JPH01296446A - 光磁気記録用部材及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録用部材及びその製造方法Info
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- JPH01296446A JPH01296446A JP12495688A JP12495688A JPH01296446A JP H01296446 A JPH01296446 A JP H01296446A JP 12495688 A JP12495688 A JP 12495688A JP 12495688 A JP12495688 A JP 12495688A JP H01296446 A JPH01296446 A JP H01296446A
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- recording film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光を用いて情報の記録、再生、消去を行なう
光磁気記録用部材及びその製造方法に係り、特に高信頼
性を有し、長寿命の光磁気記録用部材及びその製造方法
に関する。
光磁気記録用部材及びその製造方法に係り、特に高信頼
性を有し、長寿命の光磁気記録用部材及びその製造方法
に関する。
高度情報化社会の進展に伴ない、高密度、大容量でかつ
書き換え可能なファイルメモリーへのニーズが高まって
いる。これを満たすものとして、光ディスクが着目され
ており、中でも光磁気記録は実用化に最も近い段階にあ
る。
書き換え可能なファイルメモリーへのニーズが高まって
いる。これを満たすものとして、光ディスクが着目され
ており、中でも光磁気記録は実用化に最も近い段階にあ
る。
ところで、光磁気記録に用いる記録材料とじてＴｂＦｅ
Ｃｏ系をはじめとする希土類元素と鉄族元素とからなる
非晶質合金系と、ＰｔＭｎＳｂを主体としたホイスラー
合金系等が知られているが、いずれも大気中の酸素や水
に対して活性で、容易に腐食して水酸化物や酸化物を形
成する。そのため、時間の経過とともにディスクの諸特
性が低下する、記録した情報が保持できない等、ディス
クの寿命又はディスクの信頼性の低下をきたしていた。
Ｃｏ系をはじめとする希土類元素と鉄族元素とからなる
非晶質合金系と、ＰｔＭｎＳｂを主体としたホイスラー
合金系等が知られているが、いずれも大気中の酸素や水
に対して活性で、容易に腐食して水酸化物や酸化物を形
成する。そのため、時間の経過とともにディスクの諸特
性が低下する、記録した情報が保持できない等、ディス
クの寿命又はディスクの信頼性の低下をきたしていた。
これを防止するため、特開昭６１−５１８０６にはＣｏ
Ｔｂ合金にＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等を添加することが、また特
開昭６１−８７３０６にはＣｏＦｅ及び希土類元素から
なる合金にＣｒ、Ｔｉ等を添加することが記載されてい
る。
Ｔｂ合金にＣｒ、Ｍｏ、Ｗ等を添加することが、また特
開昭６１−８７３０６にはＣｏＦｅ及び希土類元素から
なる合金にＣｒ、Ｔｉ等を添加することが記載されてい
る。
上記従来技術は、光磁気記録膜に、大気中の水等によっ
て生じる腐食と局部的に生じる孔食とを同時に抑制する
という点について配慮されておらず、光磁気記録用部材
の信頼性が十分でないといった問題があった。
て生じる腐食と局部的に生じる孔食とを同時に抑制する
という点について配慮されておらず、光磁気記録用部材
の信頼性が十分でないといった問題があった。
本発明の目的は、高信頼性を有する光磁気記録用部材及
びその製造方法を提供することにある。
びその製造方法を提供することにある。
上記目的は、垂直磁気異方性を有し、光によって情報の
記録、再生、消去を行なう光磁気記録膜を有する光磁気
記録用部材において、上記光磁気記録膜は、Ｃｒを含み
、かっ該光磁気記録膜の界面の少なくとも一方にＣｒと
結合した窒素が存在する層を有することを特徴とする光
磁気記録用部材、基板上に、スパッタリング又は電子線
蒸着により、垂直磁気異方性を有し、光によって情報の
記録、再生、消去を行なう光磁気記録膜を形成する光磁
気記録用部材の製造方法において、上記光磁気記録膜は
Ｃｒを含有し、該光磁気記録膜の形成の初期若しくは終
期又はその両者の時に窒素を含む雰囲気中でスパッタリ
ング又は電子線蒸着を行ない、上記光磁気記録膜の界面
の少なくとも一方に、Ｃｒと結合した窒素が存在する層
を形成せしめたことを特徴とする光磁気記録用部材の製
造方法の少なくとも１項によって達成される。
記録、再生、消去を行なう光磁気記録膜を有する光磁気
記録用部材において、上記光磁気記録膜は、Ｃｒを含み
、かっ該光磁気記録膜の界面の少なくとも一方にＣｒと
結合した窒素が存在する層を有することを特徴とする光
磁気記録用部材、基板上に、スパッタリング又は電子線
蒸着により、垂直磁気異方性を有し、光によって情報の
記録、再生、消去を行なう光磁気記録膜を形成する光磁
気記録用部材の製造方法において、上記光磁気記録膜は
Ｃｒを含有し、該光磁気記録膜の形成の初期若しくは終
期又はその両者の時に窒素を含む雰囲気中でスパッタリ
ング又は電子線蒸着を行ない、上記光磁気記録膜の界面
の少なくとも一方に、Ｃｒと結合した窒素が存在する層
を形成せしめたことを特徴とする光磁気記録用部材の製
造方法の少なくとも１項によって達成される。
本発明に用いられる光磁気記録膜は、垂直磁気異方性を
有し、Ｃｒを含有するものであればどのような合金組成
でもよい。例えば、希土類元素と鉄族元素とからなり、
Ｃｒを含むものが用いられる。さらにこの組成にＰｔ、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｈから選ばれた少なくとも一種の元素を
加えて用いること、またこれにさらにＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ
、ＡＱから選ばれた少なくとも一種の元素を加えて用い
ることが好ましい。通常希土類元素と鉄族元素の合計量
は８５ａｔ％以上であることが好ましい。このような合
金系のほかにＣｒを含むホイスラー合金等も用いられ、
この場合もさらにｐｔを含むものが好ましい。
有し、Ｃｒを含有するものであればどのような合金組成
でもよい。例えば、希土類元素と鉄族元素とからなり、
Ｃｒを含むものが用いられる。さらにこの組成にＰｔ、
Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｈから選ばれた少なくとも一種の元素を
加えて用いること、またこれにさらにＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ
、ＡＱから選ばれた少なくとも一種の元素を加えて用い
ることが好ましい。通常希土類元素と鉄族元素の合計量
は８５ａｔ％以上であることが好ましい。このような合
金系のほかにＣｒを含むホイスラー合金等も用いられ、
この場合もさらにｐｔを含むものが好ましい。
記録膜の界面近傍にはＣｒが０．５ａｔ％以上存在する
ことが好ましい。記録膜の厚み方向に元素の組成を変化
させてもよく、Ｃｒの量をこのように変化させて界面近
傍で１００ａｔ％となるようにしてもよい。ＣｒとＮと
の結合Ｍ（以下酸素拡散防止層という）は、記録膜の界
面近傍で２０〜２００人の厚さに存在することが好まし
い。２０人未満では効果が顕著でない。厚さの上限は２
００人を越えてもよいが、この層の形成には長時間かか
るため不必要に厚くすることは好ましくない。
ことが好ましい。記録膜の厚み方向に元素の組成を変化
させてもよく、Ｃｒの量をこのように変化させて界面近
傍で１００ａｔ％となるようにしてもよい。ＣｒとＮと
の結合Ｍ（以下酸素拡散防止層という）は、記録膜の界
面近傍で２０〜２００人の厚さに存在することが好まし
い。２０人未満では効果が顕著でない。厚さの上限は２
００人を越えてもよいが、この層の形成には長時間かか
るため不必要に厚くすることは好ましくない。
酸素拡散防止層において、Ｎは０．１〜４ａｔ％である
ことが好ましく、０．２〜３ａｔ％であることがより好
ましい。０．１ａｔ％未満では効果が顕著でない。Ｎの
量が４ａｔ％を越えてもよいが、多量のＮを含有させる
のは通常の方法では困難である。
ことが好ましく、０．２〜３ａｔ％であることがより好
ましい。０．１ａｔ％未満では効果が顕著でない。Ｎの
量が４ａｔ％を越えてもよいが、多量のＮを含有させる
のは通常の方法では困難である。
光磁気記録膜の界面近傍にＣｒと結合した窒素層を設け
ることにより、記録膜内部への酸素等の拡散を防止する
ので、記録膜の腐食を抑制できる。
ることにより、記録膜内部への酸素等の拡散を防止する
ので、記録膜の腐食を抑制できる。
以下、本発明の詳細について実施例を用いて詳細に説明
する。
する。
実施例１
下記の方法により作製した光磁気ディスクの断面構造の
模式図を第１図に示す。案内溝を有する基板１の上に、
スパッタ法により窒化シリコンの下地膜２を６００人の
膜厚に形成した。作製した膜の屈折率は２．５であった
。それに引き続き、Ｔｂ２ｃＦｅ４４Ｃｏ２゜Ｃｒ５Ｐ
ｔ７の組成の光磁気記録膜３をスバッタ法により形成し
た。ターゲットにはＴ ｂ Ｆ ｅＣｏ Ｐ を合金ど
Ｃｒとを用い、放電ガスにはＡｒを使用し、た。膜形成
は、二元同時スパッタ法により行なった。すなわち、最
初面ターゲット同時にＲＦ電力を印加して灼８００人の
膜を形成した。そして放電カスをＮ、に切換え放電を止
めずにスパッタに続け、約２００人の酸素拡散防止層４
を形成し、光磁気ディスクを作製した。
模式図を第１図に示す。案内溝を有する基板１の上に、
スパッタ法により窒化シリコンの下地膜２を６００人の
膜厚に形成した。作製した膜の屈折率は２．５であった
。それに引き続き、Ｔｂ２ｃＦｅ４４Ｃｏ２゜Ｃｒ５Ｐ
ｔ７の組成の光磁気記録膜３をスバッタ法により形成し
た。ターゲットにはＴ ｂ Ｆ ｅＣｏ Ｐ を合金ど
Ｃｒとを用い、放電ガスにはＡｒを使用し、た。膜形成
は、二元同時スパッタ法により行なった。すなわち、最
初面ターゲット同時にＲＦ電力を印加して灼８００人の
膜を形成した。そして放電カスをＮ、に切換え放電を止
めずにスパッタに続け、約２００人の酸素拡散防止層４
を形成し、光磁気ディスクを作製した。
このようにして作製したディスクの特性は、搬送波対雑
音比（Ｃ／Ｎ） ５８ｄＢ （パルス幅：５００１１Ｓ
ｅＣ，周波数：ＩＭＨｚ、外部印加磁界：４０００ｅ。
音比（Ｃ／Ｎ） ５８ｄＢ （パルス幅：５００１１Ｓ
ｅＣ，周波数：ＩＭＨｚ、外部印加磁界：４０００ｅ。
Ｎ Ａ ＝０．５ ＋ レーザーパワー８ｍＷ、回転数
１２００ｒｐｍ）であった。このディスクを６０℃−９
０％ＲＨ中に放置したときのエラーレイ１〜の経時変化
を調へ第２図にその結果を示す。比較例として膜形成す
べてをＡｒのみで作製したディスクを用いた。その結果
、この環境中にディスクを放置した場合、本実施例のデ
ィスクを用いると３０００時間放置してもエラーレイ１
−の増加はみられず２Ｘ］０−＋（件／ｂｉｔ）で一定
であるのに対し、比較例の膜を用いると、３０００時間
後に６Ｘ１０−６（件／ｂｉｔ）と約３倍に増加した。
１２００ｒｐｍ）であった。このディスクを６０℃−９
０％ＲＨ中に放置したときのエラーレイ１〜の経時変化
を調へ第２図にその結果を示す。比較例として膜形成す
べてをＡｒのみで作製したディスクを用いた。その結果
、この環境中にディスクを放置した場合、本実施例のデ
ィスクを用いると３０００時間放置してもエラーレイ１
−の増加はみられず２Ｘ］０−＋（件／ｂｉｔ）で一定
であるのに対し、比較例の膜を用いると、３０００時間
後に６Ｘ１０−６（件／ｂｉｔ）と約３倍に増加した。
ところで、表面層の窒素の状態分析をｘＰＳを用いて行
なったところ、Ｃｒは単体として存在せず結合状態にあ
った。また、メスバウワーによる測定からＣｒと窒素の
結合を示唆する結果を得た。
なったところ、Ｃｒは単体として存在せず結合状態にあ
った。また、メスバウワーによる測定からＣｒと窒素の
結合を示唆する結果を得た。
酸素拡散防止層の窒素の量は約０．５〜Ｅａｔ％である
。このように、エラーレイ１への増加がみられないのは
、Ｃｒの窒化物が存在しているためである。
。このように、エラーレイ１への増加がみられないのは
、Ｃｒの窒化物が存在しているためである。
これに対し、酸素拡散防止層の存在しない比較例では、
添加元素の効果により腐食の進行は抑制されるものの不
十分である。これは、Ｃｒを主体とした不働態皮膜の緻
密さの違いによることがわかる。
添加元素の効果により腐食の進行は抑制されるものの不
十分である。これは、Ｃｒを主体とした不働態皮膜の緻
密さの違いによることがわかる。
実施例２
本実施例では、イオンビームスパッタ装置を用いてディ
スクの作製を行なった場合で、装置の概略図を第３図に
示す。また、作製したディスクの断面構造の模式図を第
４図に示す装置はロードロック式であるが、図にはその
内スパッタリングを行なうための主要部分を示す。通常
のスパッタリングは、デポガン側へアルゴンガスを導入
、イオン化して加速し、合金ターゲットＴｂ１ｇ Ｎｄ
ｓ Ｆｅ３７ＣＯｚ８ＣｒａＰｔｔ）とそのイオンとを
衝突させてスパッタを行なう。ディスクの作製は、記録
膜形成に先立ちミリングガンより窒素イオンを発射し、
案内溝付基板］の表面を清澄化した。そして、ミリング
ガンを作動させたまま、デポガンも同時に作動させ、ミ
リングをかけながら膜形成を行ない酸素拡散防止層４を
設け、その厚さが１００人となったところでミリングガ
ンを停止し、デポガンを用いて記録膜３を形成し、８０
０人の厚さとなったところで再びミリングをかけ、その
上に２００人の酸素拡散防止層４を形成し、所望の光磁
気ディスクとした。比較例として、ミリングガンを用い
ずデポガンのみで１１００人の膜を形成した光磁気ディ
スクを用いた。
スクの作製を行なった場合で、装置の概略図を第３図に
示す。また、作製したディスクの断面構造の模式図を第
４図に示す装置はロードロック式であるが、図にはその
内スパッタリングを行なうための主要部分を示す。通常
のスパッタリングは、デポガン側へアルゴンガスを導入
、イオン化して加速し、合金ターゲットＴｂ１ｇ Ｎｄ
ｓ Ｆｅ３７ＣＯｚ８ＣｒａＰｔｔ）とそのイオンとを
衝突させてスパッタを行なう。ディスクの作製は、記録
膜形成に先立ちミリングガンより窒素イオンを発射し、
案内溝付基板］の表面を清澄化した。そして、ミリング
ガンを作動させたまま、デポガンも同時に作動させ、ミ
リングをかけながら膜形成を行ない酸素拡散防止層４を
設け、その厚さが１００人となったところでミリングガ
ンを停止し、デポガンを用いて記録膜３を形成し、８０
０人の厚さとなったところで再びミリングをかけ、その
上に２００人の酸素拡散防止層４を形成し、所望の光磁
気ディスクとした。比較例として、ミリングガンを用い
ずデポガンのみで１１００人の膜を形成した光磁気ディ
スクを用いた。
このディスクの特性を評価したところ、Ｃ／Ｎ＝５２ｄ
Ｂ （周波数：ＩＭＨｚ、パルス幅； ５００ｎｓ。
Ｂ （周波数：ＩＭＨｚ、パルス幅； ５００ｎｓ。
外部印加磁界：４０００ｅ、Ｎ＾＝０．５．記録レーザ
パワー１０ｍＷ、読み出しレーザーパワー１．５ｍＷ）
であった。また記録膜の磁気特性は、キュリー温度：Ｔ
ｃ＝２５０℃、補償温度： Ｔ ｃｏｍｐ ＝ ９０°
Ｃ，カー回転角： ０Ｋ＝０．３４°、保磁カニ Ｈｃ
＝９ＫＯｅであった。
パワー１０ｍＷ、読み出しレーザーパワー１．５ｍＷ）
であった。また記録膜の磁気特性は、キュリー温度：Ｔ
ｃ＝２５０℃、補償温度： Ｔ ｃｏｍｐ ＝ ９０°
Ｃ，カー回転角： ０Ｋ＝０．３４°、保磁カニ Ｈｃ
＝９ＫＯｅであった。
次にこのディスクを６０℃−９０％ＲＨ中に放置した時
のエラーレイトの経時変化の結果を第Ｓ図に示す。この
図より、本発明により作製したディスクのエラーレイト
は、１５００時間放置までは作製初期とまったく変化な
く ２ Ｘｌ０−６（件／ｂｉｔ）と−定であったが、
その後わずかづつ増太し、３０００時間後で３Ｘ１０−
’（件／ｂｉｔ）となった。これに対し、本発明を用い
ていない比較例では、作製初期２Ｘ１０−’（件／ｂｉ
ｔ）であったエラーレイトが、１０００時間経過後から
れずかづつ増大してゆき、３０００時間後でＩ Ｘｌ０
−５（件／ｂｉｔ）となった。このように本発明を用い
ることにより、エラーの発生を著しく抑制できることが
分かる。
のエラーレイトの経時変化の結果を第Ｓ図に示す。この
図より、本発明により作製したディスクのエラーレイト
は、１５００時間放置までは作製初期とまったく変化な
く ２ Ｘｌ０−６（件／ｂｉｔ）と−定であったが、
その後わずかづつ増太し、３０００時間後で３Ｘ１０−
’（件／ｂｉｔ）となった。これに対し、本発明を用い
ていない比較例では、作製初期２Ｘ１０−’（件／ｂｉ
ｔ）であったエラーレイトが、１０００時間経過後から
れずかづつ増大してゆき、３０００時間後でＩ Ｘｌ０
−５（件／ｂｉｔ）となった。このように本発明を用い
ることにより、エラーの発生を著しく抑制できることが
分かる。
ところで、記録膜表面の金属材料と窒素の結合状態をオ
ージェ電子分光法とメスバウワースペクトルとを併用し
て調べたところ、材料中の主にＣｒと窒素とが強く結合
していることがわかった。
ージェ電子分光法とメスバウワースペクトルとを併用し
て調べたところ、材料中の主にＣｒと窒素とが強く結合
していることがわかった。
Ｃｒの他にＦｅも一部窒素と結合していた。このＣｒと
窒素の化合物は、安定かつ緻密で保護効果は著しく高い
ので、表面層として設けるのみならず、保護膜として設
けても良い。なお、酸素拡散防止層における窒素の量は
約０．５〜ｌａｔ％であった。
窒素の化合物は、安定かつ緻密で保護効果は著しく高い
ので、表面層として設けるのみならず、保護膜として設
けても良い。なお、酸素拡散防止層における窒素の量は
約０．５〜ｌａｔ％であった。
実施例３
本実施例において作製した光磁気ディスクの構造は、実
施例２と同様で第４図に示すとおりである。ディスクの
作製は、ＤＣ二元同時スパッタ法により行なった。装置
概略図を第６図に示す。用いた装置は、蒸着ソース源は
ＴｂＦｅＣｏＰｔの合金ターゲットとＣｒターゲットの
二つとＮ２プラズマ発生源とからなり、放電ガスとして
Ａｒを主体とし、窒化のためのＮ２は適ぎプラズマ化し
た。ディスク作製手順は、まず案内溝付き基板１表面に
Ｎ２プラズマガンよりプラズマを照射した後に、Ｃｒタ
ーゲットを放電させ約５０人の膜を形成したところで、
プラズマ照射量及びＣｒターゲットへ流す電流を徐々に
低下してゆくとともにＴｂＦｅＣｏＰｔターゲットを放
電させ記録層３を形成した。
施例２と同様で第４図に示すとおりである。ディスクの
作製は、ＤＣ二元同時スパッタ法により行なった。装置
概略図を第６図に示す。用いた装置は、蒸着ソース源は
ＴｂＦｅＣｏＰｔの合金ターゲットとＣｒターゲットの
二つとＮ２プラズマ発生源とからなり、放電ガスとして
Ａｒを主体とし、窒化のためのＮ２は適ぎプラズマ化し
た。ディスク作製手順は、まず案内溝付き基板１表面に
Ｎ２プラズマガンよりプラズマを照射した後に、Ｃｒタ
ーゲットを放電させ約５０人の膜を形成したところで、
プラズマ照射量及びＣｒターゲットへ流す電流を徐々に
低下してゆくとともにＴｂＦｅＣｏＰｔターゲットを放
電させ記録層３を形成した。
ここで１００人の膜厚となったところで、窒素プラズマ
の照射を停止した。そして全膜厚が８００人となったと
ころで、Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ Ｐ ｔに印加する電流
を徐々に低下してゆき、全膜厚が９００人となったとこ
ろで完全に停止した。これとは逆にＣｒターゲットに流
す電流を徐々に上げるとともにＮ２プラズマ照射量を増
大させた。そして、全膜厚が１１００人となったところ
で成膜を停止した。記録層の組成はＴｂ２６Ｆｅ４４Ｃ
ｏ２ｏＣｒ３Ｐｔ７であり、酸素拡散防止層の組成は記
録層と接する側では記録層と同じ組成で、外側に向かっ
てＣｒの量が多く、他の金属元素の量は少なくなるよう
に変化し、表面では金属元素はＣｒのみである。
の照射を停止した。そして全膜厚が８００人となったと
ころで、Ｔ ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ Ｐ ｔに印加する電流
を徐々に低下してゆき、全膜厚が９００人となったとこ
ろで完全に停止した。これとは逆にＣｒターゲットに流
す電流を徐々に上げるとともにＮ２プラズマ照射量を増
大させた。そして、全膜厚が１１００人となったところ
で成膜を停止した。記録層の組成はＴｂ２６Ｆｅ４４Ｃ
ｏ２ｏＣｒ３Ｐｔ７であり、酸素拡散防止層の組成は記
録層と接する側では記録層と同じ組成で、外側に向かっ
てＣｒの量が多く、他の金属元素の量は少なくなるよう
に変化し、表面では金属元素はＣｒのみである。
こうして作製したディスクのＣ／Ｎを実施例２と同様の
記録再生条件で測定すると５３ｄＢであった。このディ
スクを用いて寿命試験を行ない、その結果は第７図に示
すとおりである。比較例に、Ｎ２プラズマを照射しない
で作製したものを用いた。試験方法として実施例１と同
じ＜６０℃−９０％ＲＨ中にディスクを放置したときの
エラーレイ１〜の経時変化を測定した。その結果、本発
明を用いずに作製したディスクは、作製初期のエラーレ
イトが２Ｘ１０−’（件／ｂｉｔ） テあったのが、１
０００時間経過後から徐々に増大しはじめ、３０００時
間後で５ｘ１ｏ−’（件／ｂｉｔ） トなった。これに
対し、本発明を用いて作製したディスクのエラーレイト
は、作製初期も３０００時間放置後もまったく変らず２
×１０−’ （件／ｂｉｔ）であった。
記録再生条件で測定すると５３ｄＢであった。このディ
スクを用いて寿命試験を行ない、その結果は第７図に示
すとおりである。比較例に、Ｎ２プラズマを照射しない
で作製したものを用いた。試験方法として実施例１と同
じ＜６０℃−９０％ＲＨ中にディスクを放置したときの
エラーレイ１〜の経時変化を測定した。その結果、本発
明を用いずに作製したディスクは、作製初期のエラーレ
イトが２Ｘ１０−’（件／ｂｉｔ） テあったのが、１
０００時間経過後から徐々に増大しはじめ、３０００時
間後で５ｘ１ｏ−’（件／ｂｉｔ） トなった。これに
対し、本発明を用いて作製したディスクのエラーレイト
は、作製初期も３０００時間放置後もまったく変らず２
×１０−’ （件／ｂｉｔ）であった。
このディスクの表面層の窒素とＣｒの結合状態をＸＰＳ
及びメスバウワーにより調べたところ、Ｃｒ及び窒素と
も結合していることを示唆する結果を得た。また、本実
施例において作製したディスクの記録膜を構成する元素
の内Ｃｒ、Ｎ及び０の分布について調べた結果を第８図
に示す。酸素は記録層の表面近傍のみに存在し、Ｃｒは
表面から膜中に至る間で組成勾配を設けることにより、
窒素との結合をさらに強くするとともに層のはく離を抑
制することができるので、最も大きな保護効果を得るこ
とができた。なお、酸素拡散防止層における窒素の量は
約０．５〜ｌａｔ％であった。
及びメスバウワーにより調べたところ、Ｃｒ及び窒素と
も結合していることを示唆する結果を得た。また、本実
施例において作製したディスクの記録膜を構成する元素
の内Ｃｒ、Ｎ及び０の分布について調べた結果を第８図
に示す。酸素は記録層の表面近傍のみに存在し、Ｃｒは
表面から膜中に至る間で組成勾配を設けることにより、
窒素との結合をさらに強くするとともに層のはく離を抑
制することができるので、最も大きな保護効果を得るこ
とができた。なお、酸素拡散防止層における窒素の量は
約０．５〜ｌａｔ％であった。
実施例４
作製したディスクの構造は、実施例２と同様で第４図に
示すとおりである。ディスクの作製は、エレクトロンビ
ーム（ＥＢ）蒸着装置により行なった。蒸着のソース源
としてＰｔＭｎＳｂ合金とＣｒを用いた。まず、案内溝
を有するディスク基板を３００℃に保ち、この上に、Ｎ
２雰囲気中でＣｒ層を５０人程度積層したところで、Ａ
ｒ雰囲気に切換えてＰｔＭｎＳｂとＣｒとを同時に蒸着
し、膜厚が９００人となったころで、再びＮ２雰囲気に
変えてＣｒのみとして１１００人になるまで蒸着した。
示すとおりである。ディスクの作製は、エレクトロンビ
ーム（ＥＢ）蒸着装置により行なった。蒸着のソース源
としてＰｔＭｎＳｂ合金とＣｒを用いた。まず、案内溝
を有するディスク基板を３００℃に保ち、この上に、Ｎ
２雰囲気中でＣｒ層を５０人程度積層したところで、Ａ
ｒ雰囲気に切換えてＰｔＭｎＳｂとＣｒとを同時に蒸着
し、膜厚が９００人となったころで、再びＮ２雰囲気に
変えてＣｒのみとして１１００人になるまで蒸着した。
このディスクの寿命試験を実施例１と同様の環境条件に
て行なった。寿命評価は、表面の酸化層の膜厚の変化を
エリプソメトリ−にて測定した結果にて行なった。その
結果は第９図に示すとおりである。ここで比較例として
、膜形成をすべてＡｒ雰囲気中で行なったディスクを用
いた。その結果、本発明を用いた場合、最初３００時間
まで表面層の膜厚は大きく増加するが、その後３０００
時間までは表面層の成長はまったくみら札なかった。
て行なった。寿命評価は、表面の酸化層の膜厚の変化を
エリプソメトリ−にて測定した結果にて行なった。その
結果は第９図に示すとおりである。ここで比較例として
、膜形成をすべてＡｒ雰囲気中で行なったディスクを用
いた。その結果、本発明を用いた場合、最初３００時間
まで表面層の膜厚は大きく増加するが、その後３０００
時間までは表面層の成長はまったくみら札なかった。
これに対して、Ｎ、雰囲気中で作製しなかった比較例で
は、表面層の膜厚は、環境中への放置直後３００時間で
大きく変化し、その後、徐々に膜厚の増加かみられた。
は、表面層の膜厚は、環境中への放置直後３００時間で
大きく変化し、その後、徐々に膜厚の増加かみられた。
このことは、腐食が時間の経過とともに進行しているこ
と祭示している。本実施例にみられるようにＣｒとＮの
結合層を設けることにより腐食の進行を大きく抑制でき
ることがわかった。なお、記録膜の組成はＰ ｔ４ｏＭ
ｎ２ｓ Ｓ ｂ３１１Ｃｒ、であり、酸素拡散防止層し
こおける窒素の量は約１〜１．５ａｔ％である。
と祭示している。本実施例にみられるようにＣｒとＮの
結合層を設けることにより腐食の進行を大きく抑制でき
ることがわかった。なお、記録膜の組成はＰ ｔ４ｏＭ
ｎ２ｓ Ｓ ｂ３１１Ｃｒ、であり、酸素拡散防止層し
こおける窒素の量は約１〜１．５ａｔ％である。
このように本発明は、磁性材料の種類に依存することな
くまた、作製手法にも依存せず、ＣｒとＮの結合した化
合物層が記録膜の界面近傍に存在することにより、耐食
性向上に効果がある。
くまた、作製手法にも依存せず、ＣｒとＮの結合した化
合物層が記録膜の界面近傍に存在することにより、耐食
性向上に効果がある。
本発明によれば、光磁気記録膜の界面近傍にＧｒとＮの
結合した化合物層を存在させることにより、磁気特性を
変動させることなく耐食性詮太きく向上させる効果があ
る。また、表面層の形成にあたり、主に作製雰囲気を変
えることにより簡単に行なえ、かつ連続した膜形成が行
なえるので、はく離やクラックが生しることなく、強固
な保護層を形成することができる。さらに、作製した窒
化物層特にＣｒとＮの化合物は、硬度も著しく高く機械
的保護性能も高い。
結合した化合物層を存在させることにより、磁気特性を
変動させることなく耐食性詮太きく向上させる効果があ
る。また、表面層の形成にあたり、主に作製雰囲気を変
えることにより簡単に行なえ、かつ連続した膜形成が行
なえるので、はく離やクラックが生しることなく、強固
な保護層を形成することができる。さらに、作製した窒
化物層特にＣｒとＮの化合物は、硬度も著しく高く機械
的保護性能も高い。
第１図は本発明の一実施例の光磁気ディスクの断面構造
の模式図、第２図、第５図、第７図は本発明を説明する
ためのエラーレイトの経時変化を示す図、第３図はイオ
ンビームスパッタ装置の概略図、第４図は本発明の他の
実施例の光磁気ディスクの断面構造の模式図、第６図は
ＤＣ二元同時スパッタ装置の概略図、第８図は本発明の
他の実施例の光磁気ディスクの分桁結果を示す図、第９
図は本発明を説明するための説明図である。 １ 基板 ２・・・下地膜 ３・光磁気記録膜 ４・・酸素拡散防止層代理人弁理
士 中 村 純之助 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
の模式図、第２図、第５図、第７図は本発明を説明する
ためのエラーレイトの経時変化を示す図、第３図はイオ
ンビームスパッタ装置の概略図、第４図は本発明の他の
実施例の光磁気ディスクの断面構造の模式図、第６図は
ＤＣ二元同時スパッタ装置の概略図、第８図は本発明の
他の実施例の光磁気ディスクの分桁結果を示す図、第９
図は本発明を説明するための説明図である。 １ 基板 ２・・・下地膜 ３・光磁気記録膜 ４・・酸素拡散防止層代理人弁理
士 中 村 純之助 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、垂直磁気異方性を有し、光によって情報の記録、再
生、消去を行なう光磁気記録膜を有する光磁気記録用部
材において、上記光磁気記録膜は、Ｃｒを含み、かつ該
光磁気記録膜の界面の少なくとも一方にＣｒと結合した
窒素が存在する層を有することを特徴とする光磁気記録
用部材。 ２、上記光磁気記録膜の組成が膜厚方向に変化し、該光
磁気記録膜の界面近傍部分においてＣｒ濃度が増加して
いることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録用部材
。 ３、基板上に、スパッタリング又は電子線蒸着により、
垂直磁気異方性を有し、光によって情報の記録、再生、
消去を行なう光磁気記録膜を形成する光磁気記録用部材
の製造方法において、上記光磁気記録膜はＣｒを含有し
、該光磁気記録膜の形成の初期若しくは終期又はその両
者の時に窒素を含む雰囲気中でスパッタリング又は電子
線蒸着を行ない、上記光磁気記録膜の界面の少なくとも
一方に、Ｃｒと結合した窒素が存在する層を形成せしめ
たことを特徴とする光磁気記録用部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124956A JP2718695B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 光磁気記録用部材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124956A JP2718695B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 光磁気記録用部材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296446A true JPH01296446A (ja) | 1989-11-29 |
| JP2718695B2 JP2718695B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=14898379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124956A Expired - Fee Related JP2718695B2 (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | 光磁気記録用部材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2718695B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354746A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Kao Corp | 光磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214349A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63124956A patent/JP2718695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214349A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0354746A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Kao Corp | 光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2718695B2 (ja) | 1998-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |