JPH01300504A - 磁性多層膜 - Google Patents

磁性多層膜

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JPH01300504A
JPH01300504A JP13032888A JP13032888A JPH01300504A JP H01300504 A JPH01300504 A JP H01300504A JP 13032888 A JP13032888 A JP 13032888A JP 13032888 A JP13032888 A JP 13032888A JP H01300504 A JPH01300504 A JP H01300504A
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正勝 千田
Yasuhiro Nagai
靖浩 永井
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    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer

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  • Nanotechnology (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、磁気記録装置用磁気ヘットの磁極に通した磁
性多層膜に関するものである。
[従来の技術] 磁気記録装置の線記録密度を高くするためには、ヘッド
用磁性膜しては、■高保磁力媒体を充分磁化できるよう
、飽和磁束密度が高いこと、■良好な再生効率を得るた
めに、保磁力が低くかつ透磁率が高いこと、■応力に伴
う磁気特性の変化を抑制するため、磁歪定数が零付近で
あること。
が、必要とされる。
従来、ヘッド用磁性膜としては、NiFe合金が使用さ
れており、また近年、NiFe合金に代わる高飽和磁束
密度磁性膜として、CoZrに僅かのReを含む合金(
あるいは、CoZ rに僅かのNbを含む合金)。
FeとNiとの積層膜(J、^ppJZ 、Phys、
、 63.1136(1988))、FeとCoとの積
層膜(AppA 、Phys、Lett、。
672 (1988) ) 、僅かに、Cを含むFeと
NiFeとの積層膜(IEEE Trams、Magn
、 、MAG−23、2746(1988) )が開発
されている。これらの磁性膜では、FeあるいはC。
を主成分とするため、高い飽和磁束密度を可能とするが
、磁歪を茎付近とするためには、異種元素の添加、およ
び逆符号の磁歪をもつ磁性層との積層化といった複雑な
操作が必要であった。また、これらの磁性膜では、アモ
ルファス化、あるいは、他の磁性膜との積層化により、
保磁力の低下を実現しているため、材料および膜構造の
点から非常に複雑であるという欠点があった。
一方、トラック密度を高くするためには、ヘッドの狭ト
ラツク化が必要であるが、磁極先端部に発生する磁区の
ため、狭トラツク化すると再生効率が急減する。これを
解決する方法として、上述した合金層あるいは複合層か
らなる磁性層を非磁性層を介して積層させ、磁性層間の
静磁結合により、磁区制御を行い、再生効率の急減を抑
制する方法が有効である。またこの方法を用いると、磁
性層が非磁性層により分離されるため、高周波領域での
渦電流損失を抑制することも可能である。
しかしさらに、高トラツク密度化をはかるためには、磁
性膜を非磁性膜を介して積層させた多層構造にする必要
があるため、従来のヘッド用磁性膜は、さらに構造上、
複雑なものとなっていた。
[発明が解決しようとする課題] 上述したように、従来の磁気ヘット用磁性膜では、磁性
膜を磁歪零付近および低保磁力にするため、異種元素の
添加、異種磁性膜との積層化、アモルファス化など、材
料および構造の面で複雑な操作が行われていた。また、
高トラツク密度化をはかるためには、上記の磁性膜をさ
らに非磁性膜を介して積層する必要があるため、従来の
磁気ヘッド用磁性膜は、材料上、および構造上、非常に
複雑な膜であった。
本発明の目的は、従来開発された、薄膜磁気ヘッド用磁
性膜において問題であった構造上、材料上の複雑さを解
決した簡単な構造、材料からなる高線記録密度および高
トラツク密度磁気ヘッド用磁性膜を提供することにある
。
[課題を解決するための手段1 このような目的を達成するために、本発明は、基板上に
実質的に単一元素からなる磁性膜層と、非磁性膜層とが
交互にそれぞれ複数層積層されてなることを特徴とする
。
[作 用] 本発明の磁性多層膜は、磁気ヘッド用磁性膜として必要
な磁気特性を全て有し、その構成は、磁性層には実質的
に単一元素からなる磁性層のみを使用するため、従来の
磁気ヘッド用磁性膜と比較すると、材料面および構造面
で簡単である。従って、高線記録密度および高トラツク
密度用薄膜磁気ヘッドに応用した場合、従来の磁性膜の
ヘッドに比べ、歩留りよく、高性能ヘラが実現できる。
[実施例] 以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図に、本発明の磁性多層膜の基本構成例を示す。1
.はFe層、2.は非磁性層、3.は層−Ti−C系セ
ラミックス、Zn−フェライトなどからなる基板である
。この構造は、基板上に例えばスパッタ法によってFe
層と非磁性層を交互に形成することによって得られる。
第2図はFeおよびFe/Sin、膜のX線回折プロフ
ァイルである。図(A)は厚さ1μmのFe膜、図(B
) 〜(D)はそれぞれ厚さ100n’m、lOnmお
よび5nmのFe膜と厚さ5nmのSin、膜を堆積し
たFe/5in2膜の回折プロファイルを示す。積層の
場合の層数はFe層、Sin2層とも100層である。
Fe膜は(110)面に強く配向しているが、Fe/S
in、膜では、Fe層膜厚の減少に伴い、(110)強
度が小さくなり、回折線の幅も拡がっているのがわかる
。
第3図は、Fe/Sin2積層膜における(200) 
ピークと(110)ピークの強度比とFe層膜厚の関係
を示す図である。Fe層の厚さの減少に伴い、(200
)強度は増加する。(200)面の磁歪定数は正である
ことから、Fe層の厚さの変化に伴い、膜の磁歪定数も
変化することが期待される。
第4図は、Fe/SiO□膜中のFe層の結晶粒径とF
e層の厚さの関係を示す図である。結晶粒径は、X線回
折の半値幅から見積った。Fe層の膜厚の減少に伴い、
結晶粒径は小さくなる。
第5図は、第1図の構成で、非磁性層がC,Si。
Sin□、Cu、 Au 、03.T1の場合の磁歪定
数とFe層の膜厚との関係図を示す図である。非磁性層
の膜厚は、CuはInm、 5iO7−I+は2.5n
m 、それ以外はいずれも5nmである。層数はいずれ
も100層ずつである。Fe膜の磁歪は2〜4X10−
6であるが、これらの磁性多層膜では、Fe膜厚の減少
に伴い、磁歪は正方向に変化し、Fe/CではFe層の
膜厚約5on+m以下、その他の積層膜ではFe層の膜
厚約10no+以下で磁歪τ付近が実現している。これ
ら磁歪定数の変化の原因としては、■第3図に見られる
ようなFe膜層の結晶配向の変化(Fe/5in2. 
Fe/Cu 。
Fe層 A It 203)、■Fe層と非磁性層との
境界に形成される正磁歪の合金層との磁歪のバランス(
Fe/C。
Fe/Sj 、Fe/Ti)が考えられる。
第6図および第7図は、保磁力とFe層の膜厚との関係
を示す図である。試料は、第5図と同様である。Fe膜
の保磁力は10エルステッド以上あるのに対し、これら
の磁性多層膜では、保磁力は低下しているのがわかる。
保磁力低下の原因としては、第4図に示した結晶粒の微
細化に伴う結晶磁気異方性の低下、および第5図に示し
た磁歪定数の絶対値の低下が考えられる。
第8図は、514)1zでの比透磁率とFe層の膜ノブ
の関係を示す図である。試料は、第5図と同様である。
Fe1liの比透磁率は100程度であるのに対し、こ
れらの磁性多層膜では、比透磁率は数百から1000以
上の大きな値を示し、その変化は、第6図および第7図
の保磁力の変化にほぼ対応している。
第9図は、飽和磁束密度とFe層の膜厚の関係を示す図
である。試料は第5図と同様である。はとんどの磁性多
層膜において1から2テスラの高い飽和磁束密度が得ら
ねている。
第10図は、磁気ヘッド磁極部に見られる磁区構造であ
る。同図(八)は従来の旧Fe合金、Co7r−Re(
またはCoZr−Nb)膜等で観察される磁区構造、同
図(B)および(C)は本発明による磁性多層膜の磁区
構造である。4は180度磁壁であり、矢印は誘導磁場
の方向を示す。本発明の磁性多層膜では、磁性層が非磁
性層を介して積層されているため、図(B)のような1
80度磁壁が横に伸びた磁区構造、あるいは図(C)の
ような単磁区構造となり、記録媒体との対向部には東−
の磁区しか存在tノないのでヘッドの再生効率向上効果
が期待できる。
多層膜の厚さ、層数はこの多層膜が適用されるヘッドの
寸法に応じて定めればよい。
なお、非磁性層として、上記に示したもの以外に、 ■へg、 Au、 In、 Mg、 Pb(PPと合金
化しないもの) ■ Afl、、  Cr、  Mo、  Ru、  R
h、  Ge、  Mn、  Nb、  Pd、  R
e。
Sb、 Ta、 V、 W、 Zr(Feど合金化する
もの)を用いた磁性多層膜においても、上記と同様、磁
歪零付近、低保磁力、高透磁率、高飽和磁束密度を有し
、かつ磁区の制御が可能である。
[発明の効果] 以上、説明したように、本発明による磁性多層膜は、磁
性層として実質的に単一元素からなる層のみを使用し、
これを非磁性層を介して積層させた多層構造からなって
いる。その磁気特性は、高線記録密度、および高トラツ
ク密度を目積した薄115!磁気ヘッド用磁性膜として
要求される、磁歪男付近、低保磁力、高透磁率、高飽和
磁束密度、および磁区制御性等の特性を全て充分に満足
している。そのため、従来開発されたヘッド用磁性膜と
比較すると、材料上、および、構造上、簡単であるから
、高性能薄膜磁気ヘッドを歩留りよく製造できるという
利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の磁性多層薄膜の実施例の構成図、 第2図はFeおよびFe/5i02膜のX線回折図、第
3図は、Fe/5in2膜における(200)と(11
0)の強度比とFetl膜厚の関係を示す特性図、第4
図は、Fe/5iQ2膜におけるfeの結晶粒径とFe
H膜厚の関係を示す特性図、 第5図は、磁歪定数とFe層の膜厚の関係を示す特性図
、 第6図および第7図は、保磁力とFe層の膜厚の関係を
示す特性図、 第8図は、比透磁率とFe層の膜厚の関係を示す特性図
、 第9図は、飽和磁束密度とFe層の膜厚の関係を示す特
性図、 第10図は、磁気ヘッド磁極部に見られる磁区構造を示
す図である。 1・・・Fe層、 2・・・非磁性層、 3・・・基板、 4・・・180度磁壁。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)基板上に実質的に単一元素からなる磁性膜層と、非
    磁性膜層とが交互にそれぞれ複数層積層されてなること
    を特徴とする磁性多層膜。 2)前記磁性膜層が膜厚を薄くすることによって(20
    0)に配向したFe層であることを特徴とする請求項1
    に記載の磁性多層膜。 3)前記磁性膜層と前記非磁性膜層との境界に、正磁歪
    をもつ合金拡散層が形成されていることを特徴とする請
    求項1または2に記載の磁性多層膜。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358806A (ja) * 1986-08-29 1988-03-14 Nec Home Electronics Ltd 磁気ヘツド用多層磁性体膜
JPS6380509A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 Hitachi Ltd 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド
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JPH01238106A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Nec Corp 耐食性強磁性薄膜

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