JPH01259165A - スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲットの製造方法Info
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- JPH01259165A JPH01259165A JP8431288A JP8431288A JPH01259165A JP H01259165 A JPH01259165 A JP H01259165A JP 8431288 A JP8431288 A JP 8431288A JP 8431288 A JP8431288 A JP 8431288A JP H01259165 A JPH01259165 A JP H01259165A
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- C23C14/34—Sputtering
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G—PHYSICS
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- H01F41/183—Sputtering targets therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの製造方法に関する。
トの製造方法に関する。
［従来の技術］
希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは大きく別けて、希土類遷移金属合金相
のみが存在する単相タイプと、希土類金属相と遷移金属
相と希土類遷移金属合金相の３相タイプとがよく知らて
いる。３相タイプは、さらに２つの製造方法があり、特
開昭６１−９９６４０に示す焼結タイプと、特願昭６２
−２３２７７２．６２−２５３００１に示す溶融タイプ
がある。
グ用ターゲットは大きく別けて、希土類遷移金属合金相
のみが存在する単相タイプと、希土類金属相と遷移金属
相と希土類遷移金属合金相の３相タイプとがよく知らて
いる。３相タイプは、さらに２つの製造方法があり、特
開昭６１−９９６４０に示す焼結タイプと、特願昭６２
−２３２７７２．６２−２５３００１に示す溶融タイプ
がある。
このうち、３相溶融タイプの製造方法のうち、特願昭６
２−３１５６１３ 、同６２−３１５６ ］、 ４に示
ず遷移金属粉末上に希土類遷移金属鋳塊を置き、鋳塊を
溶融させ粉末内に浸み込まセて作成する方法てば、粉末
のコントロールが重要となってくる。
２−３１５６１３ 、同６２−３１５６ ］、 ４に示
ず遷移金属粉末上に希土類遷移金属鋳塊を置き、鋳塊を
溶融させ粉末内に浸み込まセて作成する方法てば、粉末
のコントロールが重要となってくる。
［発明が解決しようとする課題１
つまり、粉末の空孔の内に、溶融した鋳塊が浸み込みク
ーゲラ１へが作られるのであるから、ターゲラ［・組成
は、粉末の空孔率で決定されることになる。そこで本発
明の目的は、粉末の空孔率を制御することにより、所望
の組成の各種ターゲットを提供するところにある。
ーゲラ１へが作られるのであるから、ターゲラ［・組成
は、粉末の空孔率で決定されることになる。そこで本発
明の目的は、粉末の空孔率を制御することにより、所望
の組成の各種ターゲットを提供するところにある。
［課題を解決１−るための手段］
型内に遷移金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳塊を入
れ、加熱し作成するスパッタリング用ターゲットにおい
て、遷移金属の粉末の空孔率が３０％以上９０％以下で
あることを特徴とする。
れ、加熱し作成するスパッタリング用ターゲットにおい
て、遷移金属の粉末の空孔率が３０％以上９０％以下で
あることを特徴とする。
［作 用１
型内に遷移金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳塊を入
れ、加熱し作成するスパッタリング用ターゲッ！〜の組
成は、粉末の空孔率で決定されつまり、粉末の空孔中に
しか、溶融した鋳塊が浸み込めないため、クーゲラＩ・
中の希土ＩＪ金属量が粉末の空孔率で規定されてしまう
からである。
れ、加熱し作成するスパッタリング用ターゲッ！〜の組
成は、粉末の空孔率で決定されつまり、粉末の空孔中に
しか、溶融した鋳塊が浸み込めないため、クーゲラＩ・
中の希土ＩＪ金属量が粉末の空孔率で規定されてしまう
からである。
媒体の組成は希土類金属量が］、５ａｔ％〜３５ａｌ；
％ぐらいまてが要求されるため、それに伴いクーゲラ［
・の組成を合わせなυづればならない。それを満たすた
め粉末の空孔率を種々変えることによりターゲット組成
を合わぜようとするものである。
％ぐらいまてが要求されるため、それに伴いクーゲラ［
・の組成を合わせなυづればならない。それを満たすた
め粉末の空孔率を種々変えることによりターゲット組成
を合わぜようとするものである。
具体的に簡単に説明する。空孔率が３０％程度の粉末を
用意し、その上に鋳塊を置く。第１図（ａ）がそれであ
る。そして鋳塊を溶融し、粉末中に含浸させた状態が第
１図（ｂ）である。粉末中の空孔にし力科容融した鋳塊
が入り込まないのがわかる。次に空孔率が８０％の粉末
を用意し、その」二に鋳塊を置いたものが第２図（ａ）
である。
用意し、その上に鋳塊を置く。第１図（ａ）がそれであ
る。そして鋳塊を溶融し、粉末中に含浸させた状態が第
１図（ｂ）である。粉末中の空孔にし力科容融した鋳塊
が入り込まないのがわかる。次に空孔率が８０％の粉末
を用意し、その」二に鋳塊を置いたものが第２図（ａ）
である。
同様に鋳塊を溶融し、粉末中に含浸さセた状態が第２図
（１つ）である。この様にすることにより粉末の空孔率
を制御し、組成を決定することがてきるのである。
（１つ）である。この様にすることにより粉末の空孔率
を制御し、組成を決定することがてきるのである。
（実施例］）
まず原＋４として（Ｎｄｏ、 ２ＤｙＯ，ＩＩ） ７２
．２ （Ｆｅｏ、 ａＣＯｏ、２）２７．８ ａｔ％の
鋳塊を作る（以下この鋳塊を１１＋ＲＩＴ２鋳塊と呼ぶ
）。この鋳塊の融点は８３０°Ｃ程度と低い。そして次
にＦｅ８ｏＣｏ２ｏ ａｔ％の２００１１ｍ粉径の粉末
４用意した。この粉末の融点は１５００°Ｃ程度と高く
、又この粉末の空孔率（」６２４％である。
．２ （Ｆｅｏ、 ａＣＯｏ、２）２７．８ ａｔ％の
鋳塊を作る（以下この鋳塊を１１＋ＲＩＴ２鋳塊と呼ぶ
）。この鋳塊の融点は８３０°Ｃ程度と低い。そして次
にＦｅ８ｏＣｏ２ｏ ａｔ％の２００１１ｍ粉径の粉末
４用意した。この粉末の融点は１５００°Ｃ程度と高く
、又この粉末の空孔率（」６２４％である。
この粉末を４″φ内径のルツボ中に入れ、その上ニＲ＋
Ｒｌ ”Ｉ’ ２鋳塊を入れる。この状態を示した模式
図が第３図である。］がルツボ、２が高周波誘導加熱コ
イル、３がＲ＋ ＲＩ Ｔ ２鋳塊、４がＦｅ５ｏＣＯ
２ｏ ａｔ％扮末である。この状態を真空に引き、その
後１０５０°Ｃまで温度を上げる。このときＲ＋ＲＩＴ
２鋳塊はン容解されており、Ｆｅ −Ｃｏ粉末は溶解し
ないまま粉末の状態で存在している。
Ｒｌ ”Ｉ’ ２鋳塊を入れる。この状態を示した模式
図が第３図である。］がルツボ、２が高周波誘導加熱コ
イル、３がＲ＋ ＲＩ Ｔ ２鋳塊、４がＦｅ５ｏＣＯ
２ｏ ａｔ％扮末である。この状態を真空に引き、その
後１０５０°Ｃまで温度を上げる。このときＲ＋ＲＩＴ
２鋳塊はン容解されており、Ｆｅ −Ｃｏ粉末は溶解し
ないまま粉末の状態で存在している。
つまりＲ＋ Ｒ＋ ’Ｆ２鋳塊が溶解した溶湯はＦｅ−
Ｇ。
Ｇ。
粉末の空孔中に浸み込み空孔を埋めることになる。その
後冷却し、ルツボ中の塊を取り出し外周、表面加工し４
′φＸ３ｔのスパッタリング用クーゲットを作成した。
後冷却し、ルツボ中の塊を取り出し外周、表面加工し４
′φＸ３ｔのスパッタリング用クーゲットを作成した。
このり−ゲラ１へ組成（」Ｎｄｂ、Ｄ、Ｙ５Ｂ、 ｏＦ
ｅ５８．０ＣＯ１４，６ａ＋％となっている。このクー
ゲットの表面組織の模式図を第４図に示す。２１の相は
Ｆｅ−Ｃｏ粒子、２２の相ｆ：ｊ： Ｎｄ−１ａｙ希土
類単独相、２３は（ＮｄＤｙ） ＋ （ＦｅＣ：ｏ）
２の希土すｐ遷移金属合金相である。つまり希土頌単独
相と希土類遷移金属合金相と遷移金属粉末上の３相にな
っているのである。
ｅ５８．０ＣＯ１４，６ａ＋％となっている。このクー
ゲットの表面組織の模式図を第４図に示す。２１の相は
Ｆｅ−Ｃｏ粒子、２２の相ｆ：ｊ： Ｎｄ−１ａｙ希土
類単独相、２３は（ＮｄＤｙ） ＋ （ＦｅＣ：ｏ）
２の希土すｐ遷移金属合金相である。つまり希土頌単独
相と希土類遷移金属合金相と遷移金属粉末上の３相にな
っているのである。
このＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを第５図に示す様なス
パッタリング装置に装着し、成膜しその６７主気特性及
び組成分布を調べてみた。第５図の３１がスパックリン
グターゲラ１〜であり、３２が基板ポルグー（３００φ
）である。成膜条件はＡｒ圧２５ｍＴｏｒｒ 、初期真
空度３ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ、投入電力はＤＣ電源を
用い１．０Ａ ３４０Ｖでおこなった。第６図に本発明
ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特
性分布図を示す。この図に示す様に組成ばＲＥが２８．
０〜２８．５ａｔ％て均一てあり、ｆｉｎ気特性もＨｃ
が９７〜１０．５ＫＯｅで均一である。基板ポルグー内
にほとんどいって良いほど均一な膜が成膜できている。
パッタリング装置に装着し、成膜しその６７主気特性及
び組成分布を調べてみた。第５図の３１がスパックリン
グターゲラ１〜であり、３２が基板ポルグー（３００φ
）である。成膜条件はＡｒ圧２５ｍＴｏｒｒ 、初期真
空度３ Ｘ １０−７Ｔｏｒｒ、投入電力はＤＣ電源を
用い１．０Ａ ３４０Ｖでおこなった。第６図に本発明
ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特
性分布図を示す。この図に示す様に組成ばＲＥが２８．
０〜２８．５ａｔ％て均一てあり、ｆｉｎ気特性もＨｃ
が９７〜１０．５ＫＯｅで均一である。基板ポルグー内
にほとんどいって良いほど均一な膜が成膜できている。
当然このターゲットは溶融タイプであるので酸素量は少
な（５００ｐｐｍであった。
な（５００ｐｐｍであった。
次にＦｅ８ｏＣＯ２ｏ ａｔ％扮の空孔率を変えた粉末
を用意し、先の製造方法と同様にターゲット作成した。
を用意し、先の製造方法と同様にターゲット作成した。
つまり各種空孔率の異なるＦｅ Ｃｏ扮末を下に敷き、
その上に（Ｎｄｏ、 ２Ｄｙｏ、 ８１７゜ｏ （Ｆｅ
８ｏＯ２ｏ２７８ａｔ％の鋳塊を置き、１０５０℃まで
加熱し、ターゲットを作成した。用いた粉末の空孔率と
出来たターゲット組成は下表の通りである。
その上に（Ｎｄｏ、 ２Ｄｙｏ、 ８１７゜ｏ （Ｆｅ
８ｏＯ２ｏ２７８ａｔ％の鋳塊を置き、１０５０℃まで
加熱し、ターゲットを作成した。用いた粉末の空孔率と
出来たターゲット組成は下表の通りである。
表 １
ＦｅＣｏ粉空孔率（％） ターゲット組成（ａｔ％）３
０ Ｎｄ２７Ｄｙｚ６Ｆｅｒ、５３ＣＯ１７
，４４０Ｎｄ３．６ Ｄｙ＋４．２ Ｆｅ６５． ａ
Ｃ０１６，４５０Ｎｄ４．４ Ｄｙ＋７６Ｆｅ６２．
ａ Ｃ０１５，６７０Ｎｄ６．２ Ｄｙ２４．７ Ｆｅ
５５．３ ＣＯ＋３． ａ８０ Ｎｄ７．
＋ Ｄｙｚ３３Ｆｅ５＋、 ｓ ＣＯ１２，ｓこれらＦ
ｅＣｏ粉末空孔率を変えたターゲットを用いて、第５図
と同様のスパッタ装置で成膜し、基板ホルダー内の組成
分布をみた。第７図がそれてあり、７１が空孔率３０％
のターゲットで成膜した組成分布、７２が空孔率４０％
のターゲットで成膜した組成分布、７３が空孔率５０％
のターゲットで成膜した組成分布、７４が空孔率７０％
のターゲットで成膜した組成分布、７５が空孔率８０％
のターゲットで成膜した組成分布である。
０ Ｎｄ２７Ｄｙｚ６Ｆｅｒ、５３ＣＯ１７
，４４０Ｎｄ３．６ Ｄｙ＋４．２ Ｆｅ６５． ａ
Ｃ０１６，４５０Ｎｄ４．４ Ｄｙ＋７６Ｆｅ６２．
ａ Ｃ０１５，６７０Ｎｄ６．２ Ｄｙ２４．７ Ｆｅ
５５．３ ＣＯ＋３． ａ８０ Ｎｄ７．
＋ Ｄｙｚ３３Ｆｅ５＋、 ｓ ＣＯ１２，ｓこれらＦ
ｅＣｏ粉末空孔率を変えたターゲットを用いて、第５図
と同様のスパッタ装置で成膜し、基板ホルダー内の組成
分布をみた。第７図がそれてあり、７１が空孔率３０％
のターゲットで成膜した組成分布、７２が空孔率４０％
のターゲットで成膜した組成分布、７３が空孔率５０％
のターゲットで成膜した組成分布、７４が空孔率７０％
のターゲットで成膜した組成分布、７５が空孔率８０％
のターゲットで成膜した組成分布である。
いづれのターゲットにおいても、本発明製造法によるタ
ーゲットで成膜した組成分布は極めて小さく良好な均一
性を示している。空孔率が３０％〜８０％までのターゲ
ットのデータしかないのは、３０％より小さな空孔率の
粉末を用いた場合は、空孔中に十分溶湯が浸み込まず、
ターゲットの作成がてきないためてあり、又８０％より
大きな空孔率の粉末は、粉末自身の作成が困難となるた
めターゲットの作成が出来ないからである。
ーゲットで成膜した組成分布は極めて小さく良好な均一
性を示している。空孔率が３０％〜８０％までのターゲ
ットのデータしかないのは、３０％より小さな空孔率の
粉末を用いた場合は、空孔中に十分溶湯が浸み込まず、
ターゲットの作成がてきないためてあり、又８０％より
大きな空孔率の粉末は、粉末自身の作成が困難となるた
めターゲットの作成が出来ないからである。
この様に本発明による各種空孔率を制御した粉末を用い
ることにより、膜組成を制御することが可能となった。
ることにより、膜組成を制御することが可能となった。
尚、本発明はＮｄＤｙＦｅＣｏに限るものではなく、Ｐ
ｒＴｂＦｅＣｏ、 ＳｍＧｄＦｅＣｏ、 ＳｍＤｙＴｂ
ＦｅＣｏ、 ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ、
ＰｒＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＳｍＧｄＦｅＣｏ、ＣｅＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、等のＳｍ、
Ｎｄ、 Ｐｒ、 Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽
希土類金属と、Ｆｅ、 Ｇｏのうちの少なくとも１種以
上の遷移金属とを含む全ての組成系について本発明法は
有効であることは、特願昭６２−３１５６１３からも明
らかである。
ｒＴｂＦｅＣｏ、 ＳｍＧｄＦｅＣｏ、 ＳｍＤｙＴｂ
ＦｅＣｏ、 ＮｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、Ｎ
ｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＰｒＤｙＴｂＦｅＣｏ、
ＰｒＤｙＦｅＣｏ、 ＮｄＳｍＧｄＦｅＣｏ、ＣｅＮｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＣｅＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、等のＳｍ、
Ｎｄ、 Ｐｒ、 Ｃｅのうち少なくとも１種以上の軽
希土類金属と、Ｆｅ、 Ｇｏのうちの少なくとも１種以
上の遷移金属とを含む全ての組成系について本発明法は
有効であることは、特願昭６２−３１５６１３からも明
らかである。
（実施例２）
次にＴｂＦｅＣｏについて本発明法による効果を確認し
た。製造方法は実施例１と同しであり、まず原料として
Ｔｂ７２（Ｆｅｏ、 ＋１ｃＯｏ、 １）２８ ａｔ％
の母合金鋳塊を作るこの母合金の融点は８４７°Ｃ程度
と低い。そして次にＦｅ９゜Ｃｏｔ。ａｔ％の２０θμ
ｍ粒径、空孔率４３２％の粉末を用意した。この粉末の
融点は１５００°Ｃと高い。
た。製造方法は実施例１と同しであり、まず原料として
Ｔｂ７２（Ｆｅｏ、 ＋１ｃＯｏ、 １）２８ ａｔ％
の母合金鋳塊を作るこの母合金の融点は８４７°Ｃ程度
と低い。そして次にＦｅ９゜Ｃｏｔ。ａｔ％の２０θμ
ｍ粒径、空孔率４３２％の粉末を用意した。この粉末の
融点は１５００°Ｃと高い。
この粉末を４″φ内径のルツボ中に入れ、その上に母合
金鋳塊を入れ１０５０℃まで加熱し、母合金を溶融し粉
末の空孔中に浸み込ませた後、冷却しターゲット形状に
加工した。このターゲット組織もＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、Ｔ
Ｍの３相となっており、全体の組成はＴｂ２ｚＦｅ７ｏ
、 ２ＣＯ７，８ａｔ％となっていた。このＴｂＦｅＣ
ｏターゲットを用いて、第５図と同様のスパッタリング
装置で成膜し、基板ホルダー内の組成分布及び磁気特性
分布をみたのが第８図である。このＴｂＦｅＣｏターゲ
ットにおいてもホルタ−内の組成分布、磁気特性分布は
小さく良好であることがわかる。
金鋳塊を入れ１０５０℃まで加熱し、母合金を溶融し粉
末の空孔中に浸み込ませた後、冷却しターゲット形状に
加工した。このターゲット組織もＲＥ、ＲＥ−ＴＭ、Ｔ
Ｍの３相となっており、全体の組成はＴｂ２ｚＦｅ７ｏ
、 ２ＣＯ７，８ａｔ％となっていた。このＴｂＦｅＣ
ｏターゲットを用いて、第５図と同様のスパッタリング
装置で成膜し、基板ホルダー内の組成分布及び磁気特性
分布をみたのが第８図である。このＴｂＦｅＣｏターゲ
ットにおいてもホルタ−内の組成分布、磁気特性分布は
小さく良好であることがわかる。
次にＦｅ９ｏＣｏ＋ｏ ａｔ％の粉の空孔率を変えた粉
末を用意し、母合金鋳塊はＴｂ７２（Ｆｅｏ、 ＋１ｃ
Ｏｏ、 ｌ） ２８ ａｔ％を同様に用い、ターゲット
を作成した。用いた粉末の空孔率と出来たターゲット組
成は下表の通りである。
末を用意し、母合金鋳塊はＴｂ７２（Ｆｅｏ、 ＋１ｃ
Ｏｏ、 ｌ） ２８ ａｔ％を同様に用い、ターゲット
を作成した。用いた粉末の空孔率と出来たターゲット組
成は下表の通りである。
表 ２
ＦｅＣｏ粉空孔率（％） ターゲット組成（ａｔ％）３
０ Ｔｂ＋５Ｆｅ７６、 ｅ Ｃｏａ５
５０ Ｔｂ２５５Ｆｅ６７、 ｏ Ｃ０
７５６０Ｔｔ）ａｏ５ＦＢ６２．６ ＣＯ６，９７０Ｔ
ｂ３５．６ Ｆｅ５ｓ、 ｏ ＣＯ６，６８０Ｔｂ４ｏ
、 ７ Ｆｅ５：＋、 ４ ＣＯ５，９これらＦｅＣｏ
粉空孔率を変えたターゲットを用いて、第５図と同様の
スパック装置で、基板ホルダ−内の膜組成分布をみたの
が第８図である。８１が空孔率３０％のターゲットで成
膜した組成分布、８２が空孔率５０％のターゲットで成
膜した組成分布、８３が空孔率６０％のターゲットで成
膜した組成分布、８４が空孔率７０％のターゲットで成
膜した組成分布、８５が空孔率８０％のターゲットで成
膜した組成分布である。
０ Ｔｂ＋５Ｆｅ７６、 ｅ Ｃｏａ５
５０ Ｔｂ２５５Ｆｅ６７、 ｏ Ｃ０
７５６０Ｔｔ）ａｏ５ＦＢ６２．６ ＣＯ６，９７０Ｔ
ｂ３５．６ Ｆｅ５ｓ、 ｏ ＣＯ６，６８０Ｔｂ４ｏ
、 ７ Ｆｅ５：＋、 ４ ＣＯ５，９これらＦｅＣｏ
粉空孔率を変えたターゲットを用いて、第５図と同様の
スパック装置で、基板ホルダ−内の膜組成分布をみたの
が第８図である。８１が空孔率３０％のターゲットで成
膜した組成分布、８２が空孔率５０％のターゲットで成
膜した組成分布、８３が空孔率６０％のターゲットで成
膜した組成分布、８４が空孔率７０％のターゲットで成
膜した組成分布、８５が空孔率８０％のターゲットで成
膜した組成分布である。
本実施においても十分な均一があることがわかる。又、
空孔率が３０未満、８０％より大きい、ターゲットが示
してないのは実施例１と同様の理由からである。
空孔率が３０未満、８０％より大きい、ターゲットが示
してないのは実施例１と同様の理由からである。
尚、本発明もＴｂＦｅＣｏに限るものではなく、ＤｙＦ
ｅＣｏ、 ＴｂＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅ
Ｃｏ、 ＧｄＤｙＦｅＣｏ、 ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、
ＤｙＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ、 ｏｙのうち少なくとも
１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ、 Ｇｏのうち少なく
とも１種以上の遷移金属とを含む全ての組成系について
有効なのは、特願昭６２−３１５６１４からも明らかで
ある。
ｅＣｏ、 ＴｂＧｄＦｅＣｏ、 ＴｂＦｅ、 ＧｄＦｅ
Ｃｏ、 ＧｄＤｙＦｅＣｏ、 ＧｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、
ＤｙＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＴｂＤｙＣｏ等のＧｄ、Ｔｂ、 ｏｙのうち少なくとも
１種以上の重希土類金属と、Ｆｅ、 Ｇｏのうち少なく
とも１種以上の遷移金属とを含む全ての組成系について
有効なのは、特願昭６２−３１５６１４からも明らかで
ある。
［発明の効果］
この様に本発明を用いれば、粉末の空孔率を制御するこ
とにより、所望膜組成あるいはターゲット組成が得られ
るものである。
とにより、所望膜組成あるいはターゲット組成が得られ
るものである。
第１図（ａ）は空孔率３０％の粉末上に鋳塊を置いた模
式図。 第１図（ｂ）は空孔率３０％の粉末中に溶湯が浸み込ん
だ状態の模式図。 第２図（ａ）は空孔率８０％の粉末上に鋳塊を置いた模
式図。 第２図（ｂ）は空孔率８０％の粉末中に溶湯が浸み込ん
だ状態の模式図。 第３図が本発明法の模式図。 第４図が本発明法によるターゲットの金属組成の模式図
。 第５図がスパッタリング装置の概略図。 第６図が本発明ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用いた基
板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第７図は各種空孔率粉末を用い作成したＮｄＤｙＦｅＣ
０ターゲットの膜組成分布図。 第８図が本発明ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた基板ホ
ルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第９図は各種空孔率粉末を用い作成したＴｂＦｅＣ。 ターゲットの膜組成分布図。 １・・・ルツボ ２・・・高周波誘導加熱コイル ３・・・Ｒ＋ Ｒ＋ Ｔ ２鋳塊 ４・・・Ｆｅ８ｏＣｏ２゜ａｔ％粉末 ２１・ ・ ・Ｆｅ−００粒子 ２２・・・Ｎｄ−Ｄｙ希土類単独相 ２３−− ・（ＮｄＤｙ）＋（ＦｅＣｏ）２の希土類遷
移金属合金相 ３１・・・スパッタリングターゲット ３２・・・基板ホルダー（３０ｏφ） ７１・・・空孔率３０％のターゲットで成膜した組成分
布 ７２・・・空孔率４０％のターゲットで成膜した組成分
布 ７３・・・空孔率５０％のターゲットで成膜し１ま た組成分布 ７４・・・空孔率７０％のターゲットで成膜した組成分
布 ７５・・・空孔率８０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８１・・・空孔率３０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８２・・・空孔率５０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８３・・・空孔率６０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８４・・・空孔率７０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８５・・・空孔率８０％のターゲットで成膜した組成分
布 以上 出願人 セ右コーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳 雑書（他１名）第２１．ｆｌ
（ｂ） 菓４図 第５図
式図。 第１図（ｂ）は空孔率３０％の粉末中に溶湯が浸み込ん
だ状態の模式図。 第２図（ａ）は空孔率８０％の粉末上に鋳塊を置いた模
式図。 第２図（ｂ）は空孔率８０％の粉末中に溶湯が浸み込ん
だ状態の模式図。 第３図が本発明法の模式図。 第４図が本発明法によるターゲットの金属組成の模式図
。 第５図がスパッタリング装置の概略図。 第６図が本発明ＮｄＤｙＦｅＣｏターゲットを用いた基
板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第７図は各種空孔率粉末を用い作成したＮｄＤｙＦｅＣ
０ターゲットの膜組成分布図。 第８図が本発明ＴｂＦｅＣｏターゲットを用いた基板ホ
ルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第９図は各種空孔率粉末を用い作成したＴｂＦｅＣ。 ターゲットの膜組成分布図。 １・・・ルツボ ２・・・高周波誘導加熱コイル ３・・・Ｒ＋ Ｒ＋ Ｔ ２鋳塊 ４・・・Ｆｅ８ｏＣｏ２゜ａｔ％粉末 ２１・ ・ ・Ｆｅ−００粒子 ２２・・・Ｎｄ−Ｄｙ希土類単独相 ２３−− ・（ＮｄＤｙ）＋（ＦｅＣｏ）２の希土類遷
移金属合金相 ３１・・・スパッタリングターゲット ３２・・・基板ホルダー（３０ｏφ） ７１・・・空孔率３０％のターゲットで成膜した組成分
布 ７２・・・空孔率４０％のターゲットで成膜した組成分
布 ７３・・・空孔率５０％のターゲットで成膜し１ま た組成分布 ７４・・・空孔率７０％のターゲットで成膜した組成分
布 ７５・・・空孔率８０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８１・・・空孔率３０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８２・・・空孔率５０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８３・・・空孔率６０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８４・・・空孔率７０％のターゲットで成膜した組成分
布 ８５・・・空孔率８０％のターゲットで成膜した組成分
布 以上 出願人 セ右コーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳 雑書（他１名）第２１．ｆｌ
（ｂ） 菓４図 第５図
Claims (3)
- （１）型内に遷移金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳
塊を入れ、加熱し作成するスパッタリング用ターゲット
において、前記遷移金属の粉末の空孔率が３０％以上８
０％以下であることを特徴とするスパッタリング用ター
ゲットの製造方法。 - （２）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅのうち少なくとも１種以上の
軽希土類金属（ＬＲ）と、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうちの少
なくとも１種以上の重希土類金属（ＨＲ）とを含み、さ
らにＦｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種以上の遷移金属（
ＴＭ）を含むことを特徴とする請求項１記載のスパッタ
リング用ターゲットの製造方法。 - （３）前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙのうち少なくとも１種類以上の重希
土類（ＨＲ）と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以
上の遷移金属（ＴＭ）を含むことを特徴とする請求項１
記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084312A JP2586562B2 (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲットの製造方法 |
| DE3885690T DE3885690T2 (de) | 1987-09-17 | 1988-09-14 | Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubungstargets zur Verwendung bei der Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums. |
| EP88308503A EP0308201B1 (en) | 1987-09-17 | 1988-09-14 | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium |
| KR1019880011970A KR930007159B1 (ko) | 1987-09-17 | 1988-09-16 | 광자기 기록매체, 스파터링용 타게트 및 스파터링용 타게트의 제조방법 |
| CN88106744A CN1033654A (zh) | 1987-09-17 | 1988-09-17 | 光磁记录介质、溅射用靶及溅射用靶的制造方法 |
| HK130197A HK130197A (en) | 1987-09-17 | 1997-06-26 | Method of forming a sputtering target for use in producing a magneto-optic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084312A JP2586562B2 (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259165A true JPH01259165A (ja) | 1989-10-16 |
| JP2586562B2 JP2586562B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13826985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63084312A Expired - Lifetime JP2586562B2 (ja) | 1987-09-17 | 1988-04-06 | スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586562B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298155A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59145764A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-21 | Mitsubishi Metal Corp | 制振性および潤滑性のすぐれた強磁性複合焼結材料 |
| JPS61179534A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング装置用複合タ−ゲツト |
| JPS6310354A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63084312A patent/JP2586562B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59145764A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-21 | Mitsubishi Metal Corp | 制振性および潤滑性のすぐれた強磁性複合焼結材料 |
| JPS61179534A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング装置用複合タ−ゲツト |
| JPS6310354A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298155A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586562B2 (ja) | 1997-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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