JPH01309336A - 半導体容器 - Google Patents
半導体容器Info
- Publication number
- JPH01309336A JPH01309336A JP63140847A JP14084788A JPH01309336A JP H01309336 A JPH01309336 A JP H01309336A JP 63140847 A JP63140847 A JP 63140847A JP 14084788 A JP14084788 A JP 14084788A JP H01309336 A JPH01309336 A JP H01309336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- filler material
- brazing filler
- semiconductor container
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
- H10W72/01308—Manufacture or treatment of die-attach connectors using permanent auxiliary members, e.g. using alignment marks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07311—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体容器に関し、特に、複数のチップを有
する超高周波大電力用トランジスタに関する。
する超高周波大電力用トランジスタに関する。
従来の技術
従来、この種の超高周波大電力用トランジスタは、浅い
接合が動作時の発熱による接合破壊を防止するために1
個々の出力を小さくし、複数のチップを並列に接続した
りチップを薄くしてコレクタ低抗を小さくして出力を補
う方法を行っていた。
接合が動作時の発熱による接合破壊を防止するために1
個々の出力を小さくし、複数のチップを並列に接続した
りチップを薄くしてコレクタ低抗を小さくして出力を補
う方法を行っていた。
この種のチップは第4図(a)、(b)の様に鑞材によ
り半導体容器にマウントする技術が知られている。
り半導体容器にマウントする技術が知られている。
発明が解決しようとする課題
−」二連した従来のマウント方法は、複数のチップを接
着するために多量の鑞材を使用するので、チップを薄く
すると表面に余分な鑞材が廻り込むという欠点がある。
着するために多量の鑞材を使用するので、チップを薄く
すると表面に余分な鑞材が廻り込むという欠点がある。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在するーl―記
欠点を解消し、マウント時に鑞材がチップ表面に付着す
ることを防止することを1+J能とした新規な半導体容
器を提供することにある。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在するーl―記
欠点を解消し、マウント時に鑞材がチップ表面に付着す
ることを防止することを1+J能とした新規な半導体容
器を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来のマウント構造に対し、本発明は、チップ
周辺の容器に溝を有しているという相違点がある。
周辺の容器に溝を有しているという相違点がある。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に1本発明に係る半導体容器は、
マウント時の余分な鑞材をチップ周辺の1b¥に分離す
る構造を有している。
マウント時の余分な鑞材をチップ周辺の1b¥に分離す
る構造を有している。
実施例
次に本発明をその好ましい一実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第1図(a)および(b)は本発明による第1の実施例
を示す正面図および(a)のx−x’線に沿って切断し
矢印の方向に見た縦断面図である。
を示す正面図および(a)のx−x’線に沿って切断し
矢印の方向に見た縦断面図である。
第1図(a)、(b)を参照するに、半導体容器りのチ
ップ3をマウントする領域を取囲む周辺部には溝4が形
成されている。
ップ3をマウントする領域を取囲む周辺部には溝4が形
成されている。
半導体容器上上にマウント鑞材2を400〜500°C
に加熱して溶かした後にチップ3を所定の位置に付着さ
せる。このとき、チップ3とマウント鑞材2間に気泡が
出来ない様にチップ3上から圧力をかけて、横方向に移
動させながら接着させるとよくなじむ様になり、余分な
鑞材はチップ3周辺の溝4に押し流されてしまうことに
なる。
に加熱して溶かした後にチップ3を所定の位置に付着さ
せる。このとき、チップ3とマウント鑞材2間に気泡が
出来ない様にチップ3上から圧力をかけて、横方向に移
動させながら接着させるとよくなじむ様になり、余分な
鑞材はチップ3周辺の溝4に押し流されてしまうことに
なる。
この作業は複数のチップを同時に接着するのではなく個
々に独立して行われる。これにより、チップ厚さを十分
薄くすることが可能になる。例えば、従来500μm前
後の厚さを100μm程度にすればコレクタ抵抗は厚さ
分だけ減少するので、約115にすることができる。
々に独立して行われる。これにより、チップ厚さを十分
薄くすることが可能になる。例えば、従来500μm前
後の厚さを100μm程度にすればコレクタ抵抗は厚さ
分だけ減少するので、約115にすることができる。
第2図および第3図は本発明による第2、第3の実施例
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
第2図、第3図を参照するに、この第2、第3の実施例
では、余分なマウント鑞材を溝に入り易くするために、
チップ周辺に段部1a(第2図)およびテーパ部Lb(
第3図)が設けられている。
では、余分なマウント鑞材を溝に入り易くするために、
チップ周辺に段部1a(第2図)およびテーパ部Lb(
第3図)が設けられている。
発明の詳細
な説明した様に、本発明によれば、余分なマウント鑞材
がチップ周辺の溝に吸収することを利用して、マウント
時にチップ表面に鑞材が付着することを防止できる効果
が得られる。
がチップ周辺の溝に吸収することを利用して、マウント
時にチップ表面に鑞材が付着することを防止できる効果
が得られる。
第1図(a)、(b)は本発明に係る半導体容器の正面
図<a)、(a)の×−X′線に沿った縦断面図(b)
。 第2図および第3図は本発明に係る半導体容器の第2、
第3の実施例を示す縦断面図、第4図(a)、(b)は
従来の容器の正面図(a)、(a)のY−Y’線に沿っ
た縦断面図(b)である。 ■、10.、、半導体容器、2.20.、.7ウント鑞
材、3.30.、、チップ、400.溝 −X 7 升 −」
図<a)、(a)の×−X′線に沿った縦断面図(b)
。 第2図および第3図は本発明に係る半導体容器の第2、
第3の実施例を示す縦断面図、第4図(a)、(b)は
従来の容器の正面図(a)、(a)のY−Y’線に沿っ
た縦断面図(b)である。 ■、10.、、半導体容器、2.20.、.7ウント鑞
材、3.30.、、チップ、400.溝 −X 7 升 −」
Claims (1)
- 複数のチップをマウントする半導体容器において、各
チップ周辺部を取り囲む溝を有することを特徴とする半
導体容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140847A JPH01309336A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63140847A JPH01309336A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01309336A true JPH01309336A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15278109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63140847A Pending JPH01309336A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01309336A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100660660B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2006-12-21 | 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| JP2018029201A (ja) * | 2017-10-13 | 2018-02-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2019062245A (ja) * | 2019-01-29 | 2019-04-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| US10777542B2 (en) | 2014-03-04 | 2020-09-15 | Rohm Co., Ltd. | Power semiconductor module for an inverter circuit and method of manufacturing the same |
| JP2023127713A (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63140847A patent/JPH01309336A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100660660B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2006-12-21 | 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| US10777542B2 (en) | 2014-03-04 | 2020-09-15 | Rohm Co., Ltd. | Power semiconductor module for an inverter circuit and method of manufacturing the same |
| JP2018029201A (ja) * | 2017-10-13 | 2018-02-22 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2019062245A (ja) * | 2019-01-29 | 2019-04-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2023127713A (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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