JPH02179880A - 酸化物セラミック系超電導薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物セラミック系超電導薄膜の製造方法Info
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- JPH02179880A JPH02179880A JP33505788A JP33505788A JPH02179880A JP H02179880 A JPH02179880 A JP H02179880A JP 33505788 A JP33505788 A JP 33505788A JP 33505788 A JP33505788 A JP 33505788A JP H02179880 A JPH02179880 A JP H02179880A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は各種超電導機器や超電導素子、例えば超電導
量子干渉計（ＳＱＵＩＤ）やジョセフソン素子、その他
用電導線等として使用される超電導薄膜を製造する方法
に関し、特に酸化物セラミック系の超電導材料からなる
薄膜を形成する方法に関するものである。
量子干渉計（ＳＱＵＩＤ）やジョセフソン素子、その他
用電導線等として使用される超電導薄膜を製造する方法
に関し、特に酸化物セラミック系の超電導材料からなる
薄膜を形成する方法に関するものである。
従来の技術
各種超電導材料のうちでも、Ｙ系複合酸化物やＢｉ系複
合酸化物のような酸化物セラミック系超電導材料は、臨
界温度（Ｔｃ）が高い高温超電導物質として近年注目を
浴びている。
合酸化物のような酸化物セラミック系超電導材料は、臨
界温度（Ｔｃ）が高い高温超電導物質として近年注目を
浴びている。
従来の酸化物セラミック系超電導材料の製造方法として
は、超電導酸化物を構成する原料金属（例えばＹ等）を
含む塩の水溶液を超音波噴霧器等により噴霧化し、その
霧状の液滴を１００〜５００℃に加熱した基板上に供給
して塩を堆積させ、その塩が堆積した基板を空気あるい
は酸素気流中で９００〜１０００℃に加熱（アニール）
することによって酸化物セラミック系超電導物質を合成
する方法（例えば８．にａｗａｉ ｅｔ ａｌ、、 Ｊ
ＪＡＰ ２６ （１９８７） Ｌ １７４０−Ｌ １７
４２） 、あるいは原料金属を含む塩の水溶液を超音波
ｑ４霧器により噴霧して９００〜１０００℃に加熱され
た抵抗加熱炉中に導入し、その炉内で酸化物セラミック
系超電導物質の微粒子を合成し、その後その微粒子を集
めて成形し、焼結する方法（例えばＴ、 Ｔ、にｏｄａ
ｓ ｅｔ ａｌ、、Δｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
。
は、超電導酸化物を構成する原料金属（例えばＹ等）を
含む塩の水溶液を超音波噴霧器等により噴霧化し、その
霧状の液滴を１００〜５００℃に加熱した基板上に供給
して塩を堆積させ、その塩が堆積した基板を空気あるい
は酸素気流中で９００〜１０００℃に加熱（アニール）
することによって酸化物セラミック系超電導物質を合成
する方法（例えば８．にａｗａｉ ｅｔ ａｌ、、 Ｊ
ＪＡＰ ２６ （１９８７） Ｌ １７４０−Ｌ １７
４２） 、あるいは原料金属を含む塩の水溶液を超音波
ｑ４霧器により噴霧して９００〜１０００℃に加熱され
た抵抗加熱炉中に導入し、その炉内で酸化物セラミック
系超電導物質の微粒子を合成し、その後その微粒子を集
めて成形し、焼結する方法（例えばＴ、 Ｔ、にｏｄａ
ｓ ｅｔ ａｌ、、Δｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
。
５２ （１９８８） １６２２； あるいはＮ、 Ｔ
ｏｈｇｅ ｅｔ ａｔ。
ｏｈｇｅ ｅｔ ａｔ。
ＪＪＡＰ ２７ （１９８８） Ｌ １０８６）などが
知られている。
知られている。
発明が解決しようとする課題
前述のような従来の酸化物セラミック系超電導材料の製
造方法のうち、曲者の方法では噴霧による原料の堆積後
、アニーリングを行なうことによってはじめて酸化物セ
ラミック系超電導物質を生成することかでき、また後者
の方法では高温炉内への噴霧により超電導微粒子を生成
させた後に微粒子の成形や焼結を施す必要があり、いず
れの方法も多数のプロセスを必要とし、そのためコスト
上昇をＪＥかざるを得ない問題があった。
造方法のうち、曲者の方法では噴霧による原料の堆積後
、アニーリングを行なうことによってはじめて酸化物セ
ラミック系超電導物質を生成することかでき、また後者
の方法では高温炉内への噴霧により超電導微粒子を生成
させた後に微粒子の成形や焼結を施す必要があり、いず
れの方法も多数のプロセスを必要とし、そのためコスト
上昇をＪＥかざるを得ない問題があった。
この発明は以上の事情を前頭としてなされたもので、極
めて簡単なプロセスで酸化物セラミック系超電導薄膜を
形成することができる、低コストで量産化可能な酸化物
セラミック系超電導簿膜の製造方法を提供することを目
的とするものである。
めて簡単なプロセスで酸化物セラミック系超電導薄膜を
形成することができる、低コストで量産化可能な酸化物
セラミック系超電導簿膜の製造方法を提供することを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段
この発明の酸化物セラミック系超電導薄膜の製造方法は
、酸化物セラミック系超電導材料を構成する金属を含む
塩の水溶液を噴霧化し、得られた霧状の液滴を酸素プラ
ズマ中に供給して、その酸素プラズマ中もしくは酸素プ
ラズマ近傍に配置された基板上に酸化物セラミック系、
Ｖｌｌｌ電導薄膜を生成させることを特徴とするもので
ある。
、酸化物セラミック系超電導材料を構成する金属を含む
塩の水溶液を噴霧化し、得られた霧状の液滴を酸素プラ
ズマ中に供給して、その酸素プラズマ中もしくは酸素プ
ラズマ近傍に配置された基板上に酸化物セラミック系、
Ｖｌｌｌ電導薄膜を生成させることを特徴とするもので
ある。
作 用
酸素プラズマはその酸化性が極めて強く、そのため酸素
プラズマ中に供給された原料金［水溶液の噴霧液滴は、
ただちに酸化されて酸化物、すなわち超電導物質となる
とともに、その酸素プラズマ中に配置された高温の基板
上に堆積され、基板上に酸化物セラミック系の超電導薄
膜が生成される。
プラズマ中に供給された原料金［水溶液の噴霧液滴は、
ただちに酸化されて酸化物、すなわち超電導物質となる
とともに、その酸素プラズマ中に配置された高温の基板
上に堆積され、基板上に酸化物セラミック系の超電導薄
膜が生成される。
ここで、原料金属塩水溶液の噴霧液滴は、基板上に到達
する以前の段階で酸素プラズマによって酸化されて超電
導物質微粒子となり、その超電導物質微粒子の状態で基
板上に到達することも、あるいは基板上に到達した債に
酸化が完了して基板上で超電導物質となることもある。
する以前の段階で酸素プラズマによって酸化されて超電
導物質微粒子となり、その超電導物質微粒子の状態で基
板上に到達することも、あるいは基板上に到達した債に
酸化が完了して基板上で超電導物質となることもある。
いずれにしても原料金属塩の酸化による超電導物質の生
成と基板上への堆積による薄膜生成とが一工程で連続的
もしくは同時的になされることになる。
成と基板上への堆積による薄膜生成とが一工程で連続的
もしくは同時的になされることになる。
実施例
第１図にこの発明の方法を実施するための装置の一例を
概略的に示す。
概略的に示す。
第１図において、原料金属を含む塩の水溶液１は噴霧器
２に導入されて、超音波噴霧あるいは高速気流噴霧等に
より噴霧されて０，３〜２，０顯程度の霧状の液滴とな
り、第１キヤリヤガス３によって石英等からなる反応管
４の上部に導入される。
２に導入されて、超音波噴霧あるいは高速気流噴霧等に
より噴霧されて０，３〜２，０顯程度の霧状の液滴とな
り、第１キヤリヤガス３によって石英等からなる反応管
４の上部に導入される。
またその反応管４の上部には別に第２キヤリヤガス５も
導入される。ここで第１キｒリヤガス３と第２キセリヤ
ガス５とのうち、いずれか一方または双方には、酸素プ
ラズマを生成させるための酸素ガスを含んでいるものと
する。
導入される。ここで第１キｒリヤガス３と第２キセリヤ
ガス５とのうち、いずれか一方または双方には、酸素プ
ラズマを生成させるための酸素ガスを含んでいるものと
する。
一方反応管４の側方に配設されたマイクロ波発振器６に
より発振されたマイクロ波（例えば周波数２４５０ Ｈ
Ｉ３）は、導波管７を介して反応管４内を通り、さらに
反対側に配置されたマイクロ波プランジｔ８により反射
ゼしめられて再び反応管４内へ戻る。このようなマイク
ロ波によって前述の第１キヤリヤガス３もしくは第２キ
ｒリヤガス５に含まれる酸素ガスがプラズマ化し、反応
管４内に酸素プラズマ９が発生せしめられる。なおこの
酸素プラズマ発生領域内下部には基板１０が配置されて
おり、また反応管内は真空ポンプ１１により減圧されて
いる。
より発振されたマイクロ波（例えば周波数２４５０ Ｈ
Ｉ３）は、導波管７を介して反応管４内を通り、さらに
反対側に配置されたマイクロ波プランジｔ８により反射
ゼしめられて再び反応管４内へ戻る。このようなマイク
ロ波によって前述の第１キヤリヤガス３もしくは第２キ
ｒリヤガス５に含まれる酸素ガスがプラズマ化し、反応
管４内に酸素プラズマ９が発生せしめられる。なおこの
酸素プラズマ発生領域内下部には基板１０が配置されて
おり、また反応管内は真空ポンプ１１により減圧されて
いる。
前述のようにして反応管４内に導入された原料金属の塩
の水溶液の噴霧液滴は、酸素プラズマ９によって急速に
酸化され、原料金属の酸化物が基板１０上に析出される
。すなわち酸化物セラミック系の超電導薄膜が基板１０
上に生成される。
の水溶液の噴霧液滴は、酸素プラズマ９によって急速に
酸化され、原料金属の酸化物が基板１０上に析出される
。すなわち酸化物セラミック系の超電導薄膜が基板１０
上に生成される。
なおここでは酸素プラズマ９はマイクロ波によって発生
させるものとしたが、それに限るものではなく、高周波
プラズマブＴ生装置等も利用できることはもちろんであ
る。
させるものとしたが、それに限るものではなく、高周波
プラズマブＴ生装置等も利用できることはもちろんであ
る。
また第１図中の例では基板１０は酸素プラズマ領域内に
配置して、酸素プラズマ９によって基板自体も加熱する
ものとしたが、場合によっては基板１０は別の加熱源、
例えば抵抗加熱ヒータ等によって加熱するようにしても
良く、この場合は基板ｉｏｔ、を酸素プラズマ領域の直
下に配置しておくことができる。なお基板１０の温度は
８００〜１２００℃程度になるように制御することが好
ましい。
配置して、酸素プラズマ９によって基板自体も加熱する
ものとしたが、場合によっては基板１０は別の加熱源、
例えば抵抗加熱ヒータ等によって加熱するようにしても
良く、この場合は基板ｉｏｔ、を酸素プラズマ領域の直
下に配置しておくことができる。なお基板１０の温度は
８００〜１２００℃程度になるように制御することが好
ましい。
なおこの発明において製造する対象となる超電４薄膜は
、要は酸化物セラミック系のものであれば良く、例えば
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物（具体的にはＹＢａ２ Ｃ
ｕ３０７など）、アルイハ８ ｉ −８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系酸化物（具体的にはＢ ｚ Ｓｒ＋ Ｃａｔ Ｃ
Ｃｌ２０Ｘ 、あるイハＢ ｉ４ （Ｓｒ＋−ｘＣａｘ
）ｓ Ｃｕ４０ｙなど）、さらにはＴｆ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ−０系酸化物（具体的にはＴ＆ Ｂａ Ｃａ
Ｃｕ Ｏ；ｎ２ ２ ｎ−
１ｎ ４＋２ｎ−１，２または３）などを製造す
ることができる。
、要は酸化物セラミック系のものであれば良く、例えば
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系酸化物（具体的にはＹＢａ２ Ｃ
ｕ３０７など）、アルイハ８ ｉ −８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ
−０系酸化物（具体的にはＢ ｚ Ｓｒ＋ Ｃａｔ Ｃ
Ｃｌ２０Ｘ 、あるイハＢ ｉ４ （Ｓｒ＋−ｘＣａｘ
）ｓ Ｃｕ４０ｙなど）、さらにはＴｆ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ−０系酸化物（具体的にはＴ＆ Ｂａ Ｃａ
Ｃｕ Ｏ；ｎ２ ２ ｎ−
１ｎ ４＋２ｎ−１，２または３）などを製造す
ることができる。
また基板の材料は特に限定されないが、例えば石英板、
サファイヤ、シリコン、酸化マグネシウム、チタン酸ス
トロンチウムなどを用いることができる。
サファイヤ、シリコン、酸化マグネシウム、チタン酸ス
トロンチウムなどを用いることができる。
以下にこの発明の製造方法の具体的な実施例を記す。
［実施例１１
第１図に示すような装置を用いて、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系酸化物からなる超電導′ａ膜を次のように形成した。
系酸化物からなる超電導′ａ膜を次のように形成した。
原料金属の塩の水溶液としては、硝酸イツトリウム０．
１ｎｏｌ／１、硝酸バリウム０．２１１１０１／Ｊ、硝
酸銅０．３ｎ＋ｏｌ／ｆの混合塩水溶液を用い、また第
１キヤリヤガスとしては酸素ガス３００成／市、第２キ
ヤリヤガスとしては酸素ガス２００厩／ ｍａｎを用い
た。噴霧器としては超音波噴霧器を用い、その超音波出
力は２５ｗとした。また酸素プラズマ光土用のマイクロ
波出力は４００Ｗとし、系内圧力は４５Ｔｏｒｒとした
。基板としては酸化マグネシウムを用いて、その基板を
酸素プラズマ中に配置して、プラズマのみにより基板を
加熱するようにした。
１ｎｏｌ／１、硝酸バリウム０．２１１１０１／Ｊ、硝
酸銅０．３ｎ＋ｏｌ／ｆの混合塩水溶液を用い、また第
１キヤリヤガスとしては酸素ガス３００成／市、第２キ
ヤリヤガスとしては酸素ガス２００厩／ ｍａｎを用い
た。噴霧器としては超音波噴霧器を用い、その超音波出
力は２５ｗとした。また酸素プラズマ光土用のマイクロ
波出力は４００Ｗとし、系内圧力は４５Ｔｏｒｒとした
。基板としては酸化マグネシウムを用いて、その基板を
酸素プラズマ中に配置して、プラズマのみにより基板を
加熱するようにした。
なお基板温度は約８８０ ”Ｃであった。
上記の条件により３時間の処理を行なったところ、基板
上に厚さ１．２伽のＹＢａ２Ｃｕ２Ｏ７薄膜が生成され
た。そのｖＪ膜の超電導臨界温度を調べたところ、Ｔｃ
（Ｏｎ）は７９．０に、 Ｔｃ （Ｅｎｄ）は７４．５
にであった。
上に厚さ１．２伽のＹＢａ２Ｃｕ２Ｏ７薄膜が生成され
た。そのｖＪ膜の超電導臨界温度を調べたところ、Ｔｃ
（Ｏｎ）は７９．０に、 Ｔｃ （Ｅｎｄ）は７４．５
にであった。
［実施例２１
第１図に示すような装置を用いて、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系酸化物からなる超電導薄膜を次のように形成した。
系酸化物からなる超電導薄膜を次のように形成した。
原料金属の塩の水溶液としては、硝酸イツトリウム０．
３ ｎｏｌ／１７、硝酸バリウム０．６ｎｏｌ／６、硝
酸銅０．９１１１０１／ｉ’の混合塩水溶液を用い、ま
た第１キＰリヤガスとしてはアルゴンガス１００ｍ ／
１ｉｈ、第２キヤリヤガスとしては酸素ガス４５０ａｅ
／市を用いた。噴霧器としては超音波噴霧器を用い、
その超音波出力は２５ｗとした。また酸素プラズマ発生
用のマイクロ波出力は４００Ｗとし、系内圧力は７５Ｔ
ｏｒｒとした。基板としては酸化マグネシウムを用い、
その基板をプラズマ直下に配置して、抵抗加熱するよう
にした。なお基板温度は約８７５°Ｃである。
３ ｎｏｌ／１７、硝酸バリウム０．６ｎｏｌ／６、硝
酸銅０．９１１１０１／ｉ’の混合塩水溶液を用い、ま
た第１キＰリヤガスとしてはアルゴンガス１００ｍ ／
１ｉｈ、第２キヤリヤガスとしては酸素ガス４５０ａｅ
／市を用いた。噴霧器としては超音波噴霧器を用い、
その超音波出力は２５ｗとした。また酸素プラズマ発生
用のマイクロ波出力は４００Ｗとし、系内圧力は７５Ｔ
ｏｒｒとした。基板としては酸化マグネシウムを用い、
その基板をプラズマ直下に配置して、抵抗加熱するよう
にした。なお基板温度は約８７５°Ｃである。
上記の条件により５時間の処理を行なったところ、基板
上に厚さ３．２伽のＹＢａ２ＣＩＪ３０７ 薄膜が生成
された。その薄膜の超電導臨界温度を調べたところ、Ｔ
ｃ（Ｏｎ）は７９．０に、 Ｔｃ （Ｅｎｄ）は７４．
５にであった。
上に厚さ３．２伽のＹＢａ２ＣＩＪ３０７ 薄膜が生成
された。その薄膜の超電導臨界温度を調べたところ、Ｔ
ｃ（Ｏｎ）は７９．０に、 Ｔｃ （Ｅｎｄ）は７４．
５にであった。
し実施例３］
第１図に示すような装置を用いて、Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−
Ｑｕ−Ｑ系酸化物からなる超電導薄膜を次のように形成
した。
Ｑｕ−Ｑ系酸化物からなる超電導薄膜を次のように形成
した。
原料金属の塩の水溶液としては硝酸ビスマス０．１１ｏ
ｌ／ｌ、酢酸ストロンチウム０．１１ｏｌ／ｉ）、硝酸
カルシウム０． Ｉ ｎ＋ｏｌ／ ｌ 、酢酸銅１．８
ｍｏｌ／βの混合塩水溶液を用い、また第１キヤリＡ
７ガスとしては酸素ガス３００ｄ／ｍｉ、第２キヤリヤ
ガスとしては酸素ガス２００威／ ｍｉｎを用いた。噴
霧器としては超音波噴霧器を用い、その超音波出力は２
５Ｗとした。また酸素プラズマ発生用のマイクロ波出力
は４００ｗとした。基板としては酸化マグネシウムを用
い、その基板をプラズマ直下に配置して、高周波加熱す
るようにした。なお基板温度は約９２５℃である。
ｌ／ｌ、酢酸ストロンチウム０．１１ｏｌ／ｉ）、硝酸
カルシウム０． Ｉ ｎ＋ｏｌ／ ｌ 、酢酸銅１．８
ｍｏｌ／βの混合塩水溶液を用い、また第１キヤリＡ
７ガスとしては酸素ガス３００ｄ／ｍｉ、第２キヤリヤ
ガスとしては酸素ガス２００威／ ｍｉｎを用いた。噴
霧器としては超音波噴霧器を用い、その超音波出力は２
５Ｗとした。また酸素プラズマ発生用のマイクロ波出力
は４００ｗとした。基板としては酸化マグネシウムを用
い、その基板をプラズマ直下に配置して、高周波加熱す
るようにした。なお基板温度は約９２５℃である。
上記の条件によって６時間処理を行な・ったところ、基
板上に厚さ５．８踊の ８ ｉ４ （Ｓｒ＋−ｘＣａｘ ）１３ Ｃｕ４０ｙ
（２＜ｙ＜３）の薄膜が生成された。その薄膜の超電
導臨界温度を調べたところＴｃ（Ｏｎ）は８０．５ｋ、
ＴＣ（Ｅｎｄ）は７６．３にであった。
板上に厚さ５．８踊の ８ ｉ４ （Ｓｒ＋−ｘＣａｘ ）１３ Ｃｕ４０ｙ
（２＜ｙ＜３）の薄膜が生成された。その薄膜の超電
導臨界温度を調べたところＴｃ（Ｏｎ）は８０．５ｋ、
ＴＣ（Ｅｎｄ）は７６．３にであった。
発明の効果
この発明の超電導薄膜の製造方法によれば、酸化物セラ
ミック系の超電導薄膜を基板上に形成するにあたり、原
料金属を含む塩の水溶液を噴霧し、その霧状の液滴を酸
素プラズマ中に供給して基板上に堆積させることにより
、原料金属を含む塩の酸化による超電導酸化物の生成と
基板上への″ａｌｌ！生成とが一工程で同時的もしくは
連続的になされるため、超電導７ａ膜生成のための処理
工程を従来よりも格段に少なくして、その製造コストを
従来よりも格段に低くすることができ、また全処理が気
相でおこなわれるため量産化も容易に行なうことができ
る。さらにこの発明の製造方法においては、原料金属を
含む塩の水溶液の霧状の液滴が、極めて酸化性の張り酸
素プラズマによって酸化されて超電導酸化物が生成され
るため、未酸化の金属が薄膜中に含まれるおそれが少な
く、そのため′ＥＡ電導特性の優れた薄膜を得ることが
できる。
ミック系の超電導薄膜を基板上に形成するにあたり、原
料金属を含む塩の水溶液を噴霧し、その霧状の液滴を酸
素プラズマ中に供給して基板上に堆積させることにより
、原料金属を含む塩の酸化による超電導酸化物の生成と
基板上への″ａｌｌ！生成とが一工程で同時的もしくは
連続的になされるため、超電導７ａ膜生成のための処理
工程を従来よりも格段に少なくして、その製造コストを
従来よりも格段に低くすることができ、また全処理が気
相でおこなわれるため量産化も容易に行なうことができ
る。さらにこの発明の製造方法においては、原料金属を
含む塩の水溶液の霧状の液滴が、極めて酸化性の張り酸
素プラズマによって酸化されて超電導酸化物が生成され
るため、未酸化の金属が薄膜中に含まれるおそれが少な
く、そのため′ＥＡ電導特性の優れた薄膜を得ることが
できる。
第１図はこの発明の製造方法を実施する装置の一例を概
略的に示す略解図である。 １・・・原料金属を含む塩の水溶液、 ２・・・噴霧器
、３・・・第１キヤリヤガス、 ４・・・反応管、 ５
・・・第２キヤリヤガス、 ９・・・ＭＩ素プラズマ、
１ｏ・・・基板。
略的に示す略解図である。 １・・・原料金属を含む塩の水溶液、 ２・・・噴霧器
、３・・・第１キヤリヤガス、 ４・・・反応管、 ５
・・・第２キヤリヤガス、 ９・・・ＭＩ素プラズマ、
１ｏ・・・基板。
Claims (1)
- 酸化物セラミック系超電導材料を構成する金属を含む塩
の水溶液を噴霧化し、得られた霧状の液滴を酸素プラズ
マ中に供給して、その酸素プラズマ中もしくは酸素プラ
ズマ近傍に配置された基板上に酸化物セラミック系超電
導薄膜を生成させることを特徴とする酸化物セラミック
系超電導薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33505788A JPH02179880A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 酸化物セラミック系超電導薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33505788A JPH02179880A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 酸化物セラミック系超電導薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02179880A true JPH02179880A (ja) | 1990-07-12 |
| JPH0349985B2 JPH0349985B2 (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18284269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33505788A Granted JPH02179880A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 酸化物セラミック系超電導薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02179880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018676B2 (en) * | 2000-03-29 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Method and device for manufacturing ceramics, semiconductor device and piezoelectric device |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP33505788A patent/JPH02179880A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018676B2 (en) * | 2000-03-29 | 2006-03-28 | Seiko Epson Corporation | Method and device for manufacturing ceramics, semiconductor device and piezoelectric device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0349985B2 (ja) | 1991-07-31 |
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