JPH01319935A - 焦電材料のドライエッチング装置 - Google Patents
焦電材料のドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01319935A JPH01319935A JP63153187A JP15318788A JPH01319935A JP H01319935 A JPH01319935 A JP H01319935A JP 63153187 A JP63153187 A JP 63153187A JP 15318788 A JP15318788 A JP 15318788A JP H01319935 A JPH01319935 A JP H01319935A
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- Japan
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- dry etching
- substrate
- pyroelectric material
- substrate electrode
- electrode
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３６産業上の利用分野
発明の詳細な説明
本発明は表面弾性波フィルター等に用いられる焦電材料
の加工プロセスにおけるドライエツチング装置に関する
ものである。
の加工プロセスにおけるドライエツチング装置に関する
ものである。
従来の技術
近年、表面弾性波を通信工学の領域に採用する試みが急
速に高まっており、その主基板となる焦電材料の加工上
の取り扱いが問題となっている。
速に高まっており、その主基板となる焦電材料の加工上
の取り扱いが問題となっている。
従来のドライエツチング装置について説明する。
第３図は平行平板電極型ドライエツチング装置の概略構
成図である。第３図においては、１は対向電極、２は基
板電極で整合器３．高周波電源４が接続されている。５
，６は対向電極１および基板電極２を冷却するための媒
体の出入口である。基板電極は絶縁体７により絶縁され
被エツチング試料となる焦電材料基板８が載置されてい
る。９は焦電材料基板８を移載するための昇降手段であ
り、１０は反応ガス供給口、１１は排気口であり、排気
口１１には容器内圧力を一定にするための図示しない排
気手段が接続されている。以上のように構成されたドラ
イエツチング装置に反応ガスが供給されかつ一定の圧力
で保持された状態で、高周波電力が印加すると、対向電
極１と基板電極２間においては反応ガスがプラズマ化し
、焦電材料基板８上に形成した被エツチング試料は上記
反応ガスプラズマの物理化学反応によって除去排出され
、エツチングが進行する。
成図である。第３図においては、１は対向電極、２は基
板電極で整合器３．高周波電源４が接続されている。５
，６は対向電極１および基板電極２を冷却するための媒
体の出入口である。基板電極は絶縁体７により絶縁され
被エツチング試料となる焦電材料基板８が載置されてい
る。９は焦電材料基板８を移載するための昇降手段であ
り、１０は反応ガス供給口、１１は排気口であり、排気
口１１には容器内圧力を一定にするための図示しない排
気手段が接続されている。以上のように構成されたドラ
イエツチング装置に反応ガスが供給されかつ一定の圧力
で保持された状態で、高周波電力が印加すると、対向電
極１と基板電極２間においては反応ガスがプラズマ化し
、焦電材料基板８上に形成した被エツチング試料は上記
反応ガスプラズマの物理化学反応によって除去排出され
、エツチングが進行する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記構成の平行平板型ドライエツチング
装置においては、反応ガスプラズマの物理化学反応によ
って焦電材料が加熱され、そのさい焦電効果により焦電
材料が電気的に分極され、わずかな衝撃でも割れ、破損
を生じるのでエツチング後の冷却に長時間を必要とする
という問題点と、焦電材料の電気的な分極により、静電
吸着が発生し、搬送ミスを起こすという問題点を有して
いた。本発明は上記問題点に鑑み、焦電材料を含む基板
上の被エツチング膜のドライエツチング終了後、基板電
極と焦電材料の電気的な分極による静電吸着を生じさせ
ることなく搬送させることができる焦電材料のドライエ
ツチング方法を提供するものである。
装置においては、反応ガスプラズマの物理化学反応によ
って焦電材料が加熱され、そのさい焦電効果により焦電
材料が電気的に分極され、わずかな衝撃でも割れ、破損
を生じるのでエツチング後の冷却に長時間を必要とする
という問題点と、焦電材料の電気的な分極により、静電
吸着が発生し、搬送ミスを起こすという問題点を有して
いた。本発明は上記問題点に鑑み、焦電材料を含む基板
上の被エツチング膜のドライエツチング終了後、基板電
極と焦電材料の電気的な分極による静電吸着を生じさせ
ることなく搬送させることができる焦電材料のドライエ
ツチング方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明は、被エツチング
試料の焦電材料基板を載置するトレイもしくは基板電極
上に焦電材料基板が点接触するように数個の突起を備え
たものである。
試料の焦電材料基板を載置するトレイもしくは基板電極
上に焦電材料基板が点接触するように数個の突起を備え
たものである。
作 用
上記した構成によって焦電材料が反応ガスプラズマの物
理化学反応による熱で生じる焦電効果で電気的に分極す
るがトレイもしくは基板電極上の突起により静電吸着が
防止される。したがって焦電材料の電気的な分極による
静電吸着を生じさせることな（焦電材料の搬送を行うこ
とができる。
理化学反応による熱で生じる焦電効果で電気的に分極す
るがトレイもしくは基板電極上の突起により静電吸着が
防止される。したがって焦電材料の電気的な分極による
静電吸着を生じさせることな（焦電材料の搬送を行うこ
とができる。
実施例
以下本発明の一定実施例のドライエツチング方法につい
て図面を参照しながら説明する。本発明の第１の実施例
及び第２の実施例におけるドライエツチング方法を実施
するドライエツチング装置の構成は従来例のドライエツ
チング装置である第３図と同様である。本発明の第１の
実施例においては、基板電極２上には突起１５が設置さ
れたトレイ１６が載置され、そして、トレイ１６上には
突起１５を介して被エツチング試料である焦電材料基板
８が載置されている。この焦電材料基板８は、Ａｅある
いはＡｅ金合金金属膜１３を焦電材料１３の上に形成し
、この金属膜１３の上にホトレジスト１４を一体的に構
成したものである。突起１５はφ２ＩＩＩ 厚さ０．
１ｍｍのものを４個用いた。
て図面を参照しながら説明する。本発明の第１の実施例
及び第２の実施例におけるドライエツチング方法を実施
するドライエツチング装置の構成は従来例のドライエツ
チング装置である第３図と同様である。本発明の第１の
実施例においては、基板電極２上には突起１５が設置さ
れたトレイ１６が載置され、そして、トレイ１６上には
突起１５を介して被エツチング試料である焦電材料基板
８が載置されている。この焦電材料基板８は、Ａｅある
いはＡｅ金合金金属膜１３を焦電材料１３の上に形成し
、この金属膜１３の上にホトレジスト１４を一体的に構
成したものである。突起１５はφ２ＩＩＩ 厚さ０．
１ｍｍのものを４個用いた。
以下、上記構成における作用について第１図、第３図と
ともに説明する。まず、第１図において突起１５が設置
されたトレイ１６上に被エツチング試料である焦電材料
基板８を載置する。焦電材料基板８を載置したトレイ１
６を基板電極２上に載置する。次に、第３図において容
器内を図示しない排気手段によって容器内圧力を一定に
した後、反応ガスが供給され、一定の圧力で保持された
状態で高周波電力が印加すると対向電極１と基板電極２
間において反応ガスがプラズマ化し、焦電材料基板８上
に形成した金属膜１３（第１図参照）は上記反応ガスプ
ラズマの物理化学反応によって除去排出され、エツチン
グが進行する。
ともに説明する。まず、第１図において突起１５が設置
されたトレイ１６上に被エツチング試料である焦電材料
基板８を載置する。焦電材料基板８を載置したトレイ１
６を基板電極２上に載置する。次に、第３図において容
器内を図示しない排気手段によって容器内圧力を一定に
した後、反応ガスが供給され、一定の圧力で保持された
状態で高周波電力が印加すると対向電極１と基板電極２
間において反応ガスがプラズマ化し、焦電材料基板８上
に形成した金属膜１３（第１図参照）は上記反応ガスプ
ラズマの物理化学反応によって除去排出され、エツチン
グが進行する。
以下本発明の第２の実施例について第２図を参照しなが
ら説明する。基板電極２上には突起１５が設置され、そ
して被エツチング試料である焦電材料基板８が載置され
ている。突起１５はφ２ｍｍ厚さ０．１ｍｍのものを４
個用いた。作用については、第１の実施例と同じである
。このように、各実施例によれば、突起１５により、焦
電材料基板８とトレイ１６もしくは、基板電極２は面接
触することがないために、焦電材料基板８とトレイ１６
もしくは、基板電極２との吸着が防げるために、容易に
搬送することができる。
ら説明する。基板電極２上には突起１５が設置され、そ
して被エツチング試料である焦電材料基板８が載置され
ている。突起１５はφ２ｍｍ厚さ０．１ｍｍのものを４
個用いた。作用については、第１の実施例と同じである
。このように、各実施例によれば、突起１５により、焦
電材料基板８とトレイ１６もしくは、基板電極２は面接
触することがないために、焦電材料基板８とトレイ１６
もしくは、基板電極２との吸着が防げるために、容易に
搬送することができる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、焦電材料上に形成した
被エツチング膜を反応ガスプラズマの物理化学反応によ
って除去排出する時反応ガスプラズマにより焦電材料が
加熱されるが、トレイもしくは基板電極上に設けた突起
によって焦電材料の瞬間的温度変化の軽減が図れると共
に、突起によりトレイもしくは基板電極に面接触するこ
とがないために、焦電材料の吸着が防げるために容易に
搬送することができる。
被エツチング膜を反応ガスプラズマの物理化学反応によ
って除去排出する時反応ガスプラズマにより焦電材料が
加熱されるが、トレイもしくは基板電極上に設けた突起
によって焦電材料の瞬間的温度変化の軽減が図れると共
に、突起によりトレイもしくは基板電極に面接触するこ
とがないために、焦電材料の吸着が防げるために容易に
搬送することができる。
第１図は本発明の第１の実施例の基板電極部の概略構成
図、第２図は本発明の第２の実施例の基板電極部の概略
構成図、第３図は従来の平行平板型ドライエツチング装
置の概略構成図である。 ｌ・・・・・・対向電極、２・・・・・・基板電極、３
・・・・・・整合器、４・・・・・・高周波電源、５，
６・・・・・・冷却媒体の出入口、７・・・・・・絶縁
体、８・・・・・・焦電材料基板、１０・・・・・・反
応ガス供給口、１１・・・・・・排気口、１２・・・・
・・焦電材料、１３・・・・・・ＡｅあるいはＡ２合金
膜、１４・・・・・・レジストパターン、１５・・・・
・・突起、１６・・・・・・トレイ。
図、第２図は本発明の第２の実施例の基板電極部の概略
構成図、第３図は従来の平行平板型ドライエツチング装
置の概略構成図である。 ｌ・・・・・・対向電極、２・・・・・・基板電極、３
・・・・・・整合器、４・・・・・・高周波電源、５，
６・・・・・・冷却媒体の出入口、７・・・・・・絶縁
体、８・・・・・・焦電材料基板、１０・・・・・・反
応ガス供給口、１１・・・・・・排気口、１２・・・・
・・焦電材料、１３・・・・・・ＡｅあるいはＡ２合金
膜、１４・・・・・・レジストパターン、１５・・・・
・・突起、１６・・・・・・トレイ。
Claims (2)
- （１）真空容器内に焦電材料からなる基板を載置する基
板電極と、前記基板電極に平行して載置された対向電極
と、前記基板電極と前記対向電極の間に高周波電力を印
加する手段と、前記真空容器内に反応ガスを供給する手
段と、前記真空容器内を真空排気する手段とを有するド
ライエッチング装置において、基板電極表面に突起を有
することを特徴とする焦電材料のドライエッチング装置
。 - （２）試料を表面に突起を有するトレイに載せた状態で
基板電極上に載置したことを特徴とする請求項１記載の
焦電材料のドライエッチング装置。 ３、産業上の利用分野
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153187A JP2705117B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 焦電材料のドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153187A JP2705117B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 焦電材料のドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319935A true JPH01319935A (ja) | 1989-12-26 |
| JP2705117B2 JP2705117B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=15556948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153187A Expired - Fee Related JP2705117B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 焦電材料のドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2705117B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5768912A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-27 | Hitachi Ltd | Manufacture for surface acoustic wave device |
| JPS5813009A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法及びその装置 |
| JPS5976427A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-05-01 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63153187A patent/JP2705117B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5768912A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-27 | Hitachi Ltd | Manufacture for surface acoustic wave device |
| JPS5813009A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波素子の製造方法及びその装置 |
| JPS5976427A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-05-01 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2705117B2 (ja) | 1998-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |