JPH01298753A - ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ - Google Patents

ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ

Info

Publication number
JPH01298753A
JPH01298753A JP63129979A JP12997988A JPH01298753A JP H01298753 A JPH01298753 A JP H01298753A JP 63129979 A JP63129979 A JP 63129979A JP 12997988 A JP12997988 A JP 12997988A JP H01298753 A JPH01298753 A JP H01298753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
package
heat sink
chip
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63129979A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Maeda
前田 利夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63129979A priority Critical patent/JPH01298753A/ja
Publication of JPH01298753A publication Critical patent/JPH01298753A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20436Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
    • H05K7/20445Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing the coupling element being an additional piece, e.g. thermal standoff
    • H05K7/20463Filling compound, e.g. potted resin

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はICチップを封入するICパッケージに関する
〔従来の技術〕
従来、ヒートシンク付ICパッケージは第3図に示すよ
うにキャップ17をはずした状態でICチップ18をI
Cパッケージ15に固定し、ICCチラシ1の発生する
熱をICパッケージ15経出でヒートシンク14により
発散する構造となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のICパッケージは、その実装可能なIC
の大きさが該ICパッケージ15の端子16の位置によ
って制限された大きさをもつキャップ17により制限さ
れるという欠点があった。さらにはICチップからの熱
はICパッケージ15を介してヒートシンク14より発
散させるため、熱伝導率が悪く、ICチップの熱を十分
に放熱することができなかった。
本発明の目的は前記課題を解消したヒートシンク付ピン
グリッドアレイICパッケージを提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のヒートシンク付ピングリッドアレイIC
パッケージに対し、本発明は端子位置により実装可能な
I(1,の大きさが制限を受けることがなくなるという
相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明のヒートシンク付ピン
グリッドアレイICパッケージは、ICパッケージの端
子位置と反対面にキャビティを設けてICチップを実装
し、さらにICチップを取り付けたキャビティ内に熱良
導性及び非導電性の液体を封入し、該キャビティをヒー
トシンクにて閉塞したものである。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の実施例1を示す断面図である。
図において、本発明に係るICパッケージ2は端子3と
反対面にキャビティ5を有し、該キャビティ5内にIC
チップ4を内蔵した構造のものである。
さらに、本発明はICパッケージ2の端子3と反対面に
搭載するヒートシンク1内にICパッケージ2のキャビ
ティ5に連通する空胴1aを形成してあり、液体注入孔
6より熱良導性及び非導電性の液体りをヒートシンク1
の空111a及びICパッケージ2のキャビティ5に充
填した構造のものである。液体りの充填後は液体注入孔
6を封止する。
ヒートシンク1は取外し可能な構造となっており、IC
チップ4はこのヒートシンク1を取外した状態でICパ
ッケージ2に固定され、ICチップ4と端子3の間を接
続するためのボンディングを行った後、キャビティ5に
熱良導性かつ非導電性の液体りを液体注入孔6から注入
しこの液体注入孔を封止する。
(実施例2) 第2図は本発明の第2の実施例の縦断面図である0本実
施例ではヒートシンク7及びキャップ8は取外し可能な
構造となっており、ICチップ12はこのヒートシンク
7及びキャップ8を取外した状態でICパッケージ9に
固定され、ICチップ12と端子11の間を接続するた
めのボンディングを行った後、キャビティ11に熱良導
性かつ非導電性の液体りを液体注入孔13から注入しヒ
ートシンク7により封止する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はICパッケージの端子位置
と反対面のキャビティ内にICチップを固定し、かつ該
キャビティに熱良導性及び非導電性の液体を封入し、該
キャビティをヒートシンクにて閉塞したことにより、I
Cチップとヒートシンク間の良好な熱伝導を実現するこ
とができるとともに、端子位置に制限を受けずに大型の
ICチップをICパッケージに搭載することができる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す縦断面図、第2図
は第2の実施例を示す縦断面図、第3図は従来のヒート
シンク付ピングリッドアレイICパッケージの縦断面図
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ICパッケージの端子位置と反対面にキャビティ
    を設けてICチップを実装し、さらにICチップを取り
    付けたキャビティ内に熱良導性及び非導電性の液体を封
    入し、該キャビティをヒートシンクにて閉塞したことを
    特徴とするヒートシンク付ピングリッドアレイICパッ
    ケージ。
JP63129979A 1988-05-27 1988-05-27 ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ Pending JPH01298753A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63129979A JPH01298753A (ja) 1988-05-27 1988-05-27 ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63129979A JPH01298753A (ja) 1988-05-27 1988-05-27 ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01298753A true JPH01298753A (ja) 1989-12-01

Family

ID=15023164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63129979A Pending JPH01298753A (ja) 1988-05-27 1988-05-27 ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01298753A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04214656A (ja) * 1990-12-12 1992-08-05 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
WO1993016883A1 (fr) * 1992-02-26 1993-09-02 Seiko Epson Corporation Dispositif electronique additionnel et systeme electronique
WO1993016882A1 (fr) * 1992-02-26 1993-09-02 Seiko Epson Corporation Dispositif electronique additionnel et systeme electronique
US6025993A (en) * 1992-05-20 2000-02-15 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
WO2001069677A3 (en) * 2000-03-14 2002-02-14 Intel Corp Apparatus and method for passive phase change thermal management
US7091060B2 (en) 1999-11-23 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Circuit and substrate encapsulation methods
US7399657B2 (en) * 2000-08-31 2008-07-15 Micron Technology, Inc. Ball grid array packages with thermally conductive containers
JP2016152294A (ja) * 2015-02-17 2016-08-22 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 電子部品および電子部品の製造方法
CN110213947A (zh) * 2019-06-28 2019-09-06 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件及其制备方法以及电子设备

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04214656A (ja) * 1990-12-12 1992-08-05 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
WO1993016883A1 (fr) * 1992-02-26 1993-09-02 Seiko Epson Corporation Dispositif electronique additionnel et systeme electronique
WO1993016882A1 (fr) * 1992-02-26 1993-09-02 Seiko Epson Corporation Dispositif electronique additionnel et systeme electronique
US5437041A (en) * 1992-02-26 1995-07-25 Seiko Epson Corporation Device and method for exerting force on circuit mounted on board through opening of the board to facilitate the thermal conduction between circuit and housing
US5615085A (en) * 1992-02-26 1997-03-25 Seiko Epson Corporation Temperature control for add-on electronic devices
US7345883B2 (en) 1992-05-20 2008-03-18 Seiko Epson Corporation Processing device
US6025993A (en) * 1992-05-20 2000-02-15 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
US6404639B1 (en) 1992-05-20 2002-06-11 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
US6515864B2 (en) 1992-05-20 2003-02-04 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
US6608753B2 (en) 1992-05-20 2003-08-19 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
US7583505B2 (en) 1992-05-20 2009-09-01 Seiko Epson Corporation Processor apparatus
US6771509B2 (en) 1992-05-20 2004-08-03 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
US6845014B2 (en) 1992-05-20 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Cartridge for electronic devices
US7035108B2 (en) 1992-05-20 2006-04-25 Seiko Epson Corporation Information processing device
US7359202B2 (en) 1992-05-20 2008-04-15 Seiko Epson Corporation Printer apparatus
US7091060B2 (en) 1999-11-23 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Circuit and substrate encapsulation methods
US7239029B2 (en) 1999-11-23 2007-07-03 Micron Technology, Inc. Packages for semiconductor die
US7144245B2 (en) 1999-11-23 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Packages for semiconductor die
US7316265B2 (en) 2000-03-14 2008-01-08 Intel Corporation Method for passive phase change thermal management
WO2001069677A3 (en) * 2000-03-14 2002-02-14 Intel Corp Apparatus and method for passive phase change thermal management
US6672370B2 (en) 2000-03-14 2004-01-06 Intel Corporation Apparatus and method for passive phase change thermal management
US7886809B2 (en) 2000-03-14 2011-02-15 Intel Corporation Apparatus and method for passive phase change thermal management
US7399657B2 (en) * 2000-08-31 2008-07-15 Micron Technology, Inc. Ball grid array packages with thermally conductive containers
JP2016152294A (ja) * 2015-02-17 2016-08-22 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 電子部品および電子部品の製造方法
CN110213947A (zh) * 2019-06-28 2019-09-06 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件及其制备方法以及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940012550A (ko) 노출 후부를 갖는 열적 강화된 반도체 장치 및 그 제조 방법
IT1280673B1 (it) Modulo di dispositivi a semiconduttori di alta potenza con bassa resistenza termica e metodo di fabbricazione semplificato
JPH11312712A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH01298753A (ja) ヒートシンク付ピングリッドアレイicパッケージ
EP1396886A2 (en) Semiconductor device having the inner end of connector leads placed onto the surface of semiconductor chip
KR870009453A (ko) 수지봉합형 반도체장치
JP3107385U (ja) チップの封入構造
JP2585771B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2511979Y2 (ja) 半導体装置
JPS61234550A (ja) チツプキヤリア
JPH02240953A (ja) 半導体装置
JP2662991B2 (ja) 混成集積回路パッケージ
JP2759523B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5856445A (ja) 多層セラミツクパツケ−ジ
JPH1167958A (ja) 高放熱タイプのフィリップチップ用パッケージ構造
JPH11121640A (ja) 素子パッケージ及びそのパッケージの実装構造
JPH0283955A (ja) 半導体装置
JPS61120451A (ja) 半導体容器
TWI248181B (en) Package with an enhancement heat spreader and its sturcture
JPH04219966A (ja) 半導体素子
JPH0241865Y2 (ja)
JPH0810953Y2 (ja) 半導体装置
JP3816636B2 (ja) Bga型半導体装置
JPH02181958A (ja) 半導体装置
JPH034039Y2 (ja)