JPH01318259A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01318259A JPH01318259A JP63151826A JP15182688A JPH01318259A JP H01318259 A JPH01318259 A JP H01318259A JP 63151826 A JP63151826 A JP 63151826A JP 15182688 A JP15182688 A JP 15182688A JP H01318259 A JPH01318259 A JP H01318259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- substrate mounting
- mounting land
- land
- hybrid integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は混成集積回路装置に関し、特にリードフレーム
に回路基板を搭載して樹脂封止した構成の混成集積回路
装置に関する。
に回路基板を搭載して樹脂封止した構成の混成集積回路
装置に関する。
従来、この種の混成集積回路装置として、例えば特開昭
61−170217号の従来技術で説明されているよう
に、リードフレームの基板搭載ランド上にこれを同じ形
状及び寸法の回路基板を搭載し、ここに半導体素子を始
めとする各種素子を搭載し、外部導出用のリードとの間
に細線を接続し夕上でこれらをトランスファーモールド
法等により樹脂封止した構成となっている。
61−170217号の従来技術で説明されているよう
に、リードフレームの基板搭載ランド上にこれを同じ形
状及び寸法の回路基板を搭載し、ここに半導体素子を始
めとする各種素子を搭載し、外部導出用のリードとの間
に細線を接続し夕上でこれらをトランスファーモールド
法等により樹脂封止した構成となっている。
上述した従来の混成集積回路装置では、回路基板がリー
ドフレームの基板搭載ランドと同じ形状。
ドフレームの基板搭載ランドと同じ形状。
寸法であるために、回路基板の裏面には該ランドが存在
し、裏面側に部品を搭載することは不可能になる。この
ため、部品は回路基板の表面側にのみ搭載することにな
ってその数や大きさに制限を受け、近年のように回路の
高集積化に伴って搭載する部品数が増大している集積回
路装置への適用が困難になるという問題がある。
し、裏面側に部品を搭載することは不可能になる。この
ため、部品は回路基板の表面側にのみ搭載することにな
ってその数や大きさに制限を受け、近年のように回路の
高集積化に伴って搭載する部品数が増大している集積回
路装置への適用が困難になるという問題がある。
本発明は搭載する部品の実装密度の向上を図り、高集積
化に適用可能な混成集積回路装置を提供することを目的
としている。
化に適用可能な混成集積回路装置を提供することを目的
としている。
〔課題を解決するための手段]
本発明の混成集積回路装置は、リードフレームに設ける
基板搭載ランドを、搭載する回路基板の裏面の一部をの
み支持する平面形状とし、この基板搭載ランドが存在し
ない領域の回路基板の裏面に各種部品の一部を搭載する
ように構成している。
基板搭載ランドを、搭載する回路基板の裏面の一部をの
み支持する平面形状とし、この基板搭載ランドが存在し
ない領域の回路基板の裏面に各種部品の一部を搭載する
ように構成している。
[作用]
上述した構成では、基板搭載ランドが存在しない領域に
おいて回路基板の裏面が露呈されるため、この裏面領域
に各種部品を搭載することが可能となり、搭載する部品
数を増大して実装密度を向上する。
おいて回路基板の裏面が露呈されるため、この裏面領域
に各種部品を搭載することが可能となり、搭載する部品
数を増大して実装密度を向上する。
〔実施例]
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、同図(a)
は一部破断乎面図、同図(b)はそのA−A線に沿う断
面図である。図において、金属製のリードフレーム1は
基板搭載ランド2と、その周囲に配置した複数本の外部
導出リード3とで構成される。なお、図では樹脂封止を
行う前の、基板搭載ランド2と外部導出リード3とがフ
レームによって一体化されている状態を示している。
は一部破断乎面図、同図(b)はそのA−A線に沿う断
面図である。図において、金属製のリードフレーム1は
基板搭載ランド2と、その周囲に配置した複数本の外部
導出リード3とで構成される。なお、図では樹脂封止を
行う前の、基板搭載ランド2と外部導出リード3とがフ
レームによって一体化されている状態を示している。
ここで、前記基板搭載ランド2は長方形の枠状に形成す
る。ここでは、260mrrfの面積を有する2胴幅の
枠として形成している。そして、この基板搭載ランド2
の外側縁と同じ形状をした回路基板4を基板搭載ランド
2上に絶縁性接着材により固着している。この回路基板
4上には、半導体素子5や積層セラミックコンデンサ6
等の各種部品が搭載されるが、このとき回路基板4の表
面に搭載するのはもとより、基板搭載ランド2で囲まれ
た回路基板4の裏面にも搭載している。
る。ここでは、260mrrfの面積を有する2胴幅の
枠として形成している。そして、この基板搭載ランド2
の外側縁と同じ形状をした回路基板4を基板搭載ランド
2上に絶縁性接着材により固着している。この回路基板
4上には、半導体素子5や積層セラミックコンデンサ6
等の各種部品が搭載されるが、このとき回路基板4の表
面に搭載するのはもとより、基板搭載ランド2で囲まれ
た回路基板4の裏面にも搭載している。
しかる上で、半導体素子5と回路基板とを金属細線7で
接続し、また回路基板4と外部導出り−ド3とを金属細
線8で電気接続した上で、全体をトランスファーモール
ド法によりエポキシシリコンやフェノール等の樹脂9で
封止してパッケージを構成している。第1図(b)はこ
の封止後の断面図である。
接続し、また回路基板4と外部導出り−ド3とを金属細
線8で電気接続した上で、全体をトランスファーモール
ド法によりエポキシシリコンやフェノール等の樹脂9で
封止してパッケージを構成している。第1図(b)はこ
の封止後の断面図である。
この構成によれば、枠状に形成した基板搭載部2の開口
内に回路基板4の裏面が露呈され、ここに各種部品を搭
載することが可能となるため、回路基板4の表裏面を有
効に活用することが可能となり、搭載部品数を増大して
実装密度を向上することができる。これにより高集積化
に対応でき、小型でかつ高集積の混成集積回路装置が実
現できる。
内に回路基板4の裏面が露呈され、ここに各種部品を搭
載することが可能となるため、回路基板4の表裏面を有
効に活用することが可能となり、搭載部品数を増大して
実装密度を向上することができる。これにより高集積化
に対応でき、小型でかつ高集積の混成集積回路装置が実
現できる。
第2図は本発明の第2実施例を示しており、同図(a)
は一部破断乎面図、同図(b)はそのB−B線に沿う断
面図である。なお、第1図と同一部分には同一符号を付
しである。
は一部破断乎面図、同図(b)はそのB−B線に沿う断
面図である。なお、第1図と同一部分には同一符号を付
しである。
この実施例では、基板搭載ランド2Aを、対向する一対
の矩形板で構成し、回路基板4はこれら基板搭載ランド
2Aに両端部を支持させた状態で搭載を行っている。こ
の基板搭載ランド2Aの面積は150mrrfである。
の矩形板で構成し、回路基板4はこれら基板搭載ランド
2Aに両端部を支持させた状態で搭載を行っている。こ
の基板搭載ランド2Aの面積は150mrrfである。
この実施例によれば、回路基板4の表面及び裏 4面
に半導体素子5や各種部品6を搭載して実装密度を向上
し、高集積化を実現できるのは第1実施例と同じである
。更に、ここでは回路基板4の両側に沿う位置に基板搭
載ランドが存在していないので、この領域の裏面にも部
品を搭載することが可能となり、部品の実装密度を一層
向上できる。
に半導体素子5や各種部品6を搭載して実装密度を向上
し、高集積化を実現できるのは第1実施例と同じである
。更に、ここでは回路基板4の両側に沿う位置に基板搭
載ランドが存在していないので、この領域の裏面にも部
品を搭載することが可能となり、部品の実装密度を一層
向上できる。
なお、基板搭載ランドは回路基板の裏面を露呈させた状
態で回路基板を支持することが可能であれば、その平面
形状はL字型、コ字型等適宜変更できることはいうまで
もない。
態で回路基板を支持することが可能であれば、その平面
形状はL字型、コ字型等適宜変更できることはいうまで
もない。
〔発明の効果]
以上説明したように本発明は、リードフレームの基板搭
載ランドを、搭載する回路基板の裏面−部をのみ支持す
る平面形状としているので、基板搭載ランドが存在しな
い領域において回路基板の裏面が露呈されてここに各種
部品を搭載することが可能となり、搭載する部品数を増
大して実装密度を向上し、混成集積回路装置の高集積化
に対応できる効果がある。
載ランドを、搭載する回路基板の裏面−部をのみ支持す
る平面形状としているので、基板搭載ランドが存在しな
い領域において回路基板の裏面が露呈されてここに各種
部品を搭載することが可能となり、搭載する部品数を増
大して実装密度を向上し、混成集積回路装置の高集積化
に対応できる効果がある。
第1図は本発明の第1実施例を示し、同図(a)は一部
を破断した樹脂封止前の平面図、同1ffi(b)は樹
脂封止後における同図(a)のA−A線に沿う断面図、
第2図は本発明の第2実施例を示し、同図(a)は一部
を破断した樹脂封止前の平面図、同図(b)は樹脂封止
後における同図(a)のB−B線に沿う断面図である。 1・・・リードフレーム、2,2A・・・基板搭載ラン
ド、3・・・外部導出リード、4・・・回路基板、5・
・・半導体素子、6・・・各種部品、7.訃・・金属細
線、9・・・樹脂。 第1図
を破断した樹脂封止前の平面図、同1ffi(b)は樹
脂封止後における同図(a)のA−A線に沿う断面図、
第2図は本発明の第2実施例を示し、同図(a)は一部
を破断した樹脂封止前の平面図、同図(b)は樹脂封止
後における同図(a)のB−B線に沿う断面図である。 1・・・リードフレーム、2,2A・・・基板搭載ラン
ド、3・・・外部導出リード、4・・・回路基板、5・
・・半導体素子、6・・・各種部品、7.訃・・金属細
線、9・・・樹脂。 第1図
Claims (1)
- 1、リードフレームに設けた基板搭載ランドに回路基板
を搭載し、この回路基板に各種部品を搭載して樹脂封止
してなる混成集積回路装置において、前記基板搭載ラン
ドは回路基板の裏面の一部をのみ支持する平面形状とし
、この基板搭載ランドが存在しない領域の回路基板の裏
面に、前記各種部品の一部を搭載したことを特徴とする
混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63151826A JPH01318259A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63151826A JPH01318259A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318259A true JPH01318259A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15527160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63151826A Pending JPH01318259A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01318259A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600750A3 (en) * | 1992-12-04 | 1995-04-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit arrangement with a lead frame insert. |
| DE19847175A1 (de) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh | Integrierte Speicherschaltungsanordnung |
| JP2009283563A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63151826A patent/JPH01318259A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600750A3 (en) * | 1992-12-04 | 1995-04-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit arrangement with a lead frame insert. |
| DE19847175A1 (de) * | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Zentr Mikroelekt Dresden Gmbh | Integrierte Speicherschaltungsanordnung |
| US6185124B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-02-06 | Zentrum Mikroelektronik Dresden Gmbh | Storage circuit apparatus |
| JP2009283563A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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