JPH01307288A - 半導体アレイレーザ装置 - Google Patents
半導体アレイレーザ装置Info
- Publication number
- JPH01307288A JPH01307288A JP13800088A JP13800088A JPH01307288A JP H01307288 A JPH01307288 A JP H01307288A JP 13800088 A JP13800088 A JP 13800088A JP 13800088 A JP13800088 A JP 13800088A JP H01307288 A JPH01307288 A JP H01307288A
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- active
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体アレイレーザ装置のモード安定化に関
するものである。
するものである。
第２図は例えば従来の半導体アレイレーザ装置を示す斜
視図で、図にお−て、（ｌ：は半導体基板、（創は下ク
ラッド層、（ｌｌａ）は活性層ストライプ、（４１は上
クラッド層、Ｉ６１はコンタクト層、（６ａ）（６ｂ罵
電極である＠ 次に動作について説明する。α極（ａａ）（ａｂ）に電
圧をかけることにより隣接した８本の活性層ストライプ
（８ａ）に電流が流れ％３本ともモード的に結合しなが
ら発振する。
視図で、図にお−て、（ｌ：は半導体基板、（創は下ク
ラッド層、（ｌｌａ）は活性層ストライプ、（４１は上
クラッド層、Ｉ６１はコンタクト層、（６ａ）（６ｂ罵
電極である＠ 次に動作について説明する。α極（ａａ）（ａｂ）に電
圧をかけることにより隣接した８本の活性層ストライプ
（８ａ）に電流が流れ％３本ともモード的に結合しなが
ら発振する。
このときのモードの結合は８本の活性層ストライプ（８
ａ）の電磁界の漏れが隣りのストライプに互いに影響を
及ぼすことによるものである。
ａ）の電磁界の漏れが隣りのストライプに互いに影響を
及ぼすことによるものである。
しかしながら従来の半導体アレイレーザ装置は漏れによ
る電磁界で結合して−るために、比較的近距離の隣りの
ストライプとは結合するが。
る電磁界で結合して−るために、比較的近距離の隣りの
ストライプとは結合するが。
２つ隣りのストライプとは離れすぎていてモード的に直
接は結合できず、必ず隣りのストライプを介して間接的
に結合しているにすぎない。
接は結合できず、必ず隣りのストライプを介して間接的
に結合しているにすぎない。
従って全体から見ると基本モードからずれたモードが発
振しやすく、また、電流や光出力の変化と共にモードも
変化しやすいという問題があった。
振しやすく、また、電流や光出力の変化と共にモードも
変化しやすいという問題があった。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、１４９どうしのみならず離れたストライプへも
結合するような半導体アレイレーザ装置を得ることを目
的とする。
もので、１４９どうしのみならず離れたストライプへも
結合するような半導体アレイレーザ装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る半導体アレイレーザ装置は活性層ストラ
イプに１発掘波長に対して２次の回折格子を作製したも
のである。
イプに１発掘波長に対して２次の回折格子を作製したも
のである。
この発明の活性層ストライプに作製した２次の回折格子
は回折格子の同期方向及びグレーティング製作面と１１
号直の方向に同時に電磁波含放射する性質を利用し、漏
れた電磁波ではなく放射された電磁波でｌ！４９の活性
層ストライプと結合するため、隣りの活性層ストライプ
のみならず、全ての活性層ストライプと結合する。すな
わち、全てのストライプが醸いに他のストライプと直接
結合する。
は回折格子の同期方向及びグレーティング製作面と１１
号直の方向に同時に電磁波含放射する性質を利用し、漏
れた電磁波ではなく放射された電磁波でｌ！４９の活性
層ストライプと結合するため、隣りの活性層ストライプ
のみならず、全ての活性層ストライプと結合する。すな
わち、全てのストライプが醸いに他のストライプと直接
結合する。
〔ス施列〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１１は半導体基板、（！１は下クラ
ッドＡＩ 、（８ｂ）［２次の回折格子を有する活性層
ストライプ、）４；は上クラッド層、＋６）はコンタク
ト層匂ω（６ｂ）＃を電極である。
ッドＡＩ 、（８ｂ）［２次の回折格子を有する活性層
ストライプ、）４；は上クラッド層、＋６）はコンタク
ト層匂ω（６ｂ）＃を電極である。
このような半導体アレイレーザ装置にお込て、２次の回
折格子は活性層ストライプ（３ｂ）を全て含む面に直交
する面のうちストライプに平行な面内で作製しであるの
で、２次の回折格子による回折電磁波はストライプにむ
った方向、及び回折格子を作製した面に垂直な方向の８
方向（前後を合わせれば４方向）に伝搬する。このうち
、回折格子全作製した面に垂直な方向へ伝搬した電磁波
は隣りの活性層ストライプに伝搬し、一部は同じく２次
の回折格子によって活性層ストライプ方向に伝搬し、電
磁波的に隣りの活性層ストライプと結合する。残りの一
部はその活性層ストライプを通過し、更に＠りのストラ
イプに伝搬して同じく結合する・ このように、隣りの活性、−ストライプの結合は漏れの
電磁波ではなく伝搬した電磁波を利用しているので、１
本のストライプが隣りだけでなく薄れている他のストラ
イプにも直接的に結合するため、基本横モードが安定に
存在することができる。
折格子は活性層ストライプ（３ｂ）を全て含む面に直交
する面のうちストライプに平行な面内で作製しであるの
で、２次の回折格子による回折電磁波はストライプにむ
った方向、及び回折格子を作製した面に垂直な方向の８
方向（前後を合わせれば４方向）に伝搬する。このうち
、回折格子全作製した面に垂直な方向へ伝搬した電磁波
は隣りの活性層ストライプに伝搬し、一部は同じく２次
の回折格子によって活性層ストライプ方向に伝搬し、電
磁波的に隣りの活性層ストライプと結合する。残りの一
部はその活性層ストライプを通過し、更に＠りのストラ
イプに伝搬して同じく結合する・ このように、隣りの活性、−ストライプの結合は漏れの
電磁波ではなく伝搬した電磁波を利用しているので、１
本のストライプが隣りだけでなく薄れている他のストラ
イプにも直接的に結合するため、基本横モードが安定に
存在することができる。
なお、上記実施例では回折格子を活性層ストライプ（８
ｂ）に作製した場合を示したが、電磁波が存在すれば少
し市れたクラッド層に作製してもよい。
ｂ）に作製した場合を示したが、電磁波が存在すれば少
し市れたクラッド層に作製してもよい。
以上のようにこの発明によれば、２次の回折格子を活性
層ストライプを全て含む面に直交する面のうちストライ
プに平行な面内で作製しているため１回折した電磁波が
全ての他のストライプと結合し１発振横モードを安定に
することができる効果がある。
層ストライプを全て含む面に直交する面のうちストライ
プに平行な面内で作製しているため１回折した電磁波が
全ての他のストライプと結合し１発振横モードを安定に
することができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例【よる半導体アレイレーザ
装置の一部削除した斜視図、第３図は従来の半導体アレ
イレーザ装置の一部削除した斜視図である。 図にお−て、（１１は半導体基板、（２１は下クラッド
ｌ−１（ａａ）（８ｂ）１１活性層ストライプ、 １４
１ ｋｉ 上１ラッド層、（ｂ）はコンタクト層ｓ （
６ａ ）（６ｂ）は電極を示す。 なお、図中、岡−符号は同一、又は相当部分を示す。
装置の一部削除した斜視図、第３図は従来の半導体アレ
イレーザ装置の一部削除した斜視図である。 図にお−て、（１１は半導体基板、（２１は下クラッド
ｌ−１（ａａ）（８ｂ）１１活性層ストライプ、 １４
１ ｋｉ 上１ラッド層、（ｂ）はコンタクト層ｓ （
６ａ ）（６ｂ）は電極を示す。 なお、図中、岡−符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ３本以上の活性層ストライプを有する半導体アレイレー
ザ装置において、活性層ストライプを含む面に直交する
面のうち、活性層ストライプに平行となる面内に２次の
回折格子を作製したことを特徴とする半導体アレイレー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13800088A JPH01307288A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 半導体アレイレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13800088A JPH01307288A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 半導体アレイレーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01307288A true JPH01307288A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15211723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13800088A Pending JPH01307288A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 半導体アレイレーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01307288A (ja) |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP13800088A patent/JPH01307288A/ja active Pending
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