JPH01320223A - 酸化物系超電導体の合成方法 - Google Patents
酸化物系超電導体の合成方法Info
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- JPH01320223A JPH01320223A JP63155819A JP15581988A JPH01320223A JP H01320223 A JPH01320223 A JP H01320223A JP 63155819 A JP63155819 A JP 63155819A JP 15581988 A JP15581988 A JP 15581988A JP H01320223 A JPH01320223 A JP H01320223A
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野Ｊ
本発明は溶液噴霧分解手段により酸化物系超電導体を製
造する方法に関する。
造する方法に関する。
「従来の技術ｊ
耐化物系の超電導体として、ＬａＳ ｒ２Ｃｕ３０７−
ｘ、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ 、 Ｂ１５ｒＣ：ａＣ
ｕ２０ｘ、 Ｔｌ５ｒＣａＣｕ２０ｘのごとく、アルカ
リ土類金属、希土類金属、銅、ビスマス、タリウムなど
を原料とする酸化物組成が提案されており、これら酸化
物系超電導体は、超電導現象を示す臨界温度（Ｔｃ）が
高いゆえ、その応用が期待されている。
ｘ、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ 、 Ｂ１５ｒＣ：ａＣ
ｕ２０ｘ、 Ｔｌ５ｒＣａＣｕ２０ｘのごとく、アルカ
リ土類金属、希土類金属、銅、ビスマス、タリウムなど
を原料とする酸化物組成が提案されており、これら酸化
物系超電導体は、超電導現象を示す臨界温度（Ｔｃ）が
高いゆえ、その応用が期待されている。
一般に、超電導特性の優れた酸化物系超電導体の製造に
際しては、複合酸化物の組成比制御、材料の高純度化が
重要であるとされており、現状においては、気相反応に
よる酸化物系超電導体の合成手段として、既知のＰＶＤ
法、ＣＶＤ法などが応用されている。
際しては、複合酸化物の組成比制御、材料の高純度化が
重要であるとされており、現状においては、気相反応に
よる酸化物系超電導体の合成手段として、既知のＰＶＤ
法、ＣＶＤ法などが応用されている。
「発明が解決しようとする課題」
上述したＰＶＤ法の場合、組成制御性に優れており、材
料の高純度化も容易であるが、酸化物微粒子の合成速度
が遅く、装置構成が複雑で設備費が高価となる。
料の高純度化も容易であるが、酸化物微粒子の合成速度
が遅く、装置構成が複雑で設備費が高価となる。
上述したＣＶＤ法は、生産性に優れ、種々の高純度材料
を合成できるものの、出発原料として蒸気圧の高い分解
反応に適したものが必要となる。
を合成できるものの、出発原料として蒸気圧の高い分解
反応に適したものが必要となる。
しかるに、酸化物系超電導体を構成する元素、たとえば
、無機塩の場合は、蒸気圧がきわめて低く、これを所要
の蒸気圧にまで高めるのに、加熱処理が必要となり、原
料の定量供給性に欠ける。
、無機塩の場合は、蒸気圧がきわめて低く、これを所要
の蒸気圧にまで高めるのに、加熱処理が必要となり、原
料の定量供給性に欠ける。
もちろん、酸化物系超電導体の構成元素が有機塩の場合
も、蒸気圧を高めるのに分子丑を大きくしなければなら
ず、こうした場合は、反応後の副生成物が多くなり、コ
ストアップも生じる。
も、蒸気圧を高めるのに分子丑を大きくしなければなら
ず、こうした場合は、反応後の副生成物が多くなり、コ
ストアップも生じる。
特に、有ａ塩から酸化物を生成する場合、燃焼反応をと
もなうことが多く、制御性、安全性の点で問題がある。
もなうことが多く、制御性、安全性の点で問題がある。
本発明は上述した課題に鑑み、超電導体の霧化原料を熱
分解反応させて酸化物系超電導体の前駆物質粉末を生成
する手段、当該手段により生成された酸化物系超電導体
の前駆物質粉末を磁場配向して成膜する手段により、結
晶性、超電導特性の優れた酸化物系超電導体を合成する
ことができる方法を提供゛しようとするものである。
分解反応させて酸化物系超電導体の前駆物質粉末を生成
する手段、当該手段により生成された酸化物系超電導体
の前駆物質粉末を磁場配向して成膜する手段により、結
晶性、超電導特性の優れた酸化物系超電導体を合成する
ことができる方法を提供゛しようとするものである。
１課題を解決するための手段Ｊ
本発明は所期の目的を達成するため、アルカリ土類金属
−希土類金属一銅一酸素、あるいは、ビスマスまたはタ
リウム−アルカリ土類金属−銅一酸素からなる酸化物系
超電導体を合成する方法において、超電導体の霧化原料
を熱分解反応させることにより生成した酸化物超電導体
の前駆物質粉末を、磁場制御された基体材料上に配向性
よく堆積させて成膜化することを特徴とする。
−希土類金属一銅一酸素、あるいは、ビスマスまたはタ
リウム−アルカリ土類金属−銅一酸素からなる酸化物系
超電導体を合成する方法において、超電導体の霧化原料
を熱分解反応させることにより生成した酸化物超電導体
の前駆物質粉末を、磁場制御された基体材料上に配向性
よく堆積させて成膜化することを特徴とする。
ｒ作用ｊ
本発明方法の場合、先行する工程において、超電導体の
霧化原料を熱分解反応させて酸化物超電導体の前駆物質
粉末をつくる。
霧化原料を熱分解反応させて酸化物超電導体の前駆物質
粉末をつくる。
こうして作製された酸化物超電導体の前駆物質粉末は微
粉状であり、これを成形、焼結することにより、緻密質
の酸化物系超電導体となるが、通常、このような手段で
超電導体の結晶性を制御することは技術的にむずかしく
、しかも、酸化物系ａ電導体材料のように異方性の高い
材料の場合、多結晶状態では、超電導特性、特に臨界電
流密度を大きくすることができない。
粉状であり、これを成形、焼結することにより、緻密質
の酸化物系超電導体となるが、通常、このような手段で
超電導体の結晶性を制御することは技術的にむずかしく
、しかも、酸化物系ａ電導体材料のように異方性の高い
材料の場合、多結晶状態では、超電導特性、特に臨界電
流密度を大きくすることができない。
その反面、酸化物系超電導体は、磁性体であるか磁性体
に近似した物質であり、その前駆物質粉末においても、
磁界の影響を受ける。
に近似した物質であり、その前駆物質粉末においても、
磁界の影響を受ける。
本発明方法では、後行工程において上記の現象を利用し
、酸化物系超電導体の前駆物質粉末を、磁場制御された
基体材料上に配向性よく堆積させて成膜化するので、結
晶性、超電導特性の優れた酸化物系超電導体を合成する
ことができる。
、酸化物系超電導体の前駆物質粉末を、磁場制御された
基体材料上に配向性よく堆積させて成膜化するので、結
晶性、超電導特性の優れた酸化物系超電導体を合成する
ことができる。
ｒ実 施 例」
本発明に係る酸化物系超電導体の合成方法を詳述するに
あたり、はじめ、図示した手段の構成から説明する。差
分式移動度分析器 図において、１１は霧化用のガス供給系、１２は霧化器
、１３は差分式移動度分析器（ＤＭＡ＝Ｄｉｆｆｅｒｅ
ｒ＋−ｔｉａｌ Ｍｏｂｉｌｔｙ ＡｎａＩｙｚｅｒ
） 、 １４は熱分解炉、１５は脱水処理装置、】６は
成膜装置をそれぞれ示す。
あたり、はじめ、図示した手段の構成から説明する。差
分式移動度分析器 図において、１１は霧化用のガス供給系、１２は霧化器
、１３は差分式移動度分析器（ＤＭＡ＝Ｄｉｆｆｅｒｅ
ｒ＋−ｔｉａｌ Ｍｏｂｉｌｔｙ ＡｎａＩｙｚｅｒ
） 、 １４は熱分解炉、１５は脱水処理装置、】６は
成膜装置をそれぞれ示す。
ガス供給系１１は、二つのガスポンベ１７．１８、マス
フローコントローラ（ＮＦＣ：） １３等を備え、かか
るガス供給系１１の先端が、霧化器１２の入口側に接続
されている。
フローコントローラ（ＮＦＣ：） １３等を備え、かか
るガス供給系１１の先端が、霧化器１２の入口側に接続
されている。
霧化器１２は、−例として、エアロジット型アトマイザ
からなり、他側として、超音波ネプライザからなる。
からなり、他側として、超音波ネプライザからなる。
霧化器１２内には、出発原料たる液体原料２０が収容さ
れているとともに、霧化器１２の出口側が配管２１を介
して差分式移動度分析器１３の入口側に接続されている
。
れているとともに、霧化器１２の出口側が配管２１を介
して差分式移動度分析器１３の入口側に接続されている
。
差分式移動度分析器１３は、霧化された微粒子をその粒
径に応じて分級する機能を有し、かかる差分式移動度分
析器１３の出口側が、配管２２を介して熱分解炉１４の
入口側に接続されている。
径に応じて分級する機能を有し、かかる差分式移動度分
析器１３の出口側が、配管２２を介して熱分解炉１４の
入口側に接続されている。
熱分解炉１４は、外周にリング状のヒータ（電気ヒータ
）２３を備えた炉心管２４と、炉心管２４内に挿入され
たＳ電対２５とからなり、炉心管２４の下部外周には、
透気性の多孔質ガラスを備えたガス導入部２６が形成さ
れているとともに、ガス導入部１７には、図に略示した
ガス供給手段２７が接続されている。
）２３を備えた炉心管２４と、炉心管２４内に挿入され
たＳ電対２５とからなり、炉心管２４の下部外周には、
透気性の多孔質ガラスを備えたガス導入部２６が形成さ
れているとともに、ガス導入部１７には、図に略示した
ガス供給手段２７が接続されている。
熱分解炉１４の下位ある脱水処理装置１５は、恒温槽２
８により覆われた処理容器２９と、排水ポンプ３０とを
備え、排水ポンプ３０の吸引側が処理容器２９内に挿入
されている。
８により覆われた処理容器２９と、排水ポンプ３０とを
備え、排水ポンプ３０の吸引側が処理容器２９内に挿入
されている。
上述した熱分解炉１４、脱水処理装置１５は、これらの
炉心管２４の出口側と処理容器２９の入日側とが、配管
３１を介して相互に接続されている。
炉心管２４の出口側と処理容器２９の入日側とが、配管
３１を介して相互に接続されている。
成膜装置１６は、電源３２に接続された磁界発生機３３
が、排気手段を有する反応容器３４内に配置されたもの
であり、その磁界発生機３３上には、たとえば、セラミ
ックスからなる基体材料３５が載置されるようになって
いる。
が、排気手段を有する反応容器３４内に配置されたもの
であり、その磁界発生機３３上には、たとえば、セラミ
ックスからなる基体材料３５が載置されるようになって
いる。
上述した脱水処理装置１５．成膜装置１６においては、
処理容器２９の出口側と反応容器３４の入口側とが、配
管３６を介して相互に接続されている。
処理容器２９の出口側と反応容器３４の入口側とが、配
管３６を介して相互に接続されている。
図中、３７は高濃度霧化原料、３８は粒径制御された霧
化原料、３９は水蒸気を含む酸化物系超電導体の前駆物
質粉末、４０は脱水された酸化物系超電導体の前駆物質
粉末、４１は酸化物系超電導体（配向性を制御された膜
）をそれぞれ示す。
化原料、３９は水蒸気を含む酸化物系超電導体の前駆物
質粉末、４０は脱水された酸化物系超電導体の前駆物質
粉末、４１は酸化物系超電導体（配向性を制御された膜
）をそれぞれ示す。
つぎに、図示の手段を介して酸化物系超電導体を合成す
る例を説明する。
る例を説明する。
霧化用ガスとして、酸素と不活性ガス（Ｈｅ）との混合
ガスがガス供給系１１から霧化器１２内に供給されると
、その霧化器１２内の液体原料（出発原料）２０が霧化
され、霧化された液体原料２０、すなわち高濃度霧化原
料３７が、配管２１を経由して差分式移動度分析器１３
内に進入する。
ガスがガス供給系１１から霧化器１２内に供給されると
、その霧化器１２内の液体原料（出発原料）２０が霧化
され、霧化された液体原料２０、すなわち高濃度霧化原
料３７が、配管２１を経由して差分式移動度分析器１３
内に進入する。
差分式移動度分析器１３においては、高濃度霧化原料３
７のうち、所定の大きさの原料粒子（霧状微粒子）が分
級により粒径制御され、その粒径制御された霧化原料３
８のみが、配管２２を経由して熱分解炉１４の炉心管２
４内に進入する。
７のうち、所定の大きさの原料粒子（霧状微粒子）が分
級により粒径制御され、その粒径制御された霧化原料３
８のみが、配管２２を経由して熱分解炉１４の炉心管２
４内に進入する。
熱分解炉１４の炉心管２４内は、ヒータ２３を介して加
熱され、かつ、熱電対２５を介した測温手段により温度
測定されて所定の温度に保持されているとともに、ガス
供給手段２７を介してガス導入部１７から導入された不
活性ガス（Ｈｅ）により、所定の雰囲気に保持されてい
る。
熱され、かつ、熱電対２５を介した測温手段により温度
測定されて所定の温度に保持されているとともに、ガス
供給手段２７を介してガス導入部１７から導入された不
活性ガス（Ｈｅ）により、所定の雰囲気に保持されてい
る。
したがって、かかる炉心管２４内に進入した粒径制御後
の霧化原料３８は、水蒸気を含む酸化物系超電導体の前
駆物質粉末３９となる。
の霧化原料３８は、水蒸気を含む酸化物系超電導体の前
駆物質粉末３９となる。
この際、炉心管２４内が不活性ガス（Ｈｅ）雰囲気に保
持されているので、上記前駆物質粉末３９は相互付着す
ることがない。
持されているので、上記前駆物質粉末３９は相互付着す
ることがない。
熱分解炉１４の炉心管２４内で生成された上記前駆物質
粉末３８は、配管３１を経由して脱水処理装置１５の処
理容器２８内に進入する。
粉末３８は、配管３１を経由して脱水処理装置１５の処
理容器２８内に進入する。
処理容器２９は、恒温槽２８を介して低温に保持されて
いるので、当該処理容器２９に進入した水蒸気を含む前
駆物質粉末３９からは、その水分が凝縮すると同時に分
離され、かくて、脱水された酸化物系ａ電導体の前駆物
質粉末４０が得られる。
いるので、当該処理容器２９に進入した水蒸気を含む前
駆物質粉末３９からは、その水分が凝縮すると同時に分
離され、かくて、脱水された酸化物系ａ電導体の前駆物
質粉末４０が得られる。
なお、処理容器２９内は排水ポンプ３０を介して排水さ
れるので、その水位が一定に保持される。
れるので、その水位が一定に保持される。
脱水処理装置１５を介して脱水された後の前駆物質粉末
４０は、配管３６を経由して成膜装置１６の反応容器３
４内に進入する。
４０は、配管３６を経由して成膜装置１６の反応容器３
４内に進入する。
反応容器３４内において、基体材料３５が載置された磁
界発生機３３は、電源３２からの直流電流を受けて所定
磁束密度の磁界を発生させているので、基体材料３５は
磁場制御される。
界発生機３３は、電源３２からの直流電流を受けて所定
磁束密度の磁界を発生させているので、基体材料３５は
磁場制御される。
かかる基体材料３５上に、脱水後の上記前駆物質粉末４
０が堆積されると、配向性を制御された膜。
０が堆積されると、配向性を制御された膜。
すなわち、酸化物系超電導体４１が形成される。
つぎに、本発明方法における具体例１．２について述べ
る。
る。
具体例１
図を参照して説明した手段によりＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−
Ｘからなる酸化物系超電導体４１を合成するとき、下記
の条件により当該合成を実施した。
Ｘからなる酸化物系超電導体４１を合成するとき、下記
の条件により当該合成を実施した。
液体原料２０として、Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３・４Ｈ２０
と、Ｂａ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・Ｈ２Ｏと、ＣｕＣＣＨ３
ＣＯ０）２−Ｈ２Ｏとの水溶液（濃度： Ｙ＋Ｂａ２Ｃ
ｕ３組成で０．０３ｍｏｌ／ｉ）を使用した。
と、Ｂａ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・Ｈ２Ｏと、ＣｕＣＣＨ３
ＣＯ０）２−Ｈ２Ｏとの水溶液（濃度： Ｙ＋Ｂａ２Ｃ
ｕ３組成で０．０３ｍｏｌ／ｉ）を使用した。
基体材料３５として、面積×厚さが１ｉｎ２ Ｘ１ｍｍ
のＭｇＯ単結晶（１，Ｏ，Ｏ）基板を使用した。
のＭｇＯ単結晶（１，Ｏ，Ｏ）基板を使用した。
ガス供給系１１においては、マスフローコントローラ１
９により流量制御して、０２ガス： ５ＳＬＭと、Ｈｅ
ガス： １５ＳＬＭとを霧化器１２内に供給した。
９により流量制御して、０２ガス： ５ＳＬＭと、Ｈｅ
ガス： １５ＳＬＭとを霧化器１２内に供給した。
霧化器１２としては、エアロジェット型アトマイザを用
いて高濃度霧化原料３７を生成した。。
いて高濃度霧化原料３７を生成した。。
差分式移動度分析器１３においては、高濃度霧化原料３
７のうち、粒径０．３ ルｒｍ−０．４展ｍの霧状微粒
子を分級し、粒径制御後の霧化原料３８を３５ｃｃ／ｍ
ｉｎにて熱分解炉１４内に供給した。
７のうち、粒径０．３ ルｒｍ−０．４展ｍの霧状微粒
子を分級し、粒径制御後の霧化原料３８を３５ｃｃ／ｍ
ｉｎにて熱分解炉１４内に供給した。
熱分解炉１４においては、炉心管２４内をヒータ２３に
より加熱し、熱電対２５を介した測温手段によりその炉
心管２４内の温度を９１５℃に保持し、かつ、ガス供給
手段２７からＨｅガス： １３ＳＬＭを供給してＨｅ雰
囲気に保持して、水蒸気を含む酸化物系超電導体の前駆
物質粉末３９をつくった。
より加熱し、熱電対２５を介した測温手段によりその炉
心管２４内の温度を９１５℃に保持し、かつ、ガス供給
手段２７からＨｅガス： １３ＳＬＭを供給してＨｅ雰
囲気に保持して、水蒸気を含む酸化物系超電導体の前駆
物質粉末３９をつくった。
脱水処理装置１５では、低温の恒温槽２８で覆われた処
理容器２９内において前駆物質粉末３９の水分を脱水し
、脱水された酸化物系超電導体の前駆物質粉末４０をつ
くった。
理容器２９内において前駆物質粉末３９の水分を脱水し
、脱水された酸化物系超電導体の前駆物質粉末４０をつ
くった。
成膜装置１８においては、電源３２からの給電（直流）
により反応容器３４内の磁界発生機３３に磁束密度ＩＴ
の磁界を発生させて、基体材料３５を磁場制御し、かか
る基体材料３５上に、酸化物系超電導体の前駆物質粉末
４０を堆積速度０．８νｍ／ｗｉｎにて４時間堆積させ
、膜厚１９０ルｍの酸化物系超電導体４１を形成した。
により反応容器３４内の磁界発生機３３に磁束密度ＩＴ
の磁界を発生させて、基体材料３５を磁場制御し、かか
る基体材料３５上に、酸化物系超電導体の前駆物質粉末
４０を堆積速度０．８νｍ／ｗｉｎにて４時間堆積させ
、膜厚１９０ルｍの酸化物系超電導体４１を形成した。
かくて得られたＹＢａ２Ｃｕａ ０７− ｘ系超電導体
４１の超電導特性を測定したところ、臨界温度（↑Ｃ）
として８４℃、臨界電流として５００００Ａ／ｃｍ２が
得られた。
４１の超電導特性を測定したところ、臨界温度（↑Ｃ）
として８４℃、臨界電流として５００００Ａ／ｃｍ２が
得られた。
具体例２
図を参照して説明した手段によりＢ１５ｒＣａＣｕ２０
ｘからなる酸化物系超電導体４１を合成するとき、下記
の条件により当該合成を実施した。
ｘからなる酸化物系超電導体４１を合成するとき、下記
の条件により当該合成を実施した。
液体原料２０として、Ｂｉ（Ｃ６Ｈｑ０６）・７Ｈ２０
と、５ｒ（Ｃ６Ｈｑ０６）・３Ｈ２０と、Ｃａ （Ｃｂ
Ｂ９ ［１６） ・５Ｈ２０と、Ｃｕ （０６Ｂ９０
６ ） −２Ｈ２０との水溶液（濃度： Ｂ１５ｒＣ：
ａｃｕ２で０．１ｍｏｌ／文）を使用した。
と、５ｒ（Ｃ６Ｈｑ０６）・３Ｈ２０と、Ｃａ （Ｃｂ
Ｂ９ ［１６） ・５Ｈ２０と、Ｃｕ （０６Ｂ９０
６ ） −２Ｈ２０との水溶液（濃度： Ｂ１５ｒＣ：
ａｃｕ２で０．１ｍｏｌ／文）を使用した。
基体材料３５として、面積×厚さがｌＩｎ２×１ｍｌ１
の５ｒＴｉ０２単結晶（ｉ、ｏ、ｏ）基板を使用した。
の５ｒＴｉ０２単結晶（ｉ、ｏ、ｏ）基板を使用した。
ガス供給系１１においては、マスフローコントローラ１
Ｓにより流量制御して、０２ガス： ８ＳＬＭと、Ｈｅ
ガス： １７ＳＬＭとを霧化器１２内に供給した。
Ｓにより流量制御して、０２ガス： ８ＳＬＭと、Ｈｅ
ガス： １７ＳＬＭとを霧化器１２内に供給した。
霧化器１２としては、超音波ネプライザ（超音波周波数
： ２．５Ｍ１（ｚ）を用いて高濃度霧化原料３７を生
成した。
： ２．５Ｍ１（ｚ）を用いて高濃度霧化原料３７を生
成した。
差分式移動度分析器１３においては、高濃度霧化原料３
７のうち、粒径２ｇｍ〜２．５用ｍの霧状微粒子を分級
し、粒径制御後の霧化原料３８を８０ｃｃ／ａ＋ｉｎに
て熱分解炉１４内に供給した。
７のうち、粒径２ｇｍ〜２．５用ｍの霧状微粒子を分級
し、粒径制御後の霧化原料３８を８０ｃｃ／ａ＋ｉｎに
て熱分解炉１４内に供給した。
熱分解炉１４においては、炉心管２４内をヒータ２３に
より加熱し、熱電対２５を介した測温手段によりその炉
心管２４内の温度を８５５℃に保持し、かつ、ガス供給
手段２７からＨｅガス： １３ｓＬＭを供給してＨｅ雰
囲気に保持して、水蒸気を含む酸化物系超電導体の前駆
物質粉末３８をつくった。
より加熱し、熱電対２５を介した測温手段によりその炉
心管２４内の温度を８５５℃に保持し、かつ、ガス供給
手段２７からＨｅガス： １３ｓＬＭを供給してＨｅ雰
囲気に保持して、水蒸気を含む酸化物系超電導体の前駆
物質粉末３８をつくった。
脱水処理装置１５では、低温の恒温槽２８で覆われた処
理容器２９内において前駆物質粉末３８の水分を脱水し
、脱水された酸化物系起電導体前駆物質粉末４０をつく
った。
理容器２９内において前駆物質粉末３８の水分を脱水し
、脱水された酸化物系起電導体前駆物質粉末４０をつく
った。
成膜装置１６においては、電源３２からの給電（直流）
により反応容器３４内の磁界発生機３３に磁束密度１Ｔ
の磁界を発生させて、基体材料３５を磁場制御し、かか
る基体材料３５上に、酸化物系超電導体の前駆物質粉末
４０を堆積速度１．４ｐｍ／ｗｉｎにて４時間堆積させ
、膜厚２５０ＪＬ１ｍの酸化物系超電導体４１を形成し
た。
により反応容器３４内の磁界発生機３３に磁束密度１Ｔ
の磁界を発生させて、基体材料３５を磁場制御し、かか
る基体材料３５上に、酸化物系超電導体の前駆物質粉末
４０を堆積速度１．４ｐｍ／ｗｉｎにて４時間堆積させ
、膜厚２５０ＪＬ１ｍの酸化物系超電導体４１を形成し
た。
かくて得られたＢ１５ｒＣ：ａｃｕ２０ｘ系ａ’ｉ導体
４１の超電導特性を測定したところ、臨界温度（Ｔｃ）
として８４°Ｃ１臨界電流として２００．ＯＯＡ／ｃ＋
＋＋２が得られた。
４１の超電導特性を測定したところ、臨界温度（Ｔｃ）
として８４°Ｃ１臨界電流として２００．ＯＯＡ／ｃ＋
＋＋２が得られた。
なお、本発明方法によるとき、上記具体例以外の酸化物
系８電導体、たとえば、Ｌａ５ｒ２Ｃｕ３０１−ｘ、Ｂ
１５ｒＣ：ａｃｕ２０ｘ 、 Ｔｌ５ｒＣａＣｕ２０ｘ
なども、既述の内容に準じて製造することができ、これ
ら酸化物系超電導体も、上記と同程度のａ主導特性が期
待できる。
系８電導体、たとえば、Ｌａ５ｒ２Ｃｕ３０１−ｘ、Ｂ
１５ｒＣ：ａｃｕ２０ｘ 、 Ｔｌ５ｒＣａＣｕ２０ｘ
なども、既述の内容に準じて製造することができ、これ
ら酸化物系超電導体も、上記と同程度のａ主導特性が期
待できる。
１発明の効果Ｊ
以上説明した通り、本発明方法によるときは、所定の粉
末生成手段、磁場配向性を利用した成膜手段により、結
晶性、超電導特性の優れた酸化物系超電導体を合成する
ことができる。
末生成手段、磁場配向性を利用した成膜手段により、結
晶性、超電導特性の優れた酸化物系超電導体を合成する
ことができる。
図面は本発明に係る酸化物系超電導体の合成方法を、こ
れに使用する手段とともに略示した説門図である。 １１・・・・・・霧化用のガス供給系 工２・・・・・・霧化器 １３・・・・・・差分式移動度分析器 １４・・・・・・熱分解炉 １５・・・・・・脱水処理装置 １６・・・・・・成膜装置 ２０・・・・・・液体原料 ２３・・・・・・熱分解炉のヒータ ２４・・・・・・熱分解炉の炉心管 ２９・・・・・・脱水処理装置の処理容器３２・・・・
・・磁界発生機の電源 ３３・・・・・・成膜装置の磁界発生機３４・・・・・
・成膜装置の反応容器 ３５・・・・・・基体材料 ３７・・・・・・高濃度霧化原料 ３８・・・・・・粒径制御された霧化原料３９・・・・
・・水分を含有した酸化物系超電導体の前駆物質粉末 ４０・・・・・・脱水された酸化物系超電導体の前駆物
質粉末 ４１・・・・・・酸化物系超電導体 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄
れに使用する手段とともに略示した説門図である。 １１・・・・・・霧化用のガス供給系 工２・・・・・・霧化器 １３・・・・・・差分式移動度分析器 １４・・・・・・熱分解炉 １５・・・・・・脱水処理装置 １６・・・・・・成膜装置 ２０・・・・・・液体原料 ２３・・・・・・熱分解炉のヒータ ２４・・・・・・熱分解炉の炉心管 ２９・・・・・・脱水処理装置の処理容器３２・・・・
・・磁界発生機の電源 ３３・・・・・・成膜装置の磁界発生機３４・・・・・
・成膜装置の反応容器 ３５・・・・・・基体材料 ３７・・・・・・高濃度霧化原料 ３８・・・・・・粒径制御された霧化原料３９・・・・
・・水分を含有した酸化物系超電導体の前駆物質粉末 ４０・・・・・・脱水された酸化物系超電導体の前駆物
質粉末 ４１・・・・・・酸化物系超電導体 代理人 弁理士 斎 藤 義 雄
Claims (1)
- アルカリ土類金属−希土類金属−銅−酸素、あるいは
、ビスマスまたはタリウム−アルカリ土類金属−銅−酸
素からなる酸化物系超電導体を合成する方法において、
超電導体の霧化原料を熱分解反応させることにより生成
した酸化物超電導体の前駆物質粉末を、磁場制御された
基体材料上に配向性よく堆積させて成膜化することを特
徴とする酸化物系超電導体の合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63155819A JPH01320223A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 酸化物系超電導体の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63155819A JPH01320223A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 酸化物系超電導体の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01320223A true JPH01320223A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15614176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63155819A Pending JPH01320223A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 酸化物系超電導体の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01320223A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014109200A1 (ja) | 2013-01-10 | 2014-07-17 | 三菱重工業株式会社 | 穴あけ加工方法及び穴あけ加工用治具、並びに熱交換器 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63155819A patent/JPH01320223A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014109200A1 (ja) | 2013-01-10 | 2014-07-17 | 三菱重工業株式会社 | 穴あけ加工方法及び穴あけ加工用治具、並びに熱交換器 |
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