されねばならないため、磁性膜
３に悪影響を与える材料を用いてはならない、また、ガ
ラス５に対しては適度に反応することで、接合界面では
接着反応を進行させるが、突き合わせ面（磁性層３）近
傍では過度の反応により、所定のギャップ長が形成され
なかったり、磁性層３を侵食したりすることがあっては
ならない。そこで、これ等の条件を満足する材料として
、一般的にはＳｉｎ、がギャップ規制膜７として用いら
れている。

そして、次に前記組立てブロック１４を、第９図（ｄ）
で、例えば１点′ＥＡ線で示す線に沿ってスライスすれ
ば、第８図示の両コア半体ＩＡ、ＩＢが接合された磁気
ヘッドのコア組立体が得られ、最後にコイルを巻回すれ
ば磁気ヘッドが完成されることになる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記製造手法を採る磁気ヘッドにおいては、
前記両ブロックＩＯＡ、ｌ０Ｂ（コア半体ＩＡ、ＩＢ＞
の接合面にそれぞれギャップ規制膜７が形成されている
。このような磁気ヘッドにおいて、大きな磁気ギャップ
長を得るにはギャップ規制膜７も厚く設けなければなら
ないが、ＳｉＯ□のような材料をギャップ規制膜７に用
いると、従来のギャップボンディング工程では、ガラス
５との反応が不十分で、ギヤツブ規制膜７，７同士で接
着反応を起こさせることとなり、磁気ヘッドのコア半体
ＩＡ、ＩＢ同志が完全に接合されないという問題が生じ
ていた。

この問題を解決するには、ギャップ規制膜７とガラス５
との反応を十分に進めれば良いのであるが、そのために
ギャップボンディング時の温度を高くしたり、保持時間
を長くすることは、磁性層３に用いた非晶質合金材料の
結晶化を招き、磁気特性を劣化させる虞があった。

従って本発明の解決すべき技術的課題は、上記従来技術
のもつ問題点を解消することにあり、その目的とすると
ころは、両コア半体の接合が確実で、且つ比較的大きな
磁気ギャップ長も形成可能な磁気ヘッドを提供するにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記した目的を達成するため、トラック幅を規
定する突き合わせ面の幅がコア幅（コア厚み）より小さ
く設定されると共に、前記突き合わせ面の側部の欠削部
に該突き合わせ面と面一に接合用のガラスが充填された
コア半体にして、コア基体と、該コア基体上に設けられ
た高飽和磁束密度、高透磁率の磁性合金材料よりなり前
記突き合わせ面が形成される磁性層とを備えたものを具
備し、前記した２つのコア半体を所定の厚さのギャップ
規制膜を介して突き合わせて前記ガラスによって接合し
た磁気ヘッドにおいて、前記突き合わせ面と前記ガラス
とによって前記２つのコア半体にそれぞれ形成される接
合面のうち、何れか一方の接合面にのみ前記ギャップ規
制膜を形成するようにされる。

〔作用〕

つまり従来は、両方のへラドコア半体の接合面にギャッ
プ規制膜を各々形成していたために、比較的接合反応が
起こり難いギヤツブ規制膜同士の界面でヘッドコア半体
を接合させていた。しかし本発明では上述の如く、ヘッ
ドコア半体のどちらか一方にのみギャップ規制膜を形成
しているために、接合反応が起こり易いギヤツブ規制膜
／ガラス界面でヘッドコア半体同士を接合させている。

その結果、ギャップボンディング工程の温度を上げたり
、保持時間を伸ばすことなく、任意のギャップ長の磁気
ヘッドを得ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明を第１図〜第７図に示した実施例によって
説明する。

第１図は本発明の実施例に係る磁気ヘッドの斜視図で、
同図において第８図の従来例と均等の部材、部位、寸法
には同一符号を付してあり、同図において、ｌＡ、ＩＢ
はコア半体、２はコア基体、３は磁性膜、４は保護膜、
５は接合用のガラス、６は欠削部、７はギャップ規制膜
、８は巻線窓である。なお、９は巻線窓８に巻回された
コイルである。

ここで、上記コア基体２は該実施例においては、例えば
Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁性バルク材よりなっているが、
この他の磁性材料や、或いはセラミックス、結晶化ガラ
ス等の非磁性材料であっても良い。また、前記磁性膜３
は、該実施例においては、例えば、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非
晶ｆｍ性合金よりなっているが、他のＣＯ系非晶質磁性
合金や、Ｆｅ系磁性合金を用いても良い。なおまた、前
記ガラス５としてはＰｂＯ□系等の低融点ガラスが用い
られ、ギヤツブ規制膜了してはＳｉｎ、が用いられ、該
ギャップ規制膜７はコア半体ＩＡ、ＩＢの何れか一方の
接合面にのみ被着されている。

次に、第２図〜第７図によって、第１図示の磁気ヘッド
の製造方法を説明する。

まず、Ｍｎ−Ｚｎフェライトよりなる平板状のブロック
に、第２図（，１）のように前記欠削部６形成用の溝１
１を等間隔に切削形成してこれによる断面三角波形状の
突起１２群を形成し、このブロックを、前記一方のコア
半体ＩＡの母材たるブロックＩＯＡとする。また、同一
材料、同一手法にて第２図（ａ）の如く溝１１を形成し
たブロックに、第２図（ｂ）図示のように、溝１１と直
交する前記巻線窓８形成用の巻線溝１３を形成し、この
ブロックを前記他方のコア半体ＩＢの母材たるブロック
ＩＯＢとする。

次に上記両ブロックＩＯＡ、ＩＯＢの溝形成側の面に、
第３図（ａ）、　　（ｂ）に示すように、ｃｏ−Ｎｂ−
Ｚｒ非晶を磁性合金よりなる前記磁性膜３、及び前記保
護膜４を順次スパッタリング等によって成膜し、然る後
、この上に第４図（ａ）。

（ｂ）に示すように前記ガラス５を比較的厚めに充填・
被着する。

続いて、第５図（ａ）に示すようにブロック１０Ａの上
面を研磨し、前記突起１２頂部の前記磁性層３を前記ト
ラック幅Ｔｗと一致する幅で露出させ、ブロックＩＯＡ
に接合面を形成する。一方、第５図（ｂ）に示すように
、他方のブロック１０Ｂの上面も同様に研磨されて接合
面とされると共に、前記巻線溝１３内の余分なガラス５
も除去される。

そして次に、ブロックＩＯＡ、ＩＯＢの接合面のうち何
れか一方にのみ、ＳｉＯ２よりなる前記ギャップ規制膜
７をスパッタリングによって所定の厚さ、例えば磁気ギ
ャップ長が０．７μｍならばこれに対応する厚さだけ被
着形成する。然る後、両ブロック１０Ａ、１０Ｂを第６
図示のようにギャップ規制膜７を介して突き合わせて整
合し、位置合わせ・密着した状態で加熱加圧して、前記
ガラス５によって両ブロック１０Ａ、１０Ｂを接合し、
第７図示のような組立てブロック１４を作製する。この
際、ギャップ規制膜７は一方のブロック（図示の実施例
ではブロックｌ０Ａ）のみに形成されているため、０．
７μｍと比較的太き目の磁気ギャップ長に設定しても、
接合反応が起こり易いギヤツブ規制膜７／ガラス５界面
で接合されるので、確実な接合・固着がなされ、ギャッ
プボンディング工程の温度を上げたり、保持時間を延ば
すことなく、従って磁性膜３の特性劣化の虞なく、任意
のギャップ長をもつ組立てブロック１４（［気ヘッド）
を得ることが出来る。

然る後、前記組立てブロック１４を、従前と同様に例え
ば第７図の１点鎖線に沿ってスライスして、前記したコ
ア半体ＩＡ、ＩＢが接合された磁気ヘッドのコア組立体
を得、最後に前記コイル９を巻回すれば第１図示の磁気
ヘッドが完成される。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、核種コア基体上に磁性層
をもつコア半体同士を接合する形態の磁気ヘッドにおい
て、接合が確実・強固で、且つ比較的大きなギャップ長
を含む任意のギャップ長をもつ磁気ヘッドが提供でき、
その産業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図〜７図は本発明に係り、第１図は本発明の実施例
による磁気ヘッドの斜視図、第２図〜第７図は第１図の
磁気ヘッドの製造工程をそれぞれ示す工程説明図、第８
図は従来の磁気ヘッドの斜視図、第９図（ａ）〜（ｄ）
は従来の磁気ヘッドの製造工程をそれぞれ示す工程説明
図である。 ＩＡ、ＩＢ・・・・・・コア半体、２・・・・・・コア
基体、３・・・・・・磁性膜、４・・・・・・保護膜、
５・・・・・・ガラス、６・・・・・・欠削部、７・・
・・・・ギャップ規制膜、８・・・・・・巻線窓、９・
・・・・・コイル、ＩＯＡ、ＩＯＢ・・・・・・（フェ
ライト）ブロック、１１・・・・・・溝、１２・・・・
・・突起、１３・・・・・・巻線溝、１４・・・・・・
組立てブロック。 第１図 第３図 （ａ）　　　　　　　　　　　（ｂ）　　　１３第６図 第７図 第８図 （０）　　　　第９図 ツノ ４０８　　１０Ａ ゝ−，，ｙ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. トラック幅を規定する突き合わせ面の幅がコア幅（コア
   厚み）より小さく設定されると共に、前記突き合わせ面
   の側部の欠削部に該突き合わせ面と面一に接合用のガラ
   スが充填されたコア半体にして、コア基体と、該コア基
   体上に設けられた高飽和磁束密度、高透磁率の磁性合金
   材料よりなり前記突き合わせ面が形成される磁性層とを
   備えたものを具備し、前記した２つのコア半体を所定の
   厚さのギャップ規制膜を介して突き合わせて前記ガラス
   によつて接合した磁気ヘッドにおいて、前記突き合わせ
   面と前記ガラスとによつて前記２つのコア半体にそれぞ
   れ形成される接合面のうち、何れか一方の接合面にのみ
   前記ギャップ規制膜が形成されていることを特徴とする
   磁気ヘッド。