JPH01300563A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01300563A JPH01300563A JP13068988A JP13068988A JPH01300563A JP H01300563 A JPH01300563 A JP H01300563A JP 13068988 A JP13068988 A JP 13068988A JP 13068988 A JP13068988 A JP 13068988A JP H01300563 A JPH01300563 A JP H01300563A
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- polysilicon
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造に関するものである。
従来の技術
従来の製造方法を第２図に示す。第２図（ａ）は、Ｐ型
シリコン基板１１上に熱酸化膜１２を成長させ、その上
にポリシリコンを被着したところである。
シリコン基板１１上に熱酸化膜１２を成長させ、その上
にポリシリコンを被着したところである。
第２図（ｂ）は、ゲートを形成する部分をホトレジスト
で覆い、ホトレジストで覆われていない部分のポリシリ
コンをドライエッチしたところである。
で覆い、ホトレジストで覆われていない部分のポリシリ
コンをドライエッチしたところである。
第２図（Ｃ）は、ホトレジストを除去し、ソースドレイ
ン領域への不純物導入を、例えばヒ素１０１５オーダー
のイオン注入により形成したものである。
ン領域への不純物導入を、例えばヒ素１０１５オーダー
のイオン注入により形成したものである。
第２図（ｄ）は、導入された不純物をアニールした後、
熱酸化を行ったものである。
熱酸化を行ったものである。
発明が解決しようとする課題
このような従来の方法では、図（ｄ）に示したゲート酸
化膜１２とドレイン１６間に電界が集中するため、ドレ
イン耐圧が低くなるという問題がある。
化膜１２とドレイン１６間に電界が集中するため、ドレ
イン耐圧が低くなるという問題がある。
また、図（ｄ） １８に示したようにポリシリコンのは
ね上がりを生じるため、その後に付着される層間絶縁膜
のフロー状態が悪くなり、またその後に形成される配線
部の断線、ブリッジの原因となる。
ね上がりを生じるため、その後に付着される層間絶縁膜
のフロー状態が悪くなり、またその後に形成される配線
部の断線、ブリッジの原因となる。
課題を解決するための手段
ポリシリコン表面のエツチング速度が大きくなるように
してポリシリコンエツジが傾斜をもつようにする。ドレ
イン濃度に匂配をつける。
してポリシリコンエツジが傾斜をもつようにする。ドレ
イン濃度に匂配をつける。
作用
ポリシリコンのエツジの部分の膜厚に傾斜をつけて適切
な加速電圧によりソースドレイン領域をイオン注入によ
り形成すると、ドレイン濃度に匂配がつく、またその後
の酸化工程によりポリシリコンの膜厚が薄い領域がもち
上っても、厚い領域よりも上にはね上がる事はない。
な加速電圧によりソースドレイン領域をイオン注入によ
り形成すると、ドレイン濃度に匂配がつく、またその後
の酸化工程によりポリシリコンの膜厚が薄い領域がもち
上っても、厚い領域よりも上にはね上がる事はない。
実施例
本発明の一実施例を第１図を用いて述べる。第１図にお
いて、第２図と同一部分には同一番号を付す。
いて、第２図と同一部分には同一番号を付す。
第１図（ａ）は、第２図と同様にポリシリコン被着まで
おこなった後、ポリシリコン表面に、１０Ｉ６ｅｔａ−
２オーダーで燐のイオン注入を行ったところである。
おこなった後、ポリシリコン表面に、１０Ｉ６ｅｔａ−
２オーダーで燐のイオン注入を行ったところである。
第１図（ｂ）は、ゲートを形成する部分を、ホトレジス
ト１５で覆い、ホトレジストで覆われていない部分のポ
リシリコンをドライエッチしたところである。表面の不
純物濃度の高い所はエッチレートが大きいためこのよう
にポリシリコンエツジは傾斜をもつ。第１図（Ｃ）は、
ホトレジストを除去し、ソースドレインのイオン注入を
行ったところである。ポリシリコンのエツジが傾斜をも
っているため、ソースドレイン濃度が匂配をもつ。
ト１５で覆い、ホトレジストで覆われていない部分のポ
リシリコンをドライエッチしたところである。表面の不
純物濃度の高い所はエッチレートが大きいためこのよう
にポリシリコンエツジは傾斜をもつ。第１図（Ｃ）は、
ホトレジストを除去し、ソースドレインのイオン注入を
行ったところである。ポリシリコンのエツジが傾斜をも
っているため、ソースドレイン濃度が匂配をもつ。
第１図（ｄ）は、ソースドレイン・アニールを行った後
、必要な熱酸化を行ったものである。ポリシリコンのは
ね上りはおさえられている。
、必要な熱酸化を行ったものである。ポリシリコンのは
ね上りはおさえられている。
発明の効果
このように、本発明によれば、ポリシリコンを形成する
と、後に形成される配線部の断線、ブリッジがおこりに
くくなる。
と、後に形成される配線部の断線、ブリッジがおこりに
くくなる。
本実施例では、ＮＭＯＳトランジスタの場合について説
明を行ったが、ＰＭＯＳ，ＣＭＯＳにも使用できること
は言うまでもない。
明を行ったが、ＰＭＯＳ，ＣＭＯＳにも使用できること
は言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例にかかわる半導体装置の製作
工程順断面図、第２図は従来の半導体装置の製造工程順
断面図である。 １１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・・・・
ゲート酸化膜、１３・・・・・・ポリシリコン、１４・
・・・・・不純物（リン）、１５・・・・・・ホトレジ
スト、１６・・・・・・ソースドレイン領域、１７・・
・・・・熱酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図
工程順断面図、第２図は従来の半導体装置の製造工程順
断面図である。 １１・・・・・・Ｐ型シリコン基板、１２・・・・・・
ゲート酸化膜、１３・・・・・・ポリシリコン、１４・
・・・・・不純物（リン）、１５・・・・・・ホトレジ
スト、１６・・・・・・ソースドレイン領域、１７・・
・・・・熱酸化膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第２図
Claims (1)
- ＭＯＳ型トランジスタにおいて、そのゲート電極とな
るポリシリコン電極の両端部に傾斜面を形成し、次いで
ゲート及びソースドレインとなる領域にイオン注入を行
うことにより、ゲート電極端部におけるソースドレイン
濃度分布をゲート端部の傾斜角度に相応してコントロー
ルし、後にポリシリコンの薄い部分を一部酸化により除
去し、必要とするトランジスタを得ることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13068988A JPH01300563A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13068988A JPH01300563A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300563A true JPH01300563A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15040268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13068988A Pending JPH01300563A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300563A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349856A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-12-22 | Gold Star Electron Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP13068988A patent/JPH01300563A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349856A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-12-22 | Gold Star Electron Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
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