JPH01298155A - スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの組織及び組成及び製造方法に関する。

〔従来の技術〕

希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは従来より鋳造法、焼結法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳込んだ鋳塊をそのま
ま外径加工にてターゲットにするものであり、焼結法と
は一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲット形状
とするものである。又、半溶融法とは特開昭６１−９５
７８８号、特開昭６１−９９６４０号に示すものである
。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら前述の焼結法は、本質的に酸素量を多く含
み（２０００ｐｐｍが限界）、酸化され易い希土類遷移
金属系には適していない。一方、鋳造法は酸素量も少な
く　（５００ｐｐｍ程度）好ましいが、成膜面内で組成
分布が生じるという問題点を有する。

又、半熔融法で作成したターゲットは基板面内で組成分
布が生じにくいという特長があるが、半溶融法も基本的
には焼結による製造であるため、ターゲットは完全な密
状態となっておらず、空隙がターゲット内部まで連続し
てつながっており、大気中に放置された場合はターゲッ
トの表面から内部に向かって酸化が進行し、予備スパッ
タリングでは酸化層をクリーニングできないほどの酸化
層となってしまう。

そこで本発明は、このような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットがもつ
成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さら
に半溶融法、焼結法ターゲットのもつ酸化されやすいと
いう欠点を克服する希土類遷移金属ターゲット及びその
製造方法を種々提供することろにある。

〔課題を解決するための手段〕

（１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造するための鋳造合金ターゲットにお
いて、鋳造合金ターゲット中の金属組織が希土類全屈単
体相と遷移金属単体相と希土類遷移金属合金相からなる
ことを特徴とする。

（２）　　スパッタリング用クーゲットの主たる組成が
、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の
軽希土類金属（Ｌ　Ｒ）と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの
少なくとも１種類以上の重希土類金属（ＨＲ）とを含み
、さらにＦｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移金
属（ＴＭ）を含むことを特徴とする。

（３）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｇｄ、Ｔｂ、　　Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の
重希土類金属（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも
１種以上の遷移金属（ＴＭ）を含むことを特徴とする。

（４）　　スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移
金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ、遷移金
属の融点と鋳塊の融点との間の温度で型内を加熱し、そ
の後冷却してできた成形体を加工し作製されることを特
徴とする。

（５）スパッタリング用ターゲットが、型内に発泡状遷
移金属のシートと希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ、遷
移金属シートの融点と鋳塊の融点との間の温度で前記型
内を加熱し、その後冷却してできた成形体を加工し作製
されることを特徴とする。

（６）スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移金属
粉末と希土類遷移金属合金粉末とが混合された混合粉と
して入れられ、遷移金属と希土類遷移金属合金との間の
融点で型内を加熱し、その後冷却してできた成形体を加
工し作製されることを特徴とする。

（７）　　スパッタリング用ターゲットが、空孔率３０
％以上８０％以下の遷移金属粉末を用いて作製されるこ
とを特徴とする。

（８）　　スパッタリング用ターゲットが、空孔率３０
％以上８０％以下の発泡状遷移金属のシートを用いて作
製されることを特徴とする。

（９）スパッタリング用ターゲットの製造方法において
、遷移金属の粉末の平均粒径が１０μｍ以上３．０胴以
下であることを特徴とする。

ＱＯ）　　スパッタリング用ターゲットの製造方法にお
いて、発泡状遷移金属のシートの平均空孔径が、１０μ
ｍ以上３．０ｍｍ以下であることを特徴とする。

（１１）スパッタリング用ターゲットの製造方法におい
て、希土類遷移金属の鋳塊の組成が、融点が１２００℃
以下の組成からなる前記鋳塊を用いることを特徴とする
。

（＋２３　　スパッタリング用ターゲットの製造方法に
おいて、成形体を熱処理することを特徴とする。

（１３）透明基板上に、少なくとも１層の誘電体膜と少
なくとも１層の光磁気記録膜が存在する光磁気記録媒体
において、第１項、第２項又は第３項記載のスパッタリ
ング用ターゲットを用いて製造したことを特徴とする。

〔作用〕

従来より実験室で用いられている遷移金属（ＴＭ）ター
ゲット上に希土類金属（ＲＥ）チップを配して成膜する
複合ターゲット方式の場合、基板面内に組成分布は鋳造
合金ターゲットのそれとは逆の傾向を示す。

つまり複合ターゲットの場合はターゲットの直上になる
ほどＲＥが多く、側面はどＴＭが多い。

一方、鋳造合金ターゲットのそれは、ターゲットの直上
になるほどＴＭが多く、側面はどＲＥが多い。丁度、鋳
造合金ターゲットと複合ターゲットではＲＥとＴＭのス
パッタ粒子の飛び方に、相補関係があることがわかる。

つまりＲＥ単体相と、ＴＭ単体相とＲＥ−７Ｍ合金相を
適当に混存させたターゲットができれば、基板面内で組
成分布のない均一な成膜が可能となる。

そして、酸化し難い充填密度が１００％のターゲットを
作成するための製造方法として、主として以下の２通り
の方法が考えられる。

１つは、ＲＥ粒と７Ｍ粒を融点の低いＲＥ−ＴＭ合金浴
中に投入し混合し作成する方法。他の１つは、凝固する
際にＲＥ単体相が出現するＲＥ−ＴＭ合金浴中にＴＭ粉
（シート）を分散させる方法である。両者に共通してい
えることは、粉体あるいはシートの周囲をＲＥ−ＴＭ合
金浴湯が完全に取り囲み、出来た成形体に焼結晶にみら
れる微細空孔が存在しないということである。本発明品
の空孔は、存在したとしても鋳造品にみられる巣の様な
ものであり、空孔自身は連結しておらず、表面酸化が内
部にまで進行することはない。

〔実施例１−１〕 まず原料としてＮ　ｄ　Ｚ：ｌＤ　ｙ　ｔ７ａ　ｔ％と
なるＮｄＤｙ鋳塊を作り、平均粒径が５００μｍ程度と
なる様に鋳塊を粉砕しＮｄＤｙ粉末を作る。そして、Ｆ
　ｅｓｏ、ｓＣＯ＋ｑ、ｓａ　ｔ％となるＦｅＣｏ鋳塊
を作り、平均粒径が２００μｍとなる様に鋳塊を粉砕し
ＦｅＣｏ粉末を作る。

次にＮ　ｄ　＋ｏ、ｏＤ　）’　ｓｓ、ｏＦ　ｅ　ａａ
、ｏＣＯ＋＋、ｂａ　ｔ％となる様にルホヅ中にＮｄ、
Ｄｙ、Ｆｅ、Ｃｏを投入し、１５５０″Ｃまで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後１２００℃まで下げる。

そして、このＮｄＤｙＦｅＣｏ溶湯合金中に、上記のＮ
ｄＤｙ粉末としＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。

このＮｄＤｙは融点が１４００　’Ｃであり、ＦｅＣ０
は１５３０℃であるため１２００℃の湯中では溶解しな
いので、ＮｄＤｙ、ＦｅＣｏは粉末のままで存在するこ
とになる。そしてこれらＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙ、
ＦｅＣｏ１は次のような割合になっている。

（ＮｄＤｙＦｅＣｏ）Ａ　（（ＮｄＤｙ）ｃ　　（Ｆｅ
Ｃｏ）Ｄ）Ｂ Ａ：Ｂ＝２５　：　７５ｗｔ％ Ｃ：Ｄ＝２８　：　７２ａｔ％ この様にしてできた（ＮｄＤｙＦｅＣｏ）−（ＮｄＤｙ
）−（ＦｅＣｏ）？−１１７？ａを、鋳型に鋳込み、そ
の後出来上がった鋳造合金を加工し、４“φ×６ものス
パッタリングターゲットの表面ｍ織の模式図を第１図に
示す。１の相は（ＮｄＤ）’）ｆｆ３（ＦｅＣｏ）６．
ａｔ％組成相であり、この相はＦｅＣｏ組成相で、３は
ＮｄＤｙ組成相である。つまりＮｄＤｙのＲＥ単体相と
、ＦｅＣｏのＴＭ単体相と、ＮｄＤｙＦｅＣｏのＲＥ−
ＴＭ合金相の３相からなっていることがわかる。

このＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを第２図に示す様なス
パッタリング装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組
成分布を調べてみた。第２図の２１がスパッタリングタ
ーゲットであり、２２が基板ホルダー（３００φ）であ
る。成膜条件はＡｒ圧２．５ｍＴｏｒｒ、初期真空度３
Ｘ１０−’Ｔ。

ｒｒ、投入電力はＤＣ電源を用い１゜０Ａ３４０■でお
こなった。第３図は本発明ターゲットを用いた基板ホル
ダー内組成分布及び磁気特性分布図である。この図に示
す様に組成はＲＥが２８．０〜２８．５ａｔ％で均一で
あり、磁気特性もＨｃが９．７〜１０．５ＫＯｅで均一
である。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均
一な膜が成膜できている。当然このターゲットは鋳造合
金であるので酸素量は少なく３５０ｐｐｍであった。

本発明ターゲットを用いて、スパッタリングにて光磁気
記録媒体を作成した。媒体の構造図を第３５図に示す。

３５１はポリカーボネート基板であり、３５２はＡｆＳ
ｉＮ誘電体膜、３５３は本発明ターゲットで作成したＮ
ｄＤｙＦｅＣｏ膜、３５４はＡｆ！ＳｉＮ誘電体膜であ
る。この媒体は、線速５，７ｍ／ｓｅｃ、Ｄｏｍａ　ｉ
ｎ長１．４μｍでＣ／Ｎ５９ｄＢと非常に高い値が得ら
れ、又、信顛性試験においても９０　”Ｃ９０％ＲＨの
恒温恒湿下で、３０００時間もの長時間で孔食の発生が
なかった。

一方、比較のために従来の製造方法でＮｄＤｙＦｅＣｏ
ターゲットを作成した。すなわちＮｄＤｙＦｅＣｏ全組
成を１５００℃でルホヅ中にて溶解し、そして鋳型に注
湯し鋳塊を作った。その後鋳塊を切断、研磨し４″φＸ
６ｔのＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを作成した。このタ
ーゲットの表面組織の模式図が第４図である。

４１は（Ｎｄｏ、＋ｚＤ）’ｏ、ｇｓ）ｚｓ　（Ｆ　ｅ
ｏ、ｅ　Ｃ。

ｏ、ｚ）ｖｓａ　ｔ％組成相で、４２は（Ｎ　ｄｏ、Ｊ
　）’０．７）ｓｓ、３（Ｆ　ｅｏ、ｓ　ＣＯｏ、ｚ）
ｈｂ、ｔａ　ｔ％組成相である。

つまり、両相ともＮｄＤ）’ＦｅＣｏ合金相である。

全体ではＮｄｂ、ｓ　Ｄ＞’２１．５Ｆ　ｅｓｓｃＯ１
４ａｔ％の組成であった。このターゲットを第２図で示
すスパンク装置で成膜をおこなった。第５図にこの従来
の製造方法による鋳造台金ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲット
を用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を
示す。この図に示す様に組成はＲＥが２９．８〜２６．
８ａｔ％で、基板ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、
逆にホルダー外周へいくほどＲＥが少なくなっている。

又、磁気特性もＨｃが１２〜６ＫＯｅとホルダー中心へ
いくほどＨｃが大きくなっている。これは組成分布とも
一致する。

この従来のターゲットを用いてスパッタリングにて光磁
気記録媒体を作成した。媒体の構造は第３５図と同様で
あり、光磁気記録層をＡ、　ｆ２　Ｓ　ｉ　Ｎ誘電体膜
でサンドイッチしている。この媒体は、線速５．７ｍ／
ｓｅｃ　　Ｄｏｍａｉｎ長１．４μｍＴ：ｃ／Ｎ５５ｄ
Ｂと少し低い値であった。これは媒体内での組成分布の
影響である。信頼性試験においては、９０℃９０％ＲＨ
の恒温恒湿下で３０００時間後も孔食の発生はなかった
。

さらに、比較のために特開昭６１−９５７８８号、特開
昭６１−９９６４０号に示す半溶融法によるＮｄＤｙＦ
ｅＣｏターゲットを作製し成膜評価した。ターゲット組
成は、Ｎｄｂ、ｓ　Ｄ３’！＋、５ＦｅｓｓｃＯ＋４ａ
ｔ％であり、ＮｄＤｙ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＦｅＣｏ１
は前述と同様である。このターゲットの酸素量は１５０
０ｐｐｍであった。このターゲットを第２図に示すスパ
ッタ装置に装着し、予備スパッタリングを十分におこな
い、ターゲット表面が十分にクリーンな状態になってか
ら成膜を行った。成膜条件は前述と同じである。第６図
に半溶融ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用いた基板ホル
ダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。組成分布は
第３図に示す本発明ターゲットと同程であるが、磁気特
性分布は全体に保持力（Ｈｃ）が小さい方向にずれてい
ることがわかる。

これは本発明ターゲットより、半溶融ターゲットの方が
焼結であるため酸素量が多く、希土類金属が酸素によっ
て一部酸化されたために生じた現象である。

この半溶融法ターゲットを用いて、スパッタリングにて
光磁気記録媒体を作成した。媒体の構造は第３５図と同
様であり、光磁気記録層をＡＩ！、ＳｉＮ融電融成体膜
ンドインチしている。この媒体は、線速５，７ｍ／ｓｅ
ｃ、Ｄｏｍａｉｎ長１゜４μｍでＣ／Ｎ５７ｄＢと少し
低い値であった。

これはクーゲット中の酸素が膜中にも取り込まれたため
である。また、信頼性試験において、９０℃９０％ＲＨ
の恒温恒湿下で２００時間目から孔食が発生し、Ｅｒｒ
ｏｒ　　Ｒａｔｅが悪化しはじめた。これもターゲット
中の酸素が膜中に取り込まれたためである。

前述の本発明ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットと、半？容吊
虫ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲントをスパッタリング終了後
取りはずし、両ターゲットを大気中に２４時間放置した
。その後側ターゲットを再度第２図に示すスパッタ装置
に装着し成膜を試みた。

表１にスパッタリング時の放電状態を記す。

表１ 上表に示すごとく、本発明ターゲットは初期からＤＣス
パッタＡｒ圧２．５ｍＴｏｒｒのままで、放電は非常に
安定しているが、半溶融ターゲットは、初期はＤＣスパ
ッタできなかった。これは大気中に長時間放置されたた
めに、半溶融ターゲットの表面が完全に絶縁体となって
しまったためである。そして１時間後は、ＤＣスパッタ
が可能となるが、Ａｒ圧はｌＱｍＴｏｒｒとしなければ
ならず、７時間後にやっと２．５ｍＴｏｒｒでＤＣスパ
ッタが可能となった。

これら大気放置後の両ターゲットの、スパッタリング時
間と膜の磁気特性の関係を示したものが第７図である。

７１が本発明によるターゲットであり、７２が半熔融法
によるターゲットのものである。この図から明らかな様
に、本発明によるターゲットは大気中に長時間晒されて
いても、スパッタリング後すぐに安定な膜特性を示すこ
とがわかる。一方、半溶融法によるターゲットは大気中
に長時間晒されていると、初期はスパッタリング自身が
非常に困難となり、長時間の予備スパッタリングをおこ
なった後でも、膜特性は全熱安定せず、膜特性が安定す
るころにはターゲットが減り無くなるころになってしま
う。これらに示す膜の磁気特性は補償組成を境にして、
ＴＭｒｉｃｈ側の組成（特性）であるため、保磁力（Ｈ
ｃ）が大きいほど良い膜特性ということになる。

次に半溶融法によるターゲットは、大気中にどの程度晒
すと膜特性に影響が生じてくるかを調べた。ターゲット
は予備スパッタリングで十分クリーニングし、Ｈり特性
も安定した所で、ターゲットを取り外し、大気中に１０
分、３０分、１時間。

５時間、１０時間と放置した。その後第７図と同様の実
験をおこない、膜磁気特性のスバンタ時間依存性をみた
。第８図がそれである。８１が大気放置１０分のもの、
８２が大気放置３０分のもの、８３が大気放置１時間の
もの、８４が大気放置５時間のもの、８５が大気放置１
０時間のものである。図より明らかな様に、半溶融法に
よるターゲットは、大気中に１０分間でも放置されると
、ターゲットの表面酸化が生じ、膜磁気特性に影響を及
ぼす。そして、大気中放置時間が長ければ長いほど、タ
ーゲット表面からの酸化が進行し、膜Ｔｎ磁気特性及ぼ
す影響度合が激しくなることがわかる。

これら大気中放置が悪影響を及ぼすということは、光磁
気記録媒体を量産化するに当り、歩留りコストの点で大
きな問題となる。本発明によるターゲットは、この点で
も大きな効果がある。

作成した媒体は、基板がＰ　Ｃｒ　誘電体膜にＡ／２Ｓ
ｊＮを用いたが、ＰＣ基板以外にＰＭＭＡ、ＡＰＯ，ガ
ラス等何でも良（，２ＡｆＳｉＮ以外にＳｉＮ、Ｓｉｚ
　Ｎａ　、ＳｉＣ，ＡｆｆＳｉＮＯ，ＺｎＳ等どの様な
誘電体膜でも本発明効果は存在した。

〔実施例　１−２〕 次に原料としてＰ　ｒ　ｚｚＴ　ｂ　７ｑ　ａ　ｔ％と
なるＰｒＴｂ鋳塊を作り、実施例１−１と同様にＰｒＴ
ｂ粉末を作る。そして同様にＦ　ｅｓｏ、ｓＣＯＩｑ、
５ａ　ｔ％粉末を作る。

さらにＰ　ｒ＋ｏＴｂｓｓＦ　ｅ４４ｃＯ１１ａ　ｔ％
となる様にルツボ中に各元素を投入し、１５５０℃まで
一度温度を上げ完全に熔解させ、その後１２００℃まで
下げる。そしてこのＰｒＴｂＦｅＣｏ溶湯合金に、上記
のＰ　ｒＴｂ粉末とＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した
。このＰｒＴｂは融点が１３７０℃であり、ＦｅＣｏは
１５３０℃であるため１２００℃の湯中では溶解しない
ので、ＰｒＴｂ粉末、ＦｅＣｏ粉末のままで存在するこ
とになる。

そして、これらＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＴｂ、ＦｅＣｏ
量は次の様な割合になっている。

（ＰｒＴｂＦｅＣｏ）ｔ　　（（ＰｒＴｂ）ｃ　　（Ｆ
ｅＣｏ）Ｈ）Ｆ Ｅ：　Ｆ＝２５　：　７５ｗｔ％ Ｇ：Ｈ−２８ニア２ａｔ％ この様にしてできた（ＰｒＴｂＦｅＣｏ）−（ＰｒＴｂ
）−（ＦｅＣｏ）鋳造合金ターゲットを用い実施例１−
１と同様の成膜装置及び成膜方法で、基板ホルダー内の
組成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが２８．
０〜２８．５ａｔ％でＨｃが１８．０〜１９．０ＫＯｅ
で均一であった。又酸素量も３８０ＰＰＭと少なく、大
気中放置２４時間後も、スパッタリング放電は初期から
安定しており、膜磁気特性も同様に初期から安定してい
た。

Ｐ　ｒ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　Ｍｌ成でも本発明効果
が確認できた。

〔実施例１−３〕 次にＳｍｚ：＋Ｇｄ７７ａ　ｔ％となるＳｍＧｄ鋳塊を
作り、ＳｍＧｄ粉末を作る。そして同様にＦｅ、。

Ｃｏ、、ａｔ％粉末を作る。さらにＳｍ＋ａＧｄａｓＦ
ｅａｑ、ｓｃ　Ｏｓ、ｓ　ａ　ｔ％となる様にルツボ中
に各元素を投入し、１５５０℃まで一度温度を上げ完全
に熔解させ、その後１２００℃まで下げる。そしてこの
ＳｍＣｙｄＦｅＣｏ溶湯合金に、上記のＳｍＧｄ粉末と
とＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。

このＳｍＧｄは融点が１２７０℃であり、ＦｅＣ０は１
５３０″Ｃであるため１２００℃の湯中では溶解しない
のでＳｍＧｄ粉末、ＦｅＣｏ粉末のままで存在すること
になる。そしてこれらＳｍＧｄＦｅＣｏ、ＳｍＧｄ、Ｆ
ｅＣｏ量は次のような割合になっている。

（ＳｍＧ　ｄ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ）＋（（ＳｍＧ　ｄ）ｘ（
Ｆ　ｅ　Ｃ０）Ｌ）ＪＩ　：　Ｊ＝２５　：　７５ｗｔ
％ に：Ｌ＝２８ニア２ａｔ％ この様にしてできた（Ｓｒｒ＋Ｃ；ｄＦｅＣｏ）−（Ｓ
ｍＧｄ）　　　（ＦｅＣｏ）鋳造合金ターゲットは、実
施例１−１．１−２と同様に、やはり基板ホルダー内で
組成分布、磁気特性分布のない成膜ができるターゲット
であった。Ｈｃは５〜５．５ＫＯｅ、ＲＥは２８〜２８
．５ａｔ％で均一であった。

酸素量は３００ｐｐｍで、大気中放置２４時間後も、ス
パッタリング放電は初期から安定しており、膜磁気特性
も同様に初期から安定していた。

ＳｍＧｄＦｅＣｏ組成でも本発明効果が確認できた。

〔実施例１−４〕 次にＣｅ　＋＋、ｓＰ　ｒ　＋＋、ｓＤ　Ｙ７フａ　ｔ
％となるＣｅＰｒＤｙ鋳塊をつくりＣｅＰｒＤｙ粉末を
作る。

そしてＦ　ｅｓｏ、ｓＣＯ＋ｑ、ｓａ　ｔ％粉末を同様
に用意し、さらにＣｅｓ、ｏ　Ｐ　ｒｓ、ｏ　Ｄ）’ｘ
ｓ、ｏＦ　ｅａ４．ｏｃＯｚ、ｏａｔ％となる様にルツ
ボ中に各元素を投入し、１５５０℃まで−℃温度を上げ
完全に溶解させ、その後１２００℃まで下げる。そして
このＣｅＰｒＤｙＣｏ溶湯合金に、上記のＣｅＰｒＤｙ
粉末とＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。このＣｅＰ
ｒＤｙは融点が１３５０°ｃであり、ＦｅＣ０は１５３
０℃であるため１２００℃の湯中では溶解しないのでＣ
ｅＰｒＤｙ、ＦｅＣｏ粉末のままで存在することになる
。そして、これらＣｅＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＣｅＰｒＤｙ
、ＦｅＣｏ量は次の割合になっている。

（（ＣｅＰｒＤｙＦｅＣｏ）Ｈ（（ＣｅＰｒＤｙ）ｒ（
ＦｅＣｏ）。）Ｈ Ｍ　：　Ｎ　＝　２５　：　７５　ｗ　ｔ％Ｐ　：Ｑ＝
２８　：　７２ａ　ｔ％ この様にしてできた（ＣｅＰｒＤｙＦｅＣｏ）−（Ｃｅ
ＰｒＤｙ）　　　（ＦｅＣｏ）鋳造合金ターゲットは、
実施例１−１．１−２．１−３と同様に基板ホルダー内
で組成分布が生じない成膜ができるターゲットであった
。又、酸素量も４２０ｐｐｍであり、大気中放置２４時
間後も、スパッタリング放電は初期から安定しており、
膜磁気特性も同様に初期から安定していた。

ＣｅＰｒＤｙＦｅＣｏ組成についても本発明効果が確認
できた。

これら実施例１−１．１−２．１−３．１−４に示す組
成系以外に、ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、　
　ＮｄＤｙＦｅＣｏ、　　ＮｄＴｂＧｄＦｅ、ＮｄＴｂ
ＧｄＦｅＣｏ、　　ＮｄＤｙＧｄＦｅＣｏ、　　ＮｄＤ
ｙＧｄＴｂＦｅＣｏ、　　ＰｒＤｙＦｅＣｏ、　　Ｐｒ
ＧｄＦｅＣｏ、　　ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ。

ＮｄＣｅＤｙＦｅＣｏ、　　ＮｄＴｂＣｏ、　　ＮｄＰ
ｒＣｅＤｙＦｅＣｏ、　　ＮｄＳｍＤｙＦｅＣｏ、　　
ＣｅＳｍＰｒＤ）’ＦｅＣｏ、　　ＣｅＰｒＮｄＤｙＴ
ｂＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＰｒＤｙＧｄＦｅＣｏ、等のＳｍ
、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうちの少なくとも１種以上の軽希
土とＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の重
希土と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移
金属とを含む全ての組成系について本発明効果が存在す
ることを確認した。

次にターゲット組成が軽希土類金属を含まない場合、す
なわち重希土類金属（ＨＲ）と遷移金属（ＴＭ）とを含
む場合の実施例を述べる。

〔実施例２−１〕 まず原料として、平均粒径が３００μｍ程度のＴｂ粉末
を作り、Ｆ　ｅｑｚｃ　Ｏ？　ａ　ｔ％となるＦｅＣｏ
鋳塊を平均粒径が１５０μｍ程度になる様に粉砕し、Ｆ
ｅＣｏ粉末を作る。

次にＴ　ｂ４ｓＦ　ｅｓ＋ｃ　Ｏｓ　ａ　ｔ％となる様
に真空中でルツボ中に投入し、ｌ６５０℃まで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後１２００℃まで下げる。

そしてこのＴｂＦｅＣｏ溶湯合金に、上記のＴｂ粉末と
ＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。

Ｔｂは融点が１４５０℃であり、ＦｅＣｏは１５３０℃
であるため１２００℃の湯中では溶解しないので、Ｔｂ
、ＦｅＣｏ粉末のままで存在することになる。そしてこ
れらＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　、　　Ｔ　ｂ、　　Ｆｅｃ
ｏｉは次の様な割合になっている。

（Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ）Ａ（Ｔ　ｂｃ（Ｆ　ｅ　Ｃｏ
）ｏ）ａＡ：Ｂ＝２５　：　７５ｗｔ％ Ｃ：Ｄ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＴｂＦｅＣｏ）−Ｔｂ−（ＦｅＣ
ｏ）溶湯を鋳型に鋳込み、その後出来上がった鋳造合金
を加工し、４“φＸ６ｔのスバ・ンタリングターゲット
を作成した。こうして、できあがったターゲットの表面
組織は第１図の場合と同様であり、ＴｂＦｅＣｏのＲＥ
−７Ｍ合金相とＴｂのＲＥ単体相とＦｅＣｏのＴＭ単体
相の３相となっていた。

この本発明によるＴｂＦｅＣｏターゲットを第２図にと
同じスパッタリング装置に装着成膜し、その磁気特性及
び組成分布を調べてみた。成膜条件は、Ａｒ圧２．５ｍ
Ｔｏｒｒ、初期真空度３×１０−’Ｔｏｒｒ、投入電力
はＤＣ電源を用い１゜ＯＡ、３４０■でおこなった。第
９図に本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分
布及び磁気特性分布図である。この図に示す様に、組成
はＲＥが、２２．０〜２２．５ａｔ％で均一であり、磁
気特性も、Ｈｃが１４．７〜１５．５ＫＯｅで均一であ
る。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一な
膜が成膜できている。当然のこのターゲットは鋳造合金
であるので酸素は少なく３５０ｐｐｍであった。

本発明ターゲットを用いて作成した光磁気記録媒体は、
線速５．７ｍ／ｓｅｃ、Ｄｏｍａ　ｉｎ長１．４μｍで
Ｃ／Ｎ　６０　ｄ　Ｂと非常に高い値が得られた。又、
信頼性試験においても９０℃９０％ＲＦ（の恒温恒温下
で３０００時間後も孔食の発生はみられず、Ｅｒｒｏｒ
　　ｒａｔｅの増加もなかった。

一方、比較のために従来の製造方法でＴｂＦｅＣ０ター
ゲットを作成した。すなわちＴｂＦｅＣ０全組成をＴ　
ｂｚｚＦ　ｅ７ｓｃ　Ｏｓ　ａ　ｔ％となるようにルツ
ボ中で１６５０　’Ｃで？容解し、そして鋳型に注湯し
鋳塊を作った。そして、この鋳塊を切断、研磨し４“φ
Ｘ６ｔのＴｂＦｅＣｏのターゲットを作成した。第１０
図にこの従来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅＣｏタ
ーゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性
分布図を示す。

この図に示す様に組成はＲＥが２２．８〜１９゜８ａｔ
％で、基板ホルダー中心へいくほどＲＥが多く、逆にホ
ルダー外周へいくほどＲＥが少なくなっている。また、
磁気特性もＨｃが１７〜１１ＫＯｅとホルダー中心へい
くほどＨＣが大きくなっている。これは組成分布とも一
敗する。つまり従来の製造方法による鋳造合金ＴｂＦｅ
Ｃｏターゲットはターゲットの上方向はどＴＭ（遷移金
属）がとびやすく、横方向はどＲＥがさびやすい特性を
示し、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。

このターゲットを用いて作成した光磁気記録媒体は、線
速５．７ｍ／ｓｅｃ、Ｄｏｍａ　ｉｎ長１、　４　μｍ
Ｔ：Ｃ／Ｎ　５７　ｄ　Ｂと少し低い値であった。

これは、媒体内での組成分布の影響である。信頼性試験
においては、９０℃９０％ＲＨの恒温恒湿下で３０００
時間後も孔食の発生はなかった。

さらに、比較のために特開昭６１−９５７８８号、特開
昭６１−９９６４０号に示す半溶融法によるＴｂＦｅＣ
ｏターゲットを作製し成膜評価した。ターゲット組成は
、Ｔ　ｂｚｚＦ　ｅ７３ｃ　ｏｓ　ａ　ｔ％であり、Ｔ
ｂ、ＴｂＦｅＣｏ、ＦｅＣｏの量は、前述と同様である
。このターゲットの酸素量は１３００ｐｐｍであった。

このターゲットも第２図に示すスパッタリング装置に装
着し、予備スパッタリングを十分におこない、ターゲッ
ト表面が十分にクリーンな状態になってから成膜を行っ
た。

成膜条件は前述と同じである。第１１図に半溶融法Ｔｂ
ＦｅＣｏターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及
び磁気特性分布図を示す。組成分布は第９回に示す本発
明ターゲットと同程度であるが、磁気特性分布は全体に
保磁力（Ｈｃ）が小さい方向にずれていることがわかる
。これは本発明ターゲットより、半溶融法ターゲットの
方が焼結であるため酸素量が多く、希土類金属が酸素に
よって、一部酸化されたために生じた現象である。

このターゲットを用いて作成した光磁気記認媒体は、線
速５．７ｍ／ｓ　ｅ　ｃ、Ｄｏｍａ　ｉ　ｎ長１．４μ
ｍでＣ／Ｎ　５８　ｄ　Ｂと少し低い値であった。

これは、ターゲット中の酸素が膜中にも取り込まれたた
めである。また、信頼性試験において９０℃９０％ＲＨ
の恒温恒湿下で２００時間目から孔食の発生し、Ｅｒｏ
ｏｒ　　Ｒａｔｅが悪化しはじめた。これもターゲット
中の酸素が膜中に取り込まれたためである。

又、前述の本発明ＴｂＦｅＣｏターゲットと、半溶融法
ＴｂＦｅＣｏターゲットをスパッタリング終了後取りは
ずし、両ターゲットを大気中に２４時間放置した。その
後側ターゲットを再度第２図に示すスパッタリング装置
に装着し成膜を試みた。表２にスパッタリング時の放電
状態を記す。

表２ 上表に示すごとく、本発明ターゲットは初期からＤＣス
パッタＡｒ圧２．５ｍＴｏｒｒのままで放電は非常に安
定しているが、半溶融ターゲットは、初期はＤＣスパッ
タできなかった。これは大気中に長時間放置されたため
に、半溶融ＴｂＦｅＣ０ターゲットの表面が完全に絶縁
体となってしまったためである。そして１時間後は、Ｄ
Ｃスパッタが可能となるが、Ａｒ圧は８ｍＴｏｒｒとし
なければならず、５時間後にやっと２．５ｍＴ。

ｒｒでＤＣスパッタが可能となった。

これら大気放置後の両ターゲットの、スパッタリング時
間と膜の磁気特性の関係を示したものが第１２図である
。１２１が本発明によるターゲットであり、１２２が半
溶融法によるターゲットのものである。この図から明ら
かな様に、本発明によるターゲットは大気中に長時間晒
されていても、スパッタリング後すぐに安定な膜特性を
示すことがわかる。一方、半溶融法によるターゲットは
大気中に長時間晒されていると、初期はスパッタリング
自身が非常に困難となり、長時間の予備スパッタリング
をおこなった後でも膜特性は全熱安定せず、膜特性が安
定するころにはターゲットが減り無くなるころになって
しまう。これらに示す膜の磁気特性は補償組成を境にし
て、ＴＭｒｉｃｈ側の組成（特性）であるため、保磁力
（Ｈｃ）が大きいほど膜特性ということになる。

次に半溶融法ターゲットは、大気中にどの程度放置され
ると膜特性に影響が生じてくるかを調べた。ターゲット
は予備スパッタリングで十分クリーニングし、膜特性も
安定した所で、ターゲットを取り外し、大気中に１０分
、３０分、１時間。

３時間と放置した。その後第１２図と同様の実験をおこ
ない、膜磁気特性のスパッタ時間依存性をみた。第１３
図がそれであり、１３１が大気放置１０分のもの、１３
２が大気放置３０分のもの、１３３が大気放置１時間の
もの、１３４が大気放置３時間のものである。図より明
らかな様に、半溶融法によるターゲットは、大気中に１
０分間でも放置されると、ターゲットの表面酸化が生じ
、膜磁気特性に影響を及ぼす。そして、大気中放置時間
が長ければ長いほど、ターゲット表面からの酸化が進行
し、膜磁気特性に影響を及ぼす影Ｖ度合が激しくなるこ
とがわかる。

軽希土類金属を含まないＴｂＦｅＣｏでも本発明効果が
確認できた。

〔実施例２−２〕 次に原料として、平均粒径が３００μｍ程度のＤｙ粉末
を作り、Ｆｅ、、Ｃｏ、ａｔ％となるＦｅＣｏ鋳塊を平
均粒径が１５０μｍ程度になる様に粉砕し、ＦｅＣｏ粉
末を作る。

次にＤ　）’４ｓＦ　ｅｓ＋ＣＯｓ　ａ　ｔ％となる様
に真空中でルツボ中に投入し、１６５０℃まで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後１２００℃まで下げる。

そしてこのＤ　ｙ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　溶湯合金に、上記の
Ｄｙ粉末とＦｅＣｏ粉末をルツボ中に投入した。

Ｄｙは融点が１４５０℃であり、ＦｅＣｏは１５３０℃
であるため１２００　’Ｃの渦中では溶解しないので、
Ｄｙ、ＦｅＣｏ粉末は粉末のままで存在することになる
。そしてこれらＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ量は次の様
な割合になっている。

（Ｄ　ｙ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ）ｔ（Ｄ　ｙａ（Ｆ　ｅ　ＣＯ
）＋４）ＦＤ：Ｆ＝２５ニア５ｗｔ％ Ｇ：Ｈ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＤｙＦｅＣｏ）−Ｄｙ−（ＦｅＣ
ｏ）溶湯を、鋳型に鋳込みその後出来上がった鋳造合金
を加工し、４″φＸ６ｔのスパッタリングターゲットを
用い実施例２−１と同じ成膜装置及び成膜方法で、基板
ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、
ＲＥが２２゜０〜２２．５ａｔ％で均一であり、磁気特
性もＨＣが１２．０〜１３，０ＫＯｅで均一であった。

酸素量も３５０ｐｐｍと少なかった。又、大気中放置２
４時間後も、スパッタリング放電は初期から安定してお
り、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。

ＤｙＦｅＣｏ組成についても本発明効果が確認できた。

〔実施例２−３〕 次に原料として、Ｔ　ｂｓｏＧ　ｄｓｏａ　ｔ％となる
ＧｄＴｂ鋳塊を作り、ＧｄＴｂ粉末を作る。そして同様
にＦ　ｅｑｙｃ　Ｏ？　ａ　ｔ％粉末を作る。さらにＧ
ｄｚｚ、ｓＴ　ｂｚｚ、ｓＦ　ｅｓ＋ＣＯａ　ａ　ｔ％
となる様にルツボ中に各元素を投入し、１６５０℃まで
一度温度を上げ完全に溶解させ、その後１２００℃まで
下げる。そしてこのＧ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　溶
湯合金に、上記のＧｄＴｂ粉末とＦｅＣｏ粉末をルツボ
中に投入した。このＣ，ｄＴｂ粉末は融点が１４００℃
であり、ＦｅＣｏは１５３０℃であるため１２００℃の
湯中では熔解しないので、Ｃ，ｄＴｂ、ＦｅＣｏ粉末は
粉末のままで存在することになる。そして、これらＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ、ＦｅＣｏ１１は次の様な割合
になっている。

（ＧｄＴｂＦｅＣｏ）＋（（ＧｄＴｂ）Ｋ（ＦｅＣｏ）
ｔ）Ｊｌ　：　Ｊ＝２５　：　７５ｗｔ％ に：Ｌ＝２２ニア８ａｔ％ この様にしてできた（ＧｄＴｂＦｅＣｏ）−（ＧｄＴｂ
）−（ＦｅＣｏ）鋳造合金ターゲットは、実施例２−１
．２−２と同様に１．やはり基板ホルダー内で組成分布
、磁気特性分布のない成膜ができるターゲットであった
。Ｈｃは１１〜１３ＫＯｅ、ＲＥは２２〜２２．５３ｔ
％で均一であった。

酸素量はｓｏｏｐｐｍであった。

又、大気中放置２４時間後も、スパッタリング放電は初
期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期から安定
していた。

ＧｄＴｂＦｅＣｏについても本発明効果が確認できた。

これら実施例２−１．　２−２．　２−３に示した組成
系以外に、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＣｏ、Ｄ
ｙＧｄＣｏ、等のＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆ
ｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含
む全ての組成系について本発明効果が存在することをＷ
ｉ認した。

次に他の実施例として、本発明ターゲットの別の製造方
法を示す。この製造方法は、含浸法あるいは溶浸法と呼
ばれるものである。この製造方法の概略を説明する。

型内にＴＭ粉末を敷き、その上にＲＥ−ＴＭ合金鋳塊（
母合金と呼ぶ）を置く。この母合金組成は、状態図にお
いて希土類金属側共晶組成近傍で、融点も１２００℃以
下の低融点合金である。この粉末と母合金を加熱し、母
合金を溶解させ、粉末の空孔中に溶解した母合金を浸み
込ませることにより作製する。溶解した母合金が凝固す
るときには、ＲＥとＲＥ、ＴＭ、の相に分離するため、
必然的に出来上がったターゲットの金属組織はＴＭ相、
ＲＥ合金相ＲＥ−ＴＭ合金相の３相になるのである。

〔実施例３−１〕 まず原料として（Ｎ　ｄｏ、ｚ　Ｄ　）’０．１１　）
　７□、２（Ｆｅｏ、ｅ　Ｃ００，２）　ｚ’＋、ｅａ
　ｔ％の鋳塊を作る（以下この鋳塊をＲ＋Ｒ，Ｔｚ母合
金と呼ぶ）。この母合金の融点は８３０℃程度と低く、
形状は４″φＸ２ｔである。そして次にＦｅｅ。ＣＯ□
。ａｔ％の２００粒径の粉末を用意した。この粉末の融
点は１５００℃程度と高く、又この粉末の空孔率は６２
．４％である。

この粉末を４＃φ内径のルツボ中に入れ、その上にＲ＋
　Ｒ＋　Ｔ　を母合金を入れる。この状態を示した模式
図が第１４図である。１４１がルツボ、１４２が高周波
誘導加熱コイル、１４３がＲ＋Ｒ＋Ｔ２母合金、１４４
がＦｅ、ｏｃｏ、、ａ　ｔ％粉末である。この状態から
真空に引き、その後１０５０℃まで温度を上げる（無加
圧状態のまま加熱）。

このときＲ＋Ｒ＋Ｔｚ母合金は溶解されており、Ｆｅ−
Ｃｏ粉末は溶解しないまま粉末の状態で存在している。

つまりＲ＋　Ｒ＋　Ｔ　を鋳塊が溶解した溶湯はＦｅ−
Ｃｏ粉末の空孔中に浸み込み空孔を埋めることになる。

その後冷却し、ルツボ中の成形体を取り出し外周加工、
研磨し４″φＸ３ｔのスパッタリング用ターゲットを作
成した。このターゲット組成はＮｄｓ、ｓＤ）’ｚｚ、
。Ｎｄ５ａ、。Ｃ０Ｉａ、ｓａｔ％となっている。この
ターゲットの表面組織の模式図を第１５図に示す。１５
１の相はＦｅ−Ｃｏ粒子、１５２の相はＮｄ−Ｄｙの希
土類単独相、１５３は（ＮｄＤｙ）＋　（ＮｄＣｏ）ｚ
の希土類遷移金属合金相である。つまり希土類単独相と
希土類遷移金属相と遷移金属単独相の３相になっている
のである。

このＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを第２図と同様のスパ
ッタリング装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組成
分布を調べてみた。成膜条件はＡｒ圧’１．５ｍＴｏｒ
ｒ、初期真空度３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、投入電力はＤＣ
電源を用い１．０Ａ３４０■でおこなった。第１６図に
本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び
磁気特性分布図である。この図に示す様に組成はＲＥが
２８゜０〜２８．５ａｔ％で均一であり、磁気特性もＨ
Ｃが９．７〜１０．５ＫＯｅで均一で、膜組成と合致し
た磁気特性を示している。基板ホルダー内にほとんどい
って良いほど均一な膜が成膜されている。当然このター
ゲットは焼結法でな（、母合金は粉末でなくバルクであ
り完全溶融による溶浸ターゲットであるため酸素量も少
なく３５０ｐｐｍである。又、前述の型へ流し込む方法
でないため、巣の発生も極めて少なく、充填密度も９９
゜５％と非常に高いものができた。

本ターゲットも、スパッタリング初期より放電は非常に
安定しでおり、Ａｒ圧も２．５ｍ”、ｏｒｒでＤＣスパ
ッタリングが可能である。そして、大気中に２４時間放
置した後もスパッタリング後すぐに安定な膜特性を示す
。

〔実施例３−２〕 次にＰｒＴｂＡｒＦｅＣｏについて本発明法による効果
を確認した。製造方法は実施例３−１と同じであり、ま
ず母合金として（Ｐ　ｒ　ｏ、　ｚＴ、ｂ　ｏ、　ｓ）
ｇｏ　（Ｆ　ｅｏ、ａ　ＣＯｏ、ｚ）ｚｏａ　ｔ％の鋳
塊を作る。この母合金の融点は８１０　’Ｃ程度であり
、形状も４″φＸ２，５ｔのバルクである。そして次に
Ｆｅｓ。

Ｃｏｚｏａｔ％の２００μｍ粒径の粉末を用意し、この
粉末を４＃φ内径のアルミナでできた型に敷く。そして
その上に母合金を置き（無加圧）、真空下で１０５０　
’Ｃの雰囲気炉中加熱した。母合金が溶解した後冷却し
、型中に出来上がった成形体を取り出し外周加工し、研
磨し４“φＸ３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成
した。やはりターゲット組成はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭ
の３相とｌよっており、全体の組成はＰｒｓ、５Ｔｂｚ
□、。Ｆｅ５１１、ｏｃ　Ｏｚ、５ａ　ｔ％であった。

そして実施例３−１と同様の成膜装置及び成膜方法で基
板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果
、ＲＥが２８．０〜２８．５ａｔ％でＨｃが１８．０〜
１９．０ＫＯｅで均一であった。又、酸素量も３８０ｐ
ｐｍと少なく、大気中放置２４時間後も、スパッタリン
グは初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期か
ら安定していた。

ＰｒＴｂＦｅＣｏ組成についても本発明製造方法が可能
であり、同様の効果も確認できた。

〔実施例３−３〕 次にＳｍＧｄＦｅＣｏについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例３−１．３−２と同じであり
、まず母合金として（Ｓ　ｍｏ、　ｚ　Ｇ（！、ｏ、＊
）＋ｚ、ｚ　（Ｆ　ｅｏ、ｅ　ＣＯｏ、ｚ）ｚｔ、ｓａ
　Ｌ％の鋳塊を作る。この母合金の融点は８０８℃程度
である。

そして次にＦｅｗ。ＣＯ□。ａｔ％の２００μｍ粒径の
粉末を用意し、この粉末を４＃φ内径のムライトででき
た型に敷く。そしてその上に母合金を置き（無加圧）、
真空下で１０４０℃に雰囲気加熱した。母合金が溶解し
た後、冷却し型中に出来上がった成形体を取り出し外周
加工し、研磨し４＃φＸ３ｔのスパッタリング用ターゲ
ットを作成した。やはりターゲット組成はＲＥ、ＲＥ−
ＴＭ。

ＴＭの３相となっており、全体の組成はＳｍｓ、５Ｇｄ
ｚｚ、ｏＦｅｓｅ、ｏｃＯ＋４．ｓａ　ｔ％であった。

そして実施例３−１．３−２と同様の成膜装置及び成膜
方法で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価
した結果、ＲＥが２８．　０〜２８．　５ａｔ％でＨｃ
が５〜５．５ＫＯｅで均一であった。

又、酸素量も３９０ｐｐｍと少な（、大気中放置２４時
間後もスパッタリングは初期から安定しており、膜磁気
特性も同様に初期から安定していた。

ＳｍＧｄＦｅＣｏ組成についても本発明製造方法が可能
であり、同様の効果も確認できた。

〔実施例３−４〕 次にＮｄＳｍＤｙＴｂＦｅＣｏについて本発明法による
効果を確認した。製造方法は実施例３−１．３−２．３
−３と同じであり、まず母合金としてＣＮｄｏ、＋　　
Ｓｍｏ、＋　　Ｄ　ｙＯ，４Ｔ　ｂｏ、４）　７２．２
（Ｆ　ｅｏ、ｅ　ＣＯｏ、ｚ）ｚｔ、Ｉｌａ　Ｌ％の鋳
塊を作る。この鋳塊の融点は８３０　’Ｃ程度であり、
形状も４“φＸ２．５ｔのバルクである。”そして次に
Ｆｅｓ。

Ｃｏ２．ａｔ％の２００μｍ粒径の粉末を用意し、この
粉末を４″φ内径のイソライトでできた型に敷く。そし
てその上に母合金を置き（無加圧）、真空下で１（１３
０℃に雰囲気加熱した。母合金が溶解した後冷却し型中
に出来上がった成形体を取り出し外周加工、研磨し４“
φＸ３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。や
はり前述の実施例と同じく、ターゲット組成はＲＥ、Ｒ
Ｅ−ＴＭ、ＴＭの３相となっており、全体の組成はＮｄ
ｚ、ｔｓｓｍｚ、ｔｓＤ）’　目、ｏＴｂｚ、ｏＦ　　
ｅｓａ、ｏｃＯ＋４．ｓａｔ％であった。そして実施例
３−１．３−２゜３−３と同様の成膜装置及び成膜方法
で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した
結果、ＲＥが２８．０〜２８．５ａｔ％と均一であり、
Ｈｃも１７〜１７．　５　ＫＯｅで均一であった。又、
酸素量も３７５ｐｐｍと少なく、大気中放置２４時間後
もスパッタリングは初期から安定していた。

ＮｄＳｍＤｙＴｂＦｅＣｏ組成についても本発明製造方
法が可能であり、同様の効果も確認できた。

これら実施例３−１．　３−２．　３−３．　３−４に
示す組成系以外にＮｄＧｄＮｄＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ
、ＮｄＰｒＤｙＮｄＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＴｂＮｄＣｏ、
ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＤ
ｙＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、等のＳｍ、Ｎ
ｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうちの少なくとも１種以上の軽希土類
金属と、Ｃｄ。

Ｔｂ、　Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の重希土類金
属と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金
属とを含む全ての組成系について本発明製造方法が可能
であり、又同様の効果も存在することが確認された。

そして、遷移金属粉をＦｅ粉にし、母合金の方でＣｅ量
を調整することによりターゲットのＣＯ組成を所望にす
る方法も可能であることが確認された。

次にターゲット組成が軽希土類金属を含まない場合、す
なわち重希土類金属と遷移金属とを含む場合の実施例を
述べる。

〔実施例３−５〕 まず原料としてＴｔ）＋ｚ　（Ｆ　ｅｏ、ｑ　Ｃｏｏ、
＋）２ｅａＬ％の鋳塊を作る（以下この鋳塊をＲ＋　Ｒ
＋　Ｔ　を母合金と呼ぶ）。この母合金の融点は８４７
℃程度と低く、形状は４＃φＸ２．５ｔである。そして
次にＦ　ｅｑｏＣＯｌｏａ　Ｌ％の２００　ａｍ粒径の
粉末を用意し。この融点は１５００℃程度と高く、又こ
の粉末の空孔率は４３．３母合金である。

この粉末を４“φ内径のアルミナでできた型に敷き、そ
の上に母合金を置き（無加圧）、Ａｒ圧ガス雰囲気加熱
した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出来上がった
成形体を取り出し外周加工、研磨し４″φｘ３ｔのスパ
ッタリング用ターゲットを作成した。やはりターゲット
組成はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となっており、全
体の組成はＴ　ｂｚｚＦ　ｅｔｏ、ｚＣ０７，１１ａ　
ｔ％となっている。

そして実施例３−１．３−２等と同様の成膜装置及び成
膜方法で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評
価した結果、ＲＥが２２．０〜２２゜５ａｔ％で均一で
あり、磁気特性もＨｅが１４゜７〜１５．５ＫＯｅで均
一であった。基）反ホルダー内にほとんどいって良いほ
ど均一な膜が成膜できている。又、酸素量も３５０　ｐ
　ｐｍと少なく、大気中放置２４時間後もスパッタリン
グは初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期か
ら安定していた。

〔実施例３−６〕 次にＤｙＦｅＣｏについて本発明法による効果を確認し
た。製造方法は実施例３−１．３−２等と同じであり、
まず原料としてＤ　＞’？＋、ｓ（Ｆ　ｅ　ｏ、ｑＣｏ
　ｏ、　＋）ｚｅ、　ｓ　ａ　ｔ％の鋳塊を作る。この
鋳塊融点は８９０℃程度である。そして次にＦｅｑ。Ｃ
ｏ、。

ａｔ％の２００μｍ粒径の粉末を用意した。この融点は
１５００℃程度と高く、又この粉末の空孔率は４３．２
％である。

この粉末をを４″φ内径のムライトでできた型に敷き、
その上に鋳塊を置き（無加圧）、真空中で１０５０℃ま
で温度を上げ鋳塊が溶解した後冷却し、型中に出来上が
った成形体を取り出し外周加工し、研磨し４“φＸ３ｔ
のスパッタリング用ターゲットを作成した。やはりター
ゲットｍ成はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となってお
り、全体の組成はＤ　３’ｚｚＦ　ｅｔｏ、ｚｃ　Ｏｑ
、＊　ａ　ｔ％であった。そして実施例３−１．３−２
等と同様の成膜装置及び成膜方法で基板ホルダー内の組
成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが２１．５
〜２２．０ａｔ％で均一であり、ｆ〃磁気特性Ｈｃが１
３．５〜１３．０ＫＯｅで均一である。基板ホルダー内
にほとんどといって良いほど均一な膜が成膜できている
。又このターゲットの酸素量も３５０ｐｐｍと少なく、
大気中放置２４時間後もスパッタリングは初期から安定
しており、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。

ｒ実施例３−７〕 次にＴｂＧｄＦｅＣｏについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例３−１．３−２等と同じであ
り、まず母合金として（Ｔｂｏ、５Ｇｄｏ、ｓ）７＋、
ｓ　（Ｆ　ｅｏ、ｑ　ＣＯｏ、＋　）　［、Ｓａ　ｔ％
の鋳塊を作る。この母合金の融点は８３８“Ｃ程度であ
る。そして次にＦｅ、。Ｃｏｔ。ａｔ％の２０Ｑμｍ粒
径の粉末を用意した。この融点は１５００℃程度と高く
、又この粉末の空孔率は４３．７％である。

この粉末を４＃φ内径のイソライトでできた型に敷き、
その上に母合金を入れる。その後真空中１０５０℃まで
雰囲気加熱し、母合金が溶解した後冷却し、型中に出来
上がった成形体を取り出し外周加工し、研磨し４＃φＸ
３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。やはり
ターゲット組成はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となっ
ており、全体の組成はＧｄ＋＋Ｆ　ｅｔｏ、ｚｃＯ７，
ｓ　ａ　ｔ％であった。そして実施例３−１．３−２等
と同様の成膜装置及び成膜方法で基板ホルダー内の組成
分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが２２．０〜
２２．３ａｔ％で均一であり、磁気特性もＨｃが１５．
５〜１６．０ＫＯｅで均一でちった。基板ホルダー内に
ほとんどといって良いほど均一な膜が成膜できている。

又、酸素量も３００　ｐ　ｐｍと少なく、大気中放置２
４時間後もスパッタリングは初期から安定しており、膜
磁気特性も同様に初期から安定していた。

これら実施例３−５．　３−６．　３−７に示す組酸系
以外にＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＧｄＤ）’ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂ
ＦｅＣｏ、　　ＧｄＴｂＦｅ、　　ＤｙＣｏ、ＴｂＧｄ
Ｃｏ、ＴｂＤ）’Ｃｏ等のＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少
なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ。

Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全
ての組成系について本発明製造法が可能であり、又同様
の効果も存在することが確認された。

そして、遷移金属粉をＦｅ粉にし、母合金の方でＣｏ量
を言周整することにより、ターゲットのＣＯ組成を所望
にする方法も可能であることが確認された 次に他の実施例として、本発明ターゲットの別の製造方
法を示す。この製造方法は、上述してきた含浸法と基本
的に同じであるが、７Ｍ粉末を用いるかわりに、発泡状
ＴＭを用いるのである。発泡状ＴＭとは例えば「工業材
料、１９８７年１０月号」等にみられるような、骨格が
海綿状の高い空孔率を持った金属多孔体である。

型内に発泡状７Ｍシートを敷き、その上にＲＥ−ＴＭ母
合金鋳塊を置く。この母合金組成は、状態図において希
土類金属側共晶組成近傍で、融点も１２００　’Ｃ以下
の低融点合金である。この粉末と母合金を加熱し、母合
金を溶解させ、粉末の空孔中に溶解した母合金を浸み込
ませることにより作成する。溶解した母合金が凝固する
ときには、ＲＥとＲＥ、ＴＭ、の相に分離するため、必
然的に出来上がったターゲットの金属組織はＴＭ相。

ＲＥ相、ＲＥ−７Ｍ合金相の３相になるのである。

この発泡ＴＭはＴＭが粉体でないため、連続したＴＭが
骨格となる。そのため、出来たターゲットはＴＭの骨格
で強度が増し、靭性も強化され、非常に強いターゲット
となる。

〔実施例４−１〕 まず原料として組成がＴｂｔｚＦｅｚｉ、ｚｃＯ＋、ｓ
ａｔ％なる母合金鋳塊を作る。またＦｅｑｙ、ｂＣ。

、、、ａｔ％なる組成の発泡状ＦｅＣｏシートを準備す
る。この発泡状シートは空孔率が９１％と非常に高く、
このままでは使用できないため発泡シートをプレスし、
空孔率が４３．５％となる様にした。

この発泡状ＦｅＣｏシートを４＃φ内径のアルミナでで
きた型に敷き、そしてその上に母合金を置き（無加圧）
、真空下で１０００℃に雰囲気加熱した。母合金は融点
が８５０℃程度と低く、熔解した母合金鋳塊は発泡状Ｆ
ｅＣｏシートに溶浸透する。その後冷却し型中に出来上
がった成形体を取り出し外周加工、研磨し４“φＸ３ｔ
のスパッタリング用ターゲットを作成した。このターゲ
ットの金属組織の模式図を第１７図に示す。組織中には
遷移金属（Ｆ　ｅｑｚ、ｂｃｏｂ、ｇ　）の単独相１７
１、希土類金属（Ｔ　ｂ　）の単独相１７２．遷移金属
と希土類金属の合金相（ＴｂＦｅＣｏ）１７３が混在し
ている。ターゲットの全体組成はＴｂｚｚＦ　ｅ、５ｃ
ｏｓａ　ｔ％であった。

この本発明ターゲットを第２図と同様のスパッタリング
装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組成分布を調べ
てみた。成膜条件はＡｒ圧２．５ｍＴｏｒｒ、初期真空
度３　Ｘ　１０−７Ｔｏ　ｒ　ｒ、投入電力はＤＣ電源
を用い１．０Ａ３４０Ｖでおこなった。第１８図に本発
明法ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び磁
気特性分布図である。この図に示すように組成はＲＥが
２２．０〜２２．５ａｔ％で均一であり、Ｈｃも１４．
７〜１５．５ＫＯｅで均一である。基（反ホルダー内に
ほとんどいって良いほど均一な膜が成膜されている。当
然このターゲットは焼結法でなく、母合金もＴＭレシー
ト粉体でなく、全溶融による溶浸ターゲットであるため
酸素量も少なく５００ｐｐｍであった。又、充填密度も
９９．８％と完全充填となった。

本ターゲットも、スパッタリング初期より放電は非常に
安定しており、Ａｒ圧も２．５ｍＴｏｒｒでＤＣスパッ
タリングが可能である。そして、大気中２４時間放置し
た後もスパッタリング後すぐに安定な膜特性を示す。

〔実施例４−２〕 次に原料として組成がＤ　）’７２Ｆ　ｅｚｂ、ｚｃ　
Ｏ＋、ｓａｔ％なる母合金鋳塊を作る。又、Ｆｅｑｘ、
ｂＣ。

６．４ａｔ％なる組成の発泡状ＦｅＣｏシートを準備す
る。発泡状ＦｅＣｏシートの空孔率を４３゜１％になる
様に、プレスし調整した後、この発泡状Ｆｅｃｏシート
を４“φ内径のジルコニアでできた型に敷き、そしてそ
の上に母合金を置き（無加圧）、真空下で１０５０℃の
雰囲気加熱した。

母合金が溶解した後冷却し、型中に出来上がった成形体
を取り出し、外周加工、研磨し４″φ×３ものスパッタ
リング用ターゲットを作成した。やはりターゲット組成
はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となっており、全体の
組成はＤ　ｙ　ｚ□Ｆｅ＝、、Ｃｏ、ａｔ％であった。

そして実施例４−１と同様の成膜装置及び成膜方法で基
板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果
、ＲＥが２１゜５〜２２．０ａｔ％で均一であり、磁気
特性もＨＣが１３．５〜１３．０ＫＯｅで均一である。

基板ホルダー内にほとんどいって良いほど均一な膜が成
膜できている。またこのターゲットの酸素量も４３０ｐ
ｐｍと少なく、大気中放置２４時間後もスパッタリング
は初期から安定しており、ＢｔＪ磁気特性も同様に初期
から安定していた。

〔実施例４−３〕 次にＴｂＧｄＦｅＣｏについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例４−１．４−２と同じであり
、まず原料としてＴｂ３ｂＧｄｚｂＦｅｚｂ、ｚＣＯ＋
、ｅ　ａ　ｔ％なる母合金鋳塊を作る。又Ｆ　ｅｑ３．
ｂｃ　Ｏｂ、ａ　ａ　ｔ％なる組成の発泡状ＦｅＣ０シ
ートを準備し、空孔率が４３，５％になるまでプレスし
調整した。そして、この発泡状ＦｅＣ０シートを４″φ
内径のムライトでできた型に敷き、そしてその上に母合
金を置き（無加圧）、真空下で１（１２０　’Ｃに雰囲
気加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出来上
がった成形体を取り出し外周加工し、研磨し４″φｘ３
ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。やはりタ
ーゲット組成はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となって
おり、全体の組成はＴｂｚＧｄｚＦｅｔ３ｃＯ２ａｔ％
であった。そして実施例４−１．４−２と同様の成膜装
置及び成膜方法で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性
分布を評価した結果、ＲＥが２１．５〜２２．０ａｔ％
で均一であり、磁気特性もＨｃが１４〜１５．０ＫＯｅ
で均一である。

基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一な膜が
成膜できている。又このターゲットの酸素量も４８０ｐ
ｐｍと少なく、大気中放置２４時間後もスパッタリング
は初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期から
安定していた。

これら実施例４−１，４−２．　４−３に示す組成系以
外にＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦ
ｅ、ＤｙＣｏ、ＴｂＧｄＣｏ、ＴｂＤｙＣ０等の、Ｇｄ
、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少なくとも１種以上の重希土類金
属とＦｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属
とを含む全ての組成系について発泡金属が用いる本発明
製造方法が可能であり、又同様の効果も存在することが
確認された。

そして、発泡遷移金属をＦｅにし、母合金の方でＣ０ｆ
ｆ１を調整することによりターゲットのＣ。

組成を所望にする方法も可能であることが確認された。

次にターゲット組成が軽希土類金属を含む場合、すなわ
ち軽希土類金属と重希土類金属と遷移金属とを含む場合
の、発泡金属を用いた本発明製造法の実施例を述べる。

〔実施例４−４〕 ＮｄＤｙＦｅＣｏについて本発明法による効果を確認し
た。製造方法は実施例４−１．４−２等と同じであり、
まず原料として（ｒ”Ｊｄｏ、ｚＤ３’ｏ、ａ）ｔｚ、
ｚ　（Ｆ　ｅｏ、ｌｌ　ＣＯｏ、ｚ）ｚｗ、ａａ　ｔ％
の母合金鋳塊を作る。又Ｆｅ、。ＣＯ□。ａｔ％からな
る組成の発泡状ＦｅＣｏシートを準備し、空孔率が６２
．６％になるまでプレスし調整した。そしてこの発泡状
ＦｅＣｏシートを４“φ内径のイソライトでできた型に
敷く。そしてその上に母合金を置き（無加圧）、真空下
で１（１３０℃に雰囲気加熱した。

母合金が熔解した後、冷却し型中に出来上がった成形体
を取り出し外型加工、研磨し４″φＸ３ｔのスパッタリ
ング用ターゲットを作成した。やはりターゲット組成は
ＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となっており、全体の組
成はＮｄｓ、５Ｄｙｚ□、。

Ｆ　ｅｓｓ、ｏＣＯｚ、ｓａ　ｔ％であった。そして実
施例４−１．４−２等と同様の成膜装置及び成膜方法で
基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結
果、ＲＥが２８．０〜２８．５ａｔ％と均一であり、磁
気特性もＨｃが９．７〜１０．５Ｋ　Ｏｅで均一である
。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一な膜
が成膜できている。又このターゲットの酸素量も４７５
ｐｐｍと少なく、大気中放置２４時間後もスパッタリン
グは初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期か
ら安定していた。

〔実施例４−５〕 次にＰｒＴｂＤｙＦｅＣｏについて本発明法による効果
を確認した。製造方法は実施例４−１゜４−２等と同じ
であり、まず母合金として（Ｐｒｏ、ｚ　Ｔｂｏ、ａ　
Ｄ）’０．４）８０　　（Ｆ　ｅｏ、ａ　ＣＯｏ、２）
２０ａｔ％の鋳塊を作る。この母合金の融点は８２０”
Ｃ程度である。又Ｆｅｓ。ＣＯ□。ａｔ％からなる組成
の発泡状ＦｅＣｏシートを準備し、空孔率が６２．８％
になるまでプレスし調整した。そしてこの発泡状ＦｅＣ
ｏシートを４“φ内径のアルミナでできた型に敷き、そ
の上に母合金を無加圧で置き、真空下で１（１３０℃に
雰囲気加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出
来上がった成形体を取り出し、外型加工、研磨し４″φ
Ｘ３ｔのスパッタリング用ターゲットを作成した。やは
りターゲット組成はＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相とな
っており、全体の組成はＰ　ｒ　ｓ、ｓ　Ｔ　ｂ　ｚＤ
　Ｖ１□Ｆｅ５ｅｃＯｚ、ｓａ　ｔ％であった。そして
実施例４−１．４−２等と同様の成膜装置及び成膜方法
で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した
結果、ＲＥが２８．０〜２７．８ａｔ％で均一であり、
磁気特性もＨｃが１５．５〜１５゜８ＫＯｅで均一であ
った。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一
な膜が成膜できている。

又このターゲットの酸素量も４２０ｐｐｍと少なく、大
気中放置２４時間後もスパッタリングは初期から安定し
ており、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。

〔実施例４−６〕 次にＰｒＳｍＤｙＧｄＦｅＣｏについて本発明法による
効果を確認した。製造方法は実施例４−１．４−２等と
同じであり、まず母合金として（Ｐ　ｒｏ、＋　　Ｓｍ
ｏ、＋　　Ｄｙｏ、４Ｇｄｏ、４）ｖｚ、ｚ　　（Ｆ　
ｅ。、８ＣＯ０，２）２゜、Ｉｌａ　ｔ％の鋳塊を作る
。この鋳塊の融点は８８０℃程度である。又Ｆｅｓ。Ｃ
ｏｚ。ａＬ％からなる組成の発泡状ＦｅＣｏシートを準
備し、空孔率が６３．１％になるまでプレスし調整した
。そして、この発泡状ＦｅＣｏシートを４“φ内径のア
ルミナでできた型に敷き、その上に母合金を無加圧で置
き、真空下で１０４０　’Ｃに雰囲気加熱した。母合金
が溶解した後、冷却し型中に出来上がった成形体を取り
出し、外型加工、研磨し４″φＸ３ｔのスパッタリング
用ターゲットを作成した。やはりターゲット組成はＲＥ
、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの３相となっており、全体の組成は
Ｐｒ　ｔ、７ｓｓｍｚ、ｒｓＤ　Ｙ　ｘＧ　ｄ　ｚＣＯ
＋４，５ａ　ｔ％であった。そして実施例４−１．４−
２等と同様の成膜装置及び成膜方法で基板ホルダー内の
組成分布と磁気特性分布を評価した結果、ＲＥが２８．
０〜２８．１ａｔ％で均一であり、磁気特性もＨｃが７
．２〜７．５ＫＯｅで均一であった。基板ホルダー内に
ほとんどといって良いほど均一な膜が成膜できている。

又このターゲットの酸素量も４９０ｐｐｍと少なく、大
気中放置２４時間後もスパッタリングは初期から安定し
ており、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。

これら実施例４−４．　４−５．　４−６に示す組成系
以外にＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ、Ｐ
ｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄＦｅＣｏ。

ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＰ
ｒＤｙＦｅＣｏ等の、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ。

Ｃｅのうちの少なくとも１種以上の軽希土類金属とＧｄ
、　Ｄｙ、Ｔｂのうちの少なくとも１種以上の重希土類
金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の３１
移金属とを含む全ての組成系について本発明製造法が可
能であり、又同様の効果も存在することが確認された。

そして、発泡遷移金属をＦｅにし、母合金の方でＣｏ量
を調整することにより、ターゲットのＣＯ組成を所望に
する方法も可能であることが確認された。

本発明法の１つである含浸法あるいは溶浸法では、粉末
あるいは発泡シートの空孔率が重要になでくる。これは
、粉末あるいは発泡シートの空孔の内に、溶融した鋳塊
が浸み込みターゲットが作られるのであるから、ターゲ
ット組成は空孔率で決定されることになる。つまり空孔
率を制御することにより所望の組成のターゲットを提供
しなければならない。

媒体の組成は希土類金属量が１５ａｔ％〜３５ａｔ％ぐ
らいまでが要求されるため、それに伴いターゲットの組
成を合わせなければならない。それを満たすため粉末あ
るいは発泡金属の空孔率を種々変えることによりターゲ
ット組成を合わせよ・うとするものである。

具体的に簡単に説明する。空孔率が３０％程度の粉末を
用意し、その上に鋳塊を置く。第１９図（ａ）がそれで
ある。そして鋳塊を溶融し、粉末中に含浸させた状態が
第１９図（ｂ）である。粉末中の空孔にしか溶融した鋳
塊が入り込まないのがわかる。

次に空孔率が８０％の粉末を用意し、その上に鋳塊を薗
いたものが第２０図（ａ）である。同様に鋳塊を溶融し
、粉末中に含浸させた状態が第２０図（ト））である。

この様にすることにより粉末の空孔率を制御し、組成を
決定することができるのである。

〔実施例５−１〕 ＮｄＤｙＦｅＣｏについて、種々の空孔率の粉末及び発
泡７Ｍシートを用意し、本発明製造法である含浸法によ
りスパッタリング用ターゲットを作成した。

母合金として（Ｎ　ｄ　ｏ、　ｚＤ　Ｙ　Ｏ，ＩＩ）７
２．２（Ｆ　ｅ　ｏ、　ａＣｏ　ｏ、　ｚ）ｚｔ、　ｖ
＋　ａ　ｔ％の鋳塊を作る。そして次にＦｅ８゜Ｃｏｚ
。ａｔ％で２００μｍ粒径の粉末を用意した。粉末の空
孔率は、３０％、４０％、５０％。

６２％、７０％、８０％のものを用意した。空孔率は粒
が球状のものから異形のものまで用意することにより制
御が可能である。又、同じ（Ｆｅｇ。

Ｃｏｚ。ａｔ％の発泡金属シートを用意し、プレスによ
り空孔率３０％、４０％、５０％、６２％。

７０％、８０％のものを用意した。先の実施例３−１．
４−４と同様の製造方法で、各種空孔率の異なるＦｅＣ
ｏ粉末あるいは発泡ＦｅＣｏシートを用いスパッタリン
グ用ターゲットを作成した。

下表に、用いた粉末の空孔率と出来たターゲット組成、
発泡シートの空孔率と出来たターゲット組成を示す。

表３ ３０　　Ｎｄｚ、ｗ　Ｄｙｚ、ａＦ　６６ｇ、＋ｃｏ＋
７．４４０　　Ｎｄ３．ｂ　Ｄ）’＋４．ｚＦ　ｅｂ５
．ｅｃＯ＋ｂ、＜５０　　Ｎ　ｄａ、ａ　Ｄ　ｙ１７．
１１Ｆ　ｅｂｚ、ａｃ　Ｏ＋５．ｂ６２　　Ｎ　ｄｓ、
ｓ　Ｄ　Ｙｚｚ　Ｆ　ｅｓ＋＋　ＣＯＩａ、ｓ７０　　
Ｎ　ｄ６．ｚ　Ｄ　ｙ２４．７Ｆ　ｅｓｓ、３ｃ　Ｏ＋
ｚ、ｅ８０　　Ｎｄｖ、＋　Ｄｙｚｅ、３Ｆ　ｅｓ＋、
ａｃＯ＋ｚ、ｓ表４ ３０　　Ｎ　ｄｚ、７Ｄ　ＹＩｌ、ｂＦ　ｅｂｓ、ｓｃ
　ｏ＋ｔ１４０　　’Ｎ　ｄ３．ｂ　Ｄ　）’　＋４．
ＺＦ　ｅ６ｓ、ｅｃ　ＯＩｂ、４５０　　Ｎ　ｄａ、ａ
　Ｄ　Ｖ　Ｉｑ、ｂＦ　ｅｂｚ、ａｃ　Ｏ＋５．ｂ６２
　　Ｎ　ｄｓ、ｓ　Ｄ　＞’ｚｚ、ｏＦ　ｅｓｓ、ｏｃ
　Ｏ＋ａ、ｓ７０　　Ｎ　ｄ６．ｚ　Ｄ　ｙｚ４．７Ｆ
　ｅｓｓ、３ｃ　Ｏ１１８８０Ｎｄ７．＋　Ｄ）’ｚｓ
、ｚＦ　ｅｓ＋、ｅｃＯ＋ｚ、ｉこれらＦｅＣｏ粉空孔
率を変えたターゲットあるいはＦｅＣｏ発泡シート空孔
率を変えたターゲットを用いて、第２図と同様のスパッ
タ装置で成膜し基板ホルダー内の組成分布をみた。第２
１図が各種空孔率粉末を用いたターゲットの組成分布図
で、第２２図が各種空孔率発泡シートを用いたターゲ・
７トの組成分布図である。

２１１が空孔率３０％粉のターゲットで成膜した組成分
布、２１２が空孔率４０％粉のターゲットで成膜した組
成分布、２１３が空孔率５０％粉のターゲットで成膜し
た組成分布、２１４が空孔率６２％粉のターゲットで成
膜した組成分布、２１５が空孔率７０％粉のターゲット
で成膜した組成分布、２１６が空孔率８０％粉のターゲ
ットで成膜した組成分布である。又、２２１が空孔率３
０％発泡シートのターゲットで成膜した組成分布、２２
２が空孔率４０％発泡シートのターゲットで成膜した組
成分布、２２３が空孔率５０％発泡シートのターゲット
で成膜した組成分布、２２４が空孔率６２％発泡シート
のターゲットで成膜した組成分布、２２５が空孔率７０
％発泡シートのターゲットで成膜した組成分布、２２６
が空孔率８０％発泡シートのターゲットで成膜した組成
分布である。これらいずれのターゲットにおいても、本
発明製造法によるターゲットで成膜した組成分布は極め
て小さく良好な均一性を示しており、空孔率を制御する
ことにより膜組成を種々に変えることができるものであ
る。

他の組成系、ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＦｅＣｏ、Ｓ
ｍＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＧｄＦｅＣｏ、　　ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、　　Ｎ
ｄＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ、　　ＰｒＤｙＦｅＣｏ、　　
ＮｄＳｍＧｄＴｂＦｅＣｏ、　　ＣｅＮｄＤｙＦｔ＝Ｃ
ｏ。

ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ等のＳｍ、Ｎｄ、Ｐｒ。

Ｃｅのうちの少なくとも１種以上の軽希土類金属と、Ｇ
ｄ、　　Ｄｙ、’ｒｂのうちの少なくとも１種以上の重
希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上
の遷移金属とを含む全ての組成系について本発明法は有
効であることを確認した。

〔実施例５−２〕 次にＴｂＦｅＣｏについて、種々の空孔率の粉末及び発
泡７Ｍシートを用意し、本発明製造法である含浸法によ
りスパッタリング用ターゲットを作成した。

母合金としてＴ　ｂ７ｚ　（Ｆ　ｅｏ、ｑ　ＣＯｏ、＋
）ｚ８ａ　ｔ％の鋳塊を作る。そして次にＦｅｗ。Ｃｏ
、。ａｔ％で２００μｍ粒径の粉末を用意した。粉末の
空孔率は、３０％、４３％、５０％、６０％、７０％。

８０％のものを用い、空孔率は粒が球状のものから異形
のものまで用意することにより制御した。

又、同じ（Ｆｅ、。Ｃｏ、。ａｔ％の発泡金属シートを
用意し、プレスにより空孔率３０％、４３％。

５０％、６０％、７０％、８０％のものを用意した。先
の実施例３−５．４−１と同様の製造方法で、各種空孔
率の異なるＦｅＣｏ粉末あるいは発泡Ｆｅｃｏシートを
用いスパッタリング用ターゲットを作成した。下表に、
用いた粉末の空孔率と出来たターゲット組成、発泡シー
トの空孔率と出来たターゲット組成を示す。

表５ ３０　　　Ｔｂｚｓ　Ｆｅｗ６゜５ｃｏａ、ｓ４３　　
　Ｔ　ｂｚｚ　Ｆ　ｅ７ｏ、ｚＣｏｉ１５０　　　Ｔ　
ｂｚｓ、、Ｆ　ｅｂｔ、ｏｃ　０７．５６０　　　Ｔ　
ｂｉｏ、ｓＦ　ｅｈｚ、ｂｃ　０６．９７０　　　Ｔ　
ｂ３ｓ、、Ｆ　ｅ　ｓｓ、ｏＣＯ６，５８０Ｔ　ｂｎｏ
、ｔＦ　ｅｓ：＋１ｃ　０５．９表６ ３０　　　Ｔ　ｂｕｓ　Ｆ　ｅ、ｂ、ｓｃ　Ｏａ、ｓ４
３　　　Ｔ　ｂｚｚ　Ｆ　ｅ７ｏ、ｚｃ　ｏ１８５０　
　　Ｔ　ｂｚｓ、ｓＦ　ｅｂｔ、ｏｃ　０７．５６０　
　　Ｔ　ｂｉｏ、ｓＦ　ｅｂｚ、ｂｃ　Ｏｂ、ｑ７０　
　　Ｔ　ｂｚｓ、ｓＦ　ｅｓｓ、ｏＣＯｂ、５８０　　
　　　　　　Ｔ　ｂ４ｏ、ｙＦ　ｅｓ３゜４ＣＯ５，９
これらＦｅＣｏ粉空孔率を変えたターゲットあるいはＦ
ｅＣｏ発泡シート空孔率を変えたターゲットを用いて、
第２図と同様のスパッタ装置で成膜し基板ホルダー内の
組成分布をみた。第２３図が各種空孔率粉末を用いたタ
ーゲラ（・の組成分布図で、第２４図が各種空孔率発泡
シートを用いたターゲットの組成分布図である。

２３１が空孔率３０％粉のターゲットで成膜した組成分
布、２３２が空孔率４３％粉のターゲットで成膜した組
成分布、２３３が空孔率５０％粉のターゲットで成膜し
た組成分布、２３４が空孔率６０％粉のターゲットで成
膜した組成分布、２３５が空孔率７０％粉のターゲット
で成膜した組成分布、２３６が空孔率８０％粉のターゲ
ットで成膜した組成分布である。又、２４１が空孔率３
０％発泡シートのターゲットで成膜した組成分布、２４
２が空孔率４３％発泡シートのターゲットで成膜した組
成分布、２４３が空孔率５０％発泡シートのターゲット
で成膜した組成分布、２４４が空孔率６０％発泡シート
のターゲットで成膜した組成分布、２４５が空孔率７０
％発泡シートのターゲットで成膜した組成分布である。

２４６が空孔率８０％発泡シートのターゲットで成膜し
た組成分布である。これらいずれのターゲットにおいて
も、本発明製造法によるターゲットで成膜した組成分布
は極めて小さく、良好な均一性を示しており、空孔率を
制御することにより膜組成を種々に変えることができる
ものである。

他の組成系、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤＶＦｅＣｏ、ＧｄＤｙ
ＴｂＦｅＣｏ、　　ＤｙＴｂＦｅＣｏ、　　ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ、Ｄ）’のうち少なく
とも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ。

Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全
ての組成系について本発明法は有であることを確認した
。

次に遷移金属粉末を使用する本発明法ターゲットの作成
において、粉末の粒径が種々異なるものを用意しターゲ
ットを作成してみた。

〔実施例６−１］ 基本的作成方法は実施例３−１と同じであり、原料とし
て（Ｎ　ｄｏ、ｚ　Ｄ　ｙｏ、５）ｖｚ、ｚ　（Ｆ　ｅ
ｏ、ａ　ＣＯｏ、　ｚ）　ｚ、、　ｅ　ａ　ｔ％の母合
金鋳塊を用意しく４＃φｘ４ｔ）、次にＦｅｆｉ。ＣＯ
□。ａｔ％の粒径の異なった粉末を種々用意し、それら
を用いて、粉末上に母合金を置き１０００℃で真空中雰
囲気加熱し、スパッタリング用ターゲットを作成した。

出来上がりは４“φＸ、６　ｔのターゲットを作成。

用いた粉末の平均粒径は、５μｍ、８μｍ、　　１０μ
ｍ、２４μｍ、３８μｍ、５３μｍ、１２０μｍ、２３
０μＩＴＩ、５７０μｍ、７３０μｍ、　　１ｍｍ、　
　１．　５ｍｍ、　　２ｍｍ、　　３ｍｍ、　　３．　
２ｍｍ。

４ｍｍである。

用いた粉末に対するターゲットの出来上がり状態を下表
に示す。

表７ ５μｍ、６４％　粉末の上から３％まで含浸８μｍ、６
４％　粉末の上から５％まで含浸１０μｍ、６４％　粉
末の上から１００％含浸２４μｍ、６２％　　　　１０
０％含浸３８μｍ、５８％　　　　１００％含浸５３μ
ｍ、５５％　　　　１００％含浸１２０μｍ、５１％　
　　　１００％含浸２３０μｍ、４８％　　　　１００
％含浸５７０μｍ、４４％　　　　１００％含浸７３０
μｍ、６４％　　　　１００％含浸１、Ｏｍｍ、６２％
　　　　１００％含浸１．５ｍｍ、５８％　　　　１０
０％含浸２．５ｍｍ、５５％　　　　１００％含浸３、
Ｏｍｍ、５３％　　　　１００％含浸３．２ｍｍ、５１
％　　　　１００％含浸４、Ｏｍｍ、４８％　　　　１
００％含浸上表の結果より平均粒径が５μｍ、８μｍの
粉を使用した場合は、母合金が浸み込まずターゲットが
製造できないことがわかる。これは粉末の粒径があまり
にも小さ過ぎ、空孔自身も小さ過ぎるために溶解した母
合金溶液の粘度との関係があり、浸み込まないのである
。ｌｏ／７ｍ以上の平均粒径をもつ粉末は、１００％浸
み込みターゲットが作成できる。

上表の平均粒径が１０μｍ以上の粉末を用いたターゲッ
トを第２図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を試みた
。どのターゲットもスパッタ初期より放電も安定してお
り、問題なかった。それぞれのターゲットを長時間スパ
ッタし、膜磁気特性との関係をみた。第２５図、第２６
図がそれで、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図である
。２５１が１０μｍ粒径粉を用いたターゲット、２５２
が２４μｍ粒径粉粒径−たターゲット、２５３が３８μ
ｍ粒径粉を用いたターゲット、２５４が５３μｍ粒径粉
を用いたターゲット、２５５が１２０μｍ粒径粉を用い
たターゲット、２５６が２３０μｍ粒径粉を用いたター
ゲット、２５７が５７０μｍ粒径粉を用いたターゲット
である。

１０μｍ〜５７０μｍ粒径粉使用のターゲットにおいて
は、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性であり十
分使用可能であることが確認された。それぞれのターゲ
ットで膜磁気特性が異なるのは、粉末の空孔率が異なり
、したがってターゲット組成が異なってくるためであり
、本実施例の主旨とは直接関係のないものである。２６
１は７３０μｍ粒径粉を用いたターゲット、２６２は１
゜０ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット、２６３はｌ。

５ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット、２６４は２゜５ｍｍ
ｍｍ粒径用いたターゲット、２６５は３゜０ｍｍｍｍ粒
径用いたターゲット、２６６は３゜２ｍｍｍｍ粒径用い
たターゲット、２６７は４゜０ｍｍｍｍ粒径用いたター
ゲットである。７３０μｍ〜２．５ｍｍ粒径粉使用ター
ゲットにおいては、全てのスパック時間で一定した膜磁
気特性であり十分使用可能であることが確認された。３
゜０ｍｍｍｍ粒径用使用ターゲットいてはスパッタ時間
により、膜磁気特性が少し変動している。これは粒子の
大きさが大きくなってきたため、ターゲット表面のＲＥ
、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭの比率がスパック時間により変動す
るからである。

しかしながら、３．０ｍｍ粒径程度であれば、変動中も
、あまり大きくなく使用することは可能である。ところ
が、３．２ｍ、ｍ粒径検使用ターゲット、４．０ｍｍｍ
ｍ粒径用使用ターゲットいては、あまりにも膜磁気特性
の変動が大きすぎるために使用には耐えられないことが
わかった。このことより本発明ターゲットを製造するに
は、ＴＭ粉末は平均粒径が１０ｐｍ以上３．Ｏｒｎｍ以
下であることが必要となる。

他の組成系、ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＦｅＣｏ、Ｓ
ｍＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ、　　ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＤｙＦｅＣｏ。

ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ等のＳｍ、Ｎｄ、、Ｐｒ。

Ｃｅのうちの少なくとも１種以上の軽希土類金属と、Ｇ
ｄ、Ｄｙ、Ｔｂのうちの少なくとも１種以上の重希土類
金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移
金属とを含む全ての組成系についても、同範囲の粒径を
用いる必要のあることを確認した。

〔実施例６−２］ 次にＴｂＦｅＣｏについて、ＴＭ粉の粒径の異なるもの
を用意し、実施例３−５と同様の製造方法を試みた。

原料としてＴ　１１）＋ｚ　（Ｆ　ｅｏ、ｑ　ＣＯｏ、
Ｉ）　２１１ａ　ｔ％の母合金鋳塊を用意しく４”φＸ
４ｔ）、次にＦｅｑ。Ｃｏ、、ａｔ％の粒径の異なった
粉末を種々用意し、それらを用いて、粉末上に母合金を
置き１（１１０℃で真空中雰囲気加熱し、スパッタリン
グ用ターゲットを作成した。出来上がりターゲットは４
“φＸ６ｔである。

用いた粉末の平均粒径は、５μｍ、８μｍ、　　１０μ
ｍ、２４μｍ、３８μｍ、５３μｍ、１２０ａｍ、２３
０μｍ、５７０μｍ、１３０ａｍ、１ｍｍ、１．５ｍｍ
、２ｍｍ、３ｍｍ、３．２ｍｍ。

４ｍｍである。用いた粉末に対するターゲットの出来上
がり状態を下表に示す。

表８ ５μｍ、４４％　粉末の上から３％まで含浸８μｍ、４
４％　粉末の上から５％まで含浸１０μｍ、４４％　粉
末の上から１００％含浸２４μｍ、４２％　　　　１０
０％含浸３８μｍ、３９％　　　　１００％含浸５３μ
ｍ、３７％　　　　１００％含浸１２０μｍ、３５％　
　　　１００％含浸２３０μｍ、３２％　　　　１００
％含浸５７０μｍ、３０％　　　　１００％含浸７３０
μｍ、４４％　　　　１００％含浸１、Ｏｍｍ、４２％
　　　　１００％含浸１．５ｍｍ、３９％　　　　１０
０％含浸２．５ｍｍ、３７％　　　　１００％含浸３、
Ｏｍｍ、３５％　　　　１００％含浸３．２ｍｍ、３２
％　　　　１０（１％含浸４、Ｏｍｍ、３０％　　　　
１００％含浸上表の結果より平均粒径が５μｍ、８μｍ
の粉を使用した場合は、母合金が浸み込まずターゲット
が製造できないことがわかる。これは粉末の粒径があま
りにも小さ過ぎ、空孔自身も小さ過ぎるために溶解した
母合金溶液の粘度との関係があり、浸み込まないのであ
る。１０μｍ以上の平均粒径をもつ粉末は、１００％浸
み込みターゲットが作成できる。

上表の平均粒径が１０μｍ以上の粉末を用いたターゲッ
トを第２図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を試みた
。どのターゲットもスパック初期より放電も安定してお
り、問題なかった。それぞれのターゲットを長時間スパ
ッタし、膜磁気特性との関係をみた。第２７図、第２８
図がそれで、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図である
。２７１が１０μｍ粒径粉を用いたターゲット、２７２
が２４μｍ粒径粉を用いたターゲット、２７３が３８ｕ
ｍ粒径扮を用いたターゲット、２７４が５３μｍ粒径粉
を用いたターゲット、２７５が１２０μｍ粒径粉を用い
たターゲット、２７６が２３０μｍ粒径粉を用いたター
ゲット、２７７が５７０μｍ粒径粉を用いたターゲット
である。

１０μｍ〜５７０μｍ粒径粉使用のターゲットにおいて
は、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性であり十
分使用可能であることが確認された。それぞれのターゲ
ットで膜磁気特性が異なるのは、粉末の空孔率が異なり
、したがってターゲット組成が異なってくるためであり
、本実施例の主旨とは直接関係のないものである。２８
１は７３０μｍ粒径粉を用いたターゲット、２８２は１
、Ｏｍｍｍｍ粒径用いたターゲット、２８３は１゜５ｍ
ｍｍｍ粒径用いたターゲット、２８４は２゜５ｍｍｍｍ
粒径用いたターゲット、２８５は３゜０ｍｍｍｍ粒径用
いたターゲット、２８６は３゜２ｍｍｍｍ粒径用いたタ
ーゲット、２８７は４゜０ｍｍｍｍ粒径用いたターゲッ
トである。７３０μｍ〜２．５ｍｍ粒径粉使用ターゲッ
トにおいては、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特
性であり十分使用可能であることが確認された。３゜Ｏ
ｍｍｍｍ粒径用使用ターゲットいてはスパッタ時間によ
り、膜磁気特性が少し変動している。これは粒子の大き
さが大きくなってきたため、ターゲット表面のＲＥ、Ｒ
Ｅ−ＴＭ、ＴＭの比率がスパッタ時間により変動するか
らである。

しかしながら、３．０ｍｍ粒径程度であれば、変動中も
、あまり太き（なく使用することは可能である。ところ
が、３．２ｍｍｍｍ粒径用使用ターゲット、０ｍｍｍｍ
粒径用使用ターゲットいては、あまりにも膜磁気特性の
変動が大きすぎるために使用には耐えられないことがわ
かった。このことより本発明ターゲットを製造するには
、７Ｍ粉末は平均粒径が１０μｍ以上３．０ｍｍ以下で
あることが必要となる。

他の組成系ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙのうち少なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ
、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系についても、同範囲の粒径を用いる必要の
あることをｌ１１１認した。

次に発泡遷移金属シートを使用する本発明法ターゲット
の作成において、発泡金属の空孔径が種々異なるものを
用意しターゲットを作成してみた。

〔実施例７−１〕 ＦｅＤｙＦｅＣｏについて、発泡遷移金属の空孔径が種
々異なるものを用意し、実施例４−４と同様の製造方法
を試みた。

原料としテ（Ｎ　ｄ　Ｏ，２Ｄ　ｙｏ、ｓ）　７２．２
　（Ｆ　ｅ　ｏ、ａＣｏｏ、ｚ）ｚｔ、ｉａむ％の母合
金鋳塊を用意しく４″φＸ４ｔ）、次にＦｅ５ｏＣＯｚ
ｏａ　ｔ％の空孔径の異なった発泡シートを種々用意し
、それらを用いて、発泡シート上に母合金を置き１００
０℃で真空中雰囲気加熱し、スパッタリング用ターゲッ
トを作成した。出来上がりターゲットは４″φ×６ｔの
ターゲットを作成。

用いた発泡金属の平均粒径は、５μｍ、８μｍ。

１０μｍ、２４μｍ、３８μｍ、５３μｍ、１２０ｐｍ
、２３０μｍ、５７０μｍ、７３０μｍ。

１ｍｍ、１．５ｍｍ、２ｍｍ、３ｍｍ、３．２ｍｍ、４
ｍｍである。

用いた発泡金属に対するターゲットの出来上がり状態を
下表に示す。

表９ ５μｍ、６４％　発泡ＦｅＣｏ０上から３％まで含浸８
μｍ、６４％　発泡ＦｅＣｏ０上から５％まで含浸１０
μｍ、６４％　発泡ＦｅＣｏ０上から１００％含浸２４
μｍ、６２％　　　　　　１００％含浸３８μｍ、５８
％　　　　　　１００％含浸５３μｍ、５５％　　　　
　　１００％含浸１２０μｍ、５１％　　　　　　１０
０％含浸２３０μｍ、４８％　　　　　　１００％含浸
５７０μｍ、４４％　　　　　　１００％含浸７３０μ
ｍ、６４％　　　　　　１００％含浸１、Ｏｍｍ、６２
％　　　　　　１００％含浸１．５ｍｍ、５８％　　　
　　　１００％含浸２．５ｍｍ、５５％　　　　　　１
００％含浸３、Ｏｍｍ、５３％　　　　　　１００％含
浸３．２ｍｍ、　５１％　　　　　　１００％含浸４、
Ｏｍｍ、４８％　　　　　　１００％含浸上表の結果よ
り平均空孔径が５μｍ、８μｍの発泡金属を使用した場
合は、母合金が浸み込まずターゲットが製造できないこ
とがわかる。これは発泡金属の空孔径があまりにも小さ
過ぎるために溶解した母合金溶液の粘度との関係があり
、浸み込まないのである。１０μｍ以上の平均空孔径を
もつ発泡金属は、１００％浸み込みターゲットが作成で
きる。

上表の平均空孔径が１０μｍ以上の発泡金属を用いたタ
ーゲットを第２図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を
試みた。どのターゲットもスパッタ初期より放電も安定
しており、問題なかった。

それぞれのターゲットを長時間スパッタし、膜磁気特性
との関係をみた。第２９図、第３０図がそれで、膜磁気
特性のスパッタ時間依存性図である。

２９１が１０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
２９２が２４μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
２９３が３８８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
２９４が５３μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
２９５が１２０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット
、２９６が２３０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト、２９７が５７０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ットである。

１０μｍ〜５７０ｕｍ空孔径発泡金属使用のターゲット
においては、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性
であり十分使用可能であることが確認された。それぞれ
のターゲットで膜磁気特性が異なるのは、粉末の空孔率
が異なり、したがってターゲット組成が異なってくるた
めであり、本実施例の主旨とは直接関係のないものであ
る。３（１１は７３０μｍ空孔径発泡金属を用いたター
ゲット、３（１２は１．Ｏｍｍ空孔径発泡金属を用いた
ターゲット、３（１３は１．５ｍｍ空孔径発泡金属を用
いたターゲット、３０４は２．５ｍｍ空孔径発泡金属を
用いたターゲット、３０５は３．０ｍｍ空孔径発泡金属
を用いたターゲット、３０６は３．２ｍｍ空孔径発泡金
属を用いたターゲット、３０７は４．Ｏｍｍ空孔径発泡
金属を用いたターゲットである。７３０８ｍ〜２．５ｍ
ｍ空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、全てのス
パッタ時間で一定した膜磁気特性であり十分使用可能で
あることが確認された。３．Ｏｍｍ空孔径発泡金属使用
ターゲットにおいてはスパッタ時間により、膜磁気特性
が少し変動している。これは空孔の大きさが大きくなっ
てきたため、ターゲット表面のＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、ＴＭ
の比率がスパッタ時間により変動するからである。

しかしながら、３．０ｍｍ空孔率径程度であれば、変動
中も、あまり大きくなく使用することは可能である。と
ころが、３．２ｍｍ空孔径発泡金属使用ターゲット、４
．０ｍｍ空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、あ
まりにも膜磁気特性の変動が大きすぎるために使用には
耐えられないことがわかった。このことより本発明ター
ゲットを製造するには、ＴＭ発泡金属は平均空孔径が１
０μｍ以上３．０ｍｍ以下であることが必要となる。

他の組成系ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＦｅＣｏ、Ｓｍ
ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄＴｂ
ＦｅＣ０，ＣｅＮｄＤｙＦｅＣｏ。

ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ等のＳｍ、Ｎｄ、Ｐｒ。

Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希土類金属と、Ｇｄ
、　Ｄｙ、’ｒｂのうちの少なくとも１種以上の重希土
類金属と、Ｆｅ、Ｇｏのうちの少なくも１種以上の遷移
金属とを含む全ての組成系についても、同範囲の空孔径
を用いる必要のあることを確認した。

〔実施例７−２〕 次にＴ　ｂ　Ｆ　ｅ　Ｃ，ｏについて、発泡遷移金属の
空孔径の異なるものを用意し、実施例４−１と同様の製
造方法を試みた。

原料としてＴ　ｂｙｚ　（Ｆ　ｅｏ、ｑ　ＣＯｏ、＋　
）　ｚ、ａａ　ｔ％の母合金鋳塊を用意しく４“φ×４
ｔ）、次にＦｅｅ。Ｃｏ、。ａｔ％の空孔径の異なった
発泡金属を種々用意し、それらを用いて、発泡金属上に
母合金を置き１（１１０℃で真空中雰囲気加熱し、スパ
ッタリング用ターゲットを作成した。出来上がりターゲ
ットは４“φＸ６ｔである。

用いた発泡金属の平均空孔径は、５μｍ、８μｍ、１０
μｍ、２４μｍ、３８μｍ、５３μｍ。

１２０μｍ、２３０μｍ、５７０μｍ、７３０μｍ、１
ｍｍ、１．５ｍｍ、２ｍｍ、３ｍｍ、３゜２ｍｍ、４ｍ
ｍである。用いた発泡金属に対するターゲットの出来上
がり状態を下表に示す。

表１０ ５μｍ、４４％　発泡ＦｅＣｏ０上から３％まで含浸８
μｍ、４４％　発泡ＦｅＣｏ０上から５％まで含浸１０
μｍ、４４％　発泡ＦｅＣｏ０上から１００％含浸２４
μｍ、４２％　　　　　　１００％含浸３８μｍ、３９
％　　　　　　１００％含浸５３μｍ、３７％　　　　
　　１００％含浸１２０μｍ、３５％　　　　　　１０
０％含浸２３０μｍ、３２％　　　　　　１００％含浸
５７０μｍ、　３０％　　　　　　１００％含浸７３０
μｍ、４４％　　　　　　１００％含浸１、Ｏｍｍ、４
２％　　　　　　１００％含浸１．５ｍｍ、３９％　　
　　　　１００％含浸２．５ｍｍ、３７％　　　　　　
１００％含浸３、Ｏｍｍ、３５％　　　　　　ｉｏｏ％
含浸３．２ｍｍ、３２％　　　　　　１００％含浸４、
Ｏｍｍ、３０％　　　　　　１００％含浸上表の結果よ
り平均空孔径が５μｍ、　　８μｍの発泡金属を使用し
た場合は、母合金が浸み込まずターゲットが製造できな
いことがわかる。これは発泡金属の空孔径があまりにも
小さ過ぎるために溶解した母合金溶液の粘度との関係が
あり、浸み込まないのである。１０μｍ以上の平均空孔
径をもつ発泡金属は、１００％浸み込みターゲットが作
成できる。

上表の平均空孔径が１０μｍ以上の発泡金属を用いたタ
ーゲットを第２図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を
試みた。どのターゲットもスパッタ初期より放電も安定
しており、問題なかった。

それぞれのターゲットを長時間スパッタし、膜磁気特性
との関係をみた。第３１図、第３２図がそれで、膜磁気
特性のスパック時間依存性図である。

３１１が１０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
３１２が２４μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
３１３が３８μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
３１４が５３μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット、
３１５が１２０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット
、３１６が２３０８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト、３１７が５７０８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ットである。

１０μｍ〜５７０μｍ空孔径発泡金属使用のり−ゲット
においては、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性
であり十分使用可能であることがｔｌ’ｌ　Ｌ’２され
た。それぞれのターゲットで膜磁気特性が異なるのは、
粉末の空孔率が異なり、したがってターゲット紹成が異
なってくるためであり、本実施例の主旨とは直接関係の
ないものである。３２１は７３０８ｍ空孔径発泡金属を
用いたターゲット、３２２は１．Ｏｍｍ空孔径発泡金属
を用いたターゲット、３２３は１．５ｍｍ空孔径発泡金
属を用いたターゲット、３２４は２．５ｍｍ空孔径発泡
金属を用いたターゲット、３２５は３．０ｍｍ空孔径発
泡金属を用いたターゲット、３２６は３．２ｍｍ空孔径
発泡金属を用いたターゲット、３２７は４．０ｍｍ空孔
径発泡金属を用いたターゲットである。７３０μｍ〜２
．５ｍｍ空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、全
てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性であり十分使用
可能であることがＧ１１Ｌ’２された。３．Ｏｍｍ空孔
径発泡金屈使用ターゲットにおいてはスパッタ時間によ
り、膜磁気特性が少し変動している。これは空孔の大き
さが大きくなってきたため、ターゲット表面のＲＥ、Ｒ
Ｅ−ＴＭ、ＴＭの比率がスパッタ時間により変動するか
らである。

しかしながら、３．Ｏｍｍ空孔率径程度であれば、変動
中も、あまり大きくなく使用することは可能である。と
ころが、３．２ｍｍ空孔径発泡金属使用ターゲット、４
．Ｏｍｍ空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、あ
まりにも膜磁気特性の変動が大きすぎるために使用には
耐えられないことがわかった。このことより本発明ター
ゲットを製造するには、ＴＭ発泡金属は平均空孔径が１
０μｍ以上３，０ｍｍ以下であることが必要となる。

他の組成系、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＣｏ等のＴｂ、ｌａｙのうち少なくとも
１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくと
も１種以上の遷移金属とを含む全ての組成系についても
、同範囲の空孔径を用いる必要のあることを確認した。

ここまで述べてきた様に、本発明法の１つである含浸法
あるいは溶浸法では、粉末あるいは発泡金属の空孔率や
粒径、空孔径が重要であり、特定範囲のものを用いる必
要があることがわかった。

一方、母合金の方の組成も重要であり、含浸させるため
の母合金融点と、母合金の金属組織つまり、希土類単相
と希土類、遷移金属２の合金相の比率とのかねあいで、
母合金組成が決定される。具体的に以下の実施例で説明
する。

〔実施例８−１〕 ＮｄＤｙＦｅＣｏを含浸法で作成する際の本発明法は、
実施例３−１．４−４等に述べている通りであり、母合
金に（Ｎｄｏ、ｚ　Ｄ）’ｏ、５）ｔｚ、ｚ　（Ｆｅｏ
、ｅ　ＣＯｏ、ｚ）ｚｙ、ｅａ　ｔ％組成を用イテイル
。この総酸は状態図において、希土類金属（ＲＥ）側の
共晶組成近傍であり融点が低く（８３０℃程度）、含浸
法による作成に都合がよい。本実施例では、母合金組成
がどの範囲までであれば、含浸法によるターゲットの作
成が可能かを調べた。

実施例３−１と同じＦｅ７−Ｃｏ粉末（空孔率６２．４
％）を用い、母合金組成を種々用意し、含浸法によりタ
ーゲットを作成した。次表に、用いた母合金組成と、そ
の組成の融点ならびにその融点で加熱し作成した 含浸ターゲットの出来上り状態を示す。

表１１ 母合金組成（ａｔ％〕　　　融点ｒ：ｃ）　　ターゲッ
ト出来上り状態（ＮｄＤ）’）４．（ＦｅＣｏ）ｓ＋　
　　１２２０　　ＦｅＣｏ粉末の一部力匈解（ＮｄＤｙ
）ｓｏ（ＦｅＣｏ）ｓｏ　　１２００　　　粉末完全状
態で含浸（ＮｄＤｙ）ｓｓ（ＦｅＣｏ）ｎｓ　　１１．
５０　　　粉末完全状態で含浸（ＮｄＤ）’）６ｓ（Ｆ
ｅＣＯ）＋ｓ　　　９８０　　　粉末完全状態で含浸（
ＮｄＤ）’）７ｚ（ＦｅＣｏ）ｚｓ　　　８５０　　　
粉末完全状態で含浸（ＮｄＤｙ）ｗｅ（ＦｅＣｏ）ｚｚ
　　１０００　　　粉末完全状態で含浸（ＮｄＤｙ）ｅ
ｚ（ＦｅＣｏ）＋ａ　　１１００　　　粉末完全状態で
含浸（ＮｄＤ３’）ｔｏ（ＦｅＣＯ）＋ｏ　　１２００
　　　粉末完全状態で含浸（ＮｄＤ）’）ｑ＋（ＦｅＣ
Ｏ）ｖ　　　１２３０　　ＦｅＣｏ粉末の一８肋喝容解
上表の結果より融点が１２００℃を超える母合金を用い
た場合には、Ｆｅ−Ｃｏ粉末の一部が溶解し始め、含浸
法にならないことがわかる。１２００゛Ｃ以下の融点の
母合金を用いたターゲットはＦｅＣｏ粉末も溶解せず、
きれいに含浸法によりターゲットができた。つまり母合
金組成は、融点が１２００℃以下のものを用いる必要が
ある。

他の組成系、ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＦｅＣｏ、Ｓ
ｍＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＤｙＦｅＣｏ。

ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ等のＳｍ、Ｎｄ、Ｐｒ。

Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希土類金属と、Ｇｄ
、Ｄｙ、Ｔｂのうちの少なくとも１種以上の重希土類金
属と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金
属とを含む全ての組成系についても、同範囲の融点の母
合金を用いる必要のあることをｉｌｌ認した。

〔実施例８−２〕 ＴｂＦｅＣｏでも母合金組成を種々用意し、含浸法によ
りターゲットを作成した。作成方法は実施例３−５に示
す方法と同様である。Ｆｅｑ。Ｃ（１１゜ａｔ％の空孔
率４３％の粉末を用意し、種々の母合金組成を用い含浸
法ターゲットを作成してみた。次表に用いた母合金組成
と、その組成の融点ならびにその融点で加熱し作成した
含浸ターゲットの出来上り状態を示す。

表１２ 母合金組成（ａ、ｔ％）　　吊九点（℃）　ターゲット
出来上り状態Ｔｂ５ｑ（ＦｅＣＯ）ｉ、＋　　　　１２
１０　　　ＦｅＣｏ粉末の一部力着解Ｔｂａｏ　（Ｆｅ
Ｃｏ）、、ｏ　　　１２００　　　　粉末完全状態で含
浸Ｔｂ、（ＦｅＣｏ粉末　　１１００　　　　粉末完全
状態で含浸Ｔｂ、ｔ（ＦｅＣｏ）ｔ　　　１０００　　
　　粉末完全状態で含浸Ｔｂ７□（ＦｅＣｏ）ｉｌｌ　
　　８５０　　　　粉末完全状態で含浸Ｔｂ７ｓ（Ｆｅ
Ｃｏ）ｚｚ　　　　１０００　　　　粉末完全状態で含
浸Ｔｂ＊ａ　（Ｆ　ｅ　Ｃｏ）＋ｖ　　　　１１００　
　　　粉末完全状態で含浸Ｔｂｉｗ（ＦｅＣＯ）ｕ　　
　　１２００　　　　粉末完全状態で含浸Ｔｂｑｏ　（
ＦｅＣｏ）＋ｚ　　　１２２０　　　ＦｅＣｏ粉末の＝
部り’ｉｔｇ解上表の結果よりやはりＮｄＤｙＦｅＣｏ
と同様に、融点が１２００℃を超える母合金を用いた場
合には、Ｆｅ−Ｃｏ粉末の一部が溶解し始め、含浸法に
ならないことがわかる。１２００℃以下の融点の母合金
を用いたターゲットはＦｅＣｏ粉末も溶解せず、きれい
に含浸法によりターゲットができた。つまり母合金組成
は、融点が１３００　”Ｃ以下のものを用いる必要があ
る。

他の組成系、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＣｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙのうち少な（とも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ
、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系についても、同範囲の融点の母合金を用い
る必要のあることを確認した。

これら実施例８−１．８−２に示したＮｄＤｙＦｅＣｏ
、ＴｂＦｅＣｏ系等で用いた種々の母合金組成により、
出来上がったターゲットの金属組織は異なってくる。つ
まりＲＥ、−ＴＭ２の金属間化合物相の出現量がことな
るのである。ＲＥの少ない側、例えばＲＥ、、７Ｍ６゜
の母合金組成を用いれば金属間化合物相は多くなり、又
逆にＲＥの多い側、例えばＲＥ、、ＴＭ、、の母合金組
成を用いれば金属間化合物相は少なくなる。これらの母
合金組成は、用いられるスパッタリング装置あるいは成
膜方法により、最適な母合金組成を選択することになる
。

金属間化合物相の量が、母合金組成だけではコントロー
ルできない場合に、次の様な方法をとることもある。つ
まり出来上がったターゲットを、再度融点未満の温度で
熱処理することにより、金属間と化合物相をコントロー
ルするのである。

〔実施例９−１〕 実施例３−１で作成したＮｄＤｙＦｅＣｏ含浸ターゲッ
トを用いて種々の熱処理をおこない（Ｎｄ　Ｄ　ｙ）＋
　（Ｆ　ｅ　ＣＯ）２の金属間化合物相の量がどのよう
になるかをみてみた。熱処理条件と金属間化合物相の量
を次表に示す。熱処理は真空中にて無加圧のままおこな
った。

表１３ 熱処理条件　　　金属間化合物相の量＜ａｒｅａ％）未
処理　　　　　　　　１０ ４００℃２ｈｒ　　　　　　１１ ４００℃１０ｈｒ　　　　　　１５ ４００℃２０ｈｒ　　　　　　２０ ６００”Ｃ２ｈｒ　　　　　　１２ ６００’Ｃ１０ｈｒ　　　　　　２０ ６００″Ｃ２０ｈｒ　　　　　　３０ ７００’Ｃ２ｈｒ　　　　　　１４ ７００℃１０ｈｒ　　　　　　３０ ７００℃２０ｈｒ　　　　　　５０ ７００℃２５ｈｒ　　　　　　６０ 上表に示すように温度が高いほど、又時間が長いほど金
属間化合物量が多（なることがわかる。

これは固相拡散によりおこる現象であるから、温度と時
間の関係になるのは当然である。

これら金属間化合物量の最適値は、スパッタリング装置
およびスパッタリング方法により決まってくる。具体的
に数例を次に述べる。

第２図に示す様なスパッタリング装置の場合において、
基板ホルダー２２が回転しており、とりつけられる基板
が自転する方法であると（つまり基板が自公転する）、
金属間化合物量はどのような量でもかまわない。ところ
が基板が自転しない方法（つまり公転だけ）であると、
金属間化合物量は１０〜３０ａｒｅａ％程度が良い。こ
の中で、どの量が最適かは、ターゲット基板間の距離、
ターゲット中心と基板ホルダー中心との距離、スパッタ
リング条件（Ａｒ圧、Ｐｏｗｅｒ）により決定されてく
る。

第３３図に示す様なスパッタリング装置の場合には、３
３１のターゲットと３３２の基板は対向しており、基板
も動かず静止している。この場合、金属間化合物量は１
５〜４０ａｒｅａ％程度が良い。

この中でどの量が最適かは、ターゲット基板間の距離、
スパッタリング条件（Ａｒ圧、Ｐｏｗｅｒ）により決定
されてくる６ ターゲット上を基板が通過していく第３４図に示す様な
スパッタリング装置の場合、金属間化合物量は２０〜６
０ａｒｅａ％程度が良い（３４１はターゲット、３４２
は基板）。この中でどの量が最適かは、ターゲット基板
間の距離、スパッタリング条件（Ａ、ｒ圧、Ｐｏｗｅｒ
）、防着板の有無によって決定されてくる。

他の組成系ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＦｅＣｏ、Ｓｍ
ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ、ＰｒＤｙ、ＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＤｙＦｅＣｏ。

ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ等のＳｍ、Ｎｄ、Ｐｒ。

Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽希土類金属とＧｄ、
Ｄｙ、Ｔｂのうちの少なくとも１種以上の重希土類金属
と、Ｆｅ、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属
とを含む全ての組成系についても、本実施例と同様の結
果が得られた。

〔実施例９−２〕 実施例３−５で作成したＴｂＦｅＣｏ含浸ターゲットを
用いて種々の熱処理をおこないＴ　ｂ　Ｉ（ＦｅＣｏ）
、の金属間化合物相の量がどのようになるかをみてみた
。熱処理条件と金属間化合物相の量を次表に示す。熱処
理は真空中にて無加圧のままおこなった。

表１３ 熱処理条件　　　金属間化合物相のｆｆｉ　（ａｒｅａ
％）未処理　　　　　　　　　７％ ４００℃３ｈｒ　　　　　　　８％ ４００℃１５ｈｒ　　　　　　１２％ ４００℃３０ｈｒ　　　　　　１７％ ４００℃６０ｈｒ　　　　　　２７％ ６５０℃３ｈｒ　　　　　　１０％ ６５０℃１５ｈｒ　　　　　　２２％ ６５０℃　３０ｈｒ　　　　　　３７％７５０℃２ｈｒ
　　　　　　１１％ ７５０℃１５ｈｒ　　　　　　３７％ ７５０℃３０ｈｒ　　　　　　６７％ 実施例９−１の場合と同様に、熱処理の温度が商いほど
、又時間が長いほど金属間化合物量が多くなる。

これら金属間化合物量の最適値は、スパッタリング装置
およびスパッタリング方法により決まる。

他の組成系、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙ
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ。

Ｄｙのうち少なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ
、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系についても、本実施例と同様の結果が得ら
れた。

今まで述べてきた本発明法の内で、粉末あるいは発泡金
属を用い、その上に母合金鋳塊を置き、含浸法で製造す
る場合には、組成を制御するには粉末あるいは発泡金属
の空孔率を制御する必要がある。次に述べる方法は粉末
を使用するが、空孔率を制御しなくても組成を制’＜１
ｒＪできる方法である。

節単に述べると、遷移金属の粉末と共晶組成近傍の希土
類遷移金属母合金鋳塊を粉砕した粉末とを適当に混合し
、均一になるまで十分混ぜ合わせる。そののち型内に、
この混合粉を入れ、■０００゛Ｃ程度に加熱（無加圧）
し、冷却したのち、成形体を加工しターゲットを作成す
るのである。

〔実施例１Ｏ−１） ＮｄＤ）’ＦｅＣｏについて述べる。まず原料として（
Ｎ　ｄｏ、ｚ　Ｄ　）’ｏ、＋＋）ｔｚ、ｚ　（Ｆ　ｅ
ｏ、ｓ　ＣＯｏ、ｚ）ｚｔ、ａａｔ％の母合金鋳塊を作
る。この鋳塊をショークラッシャーにて荒粉砕したのち
、ボールミル等で２００８ｍ平均粒径になるまで粉砕す
る。そしてＦ　ｅ　ｓｏＣＯｚｏａ　ｔｚの２００ｕｍ
粒径の粉末を用意し、先の母合金粉末と十分混合する。

このＦｅＣｏ粉とＮｄＤｙＦｅＣｏ母合金粉末の量は、
全体でＮ　ｄｓ、ｓ　Ｄ　）’ｚｚ、ｏＦ　ｅｓ＊、ｏ
ｃ　Ｏｘ、ｏａ　ｔｚとなる様な量比で混合されている
。そしてこの混合粉末を４′φ内径のルツボ中に入れ、
真空に引いた後、無加圧状態のまま１０５０″Ｃまで加
熱する。このとき母合金粉末は溶解され、ＦｅＣｏ粉末
は溶解しない。そのため溶解しないＦｅＣｏ粉末の周囲
を溶解した母合金が囲み、冷却されると、母合金溶湯は
ＮｄＤｙと（Ｎ　ｄ　Ｄ　ｙ）＋（Ｆ　ｅ　Ｃｏ）ｚの
２相に分離し、３相混在のターゲットの出来上がりとな
る。

出来上りターゲットの組成は、初期混合する母合金粉末
と、ＦｅＣｏ粉末の量比により決定されるため、粉末の
空孔率の制御がいらなくなり、コントロールし易くなる
。

この様にしてできたターゲットを第２図と同様のスパッ
タリング装置に装着し、成膜し、その磁気特性及び組成
分布を評価した結果、ＲＥが２８〜２８．５ａｔ％で、
Ｈｃが９．７〜１０．５ＫＯｅで均一であった。又、酸
素量も４９０ｐｐｍと少なく、大気中放置２４時間後も
スパッタリングは初期から安定しており、膜磁気特性も
同様に初期から安定していた。

本製造方法は粉末を使用するが、焼結法でなく一方の母
合金粉末が完全溶解するため、充填密度も９９．３％と
なり、大気中に放置しても表面酸化が内部にまで進行す
ることはない。

他の組成系、ＰｒＴｂＦｅＣｏ、ＳｍＧｄＦｅＣｏ、Ｓ
ｍＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴｂＦｅＣｏ。

ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＰｒＤ
ｙＴｂＦｅＣｏ、　　ＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＳｍＧｄ
ＴｂＦｅＣｏ、　　ＣｅＮｄＤｙＦｅＣｏ。

ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、等のＳｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃ
ｅのうちの少なくとも１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ
、Ｃｏのうちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系について、同様の製造方法が可能であり、
又、同様の効果が存在することも確認した。

（実施例１Ｏ−２） 次にＴｂＦｅＣｏについて述べる。まず原料としてＴｂ
ｔｔＦｅｚｈ、ｚｃＯ＋、Ｉｌａ　ｔｚの母合金鋳塊を
作る。この鋳塊をショークラッシャーにて荒粉砕したの
ち、ボールミル等で２００　ａｍ平均粒径になるまで粉
砕する。そしてＦ　ｅｑ３．ｂｃ　Ｏ６，４８ｔ％の２
００μｍ粒径の粉末を用意し、先の母合金粉末と十分混
合する。このＦｅＣｏ粉とＴｂＦｅＣｏ母合金粉末の量
は、全体でＴｔ）ｚｚＦｅ、５ｃＯｓａｔ％となる様な
量比で混合されている。そしてこの混合粉末を４″φ内
径のアルミナの型中に入れ、真空下で１０５０　’Ｃの
雰囲気加熱をした（無加圧）。その後冷却し、できた成
形体を加工しスパッタリングターゲットとした。このク
ーデ６．トは、Ｔｂ、Ｔｂ＋（ＦｅＣｏ）ｚ、ＦｅＣｏ
の３相よりなっている。

そして第２図と同様の成膜装置に装着し、成膜を試み、
基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結
果、ＲＥが２１．　５〜２２．　０ａｔ％と均一であり
、磁気特性もＨｃが１４．５〜１５．２ＫＯｅで均一で
あった。又このターゲット酸素量は４４０ｐｐｍ、充填
密度は９９．５％と良好であった。そして、大気中放置
２４時間後もスパッタリングは初期から安定しており、
膜磁気特性も同様に初期から安定していた。

他の組成系、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｃｌＦｅＣ。

、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ。

ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙのう
ち少な（とも１種以上の重希土類金属とＦｅ、Ｃｏのう
ちの少なくとも１種以上の遷移金属とを含む全ての組成
系についても、同様の製造方法が可能であり、又同様の
効果が存在することも確認された。

本発明法（実施例１０−１　、　、１０−２　）による
場合も全組成が１２００℃以下の融点をもつ組成でなけ
ればならないのは、実施例８−１．８−２と同様に、言
うまでもないことである。

以上今まで述べてきた本発明（実施例１−１）〜（実施
例１Ｏ−２）に用いた遷移金属粉末あるは発泡遷移金属
は、ＦｅＣｏ合金ベースであるが、これをＦｅベースに
し、母合金をＲＥ−ＦｅＣ。

あいは、ＲＥ−Ｃｏにし作成することも可能であり、同
様の本発明ターゲットを作成できることを確認した。又
、同様の効果を有することも確認できている。さらにＦ
ｅＣｏ合金ベース、又はＣ。

ベースの粉末あるいは発泡金属を用い、母合金にＲＥ−
Ｆｅ合金を用いる場合も同様に本発明ターゲットは作成
でき、同様の効果も確認できた。そして当然のことなが
ら、Ｆｅ粉末とＧｏ粉末を混合した粉末を使用しても本
発明ターゲットの作成が可能であった。

又、本実施例等に示した希土類遷移金属組成以外に、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の添
加物、あるいはＳｔ、Ｃａ、Ｃ等の不可避の不純物等が
混入しても本発明法による製造は可能であり、又同様の
効果も存在することを確認している。

〔発明の効果〕

この様に本発明法による希土類遷移金属スパッタリング
用ターゲットは、各種スパッタリング装置に合わせて、
成膜面内で組成分布が均一なスパッタリングが可能とな
り、酸素量も低く、充填密度も高く、スパッタリングも
初期より安定する。

又、大気中に放置されても、初期よりスパッタリングは
安定し、又、膜磁気特性も安定するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明法によるスパッタリングターゲットの
表面組織の模式図。 第２図は、スパッタリング装置の模式図。 第３図は、本発明ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用いた
基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第４図は、従来の鋳造合金ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲット
の表面組織の模式図。 第５図は、従来の鋳造合金ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲット
を用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第６図は、半溶融法ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用い
た基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第７図は、２４時間大気放置後の、本発明ＮｄＤｙＦｅ
Ｃｏターゲットと半溶融法ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲット
のスパッタリング時間と膜磁気特性の関係図。 第８図は、半熔融法ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲントの大気
放置時間に対する、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図
。 第９図は、本発明ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた、基
板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第１０図は、従来の鋳造合金ＴｂＦｅＣｏターゲットを
用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第１１図は、半溶融法ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた
基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第１２図は、２４時間大気放置後の、本発明ＴｂＦｅＣ
ｏターゲットと半溶融法ＴｂＦｅＣｏターゲットのスパ
ッタリング時間と膜磁気特性の関係図。 第１３図は、半溶融法ＴｂＦｅＣｏターゲットの大気放
置時間に対する、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図。 第１４図は、含浸法による本発明製造方法の模式図。 第１５図は、含浸法による本発明ターゲットの表面組織
の模式図。 第１６図は、含浸法による本発明ターゲットを用いた基
板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第１７図は、発泡金属シートを用いた本発明ターゲット
の金属組織の模式図。 第１８図は、発泡金属シートによる本発明ターゲットを
用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第１９図（ａ）は、空孔率３０％程度の粉末を用いた母
合金鋳塊が溶解する前の模式図。 第１９図（ｂ）は、空孔率３０％程度の粉末を用いた母
合金が溶解し含浸した所の模式図。 第２０図（ａ）は、空孔率８０％程度の粉末を用いた母
合金鋳塊が溶解する前の模式図。 第２０図（ｂ）は、空孔率８０％程度の粉末を用いた母
合金が溶解し含浸した所の模式図。 第２１図は、各種空孔率粉末を用いたＮｄＤｙＦｅＣｏ
ターゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第２２図は、各種空孔率発泡シートを用いたＮｄＤｙＦ
ｅＣｏターゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第２３図は、各種空孔率粉末を用いたＴｂＦｅＣｏター
ゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第２４図は、各種空孔率発泡シートを用いたＴｂＦｅＣ
ｏターゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第２５図は、１０μｍ〜５７０μｍ粒径粉を用いたＮｄ
ＤｙＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時間
の関係図。 第２６図は、７３０μｍ〜４．０ｍｍ粒径粉を用いたＮ
ｄＤｙＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時
間の関係図。 第２７図は、１０μｍ〜５７０μｍ１粒径粉を用いたＴ
ｂＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時間の
関係図。 第２８図は、７３０μｍ〜４．０ｍｍ粒径粉を用いたＴ
ｂＦｅＣｏターゲットの膜磁気特性とスパッタ時間の関
係図。 第２９図は、１０μｍ〜５７０μｍ空孔径発泡金属を用
いたＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とスパ
ッタ時間の関係図。 第３０図は、７３０μｍ〜４．Ｑｍｍ空孔径発泡金属を
用いたＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とス
パッタ時間の関係図。 第３１図は１０μｍ〜５７０μｍ空孔径発泡金屈を用い
たＴｂＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時
間の関係図。 第３２図は、７３０μｍ〜４．Ｏｍｍ空孔径発泡金属を
用いたＴｂＦｅＣｏターゲットの、膜磁気特性とスパッ
タ時間の関係図。 第３３図は、基板がターゲットと対向し、静止している
スパッタ装置の概略図。 第３４図は、基板がターゲット上を通過していくスパッ
タ装置の概略図。 第３５図は、光磁気記録媒体の構造図。 １　・”　（Ｎ　ｄ　Ｄ　ｙ）＋３（Ｆ　ｅ　Ｃ０）６
７　ａ　ｔ％組成相２・・・ＦｅＣｏ組成相 ３・・・ＦｅＤｙ組成相 ２１・・・スパッタリングターゲット ２２・・・基板ホルダー ４１　・”　（Ｎ　ｄｏ、＋ｚＤ　）’０．１１１１）
２５（Ｆ　ｅｏ、ｅｃ　００．２）７５ａｔ％組成相 ４２−　　（Ｎ　ｄｏ、＋　　Ｄ　Ｙｏ、ｔ）＋ｘ、：
＋　（Ｆ　ｅｏ、ａｃ　Ｏｏ、ｔ）ｂｈ、７ａｔ％組成
相 ７１・・・本発明ターゲット ７２・・・半溶融法ターゲット ８１・・・大気放置１０分 ８２・・・大気放置３０分 ８３・・・大気放置１時間 ８４・・・大気放置５時間 ８５・・・大気放置１０時間 １２１・・・本発明ターゲット １２２・・・半溶融法ターゲット １３１・・・大気放置１０分 １３２・・・大気放置３０分 １３３・・・大気放置１時間 １３４・・・大気放置３時間 １４１・・・ルツボ １４２・・・高周波誘導加熱コイル １４３・・・Ｒ＋Ｒ＋Ｔｚ母合金 １４４−Ｆ　ｅｓｏＣｏｚｏａ　ｔ％粉末１５１−　Ｆ
　ｅ　−Ｃｏ粒子 １、５２・・・Ｎｄ−Ｄｙの希土類金属単独相１５３−
　（ＮｄＤｙＬ　（ＦｅＣｏ）ｚの希土類遷移金属合金
相 １７１−Ｆ　ｅｑｚ、ｂｃ　０６．４　ａ　ｔ％の単独
相１７２・・・希土類金Ｊｉ（Ｔｂ）の単独相１７３・
・・遷移金属と希土類金属の合金相（ＴｂＦｅＣｏ） ２１１・・・空孔率３０％粉のターゲット２１２・・・
空孔率４０％粉のターゲット２１３・・・空孔率５０％
粉のターゲット２１４・・・空孔率６２％粉のターゲッ
ト２１５・・・空孔率７０％粉のターゲット２１６・・
・空孔率８０％粉のターゲット２２１・・・空孔率３０
％発泡シートのターゲット２２２・・・空孔率４０％発
泡シートのターゲット２２３・・・空孔率５０％発泡シ
ートのターゲット２２４・・・空孔率６２％発泡シート
のターゲット２２５・・・空孔率７０％発泡シートのタ
ーゲット２２６・・・空孔率８０％発泡シートのターゲ
ット２３１・・・空孔率３０％粉のターゲット２３２・
・・空孔率４３％粉のターゲット２３３・・・空孔率５
０％粉のターゲット２３４・・・空孔率６０％粉のター
ゲット２３５・・・空孔率７０％粉のターゲット２３６
・・・空孔率８０％粉のターゲット２４１・・・空孔率
３０％発泡シートのターゲット２４２・・・空孔率４３
％発泡シートのターゲット２４３・・・空孔率５０％発
泡シートのターゲット２４４・・・空孔率６０％発泡シ
ートのターゲット２４５・・・空孔率７０％発泡シート
のターゲット２４６・・・空孔率８０％発泡シートのタ
ーゲット２５１・・・１０μｍ粒径粉を用いたターゲッ
ト２５２・・・２４μｍ粒径粉を用いたターゲット２５
３・・・３８μｍ粒径粉を用いたターゲット２５４・・
・５３μｍ粒径粉を用いたターゲット２５５・・・１２
０μｍ２０μｍ粒径粉ターゲット２５６・・・２３０μ
ｍ３０μｍ粒径粉ターゲット２５７・・・５７（１１Ｉ
ｍ粒径粉を用いたターゲット２６１・・・７３０μｍ３
０μｍ粒径粉ターゲット２６２・・・１．０ｍｍｍｍ粒
径用いたターゲット２６３・・・１．５ｍｍｍｍ粒径用
いたターゲット２６４・・・２．５ｍｍｍｍ粒径用いた
ターゲット２６５・・・３．０ｍｍｍｍ粒径用いたター
ゲット２６６・・・３．２ｍｍｍｍ粒径用いたターゲッ
ト２６７・・・４．０ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット２
７１・・・１０μｍ粒径粉を用いたターゲット２７２・
・・２４μｍ粒径粉を用いたターゲット２７３・・・３
８μｍ粒径粉を用いたターゲット２７４・・・５３μｍ
粒径粉を用いたターゲット２７５・・・１２０μｍ２０
μｍ粒径粉ターゲット２７６・・・２３０μｍ３０μｍ
粒径粉ターゲット２７７・・・５７０μｍ粒径粉を用い
たターゲット２８１・・・７３０ｇｍ３０μｍ粒径粉タ
ーゲット２８２・・・１．０ｍｍｍｍ粒径用いたターゲ
ット２８３・・・１．５ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット
２８４・・・２．５ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット２８
５・・・３．０ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット２８６・
・・３．２ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット２８７・・・
４．０ｍｍｍｍ粒径用いたターゲット２９１・・・１０
μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲット ２９２・・・２４８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト ２９３・・・３８８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト ２９４・・・５３８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト ２９５・・・１２０８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ２９６・・・２３０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ２９７・・・５７０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３（１１・・・７３０８ｍ空孔径発泡金属を用いたター
ゲット ３（１２・・・１．０ｍｍ空孔径発泡金属を用いたター
ゲット ３（１３・・・１．５ｍｍ空孔径発泡金属を用いたター
ゲット ３０４・・・２．５ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３０５・・・３．０ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ラＩ・ ３０６・・・３．２ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３０７・・・４．０ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３１１・・・１０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト ３１２・・・２４８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト ３１３・・・３８μｍ空孔径発泡金凰を用いたターゲッ
ト ３１４・・・５３８ｍ空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト ３１５・・・１２０ｔＩｍ空孔径発泡金屈を用いたター
ゲット ３１６・・・２３０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３１７・・・５７０μｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３２１・・・７３０　ｇｍ空孔径発泡金属を用いたター
ゲット ３２２・・・１．０ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３２３・・・１．５ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３２４・・・２．５ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３２５・・・３．０ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３２６・・・３．２ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３２７・・・４．０ｍｍ空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット ３３１・・・ターゲット ３３２・・・基板 ３４１・・・ターゲット ３４２・・・基板 ３５１・・・ポリカーボネート基板 ３５２・・・Ａ／！ＳｉＮ誘電体膜 ３５３・＝ＮｄＤｙＦｅＣｏ光磁気記録膜３５４・・・
Ａｊ２ＳｉＮ誘電体膜 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士　上柳　雅誉　他１名 第２図 ６６７女− ｃｒ・Ｋｃ、’。 大３−’Ｐ８ｉ乙１吋ｒ８１ｉ’ｋｔｙ＞λｔ　’ｆ　
・・ｔ　９　ＩＩ＋ｆａ’Ｊ（？＝０）　　　　　　　
　　　　　　　　　（？−１５″ｅ−）１ダ３ ７第１テ図 Ｃ卜・’）　　　　　　　　　　　　　　（？’・１５
）０”′°″）　　　第１８図　　（”′ト９箋１（１
図（α） 築１９図（ｂ） ２／乙 （Ｙン１５Ｑ−） ２３み Ｃと−ｌダひ−ノ 第２７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
   ッタリングにて製造するための鋳造合金ターゲットにお
   いて、前記鋳造合金ターゲット中の金属組織が希土類金
   属単体相と遷移金属単体相と希土類遷移金属合金相から
   なることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 （２）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
   、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の
   軽希土類金属（ＬＲ）と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少
   なくとも１種類以上の重希土類金属（ＨＲ）とを含み、
   さらにＦｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移金属
   （ＴＭ）を含むことを特徴とする第１項記載のスパッタ
   リング用ターゲット。（３）前記スパッタリング用ター
   ゲットの主たる組成が、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少な
   くとも１種以上の重希土類金属（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏ
   のうち少なくとも１種以上の遷移金属（ＴＭ）を含むこ
   とを特徴とする第１項記載のスパッタリング用ターゲッ
   ト。 （４）前記スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移
   金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ、前記遷
   移金属の融点と前記鋳塊の融点との間の温度で前記型内
   を加熱し、その後冷却してできた成形体を加工し作製さ
   れることを特徴とする第１項又は第２項又は第３項記載
   のスパッタリング用ターゲットの製造方法。 （５）前記スパッタリング用ターゲットが、型内に発泡
   状遷移金属のシートと希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ
   、前記遷移金属シートの融点と前記鋳塊の融点との間の
   温度で前記型内を加熱し、その後冷却してできた成形体
   を加工し作製されることを特徴とする第１項又は第２項
   又は第３項記載のスパッタリング用ターゲットの製造方
   法。 （６）前記スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移
   金属粉末と希土類遷移金属合金粉末とが混合された混合
   粉として入れられ、前記遷移金属と前記希土類遷移金属
   合金との間の融点で前記型内を加熱し、その後冷却して
   できた成形体を加工し作製されることを特徴とする第１
   項又は第２項又は第３項のスパッタリング用ターゲット
   の製造方法。 （７）前記スパッタリング用ターゲットが、空孔率３０
   ％以上８０％以下の遷移金属粉末を用いて作製されるこ
   とを特徴とする第４項記載のスパッタリング用ターゲッ
   トの製造方法。 （８）前記スパッタリング用ターゲットが、空孔率３０
   ％以上８０％以下の発泡状遷移金属のシートを用いて作
   製されることを特徴とする第５項記載のスパッタリング
   用ターゲットの製造方法。 （９）前記スパッタリング用ターゲットの製造方法にお
   いて、前記遷移金属粉末の平均粒径が１０μｍ以上３．
   ０ｍｍ以下であることを特徴とする第４項記載のスパッ
   タリング用ターゲットの製造方法。 （１０）前記スパッタリング用ターゲットの製造方法に
   おいて、前記発泡状遷移金属のシートの平均空孔径が１
   ０μｍ以上３．０ｍｍ以下であることを特徴とする第５
   項記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法。 （１１）前記スパッタリング用ターゲットの製造方法に
   おいて、前記希土類遷移金属の鋳塊の組成が、融点が１
   ２００℃以下の組成からなる前記鋳塊を用いることを特
   徴とする第４項又は第５項又は第６項記載のスパッタリ
   ング用ターゲットの製造方法。 （１２）前記スパッタリング用ターゲットの製造方法に
   おいて、前記成形体を熱処理することを特徴とする第４
   項又は第５項記載のスパッタリング用ターゲットの製造
   方法。 （１３）透明基板上に、少なくとも１層の誘電体膜と少
   なくとも１層の光磁気記録膜が存在する光磁気記録媒体
   において、第１項、第２項又は第３項記載のスパッタリ
   ング用ターゲットを用いて製造したことを特徴とする磁
   気記録媒体。