JPH0131206B2 - - Google Patents
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- JPH0131206B2 JPH0131206B2 JP58060982A JP6098283A JPH0131206B2 JP H0131206 B2 JPH0131206 B2 JP H0131206B2 JP 58060982 A JP58060982 A JP 58060982A JP 6098283 A JP6098283 A JP 6098283A JP H0131206 B2 JPH0131206 B2 JP H0131206B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はタブレツト上に存在するペン又はカー
ソル等の位置を検出する座標検出装置に関する。
ソル等の位置を検出する座標検出装置に関する。
座標検出装置は、ペン又はカーソルと、このペ
ン又はカーソルに正弦波電圧を供給する装置と、
検出導線が配されたX軸用ベース、Y軸用ベース
およびセレクタ導線が配された座標域検出用ベー
スを有するタブレツトと、前記検出導線およびセ
レクタ導線に発生する信号を演算処理してタブレ
ツト上のペン又はカーソルのX座標およびY座標
を求める装置等で構成されている。
ン又はカーソルに正弦波電圧を供給する装置と、
検出導線が配されたX軸用ベース、Y軸用ベース
およびセレクタ導線が配された座標域検出用ベー
スを有するタブレツトと、前記検出導線およびセ
レクタ導線に発生する信号を演算処理してタブレ
ツト上のペン又はカーソルのX座標およびY座標
を求める装置等で構成されている。
第1図はこのような従来の座標検出装置のブロ
ツク図、第2図aは第1図に示すタブレツト上の
検出導線およびセレクタ導線の配置図、第2図
b,cは上記各導線で検出される検出値のグラフ
である。図で、1は所定周波数のクロツクパルス
を発生する発振器、2は発振器1のクロツクパル
スを分周する分周器、3は分周器2の矩形波を正
弦波に変換するフイルタ、4はこの正弦波を増幅
する増幅器、5は増幅された正弦波が供給される
コイル6を有するスタイラスペンである。7はX
軸用、Y軸用および座標域検出用の各ベースより
成るタブレツトである。第2図aにX軸用ベース
に配置された2つの検出導線(以下、これら検出
導線をそれぞれcos線、sin線と称する。)および
座標域検出用ベースに配置されたセレクタ導線が
示されている。なお、Y軸用ベースにおけるcos
線、sin線の配置およびセレクタ導線との関連は
X軸用ベースと同じであり、ただ、配置が90度異
なるのみであるから、以下、X軸についてのみ説
明する。
ツク図、第2図aは第1図に示すタブレツト上の
検出導線およびセレクタ導線の配置図、第2図
b,cは上記各導線で検出される検出値のグラフ
である。図で、1は所定周波数のクロツクパルス
を発生する発振器、2は発振器1のクロツクパル
スを分周する分周器、3は分周器2の矩形波を正
弦波に変換するフイルタ、4はこの正弦波を増幅
する増幅器、5は増幅された正弦波が供給される
コイル6を有するスタイラスペンである。7はX
軸用、Y軸用および座標域検出用の各ベースより
成るタブレツトである。第2図aにX軸用ベース
に配置された2つの検出導線(以下、これら検出
導線をそれぞれcos線、sin線と称する。)および
座標域検出用ベースに配置されたセレクタ導線が
示されている。なお、Y軸用ベースにおけるcos
線、sin線の配置およびセレクタ導線との関連は
X軸用ベースと同じであり、ただ、配置が90度異
なるのみであるから、以下、X軸についてのみ説
明する。
第2図aで、8はcos線、9はsin線で、それぞ
れ電気角90゜の位相差をもつてベース上に蛇行状
に配置されている。図で、cos線8は実線で、又、
sin線9は破線で示されている。一方、10は座
標域検出用ベース上に配置されたセレクタ導線で
あり、櫛歯状に形成されている。セレクタ導線1
0は太線で図示されており、その櫛歯の間隔は
cos線9およびsin線10の1周期の間隔と一致
し、cos線9およびsin線10に対して図示のよう
な配置になるように両ベースが重ね合わされてい
る。Tcはcos線8の端子、Tsはsin線9の端子、
T0〜T4はセレクタ導線の各櫛歯の端子である。
れ電気角90゜の位相差をもつてベース上に蛇行状
に配置されている。図で、cos線8は実線で、又、
sin線9は破線で示されている。一方、10は座
標域検出用ベース上に配置されたセレクタ導線で
あり、櫛歯状に形成されている。セレクタ導線1
0は太線で図示されており、その櫛歯の間隔は
cos線9およびsin線10の1周期の間隔と一致
し、cos線9およびsin線10に対して図示のよう
な配置になるように両ベースが重ね合わされてい
る。Tcはcos線8の端子、Tsはsin線9の端子、
T0〜T4はセレクタ導線の各櫛歯の端子である。
第1図に戻つて、11は、スタイラスペン5が
タブレツト7上に置かれたとき各端子Tc,Ts、
T0〜T4に生じる信号を順次切換えて出力するセ
レクタ、9,10はそれぞれcos線、sin線の信号
を増幅する増幅器、14は加算器である。加算器
14は偏相用コンデンサ14a、抵抗14bより
成り、cos線9に発生した信号およびsin線10に
発生した信号に基づいて、例えばcos線9の1周
期内において、基準位置からスタイラスペン5が
置かれている位置間の距離に対応した位相差(前
記フイルタ3から出力される正弦波に対する位相
差)の正弦波を出力する。15は増幅器、16は
この正弦波信号のレベルを判別する比較器であ
る。17は分周器2からの矩形波の立上がりでセ
ツトされ、比較器16からの信号でリセツトされ
るカウンタであり、このセツトとリセツトの間に
発振器1からのクロツクパルスを導入してその数
をカウントする。このカウントされた数は、前述
の位相差、即ち、cos線9の1周期内における基
準位置からスタイラスペン5までの距離に比例す
る。以下、上記カウントされた数に対応する距離
をPD値と称する。第2図bにこのPD値Nが示さ
れている。
タブレツト7上に置かれたとき各端子Tc,Ts、
T0〜T4に生じる信号を順次切換えて出力するセ
レクタ、9,10はそれぞれcos線、sin線の信号
を増幅する増幅器、14は加算器である。加算器
14は偏相用コンデンサ14a、抵抗14bより
成り、cos線9に発生した信号およびsin線10に
発生した信号に基づいて、例えばcos線9の1周
期内において、基準位置からスタイラスペン5が
置かれている位置間の距離に対応した位相差(前
記フイルタ3から出力される正弦波に対する位相
差)の正弦波を出力する。15は増幅器、16は
この正弦波信号のレベルを判別する比較器であ
る。17は分周器2からの矩形波の立上がりでセ
ツトされ、比較器16からの信号でリセツトされ
るカウンタであり、このセツトとリセツトの間に
発振器1からのクロツクパルスを導入してその数
をカウントする。このカウントされた数は、前述
の位相差、即ち、cos線9の1周期内における基
準位置からスタイラスペン5までの距離に比例す
る。以下、上記カウントされた数に対応する距離
をPD値と称する。第2図bにこのPD値Nが示さ
れている。
18はセレクタ導線10の各端子T0〜T4……
がセレクタ11において順次切換えられる(スキ
ヤンニングされる)ことによりスタイラスペン5
が置かれている櫛歯間から出力される信号を増幅
する増幅器、19は増幅器18の出力値を保持す
るホールド回路、20はホールド回路19に保持
された出力値を相当するデイジタル値に変換する
A/D変換器である。21はカウンタ17および
A/D変換器20からの信号を入力し、これらの
信号に基づいて、タブレツト7上におけるスタイ
ラスペン5の座標を演算する信号処理装置であ
る。即ち、セレクタ導線10の信号により、スタ
イラスペン5がどの櫛歯間にあるかが検出され、
又、カウンタ17から得られるPD値によりcos線
9の1周期内におけるスタイラスペン5の位置が
判明するので、これからのスタイラスペン5の座
標の演算が可能となる。なお、信号処理装置21
はセレクタ11に対して各端子の切換(セレクタ
端子のスキヤンニングを含む)指令をも行なう。
がセレクタ11において順次切換えられる(スキ
ヤンニングされる)ことによりスタイラスペン5
が置かれている櫛歯間から出力される信号を増幅
する増幅器、19は増幅器18の出力値を保持す
るホールド回路、20はホールド回路19に保持
された出力値を相当するデイジタル値に変換する
A/D変換器である。21はカウンタ17および
A/D変換器20からの信号を入力し、これらの
信号に基づいて、タブレツト7上におけるスタイ
ラスペン5の座標を演算する信号処理装置であ
る。即ち、セレクタ導線10の信号により、スタ
イラスペン5がどの櫛歯間にあるかが検出され、
又、カウンタ17から得られるPD値によりcos線
9の1周期内におけるスタイラスペン5の位置が
判明するので、これからのスタイラスペン5の座
標の演算が可能となる。なお、信号処理装置21
はセレクタ11に対して各端子の切換(セレクタ
端子のスキヤンニングを含む)指令をも行なう。
ところで、上記座標検出装置において、スタイ
ラスペン5がタブレツト7の面に対してほぼ垂直
に置かれる場合は、セレクタ導線10の該当する
櫛歯間のみに出力信号が現れるので座標域検出に
問題はない。しかしながら、一般に、スタイラス
ペン5の使用に際しては、これをタブレツト7の
面に対して相当傾斜させる場合が多く、この場
合、セレクタ導線10には、スタイラスペン5が
存在する櫛歯間ばかりでなく、隣接する櫛歯間に
も信号が発生し、正確な座標検出が不可能とな
る。このような状態を避けるため、従来、セレク
タ導線10による座標域の検出には第2図a,c
に示すような手段が採用されていた。即ち、セレ
クタ導線10の隣接する櫛歯間を順次スキヤンニ
ングしてゆくのではなく、1つ飛ばしてスキヤン
ニングしてゆく方法である。第2図aに示すよう
に、先づ、端子T1,T3間、次に端子T2,T4間、
次に端子T3,T5間というようにスキヤンニング
してゆくのである。以下、これらの端子間をメツ
シユ、何番目のメツシユかを示す番号をメツシユ
番号と称する。第2図aで、端子T1,T3間はメ
ツシユ0番(メツシユNo.0)、端子T2,T4間はメ
ツシユ1番(メツシユNo.)………となる。
ラスペン5がタブレツト7の面に対してほぼ垂直
に置かれる場合は、セレクタ導線10の該当する
櫛歯間のみに出力信号が現れるので座標域検出に
問題はない。しかしながら、一般に、スタイラス
ペン5の使用に際しては、これをタブレツト7の
面に対して相当傾斜させる場合が多く、この場
合、セレクタ導線10には、スタイラスペン5が
存在する櫛歯間ばかりでなく、隣接する櫛歯間に
も信号が発生し、正確な座標検出が不可能とな
る。このような状態を避けるため、従来、セレク
タ導線10による座標域の検出には第2図a,c
に示すような手段が採用されていた。即ち、セレ
クタ導線10の隣接する櫛歯間を順次スキヤンニ
ングしてゆくのではなく、1つ飛ばしてスキヤン
ニングしてゆく方法である。第2図aに示すよう
に、先づ、端子T1,T3間、次に端子T2,T4間、
次に端子T3,T5間というようにスキヤンニング
してゆくのである。以下、これらの端子間をメツ
シユ、何番目のメツシユかを示す番号をメツシユ
番号と称する。第2図aで、端子T1,T3間はメ
ツシユ0番(メツシユNo.0)、端子T2,T4間はメ
ツシユ1番(メツシユNo.)………となる。
第2図cは、スタイラスペン5を傾けたときの
セレクタ導線10の各メツシユの検出電圧を示
す。今、例えばスタイラスペン5がタブレツト7
上の点Aに置かれているとする。この場合、セレ
クタ導線10においては、メツシユNo.0で電圧
Va2が、メツシユNo.で電圧Va1が、メツシユNo.
で電圧Va3が生じる。この電圧はそれぞれホー
ルド回路19、A/D変換器20を経て信号処理
装置21に入力される。信号処理装置21では、
各電圧の値が比較されるとともに、各値が発生し
た順番がチエツクされ、この場合、中間値Va2、
大きな値Va1、小さな値Va3の順番で発生したの
で、スタイラスペン5は3つのメツシユのうちの
中間のメツシユ、即ち、メツシユNo.にあると判
断する。そして、座標原点が端子T1を通る垂直
線上にあると仮定すると、スタイラスペン5のX
軸座標は、そのメツシユ番号にメツシユのピツチ
の1/2を乗じ、得られた数にこの場合のPD値Na
を加算した値XAとなる。又、スタイラスペン5
が点Bにある場合、メツシユNo.0、メツシユNo.
、メツシユNo.においてそれぞれ電圧Vb3,Vb
1,Vb2が順に発生し、その大きさの順は、小、
大、中となるので、信号処理装置21では点Bが
最後のメツシユ、即ち、メツシユNo.にあると判
断し、2にメツシユピツチの1/2を乗じ、その値
にPD値Nbを加算してX座標値XBを得る。以上
のことから、点A、又は点Bの検出には、セレク
タ導線10の検出手順を3回行なう必要がある。
又、点Cにおいては、検出手順を2回行なう必要
がある。
セレクタ導線10の各メツシユの検出電圧を示
す。今、例えばスタイラスペン5がタブレツト7
上の点Aに置かれているとする。この場合、セレ
クタ導線10においては、メツシユNo.0で電圧
Va2が、メツシユNo.で電圧Va1が、メツシユNo.
で電圧Va3が生じる。この電圧はそれぞれホー
ルド回路19、A/D変換器20を経て信号処理
装置21に入力される。信号処理装置21では、
各電圧の値が比較されるとともに、各値が発生し
た順番がチエツクされ、この場合、中間値Va2、
大きな値Va1、小さな値Va3の順番で発生したの
で、スタイラスペン5は3つのメツシユのうちの
中間のメツシユ、即ち、メツシユNo.にあると判
断する。そして、座標原点が端子T1を通る垂直
線上にあると仮定すると、スタイラスペン5のX
軸座標は、そのメツシユ番号にメツシユのピツチ
の1/2を乗じ、得られた数にこの場合のPD値Na
を加算した値XAとなる。又、スタイラスペン5
が点Bにある場合、メツシユNo.0、メツシユNo.
、メツシユNo.においてそれぞれ電圧Vb3,Vb
1,Vb2が順に発生し、その大きさの順は、小、
大、中となるので、信号処理装置21では点Bが
最後のメツシユ、即ち、メツシユNo.にあると判
断し、2にメツシユピツチの1/2を乗じ、その値
にPD値Nbを加算してX座標値XBを得る。以上
のことから、点A、又は点Bの検出には、セレク
タ導線10の検出手順を3回行なう必要がある。
又、点Cにおいては、検出手順を2回行なう必要
がある。
このように、セレクタ導線による従来の座標域
検出においては、3つの電圧が検出される場合が
存在するので、1つの電圧が検出されたとき、必
ず、その後2回の検出処理を行なわねばならず、
検出処理回路および判定条件の数が多くなり、座
標域検出処理回数が多くなること、および、2つ
の電圧が検出された場合と3つの電圧が検出され
た場合のそれぞれの電圧の大小関係と発生順に基
づいて判定を行なわねばならず、判定条件の数が
多くなることから、座標域検出が極めて複雑にな
るという欠点があつた。
検出においては、3つの電圧が検出される場合が
存在するので、1つの電圧が検出されたとき、必
ず、その後2回の検出処理を行なわねばならず、
検出処理回路および判定条件の数が多くなり、座
標域検出処理回数が多くなること、および、2つ
の電圧が検出された場合と3つの電圧が検出され
た場合のそれぞれの電圧の大小関係と発生順に基
づいて判定を行なわねばならず、判定条件の数が
多くなることから、座標域検出が極めて複雑にな
るという欠点があつた。
本発明の目的は、上記欠点を除き、座標域の検
出をより一層容易に行なうことができる座標検出
装置を提供するにある。
出をより一層容易に行なうことができる座標検出
装置を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、cos線、
sin線の半周期毎にセレクタ導線を配置するとと
もに、セレクタ導線の出力電圧をある定められた
設定値と順次比較し、この設定された電圧以上の
電圧が発生したとき、その電圧発生の回数および
そのときのセレクタ導線の位置に基づいてスタイ
ラスペン等の励磁装置が存在するセレクタ導線の
座標域を求め、この求められた座標域と前記cos
線、sin線の1周期内における励磁装置の位置と
に基づいて、励磁装置の座標を演算するようにし
たことを特徴とする。
sin線の半周期毎にセレクタ導線を配置するとと
もに、セレクタ導線の出力電圧をある定められた
設定値と順次比較し、この設定された電圧以上の
電圧が発生したとき、その電圧発生の回数および
そのときのセレクタ導線の位置に基づいてスタイ
ラスペン等の励磁装置が存在するセレクタ導線の
座標域を求め、この求められた座標域と前記cos
線、sin線の1周期内における励磁装置の位置と
に基づいて、励磁装置の座標を演算するようにし
たことを特徴とする。
以下、本発明を第3図および第4図に示す実施
例に基づいて説明する。
例に基づいて説明する。
第3図は本発明の実施例に係る座標検出装置の
タブレツト上の各導線の配置図である。本実施例
において、cos線8およびsin線9の配置は第2図
aに示す従来例のものと同じである。22はセレ
クタ導線である。セレクタ導線22は従来例のも
のと同じく櫛歯状に形成されているが、従来例の
セレクタ導線10が、cos線8、sin線9の1周期
に等しいピツチの櫛歯を有するのに対して、本実
施例のセレクタ導線22は、cos線8、sin線9の
半周期に等しいピツチの櫛歯を有する。T0〜T5
は各櫛歯の端子であり、端子T1,T3間が0番の
メツシユ、端子T2,T4間が番のメツシユ、端
子T3,T5間が番のメツシユとなる。このよう
に、メツシユのピツチも従来のセレクタ導線10
のピツチの1/2となる。
タブレツト上の各導線の配置図である。本実施例
において、cos線8およびsin線9の配置は第2図
aに示す従来例のものと同じである。22はセレ
クタ導線である。セレクタ導線22は従来例のも
のと同じく櫛歯状に形成されているが、従来例の
セレクタ導線10が、cos線8、sin線9の1周期
に等しいピツチの櫛歯を有するのに対して、本実
施例のセレクタ導線22は、cos線8、sin線9の
半周期に等しいピツチの櫛歯を有する。T0〜T5
は各櫛歯の端子であり、端子T1,T3間が0番の
メツシユ、端子T2,T4間が番のメツシユ、端
子T3,T5間が番のメツシユとなる。このよう
に、メツシユのピツチも従来のセレクタ導線10
のピツチの1/2となる。
第4図は本発明の実施例に係る座標検出装置の
一部のブロツク図である。図で、第1図に示す部
分と同一部分には同一符号が付してある。なお、
第1図における発振器1からスタイラスペン5に
至る系統、タブレツト、cos線およびsin線の信号
の処理系統については図示が省略されている。本
実施例がさきの実施例と異なるのは、増幅器18
で増幅されたセレクタ導線22の信号を、ある定
められた設定電圧と比較する比較器23を設けた
点にある。比較器23はこの設定電圧以上の電圧
が入力されたとき信号を出力し、その信号はホー
ルド回路19で保持され、A/D変換器20でデ
イジタル値に変換され、信号処理装置21に入力
される。
一部のブロツク図である。図で、第1図に示す部
分と同一部分には同一符号が付してある。なお、
第1図における発振器1からスタイラスペン5に
至る系統、タブレツト、cos線およびsin線の信号
の処理系統については図示が省略されている。本
実施例がさきの実施例と異なるのは、増幅器18
で増幅されたセレクタ導線22の信号を、ある定
められた設定電圧と比較する比較器23を設けた
点にある。比較器23はこの設定電圧以上の電圧
が入力されたとき信号を出力し、その信号はホー
ルド回路19で保持され、A/D変換器20でデ
イジタル値に変換され、信号処理装置21に入力
される。
次に、本実施例の動作を第5図a乃至eに示す
各導線配置図、PD値およびセレクタ電圧波形図
を参照しながら説明する。
各導線配置図、PD値およびセレクタ電圧波形図
を参照しながら説明する。
第5図aは第3図に示すcos線8、sin線9、セ
レクタ線22の配置と同一の配置を示す図であ
り、第(n−2)番の端子To-2から第(n+3)
番の端子To+3の部分の各線の配置を示す。又、
第5図bは、第5図aに対応するPD値を示す。
今、スタイラスペン5をタブレツト7の面にほぼ
垂直に置いたとすると、端子To-2と端子Toの間
{第(n−3)番のメツシユ}、……………、端子
To+1と端子To+3の間に発生するセレクタ導線2
2の電圧は第5図cに示す電圧となる。又、スタ
イラスペン5を例えば左に傾けると各端子間の電
圧は第5図dに示すようになり、右に傾けると第
5図eに示すようになる。さらに、比較器23に
おける設定電圧の値は第5図c〜eに示す電圧レ
ベルVsであるとする。なお、第2図において、
座標の原点が端子T1の垂直線上にあるとすると、
第5図におけるnは奇数端子となる。又、以下の
説明において、各メツシユの2つの端子のうち、
原点に近い番号の小さな方の端子をそのメツシユ
のセレクタ端子とする。例えば、端子To-2、To
間である第(n−3)番のメツシユのセレクタ端
子は端子To-2である。
レクタ線22の配置と同一の配置を示す図であ
り、第(n−2)番の端子To-2から第(n+3)
番の端子To+3の部分の各線の配置を示す。又、
第5図bは、第5図aに対応するPD値を示す。
今、スタイラスペン5をタブレツト7の面にほぼ
垂直に置いたとすると、端子To-2と端子Toの間
{第(n−3)番のメツシユ}、……………、端子
To+1と端子To+3の間に発生するセレクタ導線2
2の電圧は第5図cに示す電圧となる。又、スタ
イラスペン5を例えば左に傾けると各端子間の電
圧は第5図dに示すようになり、右に傾けると第
5図eに示すようになる。さらに、比較器23に
おける設定電圧の値は第5図c〜eに示す電圧レ
ベルVsであるとする。なお、第2図において、
座標の原点が端子T1の垂直線上にあるとすると、
第5図におけるnは奇数端子となる。又、以下の
説明において、各メツシユの2つの端子のうち、
原点に近い番号の小さな方の端子をそのメツシユ
のセレクタ端子とする。例えば、端子To-2、To
間である第(n−3)番のメツシユのセレクタ端
子は端子To-2である。
ここで、本実施例における、座標域の判定を含
めた座標の演算について述べる。設定電圧Vsは
セレクタ導線22の電圧が、スキヤンニング中に
3回検出されるのを避けることができるレベルに
設定されている。したがつて、その検出回数は1
回又は2回となる。まず、セレクタ導線22の電
圧が1回検出された場合、(1)セレクタ端子が奇数
のとき、(2)セレクタ端子が偶数で、かつ、PD値
が0から最大値の1/2未満にあるとき、(3)セレク
タ端子が偶数で、かつ、PD値が最大値の1/2以上
のとき、以上の3つに分けて座標域の判定をし、
座標の演算を行なう。(1)のとき、原点からセレク
タ端子までの距離(セレクタ端子の番号から1を
減じた数にセレクタ導線22のピツチを乗じた
数)にPD値を加算するとX軸座標が算出される。
(2)のとき、次のセレクタ端子(メツシユの中間に
ある端子)までの距離にPD値を加算する。(3)の
とき、1つ番号の少ないセレクタ端子までの距離
にPD値を加算する。
めた座標の演算について述べる。設定電圧Vsは
セレクタ導線22の電圧が、スキヤンニング中に
3回検出されるのを避けることができるレベルに
設定されている。したがつて、その検出回数は1
回又は2回となる。まず、セレクタ導線22の電
圧が1回検出された場合、(1)セレクタ端子が奇数
のとき、(2)セレクタ端子が偶数で、かつ、PD値
が0から最大値の1/2未満にあるとき、(3)セレク
タ端子が偶数で、かつ、PD値が最大値の1/2以上
のとき、以上の3つに分けて座標域の判定をし、
座標の演算を行なう。(1)のとき、原点からセレク
タ端子までの距離(セレクタ端子の番号から1を
減じた数にセレクタ導線22のピツチを乗じた
数)にPD値を加算するとX軸座標が算出される。
(2)のとき、次のセレクタ端子(メツシユの中間に
ある端子)までの距離にPD値を加算する。(3)の
とき、1つ番号の少ないセレクタ端子までの距離
にPD値を加算する。
次に、セレクタ導線22の電圧が2回検出され
た場合は最初に検出されたメツシユについてのみ
次の判断をする。(1′)そのときのPD値が0から
最大値の1/2未満であるか、(2′)そのときのPD
値が最大値の1/2以上であるか。(1′)の場合、原
点から次のセレクタ端子までの距離にPD値を加
算して座標が算出される。(2′)の場合、そのセ
レクタ端子までの距離にPD値を加算して座標が
算出される。
た場合は最初に検出されたメツシユについてのみ
次の判断をする。(1′)そのときのPD値が0から
最大値の1/2未満であるか、(2′)そのときのPD
値が最大値の1/2以上であるか。(1′)の場合、原
点から次のセレクタ端子までの距離にPD値を加
算して座標が算出される。(2′)の場合、そのセ
レクタ端子までの距離にPD値を加算して座標が
算出される。
以上述べた座標の演算を、スタイラスペン5が
第5図aに示す点Dおよび点Eに置かれている場
合についてみると次のようになる。まず、点Dに
スタイラスペン5が垂直に置かれたとき、第5図
cに示すように、端子To-1、To+1間の第(n−
2)番メツシユにおいてセレクタ電圧Vd1が検出
され、この電圧Vd1は設定電圧Vsより大きいの
で、比較器23からは検出信号が出力される。こ
の場合の検出は、当該メツシユにおいてのみの1
回検出である。一方、カウンタ17のカウント数
は信号処理装置21に入力され、PD値が算出さ
れており、又、セレクタ端子のスキヤンニングは
信号処理装置21の指令で行なわれるので、この
場合のセレクタ端子が端子To-1であることは判
つている。これらの事項から、検出回数1、セレ
クタ端子偶数、PD値は最大値の1/2以上、即ち、
前述の(3)の条件に該当することが、信号処理装置
21で判断される。したがつて、点DのX軸座標
は、この場合のセレクタ端子To-1より1つ番号
の少ないセレクタ端子To-2までの距離、即ち、
(n−3)にセレクタ導線22のピツチを乗じた
数にPD値を加算することにより算出される。
第5図aに示す点Dおよび点Eに置かれている場
合についてみると次のようになる。まず、点Dに
スタイラスペン5が垂直に置かれたとき、第5図
cに示すように、端子To-1、To+1間の第(n−
2)番メツシユにおいてセレクタ電圧Vd1が検出
され、この電圧Vd1は設定電圧Vsより大きいの
で、比較器23からは検出信号が出力される。こ
の場合の検出は、当該メツシユにおいてのみの1
回検出である。一方、カウンタ17のカウント数
は信号処理装置21に入力され、PD値が算出さ
れており、又、セレクタ端子のスキヤンニングは
信号処理装置21の指令で行なわれるので、この
場合のセレクタ端子が端子To-1であることは判
つている。これらの事項から、検出回数1、セレ
クタ端子偶数、PD値は最大値の1/2以上、即ち、
前述の(3)の条件に該当することが、信号処理装置
21で判断される。したがつて、点DのX軸座標
は、この場合のセレクタ端子To-1より1つ番号
の少ないセレクタ端子To-2までの距離、即ち、
(n−3)にセレクタ導線22のピツチを乗じた
数にPD値を加算することにより算出される。
点Dにスタイラスペンが左に傾けられた状態で
置かれた場合、第5図dに示すように、上述の場
合と同じ第(n−2)番メツシユにおけるセレク
タ電圧Vd2の1回検出となるので、全く同一の判
断および演算が行なわれて座標が算出される。
置かれた場合、第5図dに示すように、上述の場
合と同じ第(n−2)番メツシユにおけるセレク
タ電圧Vd2の1回検出となるので、全く同一の判
断および演算が行なわれて座標が算出される。
点Dにスタイラスペン5が右に傾けられた状態
で置かれた場合、第(n−3)番メツシユで電圧
Vd3が、続いて第(n−2)番メツシユで電圧Vd
4が検出される2回検出となる。したがつて、最
初の第(n−3)番メツシユの検出のみについて
判断する。この場合、PD値は最大値の1/2以上に
あるので、前記(2′)の条件に該当し、第(n−
3)番メツシユのセレクタ端子To-2までの距離
にPD値を加算して上述の場合と同様に点Dの座
標が算出される。
で置かれた場合、第(n−3)番メツシユで電圧
Vd3が、続いて第(n−2)番メツシユで電圧Vd
4が検出される2回検出となる。したがつて、最
初の第(n−3)番メツシユの検出のみについて
判断する。この場合、PD値は最大値の1/2以上に
あるので、前記(2′)の条件に該当し、第(n−
3)番メツシユのセレクタ端子To-2までの距離
にPD値を加算して上述の場合と同様に点Dの座
標が算出される。
次に、点Eにスタイラスペン5が垂直に置かれ
た場合、第5図cに示すように、端子To-1、To
+1間の第(n−2)番メツシユにおいてセレクタ
電圧Ve1が検出される。この場合の条件は、検出
回数1、セレクタ端子偶数、PD値は最大値の1/2
より少ないので前述の(2)の条件に該当する。した
がつて、点EのX軸座標は、この場合のセレクタ
端子To-1の次のセレクタ端子Toと原点との間の
距離、即ち、(n−1)にセレクタ導線22のピ
ツチを乗じた数にPD値を加算することにより算
出される。スタイラスペン5が右に傾けられた状
態で点Eに置かれた場合も、第5図eに示すよう
に、同一メツシユで電圧Ve4が1回検出されるこ
ととなり、全く同様にして座標の算出が行なわれ
る。
た場合、第5図cに示すように、端子To-1、To
+1間の第(n−2)番メツシユにおいてセレクタ
電圧Ve1が検出される。この場合の条件は、検出
回数1、セレクタ端子偶数、PD値は最大値の1/2
より少ないので前述の(2)の条件に該当する。した
がつて、点EのX軸座標は、この場合のセレクタ
端子To-1の次のセレクタ端子Toと原点との間の
距離、即ち、(n−1)にセレクタ導線22のピ
ツチを乗じた数にPD値を加算することにより算
出される。スタイラスペン5が右に傾けられた状
態で点Eに置かれた場合も、第5図eに示すよう
に、同一メツシユで電圧Ve4が1回検出されるこ
ととなり、全く同様にして座標の算出が行なわれ
る。
スタイラスペン5が左に傾けられた状態で点E
に置かれた場合、第5図dに示すように、第(n
−2)番メツシユにおける電圧Ve3および第(n
−1)番メツシユにおける電圧Ve2の2回検出と
なる。したがつて、最初の検出である第(n−
2)番メツシユの検出について判断する。この場
合、PD値は最大値の1/2未満であるので、前述の
(1′)の条件に該当し、このセレクタ端子To-1の
次のセレクタ端子Toと原点との間の距離にPD値
を加算して、上述と同様に点Eの座標が算出され
る。
に置かれた場合、第5図dに示すように、第(n
−2)番メツシユにおける電圧Ve3および第(n
−1)番メツシユにおける電圧Ve2の2回検出と
なる。したがつて、最初の検出である第(n−
2)番メツシユの検出について判断する。この場
合、PD値は最大値の1/2未満であるので、前述の
(1′)の条件に該当し、このセレクタ端子To-1の
次のセレクタ端子Toと原点との間の距離にPD値
を加算して、上述と同様に点Eの座標が算出され
る。
なお、この実施例の場合、セレクタ端子の番号
は原点から順に付されており、かつ、セレクタ端
子のスキヤンニングは端子番号の小さな方から大
きな方に行なわれるものとする。
は原点から順に付されており、かつ、セレクタ端
子のスキヤンニングは端子番号の小さな方から大
きな方に行なわれるものとする。
このように、本実施例では、cos線、sin線の半
周期毎にセレクタ導線を配置し、ある定められた
設定電圧以上のセレクタ電圧のみ検出するように
し、1回検出と2回検出のそれぞれの場合につい
てセレクタ端子番号とPD値に基づいて演算を行
なうようにしたので、セレクタ電圧の検出回数を
2回に減少せしめることができ、かつ、これに伴
ない判定条件の数も減少せしめることができ、従
来装置の座標検出に比べて格段に検出が容易かつ
正確になる。又、cos線、sin線のピツチを大きく
することによりタブレツトの厚みを厚くすること
ができ、後方から投光する型の座標検出装置にお
いて各導線の影がタブレツト表面上に現出するの
を排除することが知られているが、従来のcos線、
sin線の1周期毎にセレクタ導線を配置する構成
ではセレクタ検出電圧が低下して所期の検出を行
なうことが困難となるが、本実施例ではその半周
期毎にセレクタ導線を配置したので、たとえcos
線、sin線のピツチを大きくしてもセレクタ検出
電圧の低下はなく、正確な検出を行なうことがで
きる。
周期毎にセレクタ導線を配置し、ある定められた
設定電圧以上のセレクタ電圧のみ検出するように
し、1回検出と2回検出のそれぞれの場合につい
てセレクタ端子番号とPD値に基づいて演算を行
なうようにしたので、セレクタ電圧の検出回数を
2回に減少せしめることができ、かつ、これに伴
ない判定条件の数も減少せしめることができ、従
来装置の座標検出に比べて格段に検出が容易かつ
正確になる。又、cos線、sin線のピツチを大きく
することによりタブレツトの厚みを厚くすること
ができ、後方から投光する型の座標検出装置にお
いて各導線の影がタブレツト表面上に現出するの
を排除することが知られているが、従来のcos線、
sin線の1周期毎にセレクタ導線を配置する構成
ではセレクタ検出電圧が低下して所期の検出を行
なうことが困難となるが、本実施例ではその半周
期毎にセレクタ導線を配置したので、たとえcos
線、sin線のピツチを大きくしてもセレクタ検出
電圧の低下はなく、正確な検出を行なうことがで
きる。
なお、上述の実施例において、比較器23の出
力を高レベル、低レベルの2値信号として信号処
理装置に直接入力することもできる。又、前述の
条件判断においては、セレクタ端子番号でなくメ
ツシユ番号を基にすることもできる。
力を高レベル、低レベルの2値信号として信号処
理装置に直接入力することもできる。又、前述の
条件判断においては、セレクタ端子番号でなくメ
ツシユ番号を基にすることもできる。
以上述べたように、本発明では、基板上に配置
された2つの導線の半周期の間隔でセレクタ導線
を配置し、ある定められた設定電圧以上のセレク
タ電圧のみ検出し、検出回数、セレクタ導線の位
置、PD値に基づいてスタイラスペン等の励磁装
置の位置を求めるようにしたので、座標域の検出
回数を2回にとどめることができ、検出を容易か
つ正確に行なうことができ、又、セレクタ検出電
圧の低下も防止することができる。
された2つの導線の半周期の間隔でセレクタ導線
を配置し、ある定められた設定電圧以上のセレク
タ電圧のみ検出し、検出回数、セレクタ導線の位
置、PD値に基づいてスタイラスペン等の励磁装
置の位置を求めるようにしたので、座標域の検出
回数を2回にとどめることができ、検出を容易か
つ正確に行なうことができ、又、セレクタ検出電
圧の低下も防止することができる。
第1図は従来の座標検出装置のブロツク図、第
2図a,b,cはそれぞれ第1図に示す装置の検
出導線配線図、PD値およびセレクタ検出電圧波
形図、第3図は本発明の実施例に係る座標検出装
置の検出導線配線図、第4図は本発明の実施例に
係る座標検出装置の一部のブロツク図、第5図
a,b,c,d,eは第3図および第4図に示す
実施例の動作を説明する検出導線配線図、PD値、
セレクタ検出電圧波形図である。 5……スタイラスペン、7……タブレツト、8
……cos線、9……sin線、11……セレクタ、1
4……加算器、16,23……比較器、17……
カウンタ、21……信号処理装置、22……セレ
クタ導線。
2図a,b,cはそれぞれ第1図に示す装置の検
出導線配線図、PD値およびセレクタ検出電圧波
形図、第3図は本発明の実施例に係る座標検出装
置の検出導線配線図、第4図は本発明の実施例に
係る座標検出装置の一部のブロツク図、第5図
a,b,c,d,eは第3図および第4図に示す
実施例の動作を説明する検出導線配線図、PD値、
セレクタ検出電圧波形図である。 5……スタイラスペン、7……タブレツト、8
……cos線、9……sin線、11……セレクタ、1
4……加算器、16,23……比較器、17……
カウンタ、21……信号処理装置、22……セレ
クタ導線。
Claims (1)
- 1 所定の発振周波数で励磁される励磁装置と、
所定の周期をもつて蛇行状に基板に配置されると
ともに前記励磁装置の位置に応じた電圧を出力す
る2つの導線と、前記電圧に基づいて前記導線の
前記周期内における前記励磁装置の位置を演算す
る演算手段とを備えた座標検出装置において、前
記各導線の前記周期の1/2の間隔で配置したセレ
クタ線と、これら各セレクタ線の出力電圧をある
定められた設定電圧と順次比較してこの設定電圧
以上の出力電圧があつたとき信号を発生する比較
器と、この比較器から信号が発生したときにその
発生回数とそのときのセレクタ線の位置と前記演
算手段で得られた値とに基づいて前記励磁装置の
座標を求める処理手段とを設けたことを特徴とす
る座標検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58060982A JPS59188789A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 座標検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58060982A JPS59188789A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 座標検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188789A JPS59188789A (ja) | 1984-10-26 |
| JPH0131206B2 true JPH0131206B2 (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=13158140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58060982A Granted JPS59188789A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 座標検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188789A (ja) |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP58060982A patent/JPS59188789A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59188789A (ja) | 1984-10-26 |
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