JPH01318311A - 振動子応用デバイス - Google Patents
振動子応用デバイスInfo
- Publication number
- JPH01318311A JPH01318311A JP15084188A JP15084188A JPH01318311A JP H01318311 A JPH01318311 A JP H01318311A JP 15084188 A JP15084188 A JP 15084188A JP 15084188 A JP15084188 A JP 15084188A JP H01318311 A JPH01318311 A JP H01318311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- terminal
- electrode
- piezoelectric
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
モノリシック圧電振動素子を用いた振動子応用デバイス
に関し、 高周波化に適応する新規構成を提供することを目的とし
、 １個の圧電体に第１の発振周波数の駆動電極と第２の発
振周波数の駆動電極とを少なくとも形成したモノリシッ
ク圧電振動素子を搭載する金属ステムが、該ステムと電
気的に接続された第１の端子と、絶縁体を介して該ステ
ムに支持された第２の端子とを具え、 該圧電体の対向主面の一方に形成された該電極より延在
する接続部を、該ステムの上面に形成し突出する導体層
または、該ステムに搭載した絶縁板の上面に形成し突出
する導体層に搭載して、該接続部と導体層とを接続し、 該圧電体の対向主面の他方に形成された該電極より延在
する接続部と該第２の端子とを、金属細線により接続し
てなることを特徴とし構成する。
に関し、 高周波化に適応する新規構成を提供することを目的とし
、 １個の圧電体に第１の発振周波数の駆動電極と第２の発
振周波数の駆動電極とを少なくとも形成したモノリシッ
ク圧電振動素子を搭載する金属ステムが、該ステムと電
気的に接続された第１の端子と、絶縁体を介して該ステ
ムに支持された第２の端子とを具え、 該圧電体の対向主面の一方に形成された該電極より延在
する接続部を、該ステムの上面に形成し突出する導体層
または、該ステムに搭載した絶縁板の上面に形成し突出
する導体層に搭載して、該接続部と導体層とを接続し、 該圧電体の対向主面の他方に形成された該電極より延在
する接続部と該第２の端子とを、金属細線により接続し
てなることを特徴とし構成する。
本発明は、モノリシック圧電振動素子を用いた振動子応
用デバイスの改良に関する。
用デバイスの改良に関する。
例えば、圧電振動素子を使用したフィルタはＬＣフィル
タに比べ小型、高精度であり、無調整で使用できるとい
う利点があるため、不要信号を除去するため無線機器の
アンテナ段やＩＦ部に多用されている。また、デジタル
伝送機器においても、入力するデジタルデータの中から
データを読み取るためのクロック信号成分を抽出する回
路等に使用される。
タに比べ小型、高精度であり、無調整で使用できるとい
う利点があるため、不要信号を除去するため無線機器の
アンテナ段やＩＦ部に多用されている。また、デジタル
伝送機器においても、入力するデジタルデータの中から
データを読み取るためのクロック信号成分を抽出する回
路等に使用される。
一般に、振動子とコンデンサとをラダー形に接続しフィ
ルタが得られるが、小型化と減衰特性を改善するため、
振動素子はモノリシック化される傾向にある。特に、最
近は圧電素子をストリップ化することにより、−層の小
型化が図られるようになった。
ルタが得られるが、小型化と減衰特性を改善するため、
振動素子はモノリシック化される傾向にある。特に、最
近は圧電素子をストリップ化することにより、−層の小
型化が図られるようになった。
第４図はディスクリート形フィルターの構成図（イ）と
モノリシック形フィルターの構成図（０）である。
モノリシック形フィルターの構成図（０）である。
第４図において、ディスクリート形フィルター１は、一
対の振動素子２とコンデンサ３を図示のようにラダー接
続して構成し、従来のモノリシック形フィルター５は、
同一の振動基板に第１の発振周波数の駆動電極と第２の
発振周波数の駆動電極との形成された振動素子６を、外
部接続端子および各駆動電極と該端子とを電気的に接続
する導体層を具えた絶縁性ステム（図示せず）等に搭載
し構成される。
対の振動素子２とコンデンサ３を図示のようにラダー接
続して構成し、従来のモノリシック形フィルター５は、
同一の振動基板に第１の発振周波数の駆動電極と第２の
発振周波数の駆動電極との形成された振動素子６を、外
部接続端子および各駆動電極と該端子とを電気的に接続
する導体層を具えた絶縁性ステム（図示せず）等に搭載
し構成される。
第５図は、モノリシック形フィルター５に使用する振動
素子の構成例を示す斜視図である。
素子の構成例を示す斜視図である。
第５図（イ）において、振動素子６に相当するストリッ
プ型振動素子７は、同一の振動基板８の対向主面の一方
（上面）に２個の電極９と電極９を素子外に接続するた
めの接続部１０をパターン形成し、対向主面の他方（下
面）に一対の電極９とそれぞれに対向する一対の電極１
１と、電極１１を素子外に共通接続するための接続部１
２をパターン形成してなる。
プ型振動素子７は、同一の振動基板８の対向主面の一方
（上面）に２個の電極９と電極９を素子外に接続するた
めの接続部１０をパターン形成し、対向主面の他方（下
面）に一対の電極９とそれぞれに対向する一対の電極１
１と、電極１１を素子外に共通接続するための接続部１
２をパターン形成してなる。
第５図（ロ）において、振動素子６に相当する振動素子
１３は、同一の棒状振動基板１４の対向主面の一方（上
面）に２個の個別電極１５と電極１５を素子外に接続す
るための接続部１６をパターン形成し、対向主面の他方
（下面）に２個の電極１５と共通に対向する共通電極１
７と電極１７を素子外に接続するための接続部１８をパ
ターン形成してなる。
１３は、同一の棒状振動基板１４の対向主面の一方（上
面）に２個の個別電極１５と電極１５を素子外に接続す
るための接続部１６をパターン形成し、対向主面の他方
（下面）に２個の電極１５と共通に対向する共通電極１
７と電極１７を素子外に接続するための接続部１８をパ
ターン形成してなる。
振動素子７よりも周波数が高く小型化が可能な振動素子
１３は、高周波になると共に振動基板１４が小型となり
、振動基板１４の幅Ｗ方向に接続部１６と１８の間隔Ｇ
が狭くなる。そのため、導電性接着材等を用いて例えば
ステムの上面に形成した導体層に接続させる振動素子１
３の搭載は、接続部１６と１８を短絡させないようにす
る作業が振動素子１３の高周波化と共に、難しくなると
いう問題点があった。
１３は、高周波になると共に振動基板１４が小型となり
、振動基板１４の幅Ｗ方向に接続部１６と１８の間隔Ｇ
が狭くなる。そのため、導電性接着材等を用いて例えば
ステムの上面に形成した導体層に接続させる振動素子１
３の搭載は、接続部１６と１８を短絡させないようにす
る作業が振動素子１３の高周波化と共に、難しくなると
いう問題点があった。
本発明の目的は前記問題点を除去し、製造の容易な高周
波振動子応用デバイスの新規構成を提供することである
。
波振動子応用デバイスの新規構成を提供することである
。
本発明の振動子応用デバイスは、第１の実施例であるモ
ノリシック形フィルターを示す第１図によれば、１個の
圧電体１４に第１の発振周波数の駆動電極と第２の発振
周波数の駆動電極とを少なくとも形成したモノリシック
圧電振動素子１３を搭載する金属ステム２２が、ステム
２２と電気的に接続された第１の端子２３と、絶縁体２
５を介してステム２２に支持された第２の端子２４とを
具え、圧電体１４の対向主面の下面に形成された電極１
７より延在する接続部１８を、ステム２２の上面に形成
し突出する導体層２６に搭載して、接続部１８と導体層
２６とを接続し、 圧電体１４の対向主面の上面に形成された電極１５より
延在する接続部１６と第２の端子２４とを、金属細線２
７により接続してなることを特徴とする。
ノリシック形フィルターを示す第１図によれば、１個の
圧電体１４に第１の発振周波数の駆動電極と第２の発振
周波数の駆動電極とを少なくとも形成したモノリシック
圧電振動素子１３を搭載する金属ステム２２が、ステム
２２と電気的に接続された第１の端子２３と、絶縁体２
５を介してステム２２に支持された第２の端子２４とを
具え、圧電体１４の対向主面の下面に形成された電極１
７より延在する接続部１８を、ステム２２の上面に形成
し突出する導体層２６に搭載して、接続部１８と導体層
２６とを接続し、 圧電体１４の対向主面の上面に形成された電極１５より
延在する接続部１６と第２の端子２４とを、金属細線２
７により接続してなることを特徴とする。
（作用）
上記手段によれば、金属にてなるステムを使用し、該金
属ステムには電気的に接続状態で支持された第１の端子
と、電気的に絶縁状態で支持された第２の端子とを具え
、圧電振動素子の対向主面の一方（下面）に形成した電
極の接続部は、該ステムまたはステムに搭載した絶縁板
に形成した導体層に搭載して接続し、該対向主面の他方
（上面）に形成した電極の接続部は、金属細線にて該第
２の端子に接続させたことにより、小型化によって該対
向主面のそれぞれに形成した対向電極の接続部が接近し
ても、その外部接続は容易となり、振動子応用デバイス
の生産性を高めることができるようになる。
属ステムには電気的に接続状態で支持された第１の端子
と、電気的に絶縁状態で支持された第２の端子とを具え
、圧電振動素子の対向主面の一方（下面）に形成した電
極の接続部は、該ステムまたはステムに搭載した絶縁板
に形成した導体層に搭載して接続し、該対向主面の他方
（上面）に形成した電極の接続部は、金属細線にて該第
２の端子に接続させたことにより、小型化によって該対
向主面のそれぞれに形成した対向電極の接続部が接近し
ても、その外部接続は容易となり、振動子応用デバイス
の生産性を高めることができるようになる。
以下に、図面を用いて本発明による振動子応用デバイス
を説明する。
を説明する。
第１図は本発明の第１の実施例によるモノリシック形フ
ィルターの斜視図（イ）とその一部分を破断した側ｉ図
（Ｕ）、第２図は本発明の第２の実施例によるモノリシ
ック形フィルターの斜視図、第３図は本発明の第３の実
施例によるモノリシック形フィルターの斜視図である。
ィルターの斜視図（イ）とその一部分を破断した側ｉ図
（Ｕ）、第２図は本発明の第２の実施例によるモノリシ
ック形フィルターの斜視図、第３図は本発明の第３の実
施例によるモノリシック形フィルターの斜視図である。
第１図において、第４図（υ）のフィルター５と同一構
成であるフィルター２１は、金属ステム２２に振動素子
１３を搭載してなる。
成であるフィルター２１は、金属ステム２２に振動素子
１３を搭載してなる。
ステム２２は上面に一対の導体層２６が突出し、電気的
および機械的に接続され垂下する１本の端子２３と、絶
縁ブツシュ２５を介して機械的に支持され垂下する２本
の端子２４を具えてなる。
および機械的に接続され垂下する１本の端子２３と、絶
縁ブツシュ２５を介して機械的に支持され垂下する２本
の端子２４を具えてなる。
振動素子１３は、圧電体１４の下面に形成した電極１７
の接続部１Ｂが導体層２６の上面で接続するように搭載
し、圧電体１４の上面に形成した一対の電極１５の接′
１Ｉｊｔ部１６と一対の端子２４の上面とは、金属細線
２７を使用したワイヤボンディングによって電気的に接
続される。
の接続部１Ｂが導体層２６の上面で接続するように搭載
し、圧電体１４の上面に形成した一対の電極１５の接′
１Ｉｊｔ部１６と一対の端子２４の上面とは、金属細線
２７を使用したワイヤボンディングによって電気的に接
続される。
第２図において、第４図（０）のフィルター５と同一構
成であるフィルター３１は、絶縁板（セラミック板）３
３に振動素子１３を搭載し、セラミック板３３を金属ス
テム３２に搭載してなる。
成であるフィルター３１は、絶縁板（セラミック板）３
３に振動素子１３を搭載し、セラミック板３３を金属ス
テム３２に搭載してなる。
ステム３２には、ステム３２と電気的および機械的に接
続され垂下する一対の端子２３と、絶縁ブツシュ２５を
介して機械的に支持され垂下する２木の端子２４を具え
、セラミック板３３にはその上面より上方に突出する一
対の導体層３４を形成し、上端部がセラミック板３３よ
り上方に突出する一対の端子２３と各端子２３に対応す
る導体層３４とは、導電性接着材３５等によって電気的
に接続してなる。
続され垂下する一対の端子２３と、絶縁ブツシュ２５を
介して機械的に支持され垂下する２木の端子２４を具え
、セラミック板３３にはその上面より上方に突出する一
対の導体層３４を形成し、上端部がセラミック板３３よ
り上方に突出する一対の端子２３と各端子２３に対応す
る導体層３４とは、導電性接着材３５等によって電気的
に接続してなる。
振動素子１３は、圧電体１４の下面に形成した共通電極
（１７）の接続部（１８）が導体１’ｉ３４の上面と接
続するようにセラミック板３３に搭載し、圧電体１４の
上面に形成した一対の個別電極１５の接続部１６と、上
端部がセラミック板３３より上方に突出する一対の端子
２４の上面とは、金属細線２７を使用したワイヤボンデ
ィングによって、対応するもの同士を電気的に接続して
なる。
（１７）の接続部（１８）が導体１’ｉ３４の上面と接
続するようにセラミック板３３に搭載し、圧電体１４の
上面に形成した一対の個別電極１５の接続部１６と、上
端部がセラミック板３３より上方に突出する一対の端子
２４の上面とは、金属細線２７を使用したワイヤボンデ
ィングによって、対応するもの同士を電気的に接続して
なる。
第３図において、第４図（ロ）のフィルター５と同一構
成であるフィルター４１は、絶縁板（セラミック板）３
３に振動素子１３を搭載し、セラミック板３３を金属ス
テム３２に搭載してなる。
成であるフィルター４１は、絶縁板（セラミック板）３
３に振動素子１３を搭載し、セラミック板３３を金属ス
テム３２に搭載してなる。
ステム３２には、ステム３２と電気的および機械的に接
続され垂下する一対の端子２３と、前出の絶縁ブツシュ
２５と同一の絶縁ブツシュ （図示せず）を介して機械
的に支持され垂下する２本の端子２４を具え、セラミッ
ク板３３にはその上面より上方に突出する一対の導体Ｉ
Ｗ３４を形成し、上端部がセラミック板３３より上方に
突出する一対の端子２４と各端子２４に対応する導体層
３４とは、導電性接着材３５等によって電気的に接続し
てなる。
続され垂下する一対の端子２３と、前出の絶縁ブツシュ
２５と同一の絶縁ブツシュ （図示せず）を介して機械
的に支持され垂下する２本の端子２４を具え、セラミッ
ク板３３にはその上面より上方に突出する一対の導体Ｉ
Ｗ３４を形成し、上端部がセラミック板３３より上方に
突出する一対の端子２４と各端子２４に対応する導体層
３４とは、導電性接着材３５等によって電気的に接続し
てなる。
前述したフィルター３１の振動素子１３を裏返しに搭載
した振動素子１３は、圧電体１４の下面に形成した一対
の個別電極（１５）の接続部（１６）が導体１ｉ３４の
上面と接続するように搭載し、圧電体１４の上面に形成
した共通電極１７の接続部１１３は、少なくとも一方の
端子２３の上面と金属細線２７を使用したワイヤボンデ
ィングによって接続させる。
した振動素子１３は、圧電体１４の下面に形成した一対
の個別電極（１５）の接続部（１６）が導体１ｉ３４の
上面と接続するように搭載し、圧電体１４の上面に形成
した共通電極１７の接続部１１３は、少なくとも一方の
端子２３の上面と金属細線２７を使用したワイヤボンデ
ィングによって接続させる。
以上説明したように本発明によれば、圧電振動素子の圧
電体が小型化し、その対向主面のそれぞれに形成した対
向電極の接続部が接近しても、その外部接続は容易とな
り、さらには金属ステムに圧電振動素子を直接的に搭載
することによって、絶縁材ステムを使用する従来デバイ
スより、テラセンブリ工程における接続を２個所域らす
ことが可能となり、高周波帯域に使用する振動子応用デ
バイスの生産性を高めることができた効果がある。
電体が小型化し、その対向主面のそれぞれに形成した対
向電極の接続部が接近しても、その外部接続は容易とな
り、さらには金属ステムに圧電振動素子を直接的に搭載
することによって、絶縁材ステムを使用する従来デバイ
スより、テラセンブリ工程における接続を２個所域らす
ことが可能となり、高周波帯域に使用する振動子応用デ
バイスの生産性を高めることができた効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例によるモノシリツク形フ
ィルター、 第２図は本発明の第２の実施例によるモノシリツク形フ
ィルター、 第３図は本発明の第３の実施例によるモノシリツク形フ
ィルター、 第４図は振動素子を利用したフィルターの構成図、 第５図は従来のモノリシック形フィルターに使用した振
動素子、 である。 図中において、 ５．２Ｌ３Ｌ４１はモノリシック形フィルター、１３は
モノリシック圧電振動素子、 １４は圧電体、 １５、１７は電極、 １６、１８は接続部、 ２２ 、３２は金属ステム、 ２３は第１の端子、 ２４は第２の端子、 ２５は絶縁体、 ２６．３４は導体層、 ２７は金属細線、 ３３は絶縁板、 を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − ＣＮ’Ｎ 富１ ン ＩＮ’）ｌ’１）ｕｌ＼Ｎ α） ；１
ィルター、 第２図は本発明の第２の実施例によるモノシリツク形フ
ィルター、 第３図は本発明の第３の実施例によるモノシリツク形フ
ィルター、 第４図は振動素子を利用したフィルターの構成図、 第５図は従来のモノリシック形フィルターに使用した振
動素子、 である。 図中において、 ５．２Ｌ３Ｌ４１はモノリシック形フィルター、１３は
モノリシック圧電振動素子、 １４は圧電体、 １５、１７は電極、 １６、１８は接続部、 ２２ 、３２は金属ステム、 ２３は第１の端子、 ２４は第２の端子、 ２５は絶縁体、 ２６．３４は導体層、 ２７は金属細線、 ３３は絶縁板、 を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − ＣＮ’Ｎ 富１ ン ＩＮ’）ｌ’１）ｕｌ＼Ｎ α） ；１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １個の圧電体（１４）に第１の発振周波数の駆動電極と
第２の発振周波数の駆動電極とを少なくとも形成したモ
ノリシック圧電振動素子（１３）を搭載する金属ステム
（２２または３２）が、該ステムと電気的に接続された
第１の端子（２３）と、絶縁体（２５）を介して該ステ
ムに支持された第２の端子（２４）とを具え、 該圧電体の対向主面の一方に形成された該電極より延在
する接続部（１６または１８）を、該ステムの上面に形
成し突出する導体層（２６）または、該ステムに搭載し
た絶縁板（３３）の上面に形成し突出する導体層（３４
）に搭載して、該接続部と導体層とを接続し、 該圧電体の対向主面の他方に形成された該電極より延在
する接続部と該第２の端子とを、金属細線（２７）によ
り接続してなることを特徴とする振動子応用デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15084188A JPH01318311A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 振動子応用デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15084188A JPH01318311A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 振動子応用デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318311A true JPH01318311A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15505545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15084188A Pending JPH01318311A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 振動子応用デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01318311A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5572082A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Sokol; Thomas J. | Monolithic crystal strip filter |
| JP2014179772A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Sii Crystal Technology Inc | 水晶振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631071U (ja) * | 1979-08-15 | 1981-03-26 | ||
| JPS599624B2 (ja) * | 1979-06-21 | 1984-03-03 | 本田技研工業株式会社 | ガス軟窒化法 |
| JPS6226923B2 (ja) * | 1978-12-08 | 1987-06-11 | Nippon Denso Co |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP15084188A patent/JPH01318311A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226923B2 (ja) * | 1978-12-08 | 1987-06-11 | Nippon Denso Co | |
| JPS599624B2 (ja) * | 1979-06-21 | 1984-03-03 | 本田技研工業株式会社 | ガス軟窒化法 |
| JPS5631071U (ja) * | 1979-08-15 | 1981-03-26 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5572082A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Sokol; Thomas J. | Monolithic crystal strip filter |
| JP2014179772A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Sii Crystal Technology Inc | 水晶振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6710681B2 (en) | Thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and inductor on a monolithic substrate and method of fabricating the same | |
| JP2000209061A (ja) | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 | |
| JP2003087086A (ja) | 圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器 | |
| JPH01318311A (ja) | 振動子応用デバイス | |
| JPH0324081B2 (ja) | ||
| JP4442014B2 (ja) | 表面実装型圧電デバイス | |
| JPH0774581A (ja) | 圧電振動子 | |
| JPH0235481B2 (ja) | ||
| JPS59119911A (ja) | 圧電振動子 | |
| JPH04242301A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2661007B2 (ja) | 誘電体フィルタとその通過帯域幅調整方法 | |
| JP3436251B2 (ja) | 表面実装型水晶フィルタの製造方法 | |
| JP2566086Y2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2004236253A (ja) | 二重モード圧電フィルタとその製造方法 | |
| JPH08204496A (ja) | 圧電振動部品 | |
| JPH04334202A (ja) | 圧電発振器 | |
| JP2551623Y2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPS61156902A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| JPS6139612A (ja) | セラミツクフイルタ | |
| JP2661004B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP3301198B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH05121905A (ja) | 誘電体共振器およびその特性調整方法 | |
| JPH03273701A (ja) | 誘電体共振器 | |
| JPH0389602A (ja) | 誘電体フィルタの通過帯域調整方法 | |
| JPS6320185Y2 (ja) |